Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024036493
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】オン電流が高く、動作速度が速い半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタと、第１回路と、を有する半導体装置である。トランジスタは、第１ゲートおよび第２ゲートを有し、第１ゲートおよび第２ゲートは、半導体層を間に介して互いに重なる領域を有する。第１回路は、温度センサと、電圧制御回路と、を有する。温度センサは、温度情報を取得し、温度情報を電圧制御回路に出力する機能を有する。電圧制御回路は、温度情報を制御電圧に変換する機能を有する。第１回路は、制御電圧を第２ゲートに印加する。【選択図】図１
Inventors:
Tomoaki Atami
Kiyoshi Kato
Tatsuya Onuki
Shunpei Yamazaki
Kiyoshi Kato
Tatsuya Onuki
Shunpei Yamazaki
Application Number:
JP2024015407A
Publication Date:
March 15, 2024
Filing Date:
February 05, 2024
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
G11C5/14; G11C7/04; G11C11/4074; H01L21/336; H01L21/822; H01L21/8234; H01L27/088; H01L29/786; H10B12/00; H10B41/70; H10B99/00
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