Title:
多孔性非犠牲支持層を用いた二次元材料とのコンポジット構造を形成するための方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017507044
Kind Code:
A
Abstract:
成長基材からグラフェン、グラフェン系材料、およびその他の二次元材料などの原子薄膜を取り外し、次にその薄膜を二次基材へ移送することは困難であり得る。取り外しおよび移送プロセスの過程で、引裂きおよびコンフォーマル性の問題が持ち上がる可能性がある。グラフェンまたはグラフェン系材料などの二次元材料を操作することによってコンポジット構造を形成するための方法は、成長基材に接着した二次元材料を用意すること；二次元材料が成長基材に接着した状態で、二次元材料上に支持層を堆積すること；および成長基材から二次元材料を剥離することを含んでよく、成長基材からの二次元材料の剥離後、二次元材料は、支持層と接触した状態が維持される。【選択図】図７
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Inventors:
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Application Number:
JP2016549046A
Publication Date:
March 16, 2017
Filing Date:
January 29, 2015
Export Citation:
Assignee:
LOCKHEED MARTIN CORPORATION
International Classes:
B32B9/00; B01D67/00; B01D69/10; B01D69/12; B01D71/02; B32B5/18; B32B18/00; C01B32/15; C01B32/18; C01B32/182
Attorney, Agent or Firm:
Takaki Nishijima
Disciple Maru Ken
Shinichiro Tanaka
Atsushi Hakoda
Kenji Asai
Kazuo Yamazaki
Satsuki Ichikawa
Hironobu Hattori
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