Title:
ピロールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014208499
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】 レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。【解決手段】 下記式（１）：【化１】（式（１）中、Ｒ3は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボニル基、炭素数６〜４０のアリール基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数６〜４０のアリール基、又は複素環基であり、Ｒ4は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜４０のアリール基、又は複素環基であり、Ｒ3とＲ4はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。ｎは０乃至２の整数を示す。）の単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。式（１）のＲ3がベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環又はピレン環であり、Ｒ4が水素原子である。【選択図】 なし
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Inventors:
Tetsuya Shinshiro
Someya Yasunobu
Ryo Ezawa
Nishimaki Hirokazu
Takafumi Endo
Keisuke Hashimoto
Someya Yasunobu
Ryo Ezawa
Nishimaki Hirokazu
Takafumi Endo
Keisuke Hashimoto
Application Number:
JP2015524037A
Publication Date:
February 23, 2017
Filing Date:
June 23, 2014
Export Citation:
Assignee:
Nissan Chemical Industry Co., Ltd.
International Classes:
G03F7/11; C08G12/26; G03F7/26; H01L21/027
Domestic Patent References:
| JP2001354674A | 2001-12-25 |
Foreign References:
| EP1505095A1 | 2005-02-09 | |||
| WO2013047516A1 | 2013-04-04 | |||
| WO2010147155A1 | 2010-12-23 |
Other References:
LIN JINXIAN, WANG PAN AND ZHENG YUYING: "PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF A POLY(PYRROLYL METHANE)/MULTIWALLED CARBON NANOTUBES COMPOSITES", NANO: BREIF REPORTS AND REVIEWS, vol. 8, no. 6, JPN6018002431, 20 December 2013 (2013-12-20), SG, pages 1350063 - 1, ISSN: 0003726657
Attorney, Agent or Firm:
Hanabusa Patent and Trademark Office