Title:
シリコン含有材料とシリコンと反応する別の材料との間にバリア材料を有する集積アセンブリ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022541067
Kind Code:
A
Abstract:
幾つかの実施形態は、シリコン含有材料を含む導電性構造体を有するメモリデバイスを含む。スタックは、導電性構造体の上方にあり、交互の絶縁性レベル及び導電性レベルを含む。チャネル材料ピラーはスタックを通って拡張し、導電性構造体と電気的に結合される。メモリセルはチャネル材料ピラーに沿っている。導電性バリア材料は、シリコン含有材料の下にある。導電性バリア材料は、１つ以上の非金属と組み合わせた１つ以上の金属を含む。電気的コンタクトは導電性バリア材料の下にある。電気的コンタクトは、シリコンと反応する領域を含む。シリコンは、導電性バリア材料に少なくとも部分的に起因して、該領域に到達することを妨げられる。制御回路は、電気的コンタクトの下にあり、少なくとも電気的コンタクト及び導電性バリア材料を通じて導電性構造体と電気的に結合される。
Inventors:
Datta Debesh Kumar
daycock david
Chow Keen Wah
George Tom
Dolhout Justin Bee.
Ma Bingri
Klein Rita Jay.
Meldurim John Mark
daycock david
Chow Keen Wah
George Tom
Dolhout Justin Bee.
Ma Bingri
Klein Rita Jay.
Meldurim John Mark
Application Number:
JP2022504052A
Publication Date:
September 21, 2022
Filing Date:
July 27, 2020
Export Citation:
Assignee:
Micron Technology, Ink.
International Classes:
H01L27/11582; H01L21/3205; H01L21/336; H01L27/11556
Domestic Patent References:
| JPH02250354A | 1990-10-08 | |||
| JPH03198329A | 1991-08-29 | |||
| JP2017520109A | 2017-07-20 |
Foreign References:
| US20030042607A1 | 2003-03-06 | |||
| US5977636A | 1999-11-02 | |||
| US20170243651A1 | 2017-08-24 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroyoshi Aoki
Masayuki Amada
Yoshiyuki Osuge
Masayuki Amada
Yoshiyuki Osuge