Die Erfindung betrifft eine Beschichtung, die besondere Absorptionseigenschaften für elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des Sonnenlichts aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Beschichtung und ihre Verwendung.

Sie kann insbesondere angewendet werden, wenn Sonnenstrahlung zur Energie- bzw. Wärmegewinnung genutzt werden soll. Das Wellenlängenspektrum kann dabei wellenlängenselektiv und gezielt genutzt werden. Dabei spielt insbesondere die Absorption der elektromagnetischen Strahlung des Spektrums der von der Sonne auf eine Oberfläche emittierten Strahlung eine besondere Rolle.

So ist es bei der Herstellung von Absorberrohren, die in Parabol-Rinnen- Kollektoren eingesetzt werden, üblich, Absorberbeschichtungen vorzusehen. Dabei wird die eigentliche absorbierende Schicht aus einem Cermet gebildet. Außerdem sind weitere Barriere- und reflektierende Schichten bei solchen Absorberbeschichtungen erforderlich und üblich. Alle diese Schichten werden dabei mittels bekannter Vakuumbeschichtungsverfahren ausgebildet, was einen entsprechend hohen Herstellungsaufwand und Kosten verursacht. Außerdem ist eine aufwändige Oberflächenbearbeitung eines so zu beschichtenden Substrats erforderlich. Je höher die Anzahl der einzusetzenden Schichten ist, je höher ist auch der Anteil an Strahlungsverlusten, so dass der Anteil an nutzbarer Strahlungsenergie dadurch reduziert ist.

Die Absorptions- und Emissionseigenschaften dieser Absorberbeschichtungen werden durch die eingesetzten Werkstoffe und Schichtdicken bestimmt.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Möglichkeiten anzugeben, mit denen eine einfache und kostengünstige Beschichtung ausgebildet werden kann, deren Absorptions- und/oder Emissionseigenschaften vorgegeben werden können, was insbesondere bestimmte ausgewählte Wellenlängen oder Wellenlängenbereiche elektromagnetischer Strahlung betrifft.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Beschichtung, die die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Sie kann mit einem Verfahren nach Anspruch 9 hergestellt werden. Anspruch 11 gibt Verwendungen an.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen realisiert werden.

Die erfindungsgemäße Beschichtung ist mit einer Schicht, die auf der Oberfläche eines Substrats ausgebildet ist, gebildet. Sie kann auch auf einer auf der Oberfläche des Substrats ausgebildeten reflektierenden Schicht ausgebildet sein.

In der Schicht sind Kohlenstoffnanoröhren enthalten. Dabei ist der Anteil an pro Flächen- oder Volumeneinheit enthaltenen Kohlenstoffnanoröhren und/oder die Schichtdicke der Schicht so gewählt, dass elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des Sonnenlichts mit vorgebbaren Anteilen absorbiert wird. Der Anteil an elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum eines schwarzen Strahlers bei einer Temperatur größer als 50 °C, bevorzugt größer 200 °C und besonders bevorzugt größer 350 °C soll deutlich weniger emittiert werden. Dieser Anteil sollte kleiner 25 %, bevorzugt kleiner 15 % sein.

Dabei soll der mit der Schicht absorbierte Anteil deutlich größer als der emittierte Anteil dieser Strahlungen sein.

Es kann sich dabei um Wärmestrahlung, die oberhalb der Wellenlängen des Wellenlängenspektrums der Sonnen liegt handeln. Dabei soll der mit der Schicht absorbierte Anteil deutlich größer als der emittierte Anteil dieser Strahlungen sein.

Die Schicht absorbiert den größten Teil der von der Sonne auf die Schicht emittierten Strahlung und es wird besonders vorteilhaft ein deutlich kleinerer Anteil an Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum der von einem schwarzen Strahler emittierten Strahlung emittiert, so dass strahlungsbedingte Wärmeverluste reduziert werden können.

Dabei soll unter deutlich größerem Anteil ein Anteil von mindestens 75 %, bevorzugt mindestens 90 % verstanden werden. Dies sollte auf den gesamten Spektralbereich der von der Sonne emittierten Strahlung zu treffen. Demzufolge können ausgewählte Wellenlängenbereiche nahezu vollständig absorbiert werden.

Die Schicht ist mit Kohlenstoffnanoröhren gebildet und die Absorptions-, Emissions- und oder Transmissionseigenschaften, insbesondere der absorbierte Anteil der Strahlung, können durch den Masseanteil an Kohlenstoffnanoröhren pro Flächeneinheit oder Volumeneinheit auf der Oberfläche des Substrats beeinflusst werden.

Die die Schicht bildenden Kohlenstoffnanoröhren sollten unregelmäßig auf der Oberfläche des Substrats in der reflektierenden Schicht angeordnet sein. Sie sollen dabei überwiegend parallel in einer Ebene ausgerichtet sein, die parallel zur Oberfläche des Substrats oder einer auf der Oberfläche des Substrats ausgebildeten reflektierenden Schicht ausgerichtet ist. Da die mit den Kohlenstoffnanoröhren gebildete Schicht insbesondere mechanisch nicht beständig ist und dadurch bei Kontakt entfernt werden kann, ist es vorteilhaft, die mit den Kohlenstoffnanoröhren gebildete Schicht mit einer Schutzschicht zu überdecken. Die Schutzschicht kann bevorzugt aus einem Oxid gebildet sein. Es kann ein Oxid eingesetzt werden, das ausgewählt ist aus Sn0 ₂ , Ti0 ₂ , Si0 ₂ , ZnO, ln ₂ 0 ₃ und Al ₂ 0 ₃ . Die Schutzschicht sollte eine Schichtdicke im Bereich 20 nm bis 1000 nm aufweisen. Die Schutzschicht sollte eine hohe Transparenz oder eine hohe Reflektivität für von einem schwar- zen Strahler emittierte Strahlung aufweisen. Sie kann beispielsweise aus Si0 ₂ ,

Ti0 ₂ oder Al ₂ 0 ₃ gebildet sein, wodurch eine hohe Transparenz im Wellenlängenbereich des IR-Lichtes erreichbar ist. Sn0 ₂ , Sn0 ₂ :F oder andere elektrisch leitende und optisch transparente Oxide (TCO's) sind in diesem Wellenlängenbereich reflektiv.

Neben dem mechanischen Schutz kann mit einer Schutzschicht auch ein Schutz vor thermischen Einflüssen und dabei insbesondere einer Oxidation erreicht werden. Das Substrat sollte auf der Oberfläche des Substrats mit einem Werkstoff beschichtet sein, der die Emission elektromagnetischer Strahlung reduziert oder aus einem solchen Werkstoff gebildet sein, so dass Wärmeverluste ausgehend vom Substrat in Richtung Umgebung durch abgestrahlte Strahlung reduziert werden können. Dieser Werkstoff kann ausgewählt sein aus Stahl, Aluminium, Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Molybdän und Palladium. Damit kann erreicht werden, dass Energieverluste infolge von emittierter Strahlung zumindest deutlich reduziert werden können. So kann insbesondere eine Emission elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenbereich der Strahlung, die von einem schwarzen Strahler emittiert wird, ausgehend vom erwärmten Substrat reduziert oder gar vermieden werden.

Bei der Erfindung besteht aber auch die Möglichkeit, einen Werkstoff für eine Schutzschicht einzusetzen, der elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenbereich des infraroten Lichts reflektiert und der für kleinere Wellenlän- gen optisch transparent ist. Er sollte dabei insbesondere die elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum eines schwarzen Strahlers zu mindestens 50 % reflektieren. Als Werkstoff können beispielsweise elektrisch leitende Oxide (TCO'S) eingesetzt werden.

In der Schicht sollten Kohlenstoffnanoröhren mit einem Anteil von mindestens 0,05 g/m ² und maximal 5 g/m ² , bevorzugt mindestens 0,25 g/m ² und maximal

2,5 g/m ² enthalten sein. Dabei verschiebt sich die vorgebbare Wellenlänge in Richtung höherer Wellenlängen mit einem erhöhten Anteil an enthaltenen Kohlenstoffnanoröhren. Die Kohlenstoffnanoröhren enthaltende Schicht kann eine Schichtdicke im

Bereich 10 nm bis 2000 nm, bevorzugt 100 nm bis 1000 nm aufweisen.

Es können die verschiedensten unterschiedlichen Kohlenstoffnanoröhren, z.B. SWCNT's oder MWCNT's eingesetzt werden. Auch unterschiedlich dimensio- nierte Kohlenstoffnanoröhren können erfindungsgemäß eingesetzt werden.

Neben der Anzahl der Wände haben auch die Struktur (Aufrollfaktor), die jeweiligen Durchmesser, Längen der Kohlenstoffnanoröhren, deren Reinheit (gereinigt, ungereinigt) sowie ggf. enthaltene Verunreinigungen (verschiedene Metall, Katalysatoren, Kohlenstoff in anderer Modifikation) einen Einfluss auf die optischen Eigenschaften.

Bei der Herstellung einer erfindungsgemäßen Beschichtung kann so vorgegangen werden, dass eine wässrige Dispersion, in der mindestens ein Tensid und Kohlenstoffnanoröhren gleichmäßig verteilt enthalten sind, auf die Ober- fläche eines Substrats oder einer auf der Substratoberfläche ausgebildeten reflektierenden Schicht, die aus einem Werkstoff gebildet ist, der elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge größer als der vorgegebenen Wellenlänge mit mindestens 60 % reflektiert, aufgebracht wird. Im Anschluss daran werden das Wasser durch eine Trocknung und das Tensid mittels eines Lösungsmittels entfernt. Die Absorptions- und/oder Transmissionseigenschaften der so ausgebildeten Schicht können durch den Anteil an Kohlenstoffnanoröhren, der in der Dispersion eingehalten worden ist, beeinflusst werden.

Der Auftrag der Dispersion kann mit verschiedenen Vorgehensweisen erfolgen, so sind u.a. Sprühverfahren, Tauchverfahren, Druckverfahren geeignet. Die vorab bereits beschriebene Schutzschicht kann bevorzugt mit einem CVD- Verfahren bei Atmosphärendruckbedingungen oder nasschemisch ausgebildet werden. Dabei werden Möglichkeiten für die Ausbildung einer solchen Schutzschicht in Ausführungsbeispielen nachfolgend noch beschrieben.

Die Erfindungsgemäße Beschichtung kann bei Absorbern für solartechnische Anwendungen verwendet werden. Dies betrifft insbesondere die Herstellung von Absorberrohren, die besonders bevorzugt in Parabol-Rinnen-Kollektoren eingesetzt werden können.

Die Erfindung zeichnet sich gegenüber dem Stand der Technik besonders durch die einfache und kostengünstige Herstellbarkeit aus, da auf Vakuumbe- schichtungstechniken zumindest weitestgehend verzichtet werden kann. Zumindest die eigentliche absorbierende Schicht kann ohne ein solches aufwän- diges Verfahren ausgebildet werden.

Durch den kleinen erforderlichen Anteil an Kohlenstoffnanoröhren sind auch die Materialkosten relativ niedrig. Nachfolgend soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.

Dabei zeigen: Figur 1 ein Diagramm des Reflexionsverhaltens von Schichten mit unterschiedlichen Anteilen an Kohlenstoffnanoröhren pro Fläche bei verschiedenen Wellenlängen;

Figur 2 ein Diagramm des Reflexionsverhaltens von Schichten mit un- terschiedlichen Anteilen an Kohlenstoffnanoröhren pro Fläche bei verschiedenen Wellenlängen und

Figur 3 das Reflexionsverhalten einer einwandige Kohlenstoffnanoröhren enthaltenen Schicht, die auf verschiedenen Substratmaterialien (Kupfer + Edelstahl) ausgebildet ist. Die Figuren 1 und 2 zeigen Diagramme des Reflexionsverhaltens von Schichten mit unterschiedlichen Anteilen an Kohlenstoffnanoröhren pro Fläche bei den verschiedenen Wellenlängen. Dabei ist deutlich der erhöhte Einfluss der enthaltenen Kohlenstoffnanoröhrenanteile auf das Reflexionsverhalten und dabei die Verschiebung einer vorgegebenen Wellenlänge in Richtung höherer Wellenlängen mit steigendem Anteil an Kohlenstoffnanoröhren erkennbar.

Die mit mehrwandigen Kohlenstoffnanorören (MWCNT's) gebildeten Schichten wurden auf einem Edelstahlsubstrat (SSI.4301, llld) abgeschieden.

Figur 3 zeigt das Reflexionsverhalten einer einwandige Kohlenstoffnanoröhren (SWCNT's) enthaltenden Schicht, die auf verschiedenen Substratmaterialien (Kupfer + Edelstahl) abgeschieden ist. Das gute Absorptionsverhalten wird dabei maßgeblich durch die CNT-Schicht bestimmt. Die Selektivitätskante ist deutlich bei ca. 2 μητι zu sehen. Bei höheren Wellenlängen ist die CNT-Schicht transparent, was durch die unterschiedlich reflektierenden Substrate gezeigt werden kann. Die Emission des Gesamtschichtsystems wird daher von der verwendeten Substratoberfläche bestimmt. Die solare Absorption wird maßgeblich durch die aufgebrachte CNT-Schicht erzeugt.

Bei den Beispielen soll allgemein voran gestellt werden, wie die Herstellung einer Dispersion und weitere nachfolgende Verfahrensschritte durchgeführt werden sollte. Diese Erklärung trifft dann auch auf nachfolgend noch zu beschreibende konkrete Beispiele zumindest sinngemäß zu.

Bei der Herstellung der Dispersion werden Kohlenstoffnanoröhren und ein geeignetes Tensid in einer Flüssigkeit, bevorzugt Wasser enthaltendes Gefäß gegeben. Da Kohlenstoffnanoröhren (CNT's) stark zu einer Agglomeration neigen, werden Agglomerate oder Cluster mittels einer Ultraschallbehandlung aufgebrochen. Mit dem Tensid können die CNT's in der Flüssigkeit (Wasser) stabilisiert und ein erneutes agglomerieren verhindert werden.

Zum Erhalt einer homogenen Dispersion können ggf. noch in der Dispersion enthaltene Agglomerate durch Zentrifugieren entfernt werden.

Eine so erhaltene Dispersion ist langzeitstabil und kann z.B. durch Sprühen aufgetragen werden. Nach dem Auftrag der Dispersion erfolgt das Trocknen, was durch eine Beheizung beschleunigt werden kann. Nach der Trocknung verbleibt auf der Oberfläche eine Schicht eines Netzwerks aus CNT's und dem jeweiligen Tensid. Da Tenside die optischen Eigenschaften beeinflussen sollte das Tensid entfernt werden. Hierfür kann ein für das jeweilige Tensid geeignetes Lösungsmittel (z.B. Ethanol) eingesetzt werden, mit dem es durch auswaschen entfernt werden kann. Nach dem Waschschritt verbleiben die CNT's allein auf der Oberfläche. Sie haften mechanisch nicht sehr stabil und können bei Berührung oder anderen Kontakten leicht entfernt werden. Außerdem sind sie gegen thermische oder auch andere äußere Einflüsse nicht sehr gut geschützt.

Aus diesen Gründen kann die mit den CNT's gebildete Schicht mit einer thermisch stabilen und optisch transparenten Schutzschicht fixiert und geschützt werden. Dadurch kann auch ein Oxidationsschutz erhalten werden. Die Schutzschicht sollte zumindest im Wellenlängenbereich, in dem elektromagnetische Strahlung (< der vorgebbaren Wellenlänge) erhöht absorbiert werden soll, optisch transparent sein und diese Strahlung auch nicht reflektieren. Sie kann als Antireflexionsschicht ausgebildet sein.

Beispiel la:

Auf eine Substratoberfläche aus poliertem Edelstahl 1.4301 (llld) wurde eine Dispersion mittels einer Airbrushdüse bei einem Arbeitsdruck von 4 bar aufgesprüht.

Die Dispersion wurde hergestellt, indem 0,1 Masse-% mehrwandiger CNT's, wie sie beispielsweise von der Firma Nanocyl kommerziell erhältlich sind und 0,1 Masse-% Natrium-Dodecylbenzen-Sulfonat als ein geeignetes Tensid in Wasser gegeben. Das Gemisch wurde über einen Zeitraum von 5 min Ultraschallwellen einer Frequenz von 20 kHz ausgesetzt, um Agglomerate aufzubrechen.

Anschließend wurde die Dispersion über 5 min bei 3260 g zentrifugiert. Es wurden 80 % der Dispersion oben entnommen und auf eine Oberfläche mit einer Größe 150 * 150 mm ² aufgesprüht. Dabei konnte auf der Oberfläche eine Schicht nach dem Trocknen und Auswaschen des Tensids erhalten werden, bei der ca. 0,5 g/m ² CNT's vorhanden waren.

Im Anschluss daran wurde eine Schutzschicht aus Si0 ₂ auf die Schicht aufgebracht.

Hierfür wurden 10 ml Wasser, 50 ml Ethanol, 50 ml Tetraethylorthosilicat und 10 ml 100-%-ige Essigsäure vermischt und durch Dip-Coating die Mischung auf die Schicht aufgetragen. Dabei erfolgte das Tauchen einmalig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s.

Dann wurde über 5 min getrocknet und im Anschluss daran wurde eine Wär- mebehandlung bei 350 °C über einen Zeitraum von 5 min durchgeführt. Nach diesem Tempern war eine Schutzschicht aus Si0 ₂ mit einer Schichtdicke von 300 nm auf nasschemischem Wege erhalten worden. Es können aber auch andere Schichtdicken, beispielsweise 20 nm, 40 nm o. 60 nm erhalten werden. Anstelle einer Schutzschicht aus Si0 ₂ kann eine Schutzschicht aus Al ₂ 0 ₃ , wie folgt beschrieben, ausgebildet werden.

Als Precursor werden 100 ml Al(iPrO) ₃ (60 g/l) in n-Butanol mit ca. 1 Vol-% konzentrierter HN0 ₃ in Form einer Lösung zubereitet. Die Beschichtung er- folgt wieder durch Dip-Coating mit einmaligem Tauchen bei einer Tauchgeschwindigkeit von 1 mm/s.

Die.Trocknung erfolgte über 5 min. Es wurde ebenfalls eine Wärmebehandlung bei 350 °C über 5 min durchgeführt.

Die Schutzschicht hatte eine Dicke von 40 nm.

Beispiel lb:

Auf eine Substratoberfläche aus Kupfer wurde eine Dispersion mittels einer Airbrushdüse bei einem Arbeitsdruck von 4 bar aufgesprüht. Die Dispersion wurde hergestellt, indem 0,05 Masse-% SW-CNT's und 1 Mas- se-% Natrium-Dodecylbenzen-Sulfonat als ein geeignetes Tensid in Wasser gegeben. Das Gemisch wurde über einen Zeitraum von 15 min Ultraschallwel- len einer Frequenz von 20 kHz ausgesetzt, um Agglomerate aufzubrechen.

Anschließend wurde die Dispersion über 5 min bei 3260 g zentrifugiert. Es wurden 80 % der Dispersion oben entnommen und auf eine Oberfläche mit einer Größe 150 * 150 mm ² aufgesprüht.

Dabei konnten auf der Oberfläche Schichten nach dem Trocknen und Auswaschen des Tensids erhalten werden, bei denen ca. 0,1 g/m ² bis 0,5 g/m ² CNT's vorhanden waren. Im Anschluss daran wurde eine Schutzschicht aus Si0 ₂ auf die Schicht aufgebracht.

Hierfür wurden 10 ml Wasser, 50 ml Ethanol, 50 ml Tetraethylorthosilicat und 10 ml 100-%-ige Essigsäure vermischt und durch Dip-Coating die Mischung auf die Schicht aufgetragen. Dabei erfolgte das Tauchen einmalig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s.

Dann wurde über 5 min getrocknet und im Anschluss daran wurde eine Wärmebehandlung bei 350 °C über einen Zeitraum von 5 min durchgeführt. Nach diesem Tempern war eine Schutzschicht aus Si0 ₂ mit einer Schichtdicke von

300 nm auf nasschemischem Wege erhalten worden. Es können aber auch andere Schichtdicken, beispielsweise 20 nm, 40 nm o. 60 nm erhalten werden.

Anstelle einer Schutzschicht aus Si0 ₂ kann eine Schutzschicht aus Al ₂ 0 ₃ , wie folgt beschrieben, ausgebildet werden.

Als Precursor werden 100 ml Al(iPrO) ₃ (60 g/l) in n-Butanol mit ca. 1 Vol-% konzentrierter HN0 ₃ in Form einer Lösung zubereitet. Die Beschichtung erfolgt wieder durch Dip-Coating mit einmaligem Tauchen bei einer Tauchge- schwindigkeit von 1 mm/s. Die Trocknung erfolgte über 5 min. Es wurde ebenfalls eine Wärmebehandlung bei 350 °C über 5 min durchgeführt.

Die Schutzschicht hatte eine Dicke von 40 nm.

Beispiel 2:

Bei diesem Beispiel wurde auf einer Schicht, die wie beim Beispiel 1 ausgebil- det worden ist, eine Schutzschicht aus Ti0 ₂ aufgebracht. Dabei wurden ein

CVD-Verfahren unter Atmosphärendruckbedingungen sowie als Precursoren Titantetraisopropoxide und Wasser eingesetzt. Es wurde eine Temperatur von 200 °C eingehalten. Eine geeignete entsprechende Vorgehensweise ist in DE 10 2008 052 098 AI beschrieben, so dass auf deren Offenbarungsgehalt hin- gewiesen und diesen auch zum Gegenstand dieser Beschreibung gemacht werden soll.

Die ausgebildete Schutzschicht hatte eine Schichtdicke von 65 nm. Beispiel 3

Auf die Oberfläche eines polierten Edelstahlsubstrats 1.4301 (llld) wurde eine Dispersion aufgebracht, bei der in Wasser 0,1 Masse-% mehrwandige Kohlen- stoffnanoröhren (MWCNT's) sowie 0,1 Masse-% Natrium-Dodecylbenzen- Sulfonat als Tensid enthalten waren. Die Dispersion wurde mittels Ultraschallwellen bei einer Frequenz von 20 kHz über 5 min deagglomeriert. Im Anschluss daran wurde die Dispersion über 5 min bei 3260 g zentrifugiert. Es wurden 80 % der Dispersion von oben entnommen, so dass keine Agglomerate beim Auftragen auf die Oberfläche, die mittels Aufsprühen mit einer Airbrushdüse bei einem Arbeitsdruck von 4 bar erfolgte, mit aufgesprüht wurden.

Nach dem Trocknen und Waschen, was wie beim Beispiel 1 durchgeführt werden kann, wurde eine Schutzschicht, die zusätzlich elektromagnetische Strahlung aus dem Wellenlängenbereich des infraroten Lichts mit mindestens

50 % reflektiert auf die mit den CNT's gebildet Schicht aufgebracht. Prinzipiell können unterschiedliche strahlungsselektive optisch transparente elektrisch leitende Oxide (z.B. ITO, AZO u.a.) hierfür eingesetzt werden. Bei diesem Beispiel wurde die Schutzschicht mit den IR-reflektierenden Eigenschaften aus mit Fluor dotiertem Zinnoxid gebildet.

Dabei wurde wieder ein CVD-Verfahren bei Atmosphärendruckbedingungen eingesetzt, wie dies beim Beispiel 2, der Fall war. Als Precursor wurden SnCl ₄ und 5 Masse-% HF eingesetzt. Der Auftrag erfolgte bei einer Temperatur von 400 °C. Die Schichtdicke betrug 500 nm.

Die Precursoren wurden in einem Bubbiergefäß erwärmt. Der sich einstellende Dampfdruck der jeweiligen Precursorflüssigkeit wird über einen Trägergasstrom zur Substratoberfläche gefördert. Die zu wählende

Bubbiertemperatur ist von der Dampfdruckkurve der Precursorflüssigkeit abhängig. Bei Zinntetrachlorid (SnCl ₄ ) wurde die Bubbiertemperatur auf 20 °C geregelt, bei den 5 Masse-% HF waren es 50 °C. Als Trägergas wurde Stickstoff eingesetzt. Der Trägergasvolumenstrom im SnCl ₄ enthaltenden Bubbiergefäß betrug 0,5 slm. Der Trägergasvolumenstrom im HF enthaltenden

Bubbiergefäß lag bei ca. 3 slm. Zur Vermeidung der Kondensation der gasförmigen Precursor wurden die Gasleitungen vom Bubbiergefäß bis zu einem Beschichtungskopf auf 100 °C erwärmt. Zudem wurde der Trägergasstrom mit zusätzlichem Stickstoffträgergasstrom verdünnt.

Die Gasleitungen der beiden Precursoren wurden getrennt voneinander zum Beschichtungskopf geführt. Der Beschichtungskopf besteht prinzipiell aus zwei ineinander konzentrisch angeordneten Rohren.

Bei dem verwendeten CVD-Verfahren findet eine Hydrolysereaktion zwischen den verwendeten Precursoren (Zinntetrachlorid und Wasser bzw. Fluorwasserstoff statt). Eine Schichtbildung ist ab 200°C zu beobachten. Die

Schichtabscheiderate ist stark Temperaturabhängig. Ein orientiertes kristallines Schichtwachstum findet ab Substrattemperaturen von ca. 300 - 350°C statt.