Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur spektrometrischen Erfassung von

Licht, die zumindest umfasst

- einen wellenlängeneinstellbaren Filter zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen und

- eine als Detektor ausgebildete organische Photodiode zur Umwandlung der Ortsinformationen in weiterleitbare elektrische Signale,

wobei der Filter und die organische Photodiode einen einstückigen Monolith bilden, wobei die organische Photodiode in einer Anbindungsanordnung an den

Filter oder die organische Photodiode in einer Integration in den Filter zusammenführt ist,

wobei der Filter zumindest aus einem spektral auflösenden Element in Form mindestens eines den Monolithen darstellenden, schichtartigen photonischen Kristalls besteht, bei dem zwei Schichten mit variabler Dicke D entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist, wobei zwischen den beiden Schichten eine Resonanzschicht angeordnet ist,

wobei die mit dem Filter kontaktierende organische Photodiode zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht:

einer photoaktiven Schicht,

einer ersten Elektrode der photoaktiven Schicht und

einer zweiten Elektrode der photoaktiven Schicht,

wobei die photoaktive Schicht sich zwischen den beiden Elektroden befindet und eine der Elektroden mit dem photonischen Kristall in Kontakt steht.

Stand der Technik

Eine solche in Fig. 7 dargestellte, herkömmliche spektral auflösende Vorrichtung 101 innerhalb einer spektrometrischen Einrichtung 102 besteht aus mindestens einem Filter 20, der die spektrale Information in eine Ortsinformation umwandelt, sowie einem Detektor 30, der die erfasste Ortsinformation in Form des anschließend in einem begrenzten Wellenlängenbereich zuzuordnenden Signals in einen Datenstrom umwandelt. Die zwei Komponenten - Filter 20 und Detektor 30 - werden einzeln hergestellt und müssen anschließend justiert und fixiert werden. Dadurch ist eine Massenfertigung infolge zumindest hoher Kosten schwierig umzusetzen und die mechanische Stabilität sowie die gegebenenfalls notwendige geometrische Ausdehnung können Einsatzorte und Einsatzzwecke verhindern.

In der Druckschrift US 2014/0 106 468 A1 sind ein photonischer Kristallsensor und ein Verfahren zur Erfassung eines Analytikums beschrieben.

Der Sensor besteht aus einem photonischen Kristall,

wobei der photonische Kristall aus einem Analytikum-sensitiven polymerischen Material gebildet ist,

wobei das Material bei einem Kontakt mit dem Analytikum deformierbar ist, wobei durch den Kontakt eine optische Eigenschaft des photonischen Kristalls verändert wird oder von dessen Material ein Brechungsindex durch den Kontakt mit dem genannten Analytikum-sensitiven Material verändert wird und das Analytikum-sensitive Material einen Teil einer periodischen Struktur des photonischen Kristalls bildet,

wobei die Struktur wechselnde Zonen eines relativ hohen Brechungsindex und Zonen einen relativ niedrigen Brechungsindex hat,

wobei die wechselnden Zonen in einer oder zwei orthogonalen Richtungen des Analytikum-sensitiven Materials vorgesehen sind.

Das zugehörige Verfahren zur Herstellung eines solchen optischen Sensors, der den photonischen Kristall zur Erfassung eines Analytikums aufweist,

umfasst folgende Schritte:

Erzeugen eines Stempels mit einer Oberfläche, die ein Muster zum Aufdrucken einer periodischen Struktur für den photonischen Kristall enthält,

Erzeugen eines druckfähigen Analytikum-sensitiven Materials für den photonischen Kristall,

Aufdrucken der periodischen Struktur in das druckfähige Material durch Pressen der genannten Oberfläche des Stempels in eine Oberfläche des druckfähigen Materials,

wahlweise Härten des Materials, in das die periodische Struktur gedruckt worden ist, und

wobei das Aufdrucken und das wahlweise Härten des photonischen Kristalls durchgeführt werden,

wobei das Material des photonischen Kristalls, in den die periodische Struktur eingedruckt worden ist, deformierbar ist, wenn mit dem Analytikum kontaktiert wird,

wobei die Deformation des Materials eine optische Eigenschaft des photonischen Kristalls verändert oder

wobei der Brechungsindex des Materials des photonischen Kristalls, in dem die periodische Struktur eingedruckt worden ist, durch den Kontakt mit dem genannten Analytikum veränderlich ist. Der Nachteil besteht darin, dass dieser Sensor für ein spezifisches Analytikum konzipiert ist, dass dazu mit dem Sensor wechselwirken muss. Gemessen wird anschließend z.B.: die spektrale Verschiebung einer Resonanz oder eine Intensitätsänderung. Nachteilig ist es, dass für diesen Prozess eine gewisse Zeit t (einige s bis wenige min) bis zur Einstellung eines Gleichgewichtszustandes notwendig ist, sowohl bei der Erfassung des Analytikums als auch bei der anschließenden Reaktivierung des Sensors. Zusätzlich ist es nicht ersichtlich, in welcher Form ein breites Lichtspektrum durch den Sensor analysiert wird. In der Druckschrift US 2012/0 136 227 A1 ist ein spektrophotometrischer Sensor beschrieben, der aus folgenden Elementen:

einem Sensorkörper,

einem lichtemittierenden Element, das an dem Sensorkörper anliegt,

einem Wellenlängen unterscheidenden Detektor, der angeordnet an dem Sensorkörper angeordnet ist, wobei der Wellenlängen unterscheidende Detektor aus

einer organisches Licht emittierenden Diode oder einem organischen

Photodetektor

besteht.

Der Wellenlängen unterscheidende Detektor erfasst Licht einer oder mehrerer diskreter Wellenlängen.

Die organische Licht emittierende Diode oder der organische Photodetektor können bestehen aus:

einer organischen Schicht,

einer Substratschicht und

einer oder mehreren transparenten Elektrodenschichten.

Der Nachteil besteht darin, dass bei dem beschriebenen Sensor nur eine grobe Auflösung eine Spektrums möglich ist, d.h. es können spektrale Bänder von 50 - 100nm Breite voneinander getrennt erfasst werden, da ausschließlich über die Absorptionseigenschaften der OLEDs bzw. Photodetektoren eine Detektion/Separation stattfindet. Des Weiteren ist bei der vorgeschlagenen Verwendung von OLEDs im Rückwärtsbetrieb mit einer schlechten Effizienz der Signalerfassung zu rechnen.

In der Druckschrift US 2009/0 220 189 A1 ist ein Detektorsystem zur Erfassung von transmittierendem Licht mit lateralen Veränderungen beschrieben.

Das Detektorsystem umfasst

einen optischen Sensor, der ein oder mehrere Teil-Bande von optischen Wellenlängen ausgibt, wenn dieser mit einem breiten Band von optischen Wellenlängen beleuchtet werden, und

einen Detektor, der umfasst mindestens eine Schicht mit lateral veränderlichen Transmissionseigenschaften, wobei der Detektor Austrittslicht durch den optischen Sensor empfängt und einen Teil des empfangenen Lichts auf einer Position von mindestens einer Schicht durchlässt, wobei der Detektor die Position nutzt, um Wellenlängenänderungen beim Austritt aus dem optischen Sensor zu bestimmen.

Ein Nachteil besteht darin, dass das Detektorsystem einen zusätzlichen optischen Sensor zur Vorselektion des Breitbandspektrums und anschließenden Einkopplung in den Detektor benötigt. Des Weiteren ist aus der Beschreibung eine vollständige monolithische Verbindung zwischen spektralem Filterelement und den optischen Ausleseeinheiten ersichtlich, was eine Ausrichtung der Komponenten zueinander erforderlich macht (zumindest habe ich keine Erwähnung von monolithisch gefunden). Ein weiterer Nachteil ist die Verwendung von herkömmlichen Photosensoren aus anorganischen Halbleiter- Material, deren Herstellung aufwändig und kostenintensiv ist. Eine Kombination oder gar eine Integration der Sensoren in/mit photonische/n Kristalle/n ist auf Grund der unterschiedlichen Materialien/Verfahren zur Herstellung der Filmstrukturen der photonischen Kristalle schwierig bis unmöglich.

Aufgabe

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur spektrome- trischen Erfassung von Licht anzugeben, die derart geeignet ausgebildet ist, dass die spektrale Aufspaltung des Eingangssignals und die Umwandlung in einen auswertbaren Datenstrom innerhalb einer einstückigen Komponenten- Struktur gleichzeitig stattfinden. Die Verwendung von organischen Halbleitern ermöglicht eine kostengünstige und gut integrierbare Herstellung. Zusätzlich kann durch optische Verstärkungseffekte des Filters die Wechselwirkung des Detektors mit dem zu analysierenden Lichtspektrum erhöht und damit dessen Empfindlichkeit verbessert werden.

Beschreibung Die Aufgabe der Erfindung wird mittels der Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.

Die Vorrichtung zur spektrometrischen Erfassung von Licht

umfasst zumindest

- einen wellenlängeneinstellbaren Filter zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen und

- eine als Detektor ausgebildete organische Photodiode zur Umwandlung der Ortsinformationen in weiterleitbare elektische Signale,

wobei der Filter und die organische Photodiode einen einstückigen Monolith bilden, wobei die organische Photodiode in einer Anbindungsanordnung an den Filter oder die organische Photodiode in einer Integration in den Filter zusammenführt ist,

wobei der Filter zumindest

aus einem spektral auflösenden Element in Form mindestens eines den Monolithen darstellenden, schichtartigen photonischen Kristalls besteht, bei dem zwei Schichten mit variabler Dicke D entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist, wobei zwischen den beiden Schichten eine Resonanzschicht angeordnet ist,

wobei die mit dem Filter kontaktierende organische Photodiode zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht

- einer photoaktiven Schicht

- einer ersten Elektrode der photoaktiven Schicht und

- einer zweiten Elektrode der photoaktiven Schicht,

wobei die photoaktive Schicht sich zwischen den beiden Elektroden befindet und eine der Elektroden mit dem photonischen Kristall in Kontakt steht, wobei gemäß dem Kennzeichenteil des Patentanspruchs 1

die Detektorschichten:

die photoaktive Schicht,

die erste Elektrode der photoaktiven Schicht und

die zweite Elektrode der photoaktiven Schicht,

sich innerhalb der Resonanzschicht des photonischen Kristalls des Filters befinden. Ein wellenlängeneinstellbarer Filter im Sinne der Erfindung bezeichnet ein optisches Bauelement, das spektrale Komponenten des Lichts oder des Lichtsignals räumlich auftrennen kann. Die Wellenlängeneinstellung wird bestimmt durch die Schichtabfolge und die Schichtdicken der einzelnen Schichten.

Erfindungsgemäß bezeichnen organische Photodioden Schichtfolgen aus mindestens einem photoaktiven, organischen Halbleitermaterial, sowie zwei Elektroden zum Abtransport der generierten Ladungsträger und damit der elektrischen Signalerzeugung. Es können weitere Hilfsschichten aus abweichenden Materialien eingesetzt werden, um die Effizienz oder Empfindlichkeit (Intensität oder Spektrum) zu verändern. Dazu zählen Elektronen/Lochblocker, Transportschichten für Ladungsträger, dotierte Schichten. Über lokale Variation der Schichtzusammensetzung (beispielsweise der Art und Menge der absorbierenden Moleküle) kann eine Anpassung des optimalen Arbeitsspektrums des Detektors an den spektralen Verlauf der Filterstruktur hergestellt werden. Erreicht werden kann dies bspw. durch Off-Axis - Aufdampfverfahren, temporäre Abschattung von einzelnen Gebieten, Druckmethoden oder Schleuder und Tauchverfahren. In diesem Fall sorgt die Funktionsweise eines Mikroresonators zu einer erhöhten Wechselwirkung zwischen dem Detektor/der Photodiode und den gefilterten Photonen. Für resonante Frequenzen/Wellenlängen bilden sich in der Resonanzschicht stehende elektromagnetische Wellen aus, deren Feldamplitude ein Vielfaches des Ausgangswertes der eingestrahlten Welle besitzt. Die Intensität ist proportional zum Quadrat der Amplitude, damit erhöht sich bei einem organischem Detektor mit photoaktivem Material geringen Absorptionskoeffizientens dessen Empfindlichkeit.

In einer Modellbetrachtung eines Mikroresonators durchlaufen Photonen, die sich in der Resonanzschicht befinden, diese Q mal, wobei mit Q die Güte eines Mikroresonators angegeben wird, welche im wesentlichen durch das Reflexi- onsvermögen von dessen Spiegeln bestimmt wird. Je größer Q ist (je reflektiver seine Spiegel, Stand der Technik >1.000-10.000 ), umso öfter durchläuft ein Photon die Resonanzschicht, d.h. effektiv wird die Detektordicke vervielfacht und es erhöht sich drastisch die Wahrscheinlichkeit, dass ein Photon ein elektrisch detektierbares Elektron-Loch-Paar erzeugt.

Der Filter und die nach der Eintrittsfläche des Filters nachgeordnete Photodiode kontaktieren derart miteinander, dass sie die monolithische Einheit bilden, wobei der Filter zumindest

aus einem spektral auflösenden Element in Form mindestens eines photonischen Kristalls besteht, bei dem mindestens eine Schicht mit variabler

Dicke D entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist, wobei die mit dem Filter kontaktierende organische Photodiode zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht:

der photoaktiven Schicht,

der ersten Elektrode der photoaktiven Schicht und

der zweiten Elektrode der photoaktiven Schicht,

wobei sich die photoaktive Schicht zwischen den beiden Elektroden befindet und eine der beiden Elektroden mit dem photonischen Kristall in Kontakt steht. Die andere der beiden Elektroden der photoaktiven Schicht kann mit einem planparallelen schichtartigen Substrat in Verbindung stehen.

In der photoaktiven Schicht der organischen Photodiode können sich durch Erzeugung mittels Lichteinstrahlung Ladungsträger im gesamten spektral sensitiven Bereich befinden.

Der Filter kann als linearer Verlaufsfilter mit Bragg-Reflektoren ausgebildet sein.

Der Filter kann als wellenlängenabhängiger Mikroresonator ausgebildet sein, wobei der Mikroresonator als eine dielektrische Spiegelanordnung ausgebildet ist und zumindest besteht aus

einer ersten Spiegelschichtanordnung mit abwechselnd hochbrechenden und niedrigbrechenden Materialschichten,

einer zweiten Spiegelschichtanordnung mit abwechselnd hochbrechenden und niedrigbrechenden Materialschichten und

einer Resonanzschicht, die zwischen den beiden Spiegelanordnungen angeordnet ist.

Der Filter kann andererseits als wellenlängeneinstellbarer Mikroresonator ausgebildet sein, wobei der Mikroresonator zumindest besteht aus:

- einem ersten Schichtstapel mit einem ersten vorgegebenen Brechungsindex,

- einem zweiten Schichtstapel mit einem zweiten vorgegebenen Brechungsindex, wobei sich der erste Brechungsindex und der zweite

Brechungsindex voneinander unterscheiden, und

- einer Resonanzschicht, die zwischen den beiden Schichtstapeln angeordnet ist,

wobei mindestens einer der beiden Schichtstapel oder zumindest die Resonanzschicht mit variabler stetig ansteigender Dicke D entlang der Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist.

Eine transparente Schicht kann als Substrat zur mechanischen Stabilisierung des Filters an einer der Schichtanordnungen angebracht sein.

Der wellenlängenabhängige und -einstellbare Mikroresonator kann somit keilförmig ausgebildet sein. Eine spektrometrische Einrichtung zur Erfassung von Licht unter Einsatz der vorgenannten Vorrichtung kann zumindest umfassen

- eine Lichtquelle,

- einen Filter zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen mit einer Eintrittsfläche, auf die die Lichtanteile seitens der

Lichtquelle fallen,

- einen Detektor in Form einer organischen Photodiode zur Erfassung der Ortsinformationen und Umwandlung der Ortsinformationen in weiterleitbare elektrische Signale,

- eine Auswerteeinheit, die über Signal führende Verbindungsleitungen mit der organischen Photodiode verbunden ist, und

- eine Anzeigeeinheit,

wobei gemäß dem Kennzeichenteil des Patentanspruchs 10

der Filter und die nach der Eintrittsfläche des Filters nachgeordnete Photodiode derart miteinander kontaktieren, dass sie eine einstückige monolithische Einheit bilden,

wobei der Filter zumindest

aus einem spektral auflösenden Element in Form mindestens eines schichtartigen photonischen Kristalls besteht, bei dem mindestens eine Schicht mit variabler Dicke D zur Einstellung eines vorgegebenen Wellenlängenbereiches entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist, wobei die mit dem Filter kontaktierende Photodiode zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht:

- einer photoaktiven Schicht,

- einer ersten Elektrode der photoaktiven Schicht und

- einer zweiten Elektrode der photoaktiven Schicht,

wobei die photoaktive Schicht sich zwischen den beiden Elektroden befindet und eine der beiden Elektroden mit dem photonischen Kristall in Kontakt steht, und

die Detektorschichten sich innerhalb der Resonanzschicht des photonischen Kristalls des Filters befinden.

Die andere der beiden Elektroden der photoaktiven Schicht kann mit einem beiderseitig ebenen schichtartigen Substrat in Verbindung stehen.

Zumindest eine der Elektroden des Detektors kann strukturiert ausgebildet sein. Die Verbindungsleitungen zur Signalführung können zwischen dem Detektor und der Auswerteeinheit vorhanden sein.

Es gibt einen durchgelassenen Anteil des aus der Lichtquelle emittierten und einfallenden Lichtes nach dem Durchgang durch den Filter hindurch im transparenten Bereich der Vorrichtung, wobei der Anteil des durchgelassenen Lichtes Ladungsträger im sensitiven Bereich der photoaktiven Schicht erzeugt, die ein optisches Signal ausbilden und in ein weiterleitbares elektrisches Signal umgewandelt werden, und

wobei das jeweils erhaltene elektrische Signal über die Verbindungsleitungen an die Auswerteeinheit zur Auswertung geleitet wird.

Zusammenfassend kann beschrieben werden:

Als spektral auflösendes Element wird ein photonischer Kristall, z.B. ein Mikroresonator, eingesetzt, bei dem mindestens eine Materialschicht mit wellenlängeneinstellbarer variabler Dicke D entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgeführt ist.

Für die Detektion wird eine sich entlang des spektral auflösenden Elementes ortssensitive Schichtstruktur, z.B. eine organische Photodiode/Solarzelle oder Perowskite, verwendet, in der Photonen in Ladungsträger umwandelt werden. Über deren Elektroden kann anschließend der Ort des Signals und durch eine Kalibrierung die spektrale Information erhalten werden.

Abhängig von der konkreten Schichtstruktur und den verwendeten Materialien kann der Detektor dem Filter somit unmittelbar kontaktierend nachgeordnet sein oder noch filtereingreifender in dessen Resonanzschicht eingebettet sein.

Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in weiteren Unteransprüchen angegeben. Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen mittels mehrerer Zeichnungen näher erläutert:

Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer monolithischen Vorrichtung zur

Erfassung von Licht, insbesondere von

Lichtimpulsen, wobei

Fig. 1a eine zweite monolithische Vorrichtung,

Fig. 1 b eine dritte monolithische erfindungsgemäße Vorrichtung und

Fig. 1c eine vierte monolithische erfindungsgemäße Vorrichtung zeigen, eine schematische Darstellung einer spektrometrischen Einrichtung zur Erfassung von Licht, insbesondere von Lichtimpulsen mit der monolithischen Vorrichtung nach Fig. 1 ,

Fig. 3 eine Darstellung der Transmission der Struktur Photodiode und

Mikrokavität (1T1S)8 1T 2mC 1T (1S1T) 7 in Abhängigkeit der Wellenlänge mit einem Vergleich der Transmissionseigenschaften einer einzelnen Mikrokavität mit der jeweiligen Schichtzusammensetzung, beinhaltend zwei dielektrische Spiegelschichten (1T1S)8 1T sowie 1T(1S1T)7 und den verschiedenen Strukturen, wobei 2C niedrigbrechendes Material mit einer optischen Dicke von K/2 und 4C niedrigbrechendes Material mit einer Dicke λ darstellen sowie 10/100

Ap 100/125Zp 10/20 Ap geführt zu 10/100nm Ag (Silber), 100/125nm Photodiode (ZnPc - Zinkphthalozyanin als repräsentative absorptive Schicht), 10/20nm Ag (Silber) hinter der Mikrokavität, Fig. 4 eine Darstellung der Feldamplitude ohne/mit Metallschicht (z.B. Ag) im

Inneren der Resonanzschicht eines Mikroresonators, wobei trotz des geringen Transmissionsgrades von 20nm Silber sich durch die Anordnung in einem Feldknoten die Erhöhung der Feldamplitude nur vom Faktor 25 auf den Faktor 15 reduziert,

Fig. 5 eine Darstellung eines Feldamplitudenverlaufs bei einer Anordnung einer Modell-Photodiode (10nm Ag, 150nm ZnPc, 20nm Ag) hinter einer Mikrokavität (Resonanzschicht eines Filters), wobei trotz des absorptiven Charakters der Photodiode die maximale Feldamplitude des Mikroresonators einer Verstärkung von„18" entspricht,

Fig. 6 eine Darstellung des Intensitätsverlaufes des elektrischen Feldes für die Photodiode nachgeordnet der Mikrokavität gemäß Fig. 5, aufgetragen über Wellenlängen sowie die Dicke der organischen Schicht und

Fig. 7 eine schematische Darstellung einer spektrometrischen Einrichtung zur

Erfassung von Licht mit einer Vorrichtung nach dem Stand der Technik.

In Fig. 1 ist eine Vorrichtung 1 zur spektrometrischen Erfassung von Licht, insbesondere von Lichtimpulsen dargestellt,

wobei die Vorrichtung 1 zumindest umfasst

- einen wellenlängeneinstellbaren Filter 20 zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen und

- eine als Detektor ausgebildete organische Photodiode 30 zur Umwandlung der Ortsinformationen in weiterleitbare elektrische Signale. Der Filter 20 und die organische Photodiode 30 bilden einen einstückigen Monolithen, wobei die organische Photodiode 30 in einer Anbindungsanordnung an den Filter 20 oder die organische Photodiode 30 in einer Integration in den Filter 20 zusammengeführt ist. Der Filter 20 und die nach der Eintrittsfläche 5 des Filters 20 nachgeordnete Photodiode 30 kontaktieren derart miteinander, dass sie die monolithische Einheit bilden,

wobei der Filter 20 im Detail zumindest aus einem spektral auflösenden Element in Form mindestens eines photonischen Kristalls 21 besteht, bei dem mindestens eine Schicht 2, 3 mit variabler wellenlängenabgestimmter einstellbarer Dicke 0 entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist,

wobei die mit dem Filter 20 kontaktierende organische Photodiode 30 zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht:

- einer photoaktiven Schicht 31 zur Ladungsträgererzeugung,

- einer ersten Elektrode 33 der photoaktiven Schicht 31 und

- einer zweiten Elektrode 32 der photoaktiven Schicht 31 ,

wobei die photoaktive Schicht 31 sich zwischen den beiden Elektroden 33, 32 befindet und eine der beiden Elektroden, die erste Elektrode 33 mit dem photonischen Kristall 21 in engem Kontakt steht.

Die andere zweite Elektrode 32 der photoaktiven Schicht 31 kann mit einem beiderseitig ebenen, als Schicht ausgebildeten Substrat 50 in Verbindung stehen.

Erfindungsgemäß befinden sich gemäß der Fig. 1b, Fig. 1c und Fig. 2 die Detektorschichten 33, 32, 31 der Photodiode 30:

- die photoaktive Schicht 31 zur Ladungsträgererzeugung,

- die erste Elektrode 33 der photoaktiven Schicht 31 und

- die zweite Elektrode 32 der photoaktiven Schicht 31

sich in Integration innerhalb der Resonanzschicht 4 des photonischen Kristalls 21 und zwischen den sich gegenüberliegenden Schichtanordnungen 2 und 3.

Die Detektorschichten 33, 32, 31 können aber auch in den Filter 20 integriert sein und mit dem umgebenden Filter 20 die monolithische Einheit bilden.

In der photoaktiven Schicht 31 der organischen Photodiode 30 insbesondere im sensitiven Bereich der Vorrichtung 1 können sich gemäß Fig. 2 durch Erzeugung mittels einfallenden Lichtes 11 bzw. 13 Ladungsträger 40a im langwellig sensitiven Bereich und Ladungsträger 40b im kurzwellig sensitiven Bereich der Photodiode 30 befinden. Da sich durch die Regelmäßigkeit/Periodizität eine Analogie zur Behandlung von Kristallstrukturen in der Festkörpertheorie ergibt, werden photonische Strukturen auch als photonische Kristalle bezeichnet.

Dabei kennzeichnet die Dimensionalität die Anzahl an Raumrichtungen, die photonisch wirksame Variationen besitzen, d.h. ein eindimensionaler photonischer Kristall ist nur in einer Raumrichtung (z.B. nach oben) mit einer Brechungsindexänderung versehen, während die beiden anderen Raumrichtungen (in der Ebene) keine Variation aufweisen. Der Filter 20 kann als linearer Verlaufsfilter mit Bragg-Reflektoren ausgebildet sein.

Der Filter 20 kann als wellenlängeneinstellbarer Mikroresonator ausgebildet sein, wobei der Mikroresonator als eine dielektrische Spiegelanordnung ausgebildet ist, der zumindest besteht aus

einer ersten Spiegelschichtanordnung 2 mit abwechselnd hochbrechenden und niedrigbrechenden Materialschichten,

einer zweiten Spiegelschichtanordnung 3 mit abwechselnd hochbrechenden und niedrigbrechenden Materialschichten,

einer Resonanzschicht 4, die zwischen der ersten Spiegelschichtanordnung 2 und der zweiten Spiegelschichtanordnung 3 angeordnet ist, und

einer transparenten Schicht 50 als stabilisierendes Element,

wobei mindestens eine der beiden Spiegelschichtanordnungen 2, 3 oder zumindest die Resonanzschicht 4 mit variabler stetig ansteigender Dicke D entlang der Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist.

Der in Fig. 1 dargestellte Filter 20 kann aber auch als wellenlängeneinstellbarer Mikroresonator 21 ausgebildet sein, wobei der Mikroresonator 21 zumindest besteht aus:

einem ersten Schichtstapel 2 mit einem ersten vorgegebenen Brechungsindex, einem zweiten Schichtstapel 3 mit einem zweiten vorgegebenen Brechungsindex, wobei sich der erste Brechungsindex und der zweite Brechungsindex voneinander unterscheiden, und einer Resonanzschicht 4, die zwischen den beiden Schichtstapeln 2, 3 angeordnet ist,

wobei mindestens eine der beiden Schichtstapel 2, 3 oder zumindest die Resonanzschicht 4 mit variabler stetig ansteigender Dicke D entlang der Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist.

Eine transparente Schicht kann als Substrat 50 zur mechanischen Stabilisierung des Filters 20 an einer der Schichtanordnungen 2 oder 3 angebracht sein. Der wellenlängeneinstellbare Mikroresonator 21 kann damit z.B. keilförmig ausgebildet sein.

In Fig. 1a ist eine zweite monolithische Vorrichtung 1 in Form eines keilförmigen Mikroresonators mit einer Vertauschung der vorhandenen Elektroden 32, 33 bei stetig ansteigender (divergenter) Dicke gemäß Fig. 1 dargestellt.

In Fig. 1b ist eine dritte monolithische Vorrichtung 1 ebenfalls in Form eines keilförmigen Mikroresonators mit einer eine variable stetig ansteigende (divergente) Dicke aufweisenden Resonanzschicht gemäß Fig. 1 , wobei die Resonanzschicht 4 aus Fig. 1 in Fig. 1 b durch den integrierten Detektor 30 ersetzt und mit stetig ansteigender (divergenter) Dicke zwischen den Schichten 2 und 3 integriert angeordnet ist, gezeigt.

In Fig. 1c ist eine vierte monolithische Vorrichtung 1 in Form eines Mikroresonators mit abschnittsweise stufenförmig divergent ausgebildeten Detektor 30 anstelle der inneren Resonanzschicht 4 ausgeführt, wobei die obere Schicht 2 zwar in ihren Abschnitten eine konstante Dicke aufweist, aber durch den stufenförmig ausgebildeten Detektor 30 die Stufenausbildung des Detektors 30 übernimmt, und die untere Schicht 3 als beiderseitig ebene, an dem Substrat 50 anliegende Schicht ausgeführt ist.

Die Resonanzschicht 4 des Mikroresonators 21 wird auch als Mikrokavität (MC) bezeichnet. In Fig. 3 ist eine Darstellung der Transmission der Struktur (1T1S) 81T 2mC 1T (1S1T) 7 mit einem Vergleich der Transmissionseigenschaften einer Mikrokavität (MC) mit der jeweiligen Schichtzusammensetzung gezeigt, beinhaltend zwei dielektrische Spiegelschichten (1T1S) 8 1T sowie 1T(1S1T)7 und den verschiedenen Strukturen, wobei 2C niedrigbrechendes Material mit K/2 und 4C niedrigbrechendes Material mit λ darstellen sowie 10 Ap 100Zp 10 Ap geführt zu 10nm Ag, 100nm Photodiode 30 (ZnPc - Zinkphthalozyanin als repräsentative absorptive Schicht), 10nm Ag hinter der Mikrokavität (MC).

Dabei bedeuten

1 T einer K/4 dicken Schicht Titandioxid,

2T einer KI2 dicken Schicht Titandioxid,

1S einer KI4 dicken Schicht Siliziumdioxid,

2S einer KI2 dicken Schicht Siliziumdioxid,

(1T1S)7 einem dielektrischen Spiegel aus sieben Titandioxid/Siliziumdioxid- Schichtpaaren,

(1T1S)8 einem dielektrischen Spiegel aus acht Titandioxid/Siliziumdioxid- Schichtpaaren,

2mC m Vielfachen einer λ/2-Schicht niedrigbrechenden Materials (n=1.5). In Fig. 4 ist eine Darstellung der Feldamplitude ohne/mit Silberschicht am Rand der Resonanzschicht 4 eines Mikroresonators 21 gezeigt, wobei trotz des geringen Transmissionsgrades von 20nm Silber sich durch die Anordnung in einem Feldknoten die Erhöhung der Feldamplitude nur vom Faktor 25 auf den Faktor 15 reduziert.

In Fig. 5 ist eine Darstellung eines Feldamplitudenverlaufs bei einer Anordnung einer Modell-Photodiode (10nm Ag, 150nm ZnPc, 20nm Ag) hinter einer Mikrokavität gezeigt, wobei trotz des absorptiven Charakters der Photodiode die maximale Feldamplitude des Mikroresonators einer Verstärkung mit dem Faktor „18" entspricht.

In Fig. 6 ist eine Darstellung des Intensitätsverlaufes des elektrischen Feldes für die Photodiode aus der Fig. 8 gezeigt, aufgetragen über Wellenlängen nahe der Resonanzfrequenz der Photodioden-Struktur.

Die Schicht aus ZnPc - Zinkphthalozyanin (ZnPc) stellt die photoaktive Schicht 31 der Photodiode 30 dar.

Die in Fig. 2 dargestellte spektrometrische Einrichtung 100 - Spektrometer - umfasst unter Einsatz der vorgenannten Vorrichtung 1

zumindest

eine Lichtquelle 10,

einen Filter 20 zur Umwandlung von spektralen Informationen in Ortsinformationen mit einer Eintrittsfläche 5, auf die die Lichtanteile 11 , 12a, 13, 14a seitens der Lichtquelle 10 fallen,

einen Detektor 30 in Form einer organischen Photodiode zur Umwandlung der Ortsinformationen in weiterleitbare elektrische Signale,

eine Auswerteeinheit 60, die über die elektrische Signale leitende Verbindungsleitungen 34 mit der Photodiode 30 verbunden ist, und

eine Anzeigeeinheit 35.

Dabei kontaktieren der Filter 20 und die hinter der Eintrittsfläche 5 des Filters 20 nachgeordnete Photodiode 30 derart miteinander, dass beide Komponenten 20 und 30 die erfindungsgemäße einstückige monolithische Einheit bilden, wobei der Filter 20 zumindest

aus einem spektral auflösendem Element in Form mindestens eines photonischen Kristalls 21 besteht, bei dem mindestens eine Schicht 2, 3 mit variabler Dicke D entlang einer Richtung senkrecht zum Lichteinfall ausgebildet ist,

wobei der mit dem Filter 20 kontaktierende Detektor 30 zumindest aus folgenden Detektorschichten besteht

einer photoaktiven Schicht 31 ,

einer ersten Elektrode 33 der photoaktiven Schicht 31 und

einer zweiten Elektrode 32 der photoaktiven Schicht 31 ,

wobei die photoaktive Schicht 31 sich zwischen den beiden Elektroden 33, 32 befindet und die eine der Elektroden, die erste Elektrode 33 mit dem photonischen Kristall 21 in Kontakt steht, und

die Detektorschichten 31 , 32, 33 sich innerhalb der Resonanzschicht 4 des photonischen Kristalls 21 des Filters 20 befinden oder die Detektorschichten 31 , 32, 33 gleichzeitig auch als Resonanzschicht 4 ausgebildet sind und als solche wirken.

Die andere der Elektroden, die zweite Elektrode 32 der photoaktiven Schicht 31 kann mit einem schichtartigen Substrat 50 in Verbindung stehen. Zumindest eine der Elektroden 32, 33 des Detektors 30 kann strukturiert ausgebildet sein.

Es gibt einen durchgelassenen Anteil 13 des einfallenden Lichtes aus der Lichtquelle 10 nach dem Durchgang durch den Filter 20 hindurch im transparenten Bereich der Vorrichtung 1 , wobei der durchgelassene Anteil 13 Ladungsträger 40a und/oder 40b im sensitiven Bereich der photoaktiven Schicht 31 erzeugt, wobei die Ladungsträger 40a und/oder 40b ein registrierbares Signal auslösen,

wobei im Detektor 30 die von den Ladungsträgern 40a und/oder 40b ausgehenden Signale über die Verbindungsleitungen 34 an die Auswerteeinheit 60 zur Auswertung geleitet werden.

Die Lichtquelle 10 emittiert das erforderliche Licht. In Fig. 2 sind folgende Signal-/Lichtanteile und ihre Funktionen angegeben: Dabei gibt es

einen langwelligen Anteil 1 1 des Lichtes beim Durchgang des Filters 20 im langwellig spektral sensitiven Bereich,

einen kurzwelligen Anteil 12a des Lichtes vor dem Auftreffen auf den Filter 20 im langwellig transparenten Bereich,

einen kurzwelligen Anteil 12b des Lichtes nach dem Auftreffen auf den Filter 20 im langwellig transparenten Bereich,

einen kurzwelligen Anteil 13 des Lichtes beim Durchgang des Filters 20 im kurzwellig spektral sensitiven Bereich,

einen langwelligen Anteil 14a des Lichtes vor dem Auftreffen auf den Filter 20 im kurzwellig transparenten Bereich und

einen langwelligen Anteil 14b des Lichtes nach dem Auftreffen auf den Filter 20 im kurzwellig transparenten Bereich.

Die genannten Bereiche stellen Wellenlängenbereiche dar.

Die Vorteile des erfindungsgemäßen monolithischen Vorrichtung 1 und der die monolithischen Vorrichtung 1 enthaltenden spektrometrischen Einrichtung 100 bestehen in Folgendem:

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 ist durch die direkte Verbindung des Detektors/der Photodiode 30 und des spektral auflösenden Elements 20 - des Filters - eine Dejustage der wesentlichen Vorrichtungs-Komponenten 30, 20 ausgeschlossen. Des Weiteren entfällt eine spektrale Kalibrierung der Vorrichtung 1. Die vorteilhaft geringe Ausdehnung sowie die einfache Möglichkeit einer Kapselung der Photodiode 30 an/in den Filter 20 erlauben den Einsatz in beengten und beanspruchten Umgebungen.

Die Struktur der erfindungsgemäßen monolithischen Vorrichtung 1 aus Filter 20 und Detektor 30 lässt sich als komplette Einheit in einem Prozess herstellen (z.B. PVD-Verfahren für Filter- und Detektorschichten), wodurch ein sehr kostengünstiger Sensor entsteht.

Die Wahl von (teil-)transparenten Materialien für Filter 20 und Detektor 30 sowie Substrat 50 ermöglicht einen parallelen Durchgang des Lichtes bei gleichzeitiger Analyse des Spektrums.

Werden die Detektorschichten 33, 32, 31 in den Filter 20 integriert, kann bei geringem Materialeinsatz der photoaktiven Materialien in der photoaktiven Schicht 31 eine verbesserte Sensitivität erreicht werden (Feldverstärkung in Mikroresonatoren und eine hohe Anzahl von Umläufen resonanter Photonen). Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass, wie in Fig. 1 dargestellt, der Detektor/die Photodiode 30 hinter dem Filter 20 mit hoher Güte (Q-Faktor) der Anbindung angeordnet wird, um eine hohe spektrale Auflösung des Eingangssignals 11 , 13 zu erzielen. Bezugszeichenliste

1 Vorrichtung

2 erste Materialschicht mit vorgegebenem Brechungsindex

3 zweite Materialschicht mit unterschiedlich vorgegebenem Brechungsindex 4 Resonanzschicht/Mikrokavität

5 Eintrittsfläche des Filters

10 Lichtquelle

1 1 langwelliger Anteil des Lichtes beim Durchgang des Filters im langwellig spektral sensitiven Bereich

12a kurzwelliger Anteil des Lichtes vor dem Auftreffen auf den Filter im

langwellig transparenten Bereich

12b kurzwelliger Anteil des Lichtes nach dem Auftreffen auf den Filter im

langwellig transparenten Bereich

13 kurzwelliger Anteil des Lichtes beim Durchgang des Filter im kurz- wellig spektral sensitiven Bereich

14a langwelliger Anteil des Lichtes vor dem Auftreffen auf den Filter im

kurzwellig transparenten Bereich

14b langwelliger Anteil des Lichtes nach dem Auftreffen auf den Filter

im kurzwellig transparenten Bereich

20 Filter

21 photonischer Kristall/Mikroresonator

30 Detektor/organische Photodiode

31 photoaktive Schicht/Detektorschicht

32 zweite Elektrode der photoaktiven Schicht/zweite Detektorschicht 33 erste Elektrode der photoaktiven Schicht erste Detektorschicht

34 Verbindungsleitung/en

35 Anzeigeeinheit

40a Ladungsträger im langwellig sensitiven Bereich der photoaktiven Schicht 40b Ladungsträger im kurzwellig sensitiven Bereich der photoaktiven Schicht 50 Substrat

60 Auswerteeinheit

100 spektrometrische Einrichtung gemäß Erfindung

101 Vorrichtung nach dem Stand der Technik 102 spektrometrische Einrichtung nach dem Stand der Technik

Ag Silber

ZnPc Zinkphthalozyanin

MC Mikrokavität

PD Photodiode

T Titandioxid

S Siliziumdioxid

C niedrig brechendes Material (n=1.5)

D Dicke