CHIPAUFBAU MIT EINGEBAUTER SICHERUNG UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG

Die Erfindung betrifft einen Chipaufbau sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Chipaufbaus.

In vielen modernen Geräten sind elektronische Schaltungen als integrierte Bauteile eingesetzt. Solche Bauteile mit integ- rierten Schaltungen, die auch als Chips bezeichnet werden, weisen verschiedene Bauformen bezüglich ihres Gehäuses und ihrer Anschlüsse auf.

Bei einer Fehlfunktion des Bauteils kann es zu einer Beschä- digung beziehungsweise einer Zerstörung des entsprechenden Geräts führen. Zu diesem Zweck sind vielfach Versorgungsanschlüsse des Bauteils über eine Sicherung an eine Spannungs ^¬ versorgung des Geräts angeschlossen. Eine derartige Sicherung benötigt jedoch Platz auf einer Platine, welche das Bauteil trägt.

Wenn ein Bauteil etwa dazu vorgesehen ist, eine Spannungserhöhung einer eingangsseitig anliegenden Versorgungsspannung durchzuführen, soll beziehungsweise darf ein Weiterbetrieb des Bauteils im Fehlerfall nicht erfolgen, was unter Umständen durch entsprechende Vorschriften bedingt wird. Beispielsweise soll bei einem derartigen Bauteil ein durch einen Fehlerfall bedingter Brand verhindert werden. Eine dementspre- chende Bedeutung kommt der Zuverlässigkeit der Sicherung zu.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung mit einem Chipaufbau bereitzustellen, bei der der Chipaufbau auf ^¬ wandsarm zuverlässiger gegen Fehlfunktionen geschützt ist. Es ist auch Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Chipaufbaus anzugeben der zuverlässiger gegen Fehlfunktionen geschützt ist. Diese Aufgaben werden mit dem Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltungsformen und Weiterbildungen der Erfindungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche .

In einer Ausführungsform umfasst ein Chipaufbau einen externen Versorgungsanschluss, einen internen Versorgungsanschluss und eine integrierte Schaltung, die zur Spannungsversorgung mit dem internen Versorgungsanschluss gekoppelt ist. Ferner ist eine Sicherung vorgesehen, die den internen Versorgungsanschluss elektrisch mit dem externen Versorgungsanschluss verbindet und innerhalb des Chipaufbaus angeordnet ist.

Der Chipaufbau, englisch chip package, kann verschiedene Bau- formen umfassen. Der Chipaufbau betrifft demnach insbesondere die Einheit aus integrierter Schaltung und Anschlussstellen, die beispielsweise auf einer Platine eingesetzt werden kann. In der beschriebenen Ausführungsform des Chipaufbaus ist somit die Sicherung integraler Bestandteil des Bauteils, so dass bei einem Einsatz auf einer Platine keine zusätzliche Sicherung vorgesehen werden braucht.

Die Sicherung ist vorzugsweise außerhalb der integrierten Schaltung angeordnet. Insbesondere besteht vorzugsweise keine elektrische Verbindung zwischen der integrierten Schaltung und dem externen Versorgungsanschluss, an dem im Betrieb des Chipbausteins eine Versorgungsspannung angelegt werden kann. Somit wird gewährleistet, dass im Fehlerfall, bei dem die Si ^¬ cherung zerstört wird, ein Bereitstellen der Spannung an die integrierte Schaltung zuverlässig verhindert wird.

Eine integrierte Schaltung ist üblicherweise dadurch gekennzeichnet, dass sie mehrere aktive und/oder passive Bauelemen ^¬ te aufweist, die unter anderem durch entsprechende Halblei- terstrukturen realisiert sind. Diese Elemente sind hierbei gemeinsam in einem Halbleitermaterial ausgeführt. Dementspre- chend können diese Elemente auch empfindlich gegen Überspannungen oder Fehlerfälle im Allgemeinen sein.

In einer Ausführungsform ist die integrierte Schaltung des Chipaufbaus auf einem Halbleiterkörper integriert, der eine erste Anschlussstelle und eine zweite Anschlussstelle aufweist. Die erste Anschlussstelle ist zur Spannungsversorgung der integrierten Schaltung eingerichtet und mit dem internen Versorgungsanschluss gekoppelt, während die zweite Anschluss- stelle mit dem externen Versorgungsanschluss gekoppelt ist. Mit Ausnahme der Sicherung ist keine elektrische Verbindung der integrierten Schaltung mit dem externen Versorgungsanschluss vorgesehen. Anders ausgedrückt, wenn die Sicherung zerstört ist, kann über den externen Versorgungsanschluss keine Spannung an die integrierte Schaltung zugeführt werden.

Ein Halbleiterkörper umfasst somit die integrierte Schaltung. Jedoch kann der Halbleiterkörper auch Bereiche umfassen, die kein Bestandteil der integrierten Schaltung sind und/oder keine elektrische Verbindung zur integrierten Schaltung aufweisen .

In einer Ausführungsform des Chipaufbaus ist dieser als Wafer Level - Chip Scale Package, WL-CSP, ausgeführt. Bei einer derartigen Ausführungsform wird die integrierte Schaltung beispielsweise auf einem Halbleiterkörper hergestellt und an ^¬ schließend mit einer Zusatzschicht versehen, welche die An ^¬ schlüsse der integrierten Schaltung umfasst. Hierbei erfolgen sowohl das Herstellen der integrierten Schaltung als auch das Aufbringen der zusätzlichen Schicht auf einem Wafer, der erst anschließend in die einzelnen Bauteile zerlegt wird. Eine Größe des Chipaufbaus ergibt sich im Wesentlichen direkt aus bzw. bei der Zerlegung des Wafers . Beispielsweise entspricht die Fläche der integrierten Schaltung auf dem Wafer auch der Fläche des endgültigen Chipaufbaus. Vorzugsweise sind die Anschlüsse in der zusätzlichen Schicht als Lotperlen, englisch solder balls, ausgeführt. Insbesondere sind der interne und der externe Versorgungsanschluss als Lotperlen ausgeführt.

Beispielsweise ist bei dem Chipaufbau auf die integrierte Schaltung eine Verteilungsschicht aufgebracht, welche den ex ^¬ ternen Versorgungsanschluss, den internen Versorgungsanschluss und die Sicherung umfasst.

Vorzugsweise ist hierbei die Sicherung in der Verteilungsschicht als längliche metallische Schicht ausgeführt, die den externen Versorgungsanschluss und den internen Versorgungsanschluss elektrisch verbindet. Die Zusatzschicht oder Vertei- lungsschicht kann demnach mehrere Einzelschichten umfassen welche jeweils leitend oder nicht leitend beziehungsweise isolierend sein können. Da die Verteilungsschicht mit der Si ^¬ cherung nicht von der integrierten Schaltung umfasst ist, kann wiederum gewährleistet werden, dass bei zerstörter Si- cherung eine Versorgungsspannung über den externen Versorgungsanschluss nicht an die integrierte Schaltung gelangen kann .

In einer besonderen Ausführungsform ist die längliche metal- lische Schicht der Sicherung wenigstens an einer Stelle in ihrer Breite verringert. Dadurch kann vorteilhaft erreicht werden, dass an dieser Stelle eine Strombelastung im Vergleich zur restlichen länglich verlaufenden Sicherung erhöht ist, so dass beim Auftreten eines Überstroms ein Durchschmel- zen, also eine Zerstörung der Sicherung, vorzugsweise an die ^¬ ser Stelle erfolgt. Ferner ist durch die beschriebene Einkerbung der länglichen Sicherung die Zuverlässigkeit der Sicherung im Überstromfall verbessert.

Die Sicherung umfasst als Material ein gut leitendes metalli ^¬ sches Material, beispielsweise wenigstens eines der folgen ^¬ den: Titan/Aluminium, Aluminium, Kupfer. In alternativen Ausführungsformen des Chipaufbaus ist dieser als Kugelgitteranordnung, englisch Ball Grid Array, BGA, oder als Kontaktstiftrasterfeld, englisch Pin Grid Array, PGA, ausgeführt .

In einer alternativen Ausführungsform des Chipaufbaus umfasst dieser ein Gehäuse, welches zumindest den externen Versor- gungsanschluss und den internen Versorgungsanschluss aufweist. Die integrierte Schaltung ist innerhalb des Gehäuses angeordnet, wobei die Kopplung des externen Versorgungsanschlusses mit der zweiten Anschlussstelle auf dem Halbleiterkörper über die Sicherung erfolgt, welche in dieser Ausführungsform durch einen Bonddraht gebildet ist.

Der Bonddraht ist dabei derart dimensioniert, dass er bei ei ^¬ nem definierten Überstrom durchschmilzt und zerstört wird. Da die zweite Anschlussstelle ohne die Sicherung keine elektri ^¬ sche Verbindung zum externen Versorgungsanschluss aufweist, ist bei zerstörter Sicherung beziehungsweise zerstörtem Bond- draht ein Schutz der integrierten Schaltung verbessert ge ^¬ währleistet .

In den verschiedenen Ausführungsformen des Chipaufbaus kann dieser einen Bezugsanschluss aufweisen. Hierbei ist der Chip- aufbau dazu eingerichtet, dass zwischen dem internen Versorgungsanschluss und dem Bezugsanschluss ein Ladungsspeicher angeschlossen wird. Dieser Ladungsspeicher kann zum Abpuffern der Versorgungsspannung dienen. Der Bezugsanschluss ist vorzugsweise im Betrieb elektrisch mit einem Bezugspotential verbunden.

In einem Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Chipaufbaus wird eine integrierte Schaltung hergestellt, beispielsweise auf einem Halbleiterkörper oder Wafer. Mit der integrierten Schaltung wird der Chipaufbau hergestellt, wobei der Chipaufbau einen externen Versorgungsanschluss und einen internen Versorgungsanschluss umfasst. Die integrierte Schaltung wird zur Spannungsversorgung mit dem internen Versorgungsanschluss gekoppelt. Ferner wird inner ^¬ halb des Chipaufbaus eine Sicherung bereitgestellt, die den internen Versorgungsanschluss elektrisch mit dem externen Versorgungsanschluss verbindet.

Beispielsweise wird die integrierte Schaltung auf einem Halb ^¬ leiterkörper hergestellt, der eine erste Anschlussstelle, die zur Spannungsversorgung der integrierten Schaltung eingerich- tet und mit dem internen Versorgungsanschluss gekoppelt wird, und eine zweite Anschlussstelle aufweist, die mit dem exter ^¬ nen Versorgungsanschluss über die Sicherung gekoppelt wird.

In einer besonderen Ausführungsform wird beim Bereitstellen des Chipaufbaus und dem Bereistellen der Sicherung eine Ver ^¬ teilungsschicht auf die integrierte Schaltung aufgebracht, wobei die Verteilungsschicht den externen Versorgungsanschluss, den internen Versorgungsanschluss und die Sicherung umfasst .

In einer weiteren besonderen Ausführungsform wird beim Herstellen des Chipaufbaus ein Gehäuse mit dem externen Versorgungsanschluss und dem internen Versorgungsanschluss bereit ^¬ gestellt, welches die integrierte Schaltung umfasst, wobei die Sicherung als Bonddraht ausgeführt wird.

In weiteren Ausführungsformen wird der Chipaufbau gemäß einem der zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele für den Chipaufbau hergestellt.

Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Figuren näher erläutert. Funktions- beziehungsweise wirkungsgleiche Elemente tragen dabei gleiche Bezugszeichen.

Es zeigen:

Figur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus, Figur 2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus,

Figur 3 Ausführungsbeispiele einer integrierten Sicherung,

Figur 4 ein Strom-Zeitdiagramm für verschiedene Ausführungsformen einer integrierten Sicherung,

Figur 5 ein drittes Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus, und

Figur 6 ein Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus mit angeschlossener Schaltung.

Figur 1 zeigt ein allgemeines Ausführungsbeispiel eines Chip- aufbaus 1. Auf einem Halbleiterkörper 4 ist eine integrierte Schaltung 2 vorgesehen, die zur Spannungsversorgung mit einem internen Versorgungsanschluss VDD gekoppelt ist. Ferner ist ein mit der integrierten Schaltung 2 gekoppelter Bezugsan- schluss VSS vorgesehen, der mit einem externen Masseanschluss GND verbunden ist. Zwischen dem internen Versorgungsanschluss und dem Bezugsanschluss ist ein Ladungsspeicher 9 angeordnet. Auf dem Halbleiterkörper 4 ist ferner ein externer Versorgungsanschluss VBAT angeordnet, der mit dem internen Versorgungsanschluss VDD über eine Sicherung 3 elektrisch verbunden ist. Der externe Versorgungsanschluss VBAT ist ferner an eine externe Spannungsquelle SUP angeschlossen, die beispielsweise als Batterie ausgeführt ist.

Eine Spannungsversorgung der integrierten Schaltung 2 erfolgt also durch die externe Spannungsquelle SUP über den externen Versorgungsanschluss VBAT und die Sicherung 3, die vorzugsweise als Schmelzsicherung ausgeführt ist. Der Ladungsspeicher 9 am internen Versorgungsanschluss VDD dient zur Spannungsstabilisierung der Versorgungsspannung am Versorgungsan- Schluss VDD. Der Ladungsspeicher 9 kann in verschiedenen Ausführungsformen auch weggelassen werden und ist nicht Bestandteil des Chipaufbaus 1. Es ist nicht Aufgabe der Sicherung 3, dass durch das Anspre ^¬ chen der Sicherung 3 die integrierte Schaltung 2 gegen Überspannungen geschützt wird, sondern vielmehr gegen Folgen jeglicher Fehlerfälle. Diese können beispielsweise Kurzschlüsse umfassen, die zu gefährlichen Folgen wie z.B. Brand führen könnten. Solche Fehlerfälle könnten insbesondere hinter der Sicherung 3, also am Anschluss VDD auftreten. Überspannungen, die durch eine elektrostatische Entladung, englisch Electrostatic Discharge, ESD, verursacht werden, sollen die Sicherung 3 nicht zum Ansprechen bringen, da nach einem ESD Spannungspuls ein Funktion der integrierten Schaltung 2 weiterhin gewährleistet werden soll.

Durch den Ladungsspeicher 9 kann bei einem ESD Ereignis schon ein Teil des ESD Pulses abgefangen werden. Dadurch ist es einfacher möglich, die integrierte Schaltung 2 gegen diesen ESD Puls zu schützen

Der Chipaufbau 1 kann direkt auf einer Platine eingesetzt werden, ohne dass auf der Platine eine zusätzliche Absiche ^¬ rung der Versorgungsspannung erfolgen müsste. In einer Fehlersituation, die beispielsweise durch eine Fehlfunktion der integrierten Schaltung 2 oder einer an die integrierte Schaltung 2 angeschlossenen Schaltung entstehen kann, wird die Si- cherung 3 zerstört, so dass die integrierte Schaltung 2 si ^¬ cher von der Versorgungsspannung getrennt ist. Eine Wiederaufnahme des Betriebs der integrierten Schaltung 2 beziehungsweise des Chipaufbaus 1 ist vorzugsweise nicht möglich, da die Sicherung 3 im Fehlerfall irreversibel zerstört wird.

Beispielsweise ist die integrierte Schaltung zur Spannungs ^¬ versorgung einer Xenonlampe vorgesehen, welche eine höhere Spannung benötigt als üblicherweise von einer vorhandenen Spannungsquelle auf der Platine bereitgestellt wird. Durch die integrierte Schaltung wird demnach eine Eingangsspannung am internen beziehungsweise externen Versorgungsanschluss VDD, VBAT in eine deutlich höhere Ausgangsspannung in der Größenordnung von etwa 300 Volt umgesetzt. Bei einer derartigen Ausgangsspannung ist es jedoch vorgeschrieben, dass bei einem Fehlerfall wirksam abgesichert sind. Wenn durch einen Fehlerfall, wie zuvor beschrieben, die Sicherung ausgelöst wird, soll gewährleistet werden, dass der Chipaufbau nicht mehr arbeitet und insbesondere keine gefährliche Spannung mehr abgeben kann. Da von dem Chipaufbau somit auch kein Strom mehr aufgenommen wird, kann auch gewährleistet werden, dass kein Brand oder eine ähnliche Beschädigung des Bauteils oder der Platine auftritt.

Der Chipaufbau kann verschiedene Ausführungsformen aufweisen, wie zum Beispiel ein Chipgehäuse mit externen Anschlüssen, welches die integrierte Schaltung aufnimmt. Der Chipaufbau kann auch als Kugelgitteranordnung, englisch Ball Grid Array, BGA, oder als Kontaktstiftrasterfeld, englisch Pin Grid Array, PGA, ausgeführt sein.

In den verschiedenen Ausführungsformen sind die Sicherung und der externe Versorgungsanschluss VBAT vorzugsweise so ange ^¬ ordnet, dass nach einem Durchbrennen oder Trennen der Sicherung 3 keine elektrische Verbindung der integrierten Schaltung 2 mit dem externen Versorgungsanschluss VBAT vorhanden ist. Dadurch kann unter anderem gewährleistet werden, dass Folgeschäden vermieden werden, weil die Energiezufuhr von der Versorgung durch die Sicherung 3 unterbrochen wird.

Figur 2 zeigt eine alternative Ausführungsform eines Chipaufbaus 1, welcher nach dem Prinzip des Wafer Level - Chip Scale Package, WL-CSP, ausgeführt ist. Dazu weist der Chipaufbau 1 einen Halbleiterkörper 4 auf, der eine Schicht mit der integrierten Schaltung 2 und eine Verteilungsschicht 7, englisch Redistribution Layer, RDL, aufweist. Die Verteilungsschicht 7 umfasst eine Schicht 71, welche zum Zweck einer Spannungsver- sorgung einen Kontakt zur integrierten Schaltung 2 bildet.

Die Verteilungsschicht 7 umfasst ferner Schichten 72, 73, 74, 75, den internen Versorgungsanschluss VDD und den externen Versorgungsanschluss VBAT.

Die Schichten 72, 73, 74 sind als nicht leitende beziehungs- weise isolierende Schichten ausgeführt. Der interne und der externe Versorgungsanschluss VDD, VBAT sind jeweils als Lot ^¬ perlen ausgeführt, welche beim Aufbringen auf eine Platine zum Herstellen eines jeweiligen elektrischen Kontakts dienen. Insbesondere können die Lotperlen zum Verlöten mit der Plati- ne dienen.

Die Versorgungsanschlüsse VBAT, VDD sind über die Schicht 75, welche leitend und vorzugsweise metallisch ist, mit der Schicht 71 elektrisch verbunden, wobei der U-förmige Quer- schnitt der Schicht 75 unterhalb der Schicht 71 eine erste

Anschlussstelle 5 bildet. Der Bereich der Schicht 75 zwischen dem externen und dem internen Versorgungsanschluss VBAT, VDD dient als Sicherung 3. Ferner ist durch den Bereich der Schicht 75 über dem externen Versorgungsanschluss VBAT eine zweite Anschlussstelle 6 gebildet.

Auf die Ausführung der Sicherung 3 in der Schicht 75 wird detaillierter bei den Ausführungen zu den Figuren 3 und 4 eingegangen werden.

Beim Herstellen eines Chipaufbaus 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel in Figur 2 wird zunächst die integrierte Schaltung 2 auf einer Halbleiterscheibe, einem Wafer hergestellt, wobei der Wafer üblicherweise mehrere gleichartige oder verschiede- ne integrierte Schaltungen umfasst. Nachdem die integrierte Schaltung 2 auf dem Wafer hergestellt ist, wird die Verteilungsschicht 7 auf den Wafer beziehungsweise die Halbleiterscheibe aufgebracht. Es ist selbstverständlich, dass die Ausgestaltung der Zusatzschicht 7 in Figur 2 nur beispielhaft dargestellt ist und auch weitere Anschlüsse und/oder Schichtenfolgen aufweisen kann. Nach dem Aufbringen der Zusatzschicht 7 wird der Wafer in die einzelnen Chipaufbauten zerlegt, die dann, ohne Vorsehen eines Gehäuses, direkt auf einer Platine eingesetzt beziehungs ^¬ weise verlötet werden können.

Die Figuren 3A und 3B zeigen Ausführungsbeispiele einer Si ^¬ cherung 3, welche beispielsweise in der Verteilungsschicht 7 integriert sein kann. Die Sicherung 3 ist in den Figuren 3A und 3B jeweils dargestellt zwischen den Versorgungsanschlüs- sen VBAT, VDD, welche einen Durchmesser D aufweisen. Beispielsweise beträgt der Durchmesser D etwa 300 μm. Die Sicherung 3 weist eine Länge L und eine Breite W auf, wobei die Länge L beispielsweise 200 μm beträgt. Die Sicherung 3 ist vorzugsweise in der Verteilungsschicht als längliche metalli- sehe Schicht ausgeführt, wobei als Material ein gut leitendes metallisches Material, zum Beispiel Titan/Aluminium, Aluminium oder Kupfer verwendet werden kann.

In Figur 3A weist die Sicherung 3 eine einheitliche und durchgängige Breite W auf. Im Fehlerfall, bei dem ein Über ^¬ strom über die Sicherung 3 fließt, schmilzt die Sicherung 3 infolge der thermischen Effekte. Die Sicherung 3 kann also auch als Schmelzsicherung bezeichnet werden.

In Figur 3B weist die Sicherung 3 an einer Stelle 31 eine

Einkerbung auf, ist also in ihrer Breite verringert. An die ^¬ ser Stelle tritt im Betrieb eine erhöhte Stromdichte auf, welche in einer im Vergleich zu den übrigen Bereichen der Sicherung erhöhten Temperatur führt. Im Fehlerfall, schmilzt in dieser Ausführungsform die Sicherung 3 vorzugsweise an der Stelle 31 infolge der thermischen Effekte.

Figur 4 zeigt ein beispielhaftes Strom-Zeitdiagramm bezüglich des Durchbrennens einer Sicherung für unterschiedliche Brei- ten W am Beispiel der Weiten Wl, W2, W3, W4. Aus dem Diagramm lässt sich erkennen, dass sich eine Durchbrennzeit der einzelnen Sicherungen mit erhöhtem Stromfluss verkürzt. Ferner ist ersichtlich, dass mit erhöhter Breite W die Strombelastbarkeit der Sicherung steigt. Je geringer der Fehlerstrom ist, desto länger ist die Sicherung ohne Durchbrennen belastbar.

Figur 5 zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus 1, bei dem der Chipaufbau 1 ein Gehäuse 8 um- fasst, welches den externen und den internen Versorgungsan- schluss VBAT, VDD sowie den Bezugsanschluss VSS aufweist und einen Halbleiterkörper 4 mit der integrierten Schaltung 2 aufnimmt. Auf dem Halbleiterkörper 4 sind eine erste und eine zweite Anschlussstelle 5, 6 vorgesehen, wobei lediglich die erste Anschlussstelle 5 direkt elektrisch mit der integrierten Schaltung 2 verbunden ist. Die zweite Anschlussstelle 6 ist über Bonddrähte mit dem internen Versorgungsanschluss VDD und der ersten Anschlussstelle 5 verbunden. Ferner ist die zweite Anschlussstelle 6 über eine als Bonddraht ausgeführte Sicherung 3 mit dem externen Versorgungsanschluss VBAT gekop ^¬ pelt.

Ein entsprechender Strom, bei dem die als Bonddraht ausgeführte Sicherung 3 ansprechen soll, bestimmt die Ausführung und Dicke des verwendeten Bonddrahts. Auch die als Bonddraht ausgeführte Sicherung 3 kann als Schmelzsicherung bezeichnet werden .

Wegen der innerhalb des Gehäuses 8 beziehungsweise des Chip- aufbaus 1 angeordneten Sicherung 3 kann der externe Versorgungsanschluss VBAT direkt an eine externe Spannungsquelle angeschlossen werden, ohne dass eine weitere Sicherung vorgesehen werden müsste. Wenn die Sicherung 3 im Fehlerfall zerstört wird, ist anschließend gewährleistet, dass Folgeschä- den, verursacht durch einen Fehlerfall in der integrierten

Schaltung 2 oder einer daran angeschlossen Schaltung, vermieden werden. In einer alternativen Ausführungsform könnte die zweite Anschlussstelle 6 auch weggelassen werden, wobei in diesem Fall die erste Anschlussstelle 5 einerseits über einen Bonddraht mit dem internen Versorgungsanschluss VDD und andererseits über die als Bonddraht ausgeführte Sicherung 3 mit dem externen Versorgungsanschluss VBAT verbunden wäre. Auch in diesem Fall würden gefährliche Folgeschäden vermieden werden.

Figur 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Chipaufbaus 1 mit einer über eine elektrische Verbindung 11 angeschlossenen

Schaltung 10. Der Chipaufbau kann nach einer der beschriebenen Ausführungsformen gebildet sein. Die Schaltung 10 stellt beispielhaft eine Last dar, die von der integrierten Schal ^¬ tung bzw. dem Chipaufbau 1 versorgt wird. Beispielsweise ist die Last durch ein passives Element wie einen Widerstand, ei ^¬ ne Spule oder eine kapazitive Last gebildet. Alternativ kann die Last auch als Transformator, als eine oder mehrere Leuchtdioden oder als Xenon-Blitzlampe ausgeführt sein. Bei einem Fehlerfall in der Schaltung 10 kann es auch zu einem Überstrom über die hier aus Übersichtsgründen nicht dargestellte Sicherung kommen, welche dann ausgelöst wird. Somit werden auch bei einem Fehler in der Schaltung 10 Folgeschäden wie z.B. ein Brand vermieden.

Es sei angemerkt, dass die Sicherung 3 in den beschrieben Ausführungsbeispielen einer Absicherung des Chipaufbaus dient, also eine Sicherheitsmaßnahme darstellt. Die Sicherung 3 dient nicht zur Programmierung einer Konfiguration der integrierten Schaltung 2.