本公开涉及一种复合物、 取向材料以及由该取向材料形成的取向膜， 还 涉及该取向膜的制备方法和应用。 背景技术

在液晶面板的制作过程中， 通常利用均一排布的取向膜实现对液晶分子 的定向， 而液晶定向的均一性直接影响着显示器的品质 。 针对取向膜的取向 技术， 目前， 工业上釆用传统的摩擦取向技术和近年来发展 起来的非摩擦取 向技术。 其中， 摩擦取向技术是在液晶面板的制作工艺中利用 高速旋转的摩 擦辊摩擦形成于基板表面的取向膜， 从而使取向膜分子沿摩擦方向均一定向 排列。 摩擦取向技术工艺简单， 易于工业化生产。 但是， 同时也存在以下缺 点：在摩擦过程中产生大量的灰尘微粒，对取 向膜和器件都会产生不良影响， 并且需要后续工艺进行处理， 增加了工艺时间和成本； 在摩擦过程中产生静 电， 对 TFT-LCD的晶体管会造成击穿； 应用于大面积基板时， 难以控制摩 擦的均匀性等。 目前常用的非摩擦取向技术主要是光控取向技 术。 光控取向 技术可以避免由于静电、 灰尘所造成的污染， 并且可以改善显示器件的视角 问题。

已知有一种液晶显示设备的取向层， 如图 1所示， 该取向层由已聚合的 反应性液晶元形成， 该已聚合的反应性液晶元包括液晶元、 在该液晶元的端 部处的柔性间隔物， 以及在该柔性间隔物的端部处的光反应端基。 并且还已 知一种制造取向层的方法， 该方法包括： 在基板上沉积取向材料， 该取向材 料包括上述反应性液晶元和光引发剂；向该取 向材料施加沿预定方向的电场； 以及向施加了电场的取向材料施加 UV光， 以使该光反应端基彼此聚合。 但 是， 当照射 UV光时， 两端光反应端基随机发生聚合反应， 不仅产生主反应 的聚合物网络结构， 还将发生副反应， 导致生成不必要的副产物。 该副产物 将会影响接触到的液晶， 从而导致取向效果不良。 发明内容

为了改善液晶面板的取向效果， 本公开提供以下技术方案。

式（1 )所示的复合物，

A-B-C-B'-D ( 1 )

其中， A表示光反应端基， 所述光反应端基例如为丙烯酸酯基或丙烯酸 曱酯基， B、 B，相同或不同， 表示单键或曱基、 乙基、 丙基、 丁基、 戊基、 己基， 例如为己基， C表示烷氧基联苯基、 胆固醇的脂肪酸酯基、 希夫碱基、 偶氮苯基、 二苯乙烯基、 二苯乙炔基、 联苯基、 联三苯基， D表示无聚合活 性的端基， 例如为氰基、 -C3H7、 -OCF3、 -NCS等。

在本文中， 术语 "无聚合活性的端基" 表示不进行聚合反应的端基。 一种取向材料， 包含上述式（1 )所示的复合物。

本公开还提供一种取向膜， 其由上述取向材料形成。

上述取向膜的制备方法包括以下步骤：

在基板上涂布上述取向材料，形成取向膜，然 后对所述取向膜施加电场， 向所述取向膜照射紫外光。

其中， 所述电场的电压值例如为 5 15V, 所述紫外光的照射强度例如为 0.05~3J/cm2。

本公开还提供利用上述取向膜制备得到的液晶 面板， 以及包括该液晶面 板的显示装置。

另外， 本公开还涉及上述取向材料在制作液晶面板中 的应用。

如图 2所示， 本公开的取向材料的光反应端基发生聚合反应 形成一层稳 定的聚合物网络结构， 聚合物网络结构可以在去掉电场作用后， 使取向材料 仍能保持设定的预倾角， 所以， 利用本公开的取向材料制备得到的液晶面板 能够有效地改善取向效果。 附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅涉及本公开的一些实施例， 而非对本公开的限制。

图 1是表示用于现有无摩擦取向技术中的取向材� �及其反应原理的示意 图；

图 2是表示本公开的取向材料及其反应原理的示� �图;

图 3a〜图 3c是表示液晶面板的制备过程的示意图。

编号说明

2. 取向层

3. 液晶层

4. 无聚合活性的端基

5. 光反应端基

5'. 聚合物网络结构

11 . 阵列基板

21 . 彩膜基板 具体实施方式

为使本公开实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本公 开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案 进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本公开的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本公开的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提 下所获 得的所有其他实施例， 都属于本公开保护的范围。 本公开本公开

实施例 1

取向材料的制备

向 500mL三口瓶中加入 130mL无水乙醇与 130mL蒸馏水， 并向其中加 入 O.lmol 4-氰基 -4'-羟基联苯和 0.2mol 1,6-二溴己烷。在搅拌状态下水浴加热 回流。 待全部溶解后， 向其中緩慢滴加 40mL氢氧化钾（0.25mol)的乙醇水 溶液（以体积比计， 乙醇： 水 =1:1) 。 滴加结束后， 继续反应 4小时。 停止 反应， 趁热抽滤， 得白色固体， 干燥后用 1,2-二氯乙烷重结晶， 得白色片状 晶体即 4-氰基 -4'- (6-溴己氧基）联苯。

1H-NMR (200MHz, CDC13 ) ： δ 1.446 (4Η, m) , 1.784 (2Η, m) , 1.817 (2H, m) , 3.431 (2H, q) , 3.991 (2H, q) , 6.945 (4H, m) , 7.452 (4H, m) 。

向 250mL三口烧瓶中加入 0.05mol丙烯酸钾、 0.025mol 4-^ -4'- (6- 溴己 tt )联苯、 0.2g四丁基溴化铵和 180mL经干燥处理的 Ν,Ν-二曱基曱 酰胺， 氮气保护下一边进行机械搅拌一边升温至 60 °C , 反应 48小时。 停止 反应后， 自然冷却至室温， 过滤， 除去生成的盐 （溴化钾） ， 将滤液蒸发除 去溶剂， 得固体， 水洗该固体， 干燥后得粗品。 在无水乙醇中对所得的粗品 进行重结晶， 得白色固体、 即 4-tt-4'- ( 6-丙烯酸酯基己氧基）联苯。

1H-NMR ( 200MHz, CDC13 ) ： δ 1.463-1.861 ( 8Η, m ) , 3.972-4.025 ( 2Η, m ) , 4.156-4.253 ( 2H, m ) , 5.801 ( 1H, d ) , 6.060 ( 1H, q ) , 6.377 ( 1H, dd ) , 6.922-7.547 ( 8H, m ) 。

液晶面板的制备

如图 3a所示，在阵列基板 11和彩膜基板 21上分别涂布实施例 1中制备 的取向材料 4-氰基 -4'- ( 6-丙烯酸酯基己氧基）联苯， 形成厚度为 800±200A 的取向膜 2。

将涂有取向膜的阵列基板 11和彩膜基板 21对盒， 并使液晶盒厚控制在 3.6μπι。 向其中滴入 Chisso ZBE-5129XX液晶（ \n=0.103 ) , 形成液晶层 3, 然后封口， 清洗。

如图 3b所示， 在阵列基板 11和彩膜基板 21之间垂直施加 10V左右的 电压， 然后在约 230°C下分别向两侧取向层照射强度为 0.05~3J/cm2 (例如 3J/cm2 )的 UV光， 照射时间为 15min-30min (例如为 20min ) , 此时， 如图 3c所示， 取向膜中的光反应端基 5彼此聚合， 形成聚合物网络结构 5' , 从而 制备得到液晶面板。

比较例

利用取向材料 SE-6414 ( Nissan制 ) , 按照传统的摩擦取向技术制备取 向膜。 并使用与实施例 1相同的基板和液晶制备液晶面板。

利用显微镜对实施例 1和比较例中制备得到的液晶面板进行观察。

比较例中的液晶面板出现明显的晶畴， 而实施例 1中的液晶面板未出现 该现象， 并且， 实施例 1中的液晶面板取向效果均匀一致。 这是因为使用本 公开的取向膜可以避免摩擦过程中产生的灰尘 对取向效果的影响， 并且使用 本公开的一端为光反应端基 5、 另一端为无聚合活性的端基 4的取向材料可 避免副反应产物对取向效果的影响， 从而达到了良好的取向效果。

以上所述仅是本公开的示范性实施方式， 而非用于限制本公开的保护范 围， 本公开的保护范围由所附的权利要求确定。