Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7375256
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】表示装置の低消費電力化および高精細化を可能とする回路技術を提供することを課題とする。【解決手段】ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に接続される、トランジスタのゲート電極にスタート信号によって制御されるスイッチを設ける。スタート信号が入力されると、スイッチを介して当該トランジスタのゲート電極に電位が供給され、当該トランジスタをオフする。当該トランジスタがオフすると、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極からの電荷の漏れを防止することができる。したがって、ブートストラップ用トランジスタのゲート電極に電荷を充電するための時間を早くすることができるので、高速に動作することができる。【選択図】図５
Inventors:
Atsushi Umezaki
Hiroyuki Miyake
Hiroyuki Miyake
Application Number:
JP2023134182A
Publication Date:
November 07, 2023
Filing Date:
August 21, 2023
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
G11C19/28; G09G3/20; G09G3/36
Domestic Patent References:
| JP2006107692A | ||||
| JP58188396A | ||||
| JP2004185684A | ||||
| JP2001160299A |