平面显示装置具有机身薄、 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的 应用。 现有的平面显示装置主要包括液晶显示器 （ Liquid Crystal Disp】ay， LCD ) 及有机电致.发光 -器件 ( Organic Electroluminescence Device , OELD ) ,也称为有机发光二极管 （ Organic Light Emitting Diode， OLED ) 。

现有的液晶显示器一般为背光型液晶显示器， 其包括： 壳体、 设于壳 体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组 ( Backlight Module ) 。 液晶 显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板 当中放置液晶分子， 并在两 玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋 转， 从,¾将背光模组的光线

曲、 低能耗等特性， 因此受到广泛的关注， 并作为新一代的显示方式， 已 开始逐渐取代传统液晶显示装置， 被广泛应用在手机屏幕、 电脑显示器、 领域。 有机电致发光器件与传统的液晶显示器不同， 其无需 非常薄的有机材料涂层， 当有电流通过 时， 这些有机材料涂层就会发光。

现有的有机发光二极管按驱动方式分类， 包括： 无源矩阵式有机发光 二极'管 ( Passive-matrix organic light emitting diode， PMOLED )与 -源、头巨 阵式有机发光二极管 ( Active-matrix organic light emitting diode， AMOLED ) , 其中， 请参阅图 ： U 所述有源矩阵式有机发光二极管一般包 括： 基板 502、 形成于基板 502 上的薄膜晶体管 （Thin Film Transistor, TFT ) 504及形成于薄膜晶体管 504上的有机发光二极管 506, 所述薄膜晶 体管 504驱动有机发光二极管 506发光, 进而显示相应画面。

薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管 （Driving TFT ) 、 开关薄膜晶体管 ( switch TFT )及其他电路薄膜晶体管， 在有机电致发光器件制备时， 该 驱动薄膜晶体管、 开关薄膜晶体管及其他电路薄膜晶体管的柵极 绝缘层 ( GI ) 同时形成， 厚度相同， 这就使得驱动薄膜晶体管、 开关薄膜晶体管 及其他电路薄膜晶体管的櫥极电容（Ci ) 的大小相等， 而薄膜晶体管的亚 阈值摆幅 （ sub-threshold swing， S.S, ) ， 根据公式： S.S ~kT/q lnl O(i+Cd/Ci) , 可知， 该薄膜晶体管的亚阈值摆幅取决于柵极电容大 小， 而棚 _极电容大小取决于柵极绝缘层的厚度（ΟεΑ/d ) , 那么当驱动薄膜晶 体管、 开关薄膜晶体管及其他电路薄膜晶体管的柵极 绝缘层的厚度相等 时， 就导致驱动薄膜晶体管、 开关薄膜晶体管及其他电路薄膜晶体管亚阈 值摆幅的大小也相等„

薄膜晶体管亚阈值摆幅物理意义在于柵极电压 与漏极电流之间的波形 曲线 （Curving )在亚阔值区的斜率， 通常认为斜率在亚阈值区间内很高的 曲线表现形式， 将不利于用于反映灰阶变化的控制电压的输入 控制； 而在 亚阈值区间内的斜率较低的曲线表现形式， 将利于控制反映灰阶变化的控 制电压， 可知， 当驱动薄膜晶体管亚阔值摆幅较小时， 会导致有机电致发 光器的灰阶不好定义， 如果增加櫥极绝缘层的厚度以增加驱动薄膜晶 体管 亚阈值摆幅， 以便定义灰阶， 那么就会导致开关薄膜晶体管及其他电路薄 膜晶体管的亚阈值摆幅也随之增大， 增大操作电压、 降低电路的操作速 度。

可见， 驱动薄膜晶体管亚阈值摆幅与开关薄膜晶体管 及其他电路薄膜 晶体管的亚阈值摆幅之间存在矛盾， 那么发明一种解决两者之间矛盾的方 案， 对进一步提高有机电致发光器的品质是非常必 要的。 发明内容

本发明的目的在于提供一种有源式有机电致发 光器件背板， 结构简 单， 灰阶定义好， 且操作电压小， 电路操作速度快。

本发明的另一目的在于提供一种有源式有机电 致发光器件背板的制作 方法， 其制程简单， 能在保持开关薄膜晶体管亚阈值摆幅较小的前 提下有 效提高驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅， 进而在不影响操作电压及电路操作 速度的情况下， 可以很好的定义灰阶， 提升有机电致发光器件的品盾。

为实现上述目的， 本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板 ， 包 括： 基板、 设置在基板上的数个有源薄膜晶体管像素阵列 及设置在所述有 源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层、 有机电致发光电极、 像素定义层 及支撑体， 每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶 体管及开关薄膜 晶体管， 所述驱动薄膜晶体管的柵极绝缘层的厚度大于 所述开关薄膜晶体 管的柵极绝缘层的厚度。 所述驱动薄膜晶体管包括设置在基板上的结晶 半导体层， 设置在结晶 半导体层上的第一 *极绝缘层、 设置在第一櫥极绝缘层上栅极绝缘结构、 设置在柵极绝缘结构上的柵极、 设置在栅极上的保护层、 及设置在保护层 上的源极 /漏极， 所述第一橋极绝缘层与栅极绝缘结构共同形成 所述驱动薄 膜晶体管的栅极绝缘层， 所述栅 绝缘结构用于减小驱动薄膜晶体管的柵 极电容， 进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅， 以利于实现灰阶定义。

所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度小于 或等于所述驱动薄膜晶 体管第一柵极绝缘层的厚度。

所述有机平坦化层设置在源 /漏极之上。

所述保护层包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合； 所述有机电致发 光电极的材料包含有氧化铟锡或银中至少一种 或其组合。

所述第一櫥极绝缘层为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层 之一或其组合； 所述 *极绝缘结构为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合。

还包括緩冲层， 该緩冲层设置于基板与所述有源薄膜晶体管像 素阵列 之间。

本发明还提供一种有源式有机电致发光器件背 板， 包括： 基板 设置 在基板上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设 置在所述有源薄膜晶体管像 素阵列上的有机平坦层。 有机电致发光电极、 像素定义层及支撑体， 每一 有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶体管 及开关薄膜晶体管， 所述驱 动薄膜晶体管的棚'极绝缘层的厚度大于所述� �关薄膜晶体管的柵极绝缘层 的厚度；

其中， 所述驱动薄膜晶体管包括设置在基板上的结晶 半导体层， 设置 在结晶半导体层上的第一櫪极绝缘层， 设置在第一栅极绝缘层上栅极绝缘 结构、 设置在柵极绝缘结构上的柵极、 设置在 *极上的保护层、 及设置在 保护层上的源极 /漏极， 所述第一栅极绝缘层与栅极绝缘结构共同形成 所述 驱动薄膜晶体管的橋极绝缘层， 所述栅极绝缘结构用于减小驱动薄膜晶体 管的柵极电容， 进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅， 以利于实现灰阶 定义；

其中， 所述开关薄膜晶体管的 *极绝缘层的厚度小于或等于所述驱动 薄膜晶体管第一极极绝缘层的厚度。

所述有机平坦化层设置在源 /漏极之上。

所述保护层包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合； 所述有机电致发 所述第一柵极绝缘层为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层 之一或其组合； 所述栅极绝缘结构为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合。

还包括缓冲层， 该緩冲层设置于基板与所述有源薄膜晶体管像 素阵列 之间。

本发明还提供一种有源式有机电致发光器件背 板的制作方法， 包括以 下步骤：

一基板；

步骤 4、 在结晶半导体层上依次沉积下层橋极绝缘层与 上层橋极绝缘 层；

步骤 5、 图案化该上层槲极绝缘层以形成驱动薄膜晶体 管的 *极绝缘 结构； 所述下层柵极绝缘层形成驱动薄膜晶体管的第 一 *极绝缘层及开关 薄膜晶体管的柵极绝缘层， 所述第一栅极绝缘层与柵极绝缘结构共同形成 所述驱动薄膜晶体管的棚_极绝缘层；

步骤 6、 在驱动薄膜晶体管的柵极绝缘层上形成驱动薄 膜晶体管的柵 极、 保护层、 及源极 /漏极， 同时， 在开关薄膜晶体管的 *极绝缘层形成开 关薄膜晶体管的橱极 保护层、 及源极 /漏极；

步骤 7。 在驱动薄膜晶体管的源极 /漏极及开关薄膜晶体管的源极 /漏极 形成有机平坦化层；

步骤 8、 在有机平坦化层上形成有机电致发光电极， 该有机电致发光 电极连接于所述驱动薄膜晶体管的源极 /漏极上。

还包括步骤 9 , 在有机平坦化层上形成像素定义层， 在像素定义层上 形成支撑体。

所述第一櫥极绝缘层为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层 之一或其组合； 所述柵极绝缘结构为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合; 所述保护层包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组 合； 所述有机电致发光电极的材料包含有氧化铟锡 或银中至少一种或其组 合。

本发明的有益效杲： 本发明的有源式有机电致发光器件背板及其制 作 方法， 通过加厚驱动薄膜晶体管的 *极绝缘层， 以降低驱动薄膜晶体管的 柵极电容， 进而增大了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅， 可以很好的定义灰 阶， 同时， 保持开关薄膜晶体管的柵极绝缘层的厚度不变 ， 使得开关薄膜 晶体管的亚阔值摆幅保持较小， 可以降低操作电压与增加电路搡作速度， 有效提高机电致发光器件的品质。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内 容， 请参阔以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明

下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图 为现有的有源矩阵式有机发光二极管的大体结 构示意图； 图 2为本发明有源式有机电致发光器件背板的内� �结构示意图； 图 3为本发明有源式有机电致发光器件背板制作� �法的流程图。 具体实旅方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其 效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图 2 , 本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板 ， 包括： 基板 20、 设置在基板 20上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设置在� ��述 有源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层 228、 有机电致发光电极 229、 像素定义层 25 及支撑体 28， 每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜 晶体管 22及开关薄膜晶体管 24， 所述驱动薄膜晶体管 22 的柵极绝缘层 220的厚度大于所述开关薄膜晶体管 24的柵极绝缘层 240的厚度， 使得所 述驱动薄膜晶体管 22的 *极电容值小于所述开关薄膜晶体管 24的櫪极电 容值， 进而使得所述驱动薄膜晶体管 22 的亚阈值摆幅大于所述开关薄膜 晶体管 24的亚阈值摆幅， 由于驱动薄膜晶体管 22的亚阈值摆幅较大， 可 以很好的定义灰阶， 同时由于开关薄膜晶体管 24 的亚阈值摆幅较小， 可 以降低操作电压与增加电路搡作速度。

具体地， 请参阅图 2, 所述驱动薄膜晶体管 22 包括设置在基板 20上 的结晶半导体层 221， 设置在结晶半导体层 221 上的第一 *极绝缘层 222、 设置在第一柵极绝缘层 222上柵极绝缘结构 224、 设置在柵极绝缘结 构 224上的 *极 225、 设置在柵极 225上的保护层 226、 及设置在保护层 226上的源极 /漏极 227, 所述第一柵极绝缘层 222与栅极绝缘结构 224共 同形成所述驱动薄膜晶体管 22的柵极绝缘层 220, 所述栅极绝缘结构 224 用于减小驱动薄膜晶体管 22的栅极电容， 进而增大驱动薄膜晶体管 22的 亚阈值摆幅， 以利于实现灰阶定义。

在有机电致发光器件的生产制程中， 所述开关薄膜晶体管 24 的栅极 绝缘层 240与所述驱动薄膜晶体管 22第一柵极绝缘层 222 同时形成， 使 得所述开关薄膜晶体管 24 的棚 _极绝缘层 240 的厚度小于或等于所述驱动 薄膜晶体管 22 第一柵极绝缘层 222 的厚度， 优选的, 所述柵极绝缘结构 224的厚度大于第一 *极绝缘层 222的厚度， 使得驱动薄膜晶体管 22的亚 阈值摆幅足够大的同时， 开关薄膜晶体管 24的亚阈值摆幅足够小。

所述第一柵极绝缘层 222为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮化 硅层之一或其组合； 所述棚 ·极绝缘结构 224为单层或多层结构， 其包括氧 化硅层、 氮化硅层之一或其组合。

所述保护层 226 包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合； 所述有机电 致发光电极 229的材料包含有氧化铟锡或银中至少一种或其 组合。

进一步的， 本发明的有机电致发光器件还包括緩冲层 26， 该缓冲层 26设置于基板 20与所述有源薄膜晶体管像素阵列之闾， 以防止杂质扩散 至所述有源薄膜晶体管像素阵列。

请参阅图 3， 并参考图 2， 本发明还提供一种有源式有机电致发光器 件背板的制作方法， 包括以下步骤：

步骤 1、 提供一基板 20。

所述基板 20为透明基板， 优选的， 在本实施例中， 所述基板 20为玻 璃基板。

步糠 2、 在基板 20上形成緩冲层 26。

该緩冲层 26 包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合， 以防止杂质扩 散至所述有源薄膜晶体管像素阵列。

步骤 3、 在缓冲层 26上形成结晶半导体层 221。

具体地， 先在缓沖层 26 形成非晶硅层， 再通过激光退火工艺将该非 晶硅层转变为多晶硅层， 并图案化该多晶硅层， 最后对多晶硅层进行掺杂 制程， 形成结晶半导体层 221。

步骤 4、 在结晶半导体层 221 上依次沉积下层櫥极绝缘层与上层柵极 绝缘层。

该下层柵极绝缘层与上层柵极绝缘层均可为单 层或多层结构， 其包括 氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合。

步骤 5、 图案化该上层棚_极绝缘层以形成驱动薄膜晶� �管 22的柵极绝 缘结构 224; 所述下层棚 _极绝缘层形成驱动薄膜晶体管 22的第一栅极绝缘 层 222及开关薄膜晶体管 24的槲极绝缘层 240 , 所述第一櫥极绝缘层 222 与栅极绝缘结构 224共同形成所述驱动薄膜晶体管 22的栅极绝缘层 220。

具体为， 在预定驱动薄膜晶体管 22 的柵极 225 的下方形成栅极绝缘 结构 224， 该栅极绝缘结构 224为单层或多层结构， 其包括氧化硅层、 氮 化硅层-之一或其组合。

其具体工艺可为： 在上层栩 -.极绝缘层覆一层感光（ photo- sensitive ) 材 料， 该层感光材料即为所谓的光阻， 然后使得光线通过光罩照射于光阻上 以将该光阻曝光。 由于光罩上具有柵极绝缘结构 224 的图案， 将使光线得 以穿过光罩而照射于光阻上， 使得光阻的曝光具有选择性， 同时借此将光 罩上的图案完整的复印至光阻上。 然后， 利用合适的显影液剂 ( developer ) 除去部分光阻， 使得光阻显现所需要的图案。

由于所述驱动薄膜晶体管 22的棚 _极绝缘层 220由第一柵极绝缘层 222 与槲极绝缘结构 224共同形成， 其厚度大于开关薄膜晶体管 24 的柵极绝 缘层 240， 使得所述驱动薄膜晶体管 22的树极电容值小于所述开关薄膜晶 体管 24的柵极电容值， 进而使得所述驱动薄膜晶体管 22的亚阈值摆幅大 于所述开关薄膜晶体管 24的亚阈值摆幅， 由于驱动薄膜晶体管 22的亚阈 值摆幅较大， 可以很好的定义灰阶， 同时由于开关薄膜晶体管 24 的亚阈 值摆幅较小， 可以降低操作电压与增加电路操作速度。

步骤 6。 在驱动薄膜晶体管 22的极极绝缘层 220上形成驱动薄膜晶体 管 22的极极 225、 保护层 226、 及源极 /漏极 227 , 同时， 在开关薄膜晶体 管 24 的柵极绝缘层 240 形成开关薄膜晶体管 24 的栅极 245、 保护层 246 , 及源极 /漏极 247。

所述保护层 226包括氧化硅层、 氮化硅层之一或其组合。

步骤 7、 在驱动薄膜晶体管 22的源极 /漏极 227及开关薄膜晶体管 24 的源极 /漏极 247形成有机平坦化层 228ο

所述有机平坦化层 228用于平坦化整个有源薄膜晶体管像素阵列的 结 构， 是便于实现后续制程。

步骤 8、 在有机平坦化层 228 上形成有机电致发光电极 229 , 该有机 电致发光电极 229连接于所述驱动薄膜晶体管 22的源极 /漏极 227上。

所述.有机电致发光电极 229 的材料包含有氧化铟锡或银中至少一种或 其组合。

步骤 9、 在有机平坦化层 228上形成像素定义层 25， 在像素定义层 25 上形成支撑体 28。

所述支撑体 28 用于支撑封装盖板（未图示） ， 其可通过光罩制程形 成。

综上所述， 本发明的有源式有机电致发光器件背板及其制 作方法， 通 过加厚驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层， 以降低驱动薄膜晶体管的橱极电 容， 进,¾增大了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅， 可以很好的定义灰阶， 同 时， 保持开关薄膜晶体管的柵极绝缘层的厚度不变 ， 使得开关薄膜晶体管 的亚阈值摆幅保持较小， 可以降低操作电压与增加电路操作速度， 有效提 高机电致发光器件的品质。

以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变 形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。