本发明的实施例涉及一种阵列基板及其驱动方 法和显示装置。 背景技术

随着液晶显示技术的不断发展， 人们对液晶显示产品的分辨率的要求越 来越高。 对于传统的液晶显示技术如 ADS ( ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术）技术，其透过率� �为 TN模式（ Twisted Nematic, 扭曲向列型）透过率的 78%左右， 因此， 提高 ADS模式的透过率显得尤为 重要。

图 1示出一种 ADS模式液晶显示面板的阵列基板的结构示意图 。基板 1 包括： 像素电极 5、公共电极 6和钝化层 7。在基板 1上将公共电极 6和像素 电极 5设计成狭缝状。 如图 2所示， 在狭缝状的公共电极 6与像素电极 5之 间形成的电场的作用下， 液晶分子在像素电极和公共电极形成的电场的 作用 下进行旋转， 使显示面板透过率以及液晶分子分布图呈现图 2所示的情形， 实现显示功能。 发明内容

本发明一个方面提供了一种阵列基板， 包括栅线和数据线， 以及由所 述栅线和所述数据线限定的多个像素单元， 每个像素单元包括公共电极和像 素电极。所述公共电极和所述像素电极位于不 同膜层并且通过绝缘层相绝缘， 所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电 极， 所述第一公共电极连接第 一公共电极线， 所述第二公共电极连接第二公共电极线， 所述第一公共电极 和所述第二公共电极均为狭缝状电极且分别包 括多个第一条形电极和多个第 二条形电极， 且所述第一条形电极和所述第二条形电极交替 设置， 用于分别 与所述像素电极形成电场。

在一个示例中， 所述像素电极为狭缝状电极且包括多个第三条 形电极， 所述像素电极的第三条形电极与所述第一公共 电极的第一条形电极和所述第 二公共电极的第二条形电极交替设置， 相邻的第一公共电极的第一条形电极 和第二公共电极的第二条形电极之间间隔设置 所述像素电极的第三条形电 极。

在一个示例中， 所述第一公共电极和所述第二公共电极位于同 一膜层， 所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于 所述像素电极的远离阵列基板 的衬底基板一侧， 或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均 位于所述像 素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

在一个示例中， 所述第一公共电极和所述第二公共电极位于不 同膜层， 所述第一公共电极和所述第二公共电极均位于 所述像素电极的远离阵列基板 的衬底基板一侧， 或者所述第一公共电极和所述第二公共电极均 位于所述像 素电极的靠近阵列基板的衬底基板一侧， 或者所述第一公共电极位于所述像 素电极的远离阵列基板的衬底基板一侧且所述 第二公共电极位于所述像素电 极的靠近阵列基板的衬底基板一侧。

在一个示例中， 相邻的所述第一公共电极的第一条形电极和所 述第二公 共电极的第二条形电极的在所述基板上的投影 的之间距大于所述像素电极的 第三条形电极的宽度。

在一个示例中， 所述第一公共电极的第一条形电极和所述像素 电极的第 三条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为 0 ~ 0.6μπι，所述第二公共电极 的第二条形电极和所述像素电极的第三条形电 极在平行于阵列基板方向上的 距离为 0 ~ 0.6μπι， 所述第一条形电极、 所述第二条形电极和所述第三条形电 极的宽度分别为 2 ~ 2.6μπι。

在一个示例中， 所述像素电极为板状电极， 所述第一公共电极和第二公 共电极均位于所述像素电极远离阵列基板的衬 底基板一侧的同一膜层或不同 膜层。

本发明另一方面还提供了一种显示装置， 包括上述任一阵列基板。 本发明又一方面还提供了一种阵列基板的驱动 方法， 所述阵列基板为上 述任一的阵列基板； 所述驱动方法包括： 通过第一公共电极线向第一公共电 极施加第一公共电压； 以及通过第二公共电极线向第二公共电极施加 第二公 共电压， 所述第二公共电压与所述第一公共电压不同。

在一个示例中， 所述驱动方法还包括： 通过数据线向像素电极提供像素 电压信号， 所述像素电压信号介于所述第一公共电压和所 述第二公共电压之 间。 附图说明

图 1是一种液晶显示装置中阵列基板的结构示意� �；

图 2是液晶显示装置的光透过率模拟示意图；

图 3是本发明实施例一提供的一种阵列基板示例� �结构平面示意图； 图 4是本发明实施例一提供的一种阵列基板示例� �截面示意图； 图 5是本发明实施例一提供的光透过率模拟示意� �；

图 6是本发明实施例一提供的另一种阵列基板示� �的截面示意图； 图 7是本发明实施例二提供的一种阵列基板示例� �截面示意图； 图 8是本发明实施例二提供的光透过率模拟示意� �；

图 9是本发明实施例二提供的另一种阵列基板示� �的截面示意图； 图 10是本发明实施例二提供的光透过率模拟示意� ��；

图 11是本发明实施例二提供的又一种阵列基板示� ��的截面示意图； 图 12是本发明实施例三提供的一种阵列基板示例� ��截面示意图； 图 13是本发明实施例三提供的另一种阵列基板示� ��的截面示意图； 图 14是本发明实施例四提供的一种液晶显示装置� ��例的截面示意图； 图 15是本发明实施例五提供的一种阵列基板示例� ��驱动方法流程图。 具体实施方式

为使本发明的实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本 发明实施例的附图对本发明的实施例的技术方 案进行清楚、 完整的描述。 显 然， 所描述的实施例仅是本发明的一部分示例性实 施例， 而不是全部的实施 例。 基于所描述的本发明的示例性实施例， 本领域普通技术人员在无需创造 性劳动的前提下所获得的所有其它实施例都属 于本发明的保护范围。

除非另作定义， 此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发 明所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。 本发明专利申请说明书以及权 利要求书中使用的"第一"、 "第二 "以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量 或者重要性， 而只是用来区分不同的组成部分。 同样， "一个，，、 "一"或者"该，， 等类似词语也不表示数量限制， 而是表示存在至少一个。 "包括，，或者"包含" 等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物 件涵盖出现在该词后面列举的 元件或者物件及其等同， 而不排除其他元件或者物件。 "上"、 "下"、 等仅用 于表示相对位置关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系 也可能相应地改变。 发明人注意到， 在图 1和图 2所示的阵列基板之中， 由 于阵列基板公共电极的电压相同， 所以液晶面板透过率不高。

实施例 1

本实施例提供了一种阵列基板，本实施例的阵 列基板如图 3和图 4所示， 图 3为阵列基板上一个像素单元的示意图， 图 4为图 3所示阵列基板的截面 图。 该阵列基板包括形成在衬底基板 1上的栅线 12和数据线 11， 以及由所 述栅线 12和所述数据线 11限定的多个像素单元， 每个像素单元包括公共电 极 2、 3和像素电极 5， 像素电极 5和公共电极 2、 3形成在阵列基板的不同 膜层， 且通过绝缘层相绝缘。

公共电极 2、 3包括： 用于分别连接不同的信号线的第一公共电极 2和第 二公共电极 3， 且第一公共电极 2和第二公共电极 3均为狭缝状电极。 第一 公共电极 2包括多个第一条形电极，第二公共电极 3包括多个第二条形电极， 且第一条形电极和所述第二条形电极交替设置 ， 用于分别与像素电极 5形成 多维电场。 像素电极 5通过过孔 15与薄膜晶体管的漏极 13连接， 薄膜晶体 管的源极 14与数据线 11相连， 薄膜晶体管的栅极连接栅线 12。 像素电极 5 的表面还可以覆盖有钝化层 7。

本实施例中， 像素电极 5为狭缝状电极。 像素电极 5包括多个第三条形 电极， 且像素电极 5的第三条形电极、 第一公共电极 2的第一条形电极和第 二公共电极 3的第二条形电极交替设置， 相邻的第一公共电极 2的第一条形 电极和第二公共电极 3的第二条形电极之间间隔设置像素电极 5的第三条形 电极。

第一公共电极 2和第二公共电极 3位于同一膜层， 第一公共电极 2和第 二公共电极 3均位于像素电极 5的远离阵列基板的衬底基板一侧， 或者第一 公共电极 2和第二公共电极 3均位于像素电极 5的靠近阵列基板的衬底基板 一侧。

如图 4所示， 第一公共电极 2和第二公共电极 3位于同一层， 且与像素 电极 5位于不同层， 且第一公共电极 2和第二公共电极 3均位于像素电极 5 的靠近阵列基板的衬底基板一侧， 在图 4中像素电极 5位于第一公共电极 2 和第二公共电极 3的上方。 第一公共电极 2、 第二公共电极 3和像素电极 5 均为狭缝状电极， 且像素电极 5的第三条形电极、 第一公共电极 2的第一条 形电极和第二公共电极 3的第二条形电极交替设置， 相邻的第一公共电极 2 的第一条形电极和第二公共电极 3的第二条形电极之间间隔设置像素电极 5 的第三条形电极。 相邻的第一公共电极 2的第一条形电极和第二公共电极 3 的第二条形电极在衬底基板 1上的投影的之间距大于像素电极 5的第三条形 电极的宽度。这样在第一公共电极 2和第二公共电极 3之间会形成横向电场， 像素电极 5与第一公共电极 2形成多维电场， 像素电极 5与第二公共电极 3 形成多维电场。 当一个横向电场和两个多维电场的合电场使得 液晶分子在水 平方向朝同一方向旋转时， 液晶分子水平旋转角度会更大。 为了使第一公共 电极 2和第二公共电极 3分别与像素电极 5形成的电场均匀分布， 例如， 第 一公共电极 2、 第二公共电极 3和像素电极 5三者之间的间隔 g均相同， 三 者的宽度均相同， 例如， 0 < g < 0^m, 电极宽度均为 2.6μπι。

工作时， 第一公共电极 2和第二公共电极 3分别连接不同的信号线， 以 加载不同的电压。 为了使得液晶分子充分水平旋转， 本实施例中， 第一公共 电极 2和第二公共电极 3的极性不同， 即第一公共电极 2的电压极性为正， 第二公共电极 3的电压极性为负（反之亦可）。像素电极 5的电压可以介于第 一公共电极 2和第二公共电极 3电压之间。 例如： 第一公共电极 2和第二公 共电极 3的电压（ V _c 。 _ml 和 V _∞m2 )绝对值相等， 第一公共电极 2的电压极性 为正，第二公共电极 3的电压极性为负，像素电极 5的电压 V _pixel 介于 V _∞ml 和 V _com2 之间， 且 ^_ _CO m2 ' |V讓 i _ Vpixdl = I Vpi _xel _ |ν _∞πι2 ||。 其中， 0.2V<V _coml <0.3V, - 0.2V< V _com2 < - 0.3V。

图 5所示， 为图 4的阵列基板的光透过率模拟示意图。 第一公共电极和 第二公共电极分别与像素电极形成多维电场， 从而使得像素电极上方的液晶 分子充分水平旋转， 提高了透过率。

本发明实施例的另一种阵列基板结构如图 6所示， 第一公共电极 2和第 二公共电极 3位于同一层， 且与像素电极 5位于不同层， 且第一公共电极 2 和第二公共电极 3均位于像素电极 5的远离阵列基板的衬底基板一侧。 相对 于图 5中的结构， 图 6中像素电极 5位于第一公共电极 2和第二公共电极 3 的下方。 该图 6所示的阵列基板， 第一公共电极 2和第二公共电极 3之间会 形成横向电场， 像素电极 5与第一公共电极 2形成多维电场， 像素电极 5与 第二公共电极 3形成多维电场， 该图 6的阵列基板所达到的效果与图 4所示 的阵列基板所达到的效果基本相同， 此处不再赘述。

本实施例提供的阵列基板为平面电场宽视角技 术的 ADS ( Advanced Super Dimension Switch, 高级超维场转换技术）模式， 通过同一平面内狭缝 状电极边缘所产生的电场以及狭缝状电极层与 板状电极层间产生的电场形成 多维电场， 使液晶盒内狭缝状电极间、 电极正上方所有取向液晶分子都能够 产生旋转， 从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

实施例 2

图 7所示为本实施例提供的一种阵列基板示例的� �构示意图。 像素电极 5、第一公共电极 2和第二公共电极 3三者位于不同层，三者均为狭缝状电极。 第一公共电极 2位于像素电极 5的远离阵列基板的衬底基板 1一侧且第二公 共电极 3位于像素电极 5的靠近阵列基板的衬底基板 1的一侧。 在图 7中， 第一公共电极 2位于基板 1之上， 像素电极 5所在层位于第一公共电极 2和 第二公共电极 3所在层之间， 像素电极 5和第一公共电极 2及第二公共电极 3分别间隔有绝缘层 8和 8'。 第二公共电极 3上还形成有钝化层 7。 该图 7 所示的阵列基板的工作原理为， 第一公共电极 2和第二公共电极 3分别与像 素电极 5形成多维电场， 且第一公共电极 2和第二公共电极 3之间形成多维 电场，当三个多维电场的合电场使得液晶分子 在水平方向朝同一方向旋转时， 液晶分子水平旋转角度会更大。 达到的效果如图 8所示， 像素电极上方的液 晶分子充分水平旋转， 提高了透过率。

如图 9所示为本发明实施例提供的又一种阵列基板� �例的结构示意图。 像素电极 5、 第一公共电极 2和第二公共电极 3三者位于不同层， 三者均为 狭缝状电极， 第一公共电极 2和第二公共电极 3均位于像素电极 5的靠近阵 列基板的衬底基板 1一侧。 图 9中， 第二公共电极 3位于衬底基板 1上， 第 一公共电极 2所在层位于像素电极 5和第二公共电极 3所在层之间， 第一公 共电极 2与第二公共电极 3和像素电极 5分别间隔有绝缘层 8和 8'，像素电 极 5上还形成有钝化层 7。 在该图 9所示的阵列基板中， 第一公共电极 2和 第二公共电极 3分别与像素电极 5形成多维电场， 第一公共电极 2和第二公 共电极 3之间还形成多维电场， 当三个多维电场的合电场使得液晶分子在水 平方向朝同一方向旋转时， 液晶分子水平旋转角度会更大。 达到的效果如图 10所示， 像素电极上方的液晶分子充分水平旋转， 提高了透过率。

如图 11所示为本实施例提供的另一种阵列基板示例� ��结构示意图。像素 电极 5、 第一公共电极 2和第二公共电极 3三者位于不同层， 三者均相当于 狭缝状电极， 第一公共电极 2和第二公共电极 3均位于像素电极 5的远离阵 列基板的衬底基板 1一侧。 图 11中，像素电极 5位于衬底基板 1上， 第一公 共电极 2所在层位于像素电极 5和第二公共电极 3所在层之间， 第一公共电 极 2和像素电极 5及第二公共电极 3分别间隔有绝缘层 8和 8'，第二公共电 极 3上还形成有钝化层 7。 该图 11所示的阵列基板， 第一公共电极 2和第二 公共电极 3分别与像素电极 5形成多维电场， 第一公共电极 2和第二公共电 极 3之间还形成多维电场。 该阵列基板达到的效果与图 9所示的阵列基板达 到的效果基本相同， 此处不再赘述。

另外， 当第一公共电极 2、 第二公共电极 3和像素电极 5三者位于不同 层时， 在图 7、 图 9和图 10中， 第一公共电极 2和第二公共电极 3的位置互 换后达到的效果基本相同， 此处不再赘述。

在上述示例中， 上述相邻的第一公共电极 2的第一条形电极和第二公共 电极 3的第二条形电极的在衬底基板 1上的投影的之间距大于像素电极 5的 第三条形电极的宽度。 第一公共电极 2的第一条形电极和像素电极 5的第三 条形电极在平行于阵列基板方向上的距离为 0 ~ 0.6μπι。第二公共电极 5的第 二条形电极和像素电极 5的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的� �离为 0 ~ 0.6μπι。 第一公共电极 2的第一条形电极和像素电极 5的第三条形电极在 平行于阵列基板方向上的距离与第二公共电极 3的第二条形电极和像素电极 5的第三条形电极在平行于阵列基板方向上的� �离相等。所述第一条形电极、 第二条形电极和第三条形电极的宽度分别为 2 ~ 2.6μπι。

实施例 3

本实施例提供了一种阵列基板，如图 12所示为本发明实施例提供的阵列 基板示例的结构示意图， 该阵列基板包括形成在衬底基板 1上的像素电极 5 (为板状电极）和公共电极 2、 3 (为狭缝状电极）， 其中， 公共电极包括： 用于分别连接不同的信号线的第一公共电极 2和第二公共电极 3， 第一公共 电极 2连接第一公共电极线， 第二公共电极 3连接第二公共电极线， 第一公 共电极 2和第二公共电极 3均为狭缝状电极， 且交替设置， 公共电极和像素 电极 5之间间隔有绝缘层 9， 用于分别与所述像素电极 5形成多维电场。 第 一公共电极 2和第二公共电极 3的表面还覆盖钝化层 7。

像素电极 5为板状电极， 形成在衬底基板 1上， 第一公共电极 2和第二 公共电极 3均位于像素电极 5的上方。

如图 12所示，第一公共电极 2和第二公共电极 3分布在同一层，且均形 成在绝缘层 9上方。 像素电极 5与第一公共电极 2之间形成多维电场， 像素 电极 5与第二公共电极 3之间形成多维电场， 且第一公共电极 2与第二公共 电极 3之间也会形成横向电场， 从而增强了多维电场， 同层、 不同层的多个 多维电场的叠加， 从而使得像素电极 5上方的液晶分子充分水平旋转， 提高 了透过率。

如图 13 所示， 为本发明实施例提供的有一种阵列基板示例的 结构示意 图，相对于图 12中的阵列基板，第一公共电极 2和第二公共电极 3分布在不 同层， 且均位于像素电极 5上方， 且第一公共电极 2和第二公共电极 3均为 狭缝状电极， 像素电极 5为板状电极。 像素电极 5与第一公共电极 2间隔有 绝缘层 10， 第一公共电极 2和第二公共电极 3间隔有绝缘层 10'。 第二公共 电极 3之上还覆盖有钝化层 7。 该图 13所示的阵列基板， 像素电极 5与第一 公共电极 2之间形成多维电场， 像素电极 5与第二公共电极 3之间形成多维 电场， 且第一公共电极 2与第二公共电极 3之间也会形成多维电场， 从而增 强了多维电场， 同层、 不同层的多个多维电场的叠加， 从而使得像素电极 5 上方的液晶分子充分水平旋转， 提高了透过率。

图 12和图 13中的阵列基板在工作时与实施例一中的图 4的阵列基板在 工作时原理类似， 且能达到相似的效果， 此处不再赘述。

实施例 4

本实施例还提供了一种显示装置， 如图 14 所示为本发明实施例提供的 一种液晶显示装置示例的结构示意图， 包括： 液晶层 15、 彩膜基板 16及上 述实施例中任一所述的阵列基板。 该液晶显示装置的光透过率模拟示意图如 图 5、 图 8或图 10所示。 所述显示装置可以为： 液晶面板、 电子纸、 手机、 平板电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显 示功能的产品或部件。

实施例 5

本发明实施例还提供了一种阵列基板的驱动方 法， 如图 15 所示， 该方 法包括：

步骤 S401、 通过第一公共电极线向第一公共电极施加第一 公共电压； 步骤 S402、通过第二公共电极线向第二公共电极施� �第二公共电压， 所 述第二公共电压与所述第一公共电压不同。

通过数据线向像素电极提供像素电压信号， 所述像素电压信号介于所述 第一公共电压和所述第二公共电压之间。

在本发明实施例中， 第一公共电极和第二公共电极的极性不同， 即第一 公共电极的电压极性为正， 第二公共电极的电压极性为负（反之亦可）。 像素 电极的电压可以介于第一公共电极和第二公共 电极电压之间。 例如： 第一公 共电极和第二公共电极的电压（V _∞ml 和 V _∞m2 )绝对值相等， 第一公共电极 的电压极性为正， 第二公共电极的电压极性为负，像素电极的电 压 v _pixel 介于 coml 和 V _com2 之间， 且 V _coml ⁼ -V _com2 ， |V醒 i _ Vpi _xel | = I Vpixel - |V _com 2| | »

0.2V<V _com i<0.3V, -0.2V< V _com2 <-0.3V _o 第一公共电极和第二公共电极分别与 像素电极形成多维电场， 从而使得像素电极上方的液晶分子充分水平旋 转， 提高了透过率。

本发明通过提供一种阵列基板及其驱动方法、 显示装置， 阵列基板上设 置两个公共电极， 即第一公共电极和第二公共电极， 第一公共电极边缘、 第 二公共电极边缘以及第一公共电极和第二公共 电极之间产生电场， 第一公共 电极和像素电极之间以及第二公共电极和像素 电极产生多维电场， 多重电场 共同叠加， 使电极间、 电极正上方区域液晶分子更容易被驱动， 从而提高了 液晶工作效率并增大了透过率。

以上实施方式仅用于说明本发明， 而并非对本发明的限制， 有关技术领 域的普通技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围的情况下， 还可以做出各 种变化和变型，这些变化和变型以及等同的技 术方案也应属于本发明的范畴， 本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

本申请要求于 2013年 10月 09日提交的名称为"阵列基板及其驱动方法、 显示装置" 的中国专利申请 No. 201310467672.9的优先权， 其全文以引用方 式合并于本文。