Title:
メモリ構造
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024006911
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】サイリスタ動作機構に基づき、拡張可能性が高く、動作速度が速いメモリ構造を提供する。【解決手段】基板２００と、第１ゲート構造２１２と、第２ゲート構造２１４と、第３ゲート構造２１６と、互いから分離しており、第１方向Ｘに沿って第１ゲート構造～第３ゲート構造を通過するチャネル本体２２０と、を備えるメモリ構造２０であって、第１ゲート構造～第３ゲート構造は、基板上に配置され、第１方向に沿って互いから分離しており、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚに沿ってそれぞれ延在する。第１ゲート構造は、それぞれ第３方向に沿って延在し、第２方向に沿って互いから分離している第１島構造２１２１、第２島構造２１２２及び第３島構造２１２３を含む。第３ゲート構造は、それぞれ第３方向に沿って延在し、第２方向に沿って互いから分離している第４島構造２１６１、第５島構造２１６２及び第６島構造２１６３を含む。【選択図】図１９
Inventors:
Wei-Chen Chen
Hung Ting Lue
Hung Ting Lue
Application Number:
JP2023001700A
Publication Date:
January 17, 2024
Filing Date:
January 10, 2023
Export Citation:
Assignee:
Macronics International Company Limited
International Classes:
H10B99/00; H10B12/00; H10B63/00
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation RYUKA International Patent Office
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