本发明涉及显示技术领域， 尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、 显示装置。 背景技术

TFT-LCD ( Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 薄膜晶体 管液晶显示装置） 中的液晶面板主要由阵列基板、 彩膜基板及位于阵 列基板和彩膜基板之间的液晶层构成， 阵列基板和彩膜基板上分别设 置有两个偏振方向完全垂直的偏振片。 TFT-LCD工作时， 背光源发出 的光线照射阵列基板， 根据输入到 TFT-LCD上的图像数据决定光线经 过液晶层和彩色基板的透过率， 显示面板根据不同透过率可以显示出 不同的色彩灰度， 并依此来显示图像。

彩膜基板上有规律排列红、 绿、 蓝三种颜色的彩色树脂， 分别对 应红、 绿、 蓝三种颜色的子像素单元， 三个不同颜色的子像素单元组 成一个像素。 TFT-LCD工作时的背光源是白光， 通常由红、 绿、 蓝三 原色混合而成， 所述白光经过阵列基板侧的偏振片之后成为线 偏振白 光， 所述线偏振光通过液晶层之后的偏振方向受到 液晶层厚度和液晶 偏转角度的影响， 通常的， LCD 中红、 绿、 蓝三种子像素单元对应的 像素电极或者公共电极的结构相同且电压相等 ， 使得红、 绿、 蓝三种 子像素单元的液晶偏转角度相同， 因此当白色光线经过液晶厚度相等 且液晶偏转角度相同的液晶层后， 由于构成白色光线的红， 绿， 蓝三 色光的偏振角度不同， 然后这三种光线经过彩膜基板侧的偏振片， 使 得三种光的透过率不等， 这种现象会导致经过三个子像素单元的出射 光的光强比例不相等， 进而使得三种出射光混合后表现出来的颜色与 白光的颜色之间有色偏， 在显示图像的时候由于所述色偏的影响， 使 得所显示的图像与原有图像之间有差异， 影响显示效果。 j. 发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方 法、 显示装置， 能 够减少显示装置的色偏现象， 改善显示效果。 为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案： 一方面， 本发明实施例提供一种阵列基板， 包括阵列排布的多个 像素单元， 每个所述像素单元包括多个子像素单元， 每个所述子像素 单元的宽度相等， 每个所述子像素单元对应一个第一电极， 每个所速 第一电极包括多个等间隔设置的条状结构，

其中， 每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所 述第一电极 的条状结构的间隔不完全相等；

任意一个所述子像素单元满足 ^ + ^- ^〈 其中， 所述 A为所 述子像素单元的宽度， 所述 Q为所述子像素单元对应的所述第一电极 的条状结构的个数， 所述 D为所述子像素单元对应的所述第一电极的 条状结构的间隔， 所述 W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条 状结构的宽度。

在红、绿、蓝三种子像素单元的电压-透过率� �线的最大透过率处， 曲线相对平滑。 其中， 某两种光 （例如， 红光、 绿光） 的最大透过率 电压数值比较接近， 所以红、 绿两种子像素单元的电压-透过率曲线更 加匹配； 而另一种光 （例如， 蓝光） 的最大透过率电压比红、 绿两 光在最大透过率处的电压大。 随着电压的增加， 在红、 绿光达到最大 透过率电压时， 蓝光透过率还处于上升状态， 所以与红、 绿光曲线并 不匹配。 通过调整电极间距， 使蓝光最大透过率电压与红、 绿光接近， 获得了更好的匹配效果。

可选的， 每个所述像素单元中包括三个子像素单元， 分别为红子 像素单元、 绿子像素单元、 蓝子像素单元， 每个子像素单元对应的所 述第一电极的条状结构的个数 Q为 3;

其中， 所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 d!; 所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 d ₂ ;

所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 d ₃ ； 所述 ^、 所述 d ₂ 和所述 d ₃ 满足 - ⁰ ^^

可选的， 所述 di为 4um, 所述 d ₂ 为 4um, 所述 d ₃ 为 6um。

可选的， 所述 d]为 4.5um, 所述 d ₂ 为 4.5um, 所述 d ₃ 为 6.5um。； 另一方面， 本发明实施例提供一种显示装置， 其特征在于， 包括 以上所述的任意一种所述的阵列基板。

又一方面， 本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法， 所述阵 列基板包括阵列排布的多个像素单元， 每个所述像素单元包括多个子 像素单元， 每个所述子像素单元的宽度相等， 每个所述子像素单元对 应一个第一电极， 每个所述第一电极包括多个等间隔设置的条状 结构， 所述方法包括：

针对任意一个子像素单元， 在形成有薄膜晶体管 TFT结构的基板 上沉积第一透明导电薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电极； 其中， 每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所 述第一电 的条状结构的间隔不完全相等；

任意一个所述子像素单元满足 ² ' + (2— ^{1)£> <} 其中， 所述 Α为所 述子像素单元的宽度， 所述 Q为所述子像素单元对应的所述第一电极 的条状结构的个数， 所述 D为所述子像素单元对应的所述第一电极的 条状结构的间隔， 所述 W为所述子像素单元对应的所述第一电极的条 状结构的宽度。

在红、绿、蓝三种子像素单元的电压-透过率� �线的最大透过率处， 曲线相对平滑。 其中， 某两种光 （例如， 红光、 绿光） 的最大透过率 电压数值比较接近， 所以红、 绿两种子像素单元的电压-透过率曲线更 加匹配； 而另一种光 （例如， 蓝光） 的最大透过率电压比红、 绿两赞 光在最大透过率处的电压大。 随着电压的增加， 在红、 绿光达到最大 透过率电压时， 蓝光透过率还处于上升状态， 所以与红、 绿光曲线并 不匹配。 通过调整电极间距， 使蓝光最大透过率电压与红、 绿光接近， 获得了更好的匹配效果。

可选的， 所述在形成有薄膜晶体管 TFT结构的基板上沉积第一透 明导电薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电极的步骤包 括：

在形成有薄膜晶体管 TFT基板上沉积第二透明导电薄膜层， 通过 一次构图工艺形成第二电极；

在形成有所述第二电极的基板上上形成钝化层 ；

在形成有所述钝化层的基板上上沉积第一透明 导电薄膜层， 通过 一次构图工艺形成所述第一电极。

可选的， 每个所述像素单元中包括三个子像素单元， 分别为红 像素单元、 绿子像素单元、 蓝子像素单元， 每个子像素单元对应的所 述第一电极的条状结构的个数 Q为 3; 1 其中， 所述红子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 ； 所述绿子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 d ₂ ;

所述蓝子像素单元对应的第一电极的条状结构 的间隔为 d ₃ ； 所述 、 所述 d ₂ 和所述 d ₃ 满足 = < 。

可选的， 所述 di为 4um, 所述 d ₂ 为 4um, 所述 d ₃ 为 6um。

可选的， 所述 d】为 4.5um， 所述 d ₂ 为 4.5um, 所述 d ₃ 为 6.5um。 本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、 显示装置， 所述阵 列基板包括阵列排布的多个像素单元， 每个所述子像素单元的宽度才目 等， 每个像素单元可以包括多个子像素单元， 每个所述子像素单元 应一个所述第一电极， 所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构 ^， 其中， 每个所述像素单元中不同子像素单元对应的所 述第一电极的条 状结构的间 隔不完全相等； 任意一个所述子像素单元满足

Q - W ₊ (Q- \)D < A _y 其中， 所述 A为所述子像素单元的宽度， 所述 Q为 所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结 构的个数， 所述 D为所 述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构 的间隔， 所述 W为所述 子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的 宽度， 以解决由于阵列 基板包括的像素单元中包括的每个子像素单元 对应的第一电极的条状 结构的间隔相等， 使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单 元的 出射光的透过率差异较大， 从而导致所述像素单元产生的色偏问题。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中 的技术方案， 下面 将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附 图作简单地介绍， 显然， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例 ， 对于本领域普通技术 人员来讲， 根据本发明的教导， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可 以根据这些附图获得其他的附图。

图 1为现有技术的像素单元的结构图；

图 2为本发明实施例提供的一种像素单元的平面� �构图； ； 图 3为本发明实施例提供的沿图 2中 A-A线的一种像素单元的剖 面结构图；

图 4为本发明实施例提供的一种像素单元的电压� �过率曲线图； 图 5为本发明实施例提供的另一种像素单元的电� �透过率曲线图； 图 6为本发明实施例提供的又一种像素单元的电� �透过率曲线图:） 图 7为本发明实施例提供的再一种像素单元的电� �透过率曲线图。 具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方 案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部 分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普 通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

现有技术中， 阵列基板包括阵列排布的多个的像素单元， 所述像 素单元的结构如图 1所示， 图 1所示的像素单元 10包括三个子像素单 元， 分别为红子像素单元 101、 绿子像素单元 102、 蓝子像素单元 103， 其中每一个子像素单元对应一个第一电极 01 1，所述第一电极 01 1包括 三个等间隔设置的条状结构， 所述三个条状结构的两端相互连接， 使 得条状结构上的电压稳定相等。 其中红子像素单元 101 对应的第一电 极 01 1的三个条状结构两两间隔相等， 且间隔为 e; 绿子像素单元 102 对应的第一电极 01 1的三个条状结构两两间隔相等， 且间隔也为 e; 蓝 子像素单元 103对应的第一电极 01 1 的三个条状结构两两间隔相等， 且间隔同样为 e。 当第一电极 01 1上的电压相同时， 使得三个子像素单 元对应的液晶偏转同样的角度， 这时背光源的光线经过第一个偏光片 之后得到线偏振光， 该线偏振光经过液晶偏转角度相同的红子像素 单 元 101、 绿子像素单元 102、 蓝子像素单元 103和彩膜基板之后， 得 的出射光线分别为线偏振红光、 线偏振绿光、 线偏振蓝光， 由于该难 偏振红光、 线偏振绿光、 线偏振蓝光的偏振角度不同， 因此， 在经 it 第二个偏光片之后得到的红光、 绿光、 蓝光的透过率差异较大， 此时 由所述红光、 绿光、 蓝光三色光混合成的白光有色偏现象。

本发明实施例提供一种阵列基板， 包括阵列排布的多个像素单元 20， 每个所述像素单元 20包括多个子像素单元， 每个所述子像素单元 的宽度相等，每个所述子像素单元对应一个第 一电极 01 1 ,实际应用中., 所述第一电极 01 1 可以是像素电极， 也可以是公共电极， 本发明实施 例对此不做限定， 每个所述第一电极 01 1 包括多个等间隔设置的条状 结构，每个所述像素单元 20中不同子像素单元对应的所述第一电极 011 的条状结构的间隔不完全相等， 因此每个所述像素单元 20中不同子像 素单元对应的液晶分子的偏转角度是不完全相 等的， 根据实际需要调 整所述像素单元 2Q中不同子像素单元对应的所述第一电极 01 1的条状 结构的间隔， 可以使得经过所述像素单元 20中不同子像素单元得到的 多个偏振光的偏振角度相同， 进而使得由所述多个偏振光混合成的白 光没有色偏。

其中 ， 该阵列基板中的任意一个子像素单元满足公式 Q . W + (Q - \)D < A ^ 所述 A为所述子像素单元的宽度， 所述 Q为所述子 像素单元对应的所述第一电极的条状结构的个 数， 所述 D为所述子像 素单元对应的所述第一电极的条状结构的间隔 ， 所述 W为所述子像素 单元对应的所述第一电极的条状结构的宽度。

在红、绿、蓝三种子像素单元的电压-透过率� �线的最大透过率处， 曲线相对平滑。 其中， 某两种光 （例如， 红光、 绿光） 的最大透过率 电压数值比较接近， 所以红、 绿两种子像素单元的电压-透过率曲线更 加匹配； 而另一种光 （例如， 蓝光） 的最大透过率电压比红、 绿两种 光在最大透过率处的电压大。 随着电压的增加， 在红、 绿光达到最大 透过率电压时， 蓝光透过率还处于上升状态， 所以与红、 绿光曲线并 不匹配。 通过调整电极间距， 使蓝光最大透过率电压与红、 绿光接近， 获得了更好的匹配效果。

这样一来， 由于每个所述像素单元中不同子像素单元对应 的所 第一电极的条状结构的间隔不完全相等， 可以根据实际需要， 设置所 述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一 电极的条状结构的间 隔， 相较于现有技术， 使得经过所述像素单元中不同子像素单元得到 的多个偏振光的偏振角度相同， 从而使得所述多个偏振光的经过偏光 片之后透过率基本相等， 减小了由于每个子像素单元的出射光的透 率差异较大而导致的显示面板的色偏问题， 改善显示效果。

具体的， 如图 2和图 3所示， 图 2为像素单元 20的平面图， 图 3 为像素单元 20沿图 2中 A-A线剖切得到的剖面图，所述阵列基板的每 个所述像素单元 20中包括三个子像素单元，分别为红子像素单� �� 201、 绿子像素单元 202、 蓝子像素单元 203， 三个子像素单元的宽度均为 a， 且三个子像素单元对应的第一电极 01 1 均包括 3个条状结构， 其中， 所述红子像素单元 201对应的第一电极 011的条状结构的间隔为 d, ; 所述绿子像素单元 202对应的第一电极 01 1 的条状结构的间隔为 d ₂ ; 所述蓝子像素单元 203对应的第一电极 Oi l的条状结构的间隔为 d ₃ ; 所述 、 所述 d ₂ 和所述 d ₃ 满足 - ^ , 根据现有技术可知， 桌 ^d 、 ^{= d} i ^{= d} 则线偏振白光经过红子像素单元 201、 绿子像素单元 202 ^» 蓝子像素单元 203和彩膜基板之后， 得到的线偏振红光， 线偏振绿光， 线偏振蓝光的偏振角度不一样， 经过彩膜基板侧的偏光片之后， 使得 线偏振蓝光的透过率明显小于线偏振红光或线 偏振绿光的透过率， 因 此增大蓝子像素单元 203对应的第一电极的条状结构的间隔 d ₃ , 或者 减小红子像素单元 201和绿子像素单元 202对应的第一电极的条状结 构的间隔 ^和 ， 使得 ^d i = ^{< d} 3 , 可以使得经过红子像素单元 201、 绿子像素单元 202、蓝子像素单元 203和彩膜基板之后得到的线偏振红 光， 线偏振绿光， 线偏振蓝光的偏振角度基本相同， 进而使得经过彩 膜基板侧的偏光片之后， 得到的红光、 绿光、 蓝光的透过率基本一致， 减小了由于每个子像素单元的出射光的透过率 差异较大而导致的显示 面板的色偏问题， 改善显示效果。

示例的， 可以通过增大蓝子像素单元 203对应的第一电极 011 的 条状结构的间隔使得最终出射的红光、 绿光、 蓝光的透过率基本一致， 以模拟结果为例进行说明， 模拟时设置一个像素单元 20包含红子像素 单元 201、 绿子像素单元 202和蓝子像素单元 203， 光线透过子像素单 的红光， 波长为 550nm的绿光， 波长为 430nm的蓝光， 当红子像素单 元 201、 绿子像素单元 202和蓝子像素单元 203所对应的第一电极 01.1 的条状结构宽度均为 2um， 间隔均为 4um时， 所述三个子像素单元的 电压透过率曲线如图 4所示， 由图 4可看出， 当第一电极所加的电压 c 满足 ² ≤ _C ≤ 时， 三个子像素单元的光线透过率差异较大， 尤其是蓝 子像素单元 203出射的波长为 430nm的蓝光的透过率明显小于红子像 素单元 201和绿子像素单元 202出射的波长为 630nm的红光和波长 550nm的绿光的透过率， 其中 V为电压单位伏。 当三个子像素单元 的蓝子像素单元 203对应的第一电极 011 的条状结构的间隔增大时， 即红子像素单元 201对应的第一电极 01 1 的条状结构的宽度为 2um, 间隔为 <^为 41«11， 绿子像素单元 202对应的第一电极 01 1的条状结构 的宽度为 2um， 间隔为 d ₂ 为 4um， 蓝子像素单元 203对应的第一电极 01 1的条状结构的宽度为 2um, 间隔为 d ₃ 为 6um时， 所述三个子像素 单元的电压透过率曲线如图 5所示， 由图 5可以看出， 当第一电极 011 所加的电压 c 满足 ² ≤ _C ≤ 时， 这三个子像素单元的光线透过率基本 保持相同， 显著改善了由于三个子像素单元的光线透过率 不相等造專 的色偏。 ^ 示例的， 可以通过减小红子像素单元 201和绿子像素单元 202对 应的第一电极 01 1 的条状结构的间隔使得最终出射的红光、 绿光、 蓝 光的透过率基本一致。 以模拟结果为例进行说明， 在进行模拟时光线 通过子像素单元、 彩膜基板和彩膜基板侧的偏光片后的出射光分 别为 波长为 630nm的红光、 波长为 550nm的绿光、 波长为 430nm的蓝光。 当红子像素单元 201、绿子像素单元 202和蓝子像素单元 203所对应的 第一电极 01 1 的条状结构宽度均为 2um, 间隔均为 6.5um时， 所述三 个子像素单元的电压透过率曲线如图 6所示。 由图 6可看出， 当第一 电极所加的电压 c 满足 ² ≤c≤ 时， 三个子像素单元的光线透过率差 异较大。 当三个子像素单元中的红子像素单元 201和绿子像素单元 202 对应的第一电极 01 1 的条状结构的间隔减小时， 即红子像素单元 2(¾1 对应的第一电极 01 1 的条状结构的宽度为 2um, 间隔为 为 4.5um，^ 绿子像素单元 202对应的第一电极 01 1 的条状结构的宽度为 2um, 间 隔为 d ₂ 为 4.5um， 蓝子像素单元 203对应的第一电极 01 1的条状结构 的宽度为 2um， 间隔为 d ₃ 为 6.5um时， 所述三个子像素单元的电压透 过率曲线如图 7所示。 由图 7可以看出， 当第一电极 01 1所加的电压' c 满足 ² ≤c≤ 时， 这三个子像素单元的光线透过率基本保持相同 ， 显 著改善了由于三个子像素单元的光线透过率不 相等造成的色偏。

本发明实施例提供的阵列基板， 由于阵列基板包括的每个像素单 元中不同子像素单元对应的所述第一电极的条 状结构的间隔不完全相 等， 相较于现有技术， 使得经过所述像素单元中不同子像素单元得到 的多个偏振光的偏振角度相同， 进而使得光线通过所述像素单元之后 每个子像素单元的出射光的透过率基本保持相 同， 减小了显示色差 改善了显示效果。 ^ 本发明实施例提供一种显示装置， 包括本发明任意一个实施例 述的阵列基板， 所述阵列基板包括阵列排布的多个像素单元， 每个像 素单元可以包括多个子像素单元， 每个子像素单元对应一个第一电极， 所述第一电极包括多个等间隔设置的条状结构 ， 其中， 每个所述像素 单元中不同子像素单元对应的所述第一电极的 条状结构的间隔不完全 相等； 任意一个所述子像素单元满足 δ'^ + ^— ¹ ) ¹ ^ ^ ⁴ , 其中， 所述 Α为 所述子像素单元的宽度， 所述 Q为所述子像素单元对应的所述第一电 极的条状结构的个数， 所述 D为所述子像素单元对应的所述第一电极 的条状结构的间隔， 所述 W为所述子像素单元对应的所述第一电极^; 条状结构的宽度。 所述阵列基板与彩膜基板和位于阵列基板和彩 膜基 板之间的液晶层构成显示装置， 使得光线通过所述像素单元之后每小 子像素单元的出射光的透过率基本保持相同， 减小了显示色差， 改善 了显示效果。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法， 所述阵列基板包括 阵列排布的多个像素单元 20,每个所述像素单元 20包括多个子像素单 元， 每个所述子像素单元对应一个第一电极 01 1， 每个所述第一电极 01 1包括多个等间隔设置的条状结构， 所述方法包括：

针对任意一个子像素单元， 在形成有薄膜晶体管 TFT结构的基板 上沉积第一透明导电薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电极 01 1 ; 或者， 首先在形成有薄膜晶体管 TFT基板上沉积第二透明导电薄 膜层， 通过一次构图工艺形成第二电极， 然后在形成有所述第二电才 的基板上形成钝化层， 在形成有所述钝化层的基板上沉积第一透明善 电薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电极 01 1。 ¹ 其中， 每个所述像素单元 20中不同子像素单元对应的所述第一电 极 01 1 的条状结构的间隔不完全相等， 任意一个所述子像素单元满足 Q - W + iQ - DD A ^ 其中， 所述 A为所述子像素单元的宽度， 所述 Q为 所述子像素单元对应的所述第一电极的条状结 构的个数， 所述 D为所 述子像素单元对应的所述第一电极的条状结构 的间隔， 所述 W为所述 子像素单元对应的所述第一电极的条状结构的 宽度。

这样一来， 由于每个所述像素单元中不同子像素单元对应 的所述 第一电极的条状结构的间隔不完全相等， 可以根据实际需要， 设置所 述像素单元中不同子像素单元对应的所述第一 电极的条状结构的间 隔， 相较于现有技术， 使得经过所述像素单元中不同子像素单元得 的多个偏振光的偏振角度相同， 从而使得所述多个偏振光的经过偏 片之后透过率基本相等， 减小了由于每个子像素单元的出射光的透 ά 率差异较大而导致的显示面板的色偏问题， 改善显示效果。 具体的， 每个所述像素单元 20中可以包括三个子像素单元， 分别 为红子像素单元 201、 绿子像素单元 202、 蓝子像素单元 203， 每个子 像素单元对应的第一电极 01 1 均包括三个条状结构， 即所述 Q=3; 其 中， 所述红子像素单元 201对应的第一电极 01 1 的条状结构的间隔为 ； 所述绿子像素单元 202对应的第一电极 01 1 的奈状结构的间隔为 d ₂ ; 所述蓝子像素单元 203对应的第一电极 01 1 的条状结构的间隔为 d ₃ ; 所述 d!、 所述 d ₂ 和所述 d ₃ 满足 ^{= ί/} 2 < 4。

特别的， 在形成第一电极 011 时， 所述红子像素单元 201对应 έ§ 第一电极 01 1的条状结构的间隔为 4um, 即所述 为 411111； 所述绿 像素单元 202对应的第一电极 011 的条状结构的间隔为 4um, 即所述 (1 ₂ 为 4um, 所述蓝子像素单元 203对应的第一电极 01 1 的条状结构的 间隔为 6um， 即所述 d ₃ 为 6um; 或者所述红子像素单元 201对应的第 一电极 01 1的条状结构的间隔为 4.5um, 即所述 为 4.511111， 所述绿子 像素单元 202对应的第一电极 01 1的奈状结构的间隔为 4.5um，即所举 d ₂ 为 4.5um，所述蓝子像素单元 203对应的第一电极 01 1的条状结构的 间隔为 6.5um, 即所述 d ₃ 为 6.5um。

本发明实施例提供的阵列基板的制备方法， 包括针对任意一个子 像素单元， 在形成有薄膜晶体管 TFT结构的基板上沉积第一透明导电 薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电极； 或者， 首先在形成有 薄膜晶体管 TFT结构的基板上沉积第二透明导电薄膜层， 通过一次 图工艺形成第二电极， 然后在所述第二电极上形成钝化层， 在所述施 化层上沉积第一透明导电薄膜层， 通过一次构图工艺形成所述第一电 极， 使得每个所述像素单元中不同子像素单元对应 的所述第一电极的 条状结构的间隔不完全相等， 相较于现有技术， 使得光线通过所述像 素单元之后每个子像素单元的出射光的透过率 更加匹配， 改善了显示 效果。 _? 尽管本发明以红子像素单元、 绿子像素单元、 蓝子像素单元作为 示例， 但是当显示装置所使用的像素单元包括更少或 更多的子像素单 元时， 本领域技术人员根据本发明的教导， 能够进行适当的修改， 使 得光线通过所述像素单元之后每个子像素单元 的出射光的透过率更加 匹配。 同样， 尽管以蓝子像素单元作为示例进行了说明， 但是当任了 子像素单元的电压 -透过率曲线与其他（多数）子像素单元的电� �-透 率曲线具有较大偏差时， 本领域技术人员根据本发明的教导， 能够进 行适当的修改， 使得光线通过所述像素单元之后每个子像素单 元的出 射光的透过率更加匹配。

以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围 不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露 的技术 ^ 围内， 可轻易想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范 围为准。