Title:
犠牲膜用組成物、およびその製造方法、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016017678
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】耐熱性と保存安定性に優れた犠牲膜用組成物とそれを用いた半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】孤立電子対を有する窒素原子を含む繰り返し単位を含んでなるポリマーと、溶剤とを含んでなり、特定の遷移金属イオン含有率が非常に低い犠牲膜用組成物と、多孔質材料を具備した半導体装置を前記組成物を犠牲材料として利用して製造する方法。
Inventors:
Shigeru Nakasugi
Takashi Kinuta
Tsuyoshi Notani
Yanagi Hiroshi
Yusuke Hama
Takashi Kinuta
Tsuyoshi Notani
Yanagi Hiroshi
Yusuke Hama
Application Number:
JP2016538388A
Publication Date:
June 15, 2017
Filing Date:
July 29, 2015
Export Citation:
Assignee:
AZED Electronic Materials (Luxembourg) Societe a Responsible Limite
International Classes:
H01L21/312; H01L21/316; H01L21/768; H01L23/532
Domestic Patent References:
| JP2012138503A | 2012-07-19 | |||
| JP2004207329A | 2004-07-22 | |||
| JP2008281368A | 2008-11-20 | |||
| JP2006077245A | 2006-03-23 | |||
| JP2004319977A | 2004-11-11 | |||
| JP2003141956A | 2003-05-16 | |||
| JP2013103977A | 2013-05-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroyuki Nagai
Yukitaka Nakamura
Yasukazu Sato
Satoru Asakura
Hideaki Maekawa
Yukitaka Nakamura
Yasukazu Sato
Satoru Asakura
Hideaki Maekawa