TITRE : MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE COMPOSITE ET MODULE DE PUISSANCE COMPRENANT UNE COUCHE D’ENCAPSULATION FORMÉE D’UN TEL MATÉRIAU

DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION

[0001] Le domaine technique de l’invention est celui des matériaux diélectriques pouvant servir de matériau d’encapsulation dans les modules électroniques de puissance.

[0002] La présente invention concerne plus particulièrement un matériau diélectrique composite comprenant une résine thermodurcissable et une charge inorganique. L’invention concerne également un module électronique comprenant un composant électronique de puissance et au moins une couche d’encapsulation formée du matériau diélectrique composite.

ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTION

[0003] Les modules électroniques de puissance permettent la mise en œuvre de fonctions de base telles que la commutation, le redressement, la division de tension...

[0004] Un module de puissance comprend généralement un ou plusieurs composants électroniques de puissance brasés sur un substrat céramique doté de pistes métalliques. Le substrat céramique est fixé sur une semelle en cuivre qui sert de support mécanique et transfère la chaleur générée par les composants vers un dispositif de refroidissement, typiquement un dissipateur thermique. Les connexions électriques à l’intérieur du module de puissance, entre les composants et les pistes métalliques du substrat, sont en partie assurées par des fils de liaison (fils dits de bonding). Les composants sont enfermés dans un boîtier rempli d’un matériau d’encapsulation.

[0005] Le matériau d’encapsulation a pour but d’assurer la tenue diélectrique du module de puissance et de protéger les composants des agressions externes (humidité, contamination...). De plus, il renforce l’isolation électrique entre les conducteurs et améliore la tenue aux décharges partielles dues notamment aux défauts des métallisations du substrat céramique. [0006] Le matériau d’encapsulation généralement employé dans les modules de puissance est une résine silicone réticulée. La résine silicone offre les meilleures performances en termes de flexibilité et présente une plage de température d’utilisation étendue, de -45 °C à 200 °C environ. Ce matériau polymère étant souple, il n’exerce pas ou peu de contraintes sur les éléments du module de puissance, tels que les fils de liaison. En revanche, la résine silicone est peu résistante aux chocs et aux vibrations.

[0007] Les composants électroniques de puissance peuvent être des transistors, des thyristors et des diodes. Ces composants sont formés à partir d’un matériau semiconducteur. Les matériaux semiconducteurs à large bande interdite (dits à grand gap), tels que le nitrure de gallium (GaN), l’arséniure de gallium (GaAs), le carbure de silicium (SiC) et le diamant, tendent à remplacer le silicium, du fait de leurs meilleures performances en termes de densité de courant, de fréquence de fonctionnement et de tenue en tension.

[0008] Les composants à base de semiconducteur à grand gap peuvent en outre fonctionner à des températures bien supérieures à celles des composants silicium, typiquement de l’ordre de 250 °C - 300 °C. Ces températures de fonctionnement élevées obligent à choisir un matériau d’encapsulation différent de la résine silicone, et plus précisément un matériau ayant une température de transition vitreuse supérieure à la température de fonctionnement la plus élevée (c.-à-d. 250 °C, voire 300 °C).

[0009] Le matériau d’encapsulation est alors à l’état vitreux et présente un module de Young relativement élevé (de l’ordre de > 1 GPa, contre > 1 kPa pour la résine silicone). Or un module de Young élevé peut être à l’origine d’importantes contraintes thermomécaniques à l’intérieur du boîtier qui diminuent la durée de vie du module de puissance.

RESUME DE L’INVENTION

[0010] Il existe donc un besoin de prévoir un matériau diélectrique adapté aux modules électroniques de puissance fonctionnant à des températures élevées (typiquement supérieures à 250 °C).

[0011] Selon un premier aspect de l’invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un matériau diélectrique composite comprenant une résine thermodurcissable de type benzocyclobutène (BCB) et une charge inorganique comprenant des particules de tungstate de zirconium (ZrW2Os).

[0012] L’incorporation de particules de tungstate de zirconium dans la résine BCB réduit son coefficient de dilatation thermique, favorisant son utilisation en tant que matériau d’encapsulation dans un module électronique de puissance. En effet, le coefficient de dilatation thermique du matériau d’encapsulation s’approchant davantage de ceux des autres éléments du module de puissance, les contraintes thermomécaniques sont diminuées, ce qui est bénéfique pour la durée de vie du module de puissance. En outre, la résine BCB chargée en particules de tungstate de zirconium est capable de résister à des températures qui varient de -70 °C à 300 °C et d’être réticulée sur plusieurs centimètres d’épaisseur.

[0013] Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le matériau diélectrique composite selon le premier aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : le matériau diélectrique composite présente un taux de charge en particules de tungstate de zirconium inférieur à 50 % en poids, de préférence compris entre 1 % et 49 % en poids ; le matériau diélectrique composite est agencé en une couche d’épaisseur supérieure à 100 pm ; les particules de tungstate de zirconium sont des nanoparticules ou des microparticules ; les particules de tungstate de zirconium sont fonctionnalisées au moyen d’un agent de couplage de type silane, tel que le 3-glycidyloxypropyl triméthoxysilane ; et les particules de tungstate de zirconium sont recouvertes d’une couche de matériau polymère, par exemple de polypyrrole.

[0014] Un deuxième aspect de l’invention concerne un module électronique de puissance comprenant : un substrat : un composant électronique de puissance disposé sur le substrat ; et au moins une couche d’encapsulation formée d’un matériau diélectrique composite et disposée sur le substrat et le composant électronique de puissance ; le matériau diélectrique composite comprenant une résine de type benzocyclobutène (BCB) réticulée et une charge inorganique, la charge inorganique comprenant des particules de tungstate de zirconium.

[0015] Dans un mode de réalisation, le module électronique comprend : une première couche d’encapsulation formée du matériau diélectrique composite et disposée sur le substrat et le composant électronique de puissance, la résine de type benzocyclobutène (BCB) dans la première couche d’encapsulation présentant un premier taux de réticulation ; une deuxième couche d’encapsulation formée du matériau diélectrique composite et disposée sur la première couche d’encapsulation, la résine de type benzocyclobutène (BCB) dans la deuxième couche d’encapsulation présentant un deuxième taux de réticulation supérieur au premier taux de réticulation.

[0016] Outre les caractéristiques qui viennent d’être évoquées dans les paragraphes précédents, le module électronique selon le deuxième aspect de l’invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : la résine de type benzocyclobutène (BCB) présente un taux de réticulation compris entre 20 % et 100 % ; le substrat et le composant électronique de puissance sont entièrement recouverts par le matériau diélectrique composite ; le module électronique comprend en outre un boîtier renfermant le substrat et le composant électronique de puissance, le boîtier étant rempli du matériau diélectrique composite ; le composant électronique de puissance est à base de matériau semi- conducteur à grand gap, par exemple à base de carbure de silicium, de nitrure de galium, de nitrure d'aluminium ou de diamant ; le composant électronique de puissance est un composant actif, par exemple un transistor, une diode ou un thyristor.

BREVE DESCRIPTION DES FIGURES

[0017] D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : la figure 1 représente schématiquement un module électronique de puissance selon un premier mode de réalisation de l’invention ; la figure 2 montre les spectres d’absorption infrarouge à transformée de Fourier (FTIR) d’une résine BCB pour différentes conditions de réticulation ; la figure 3 représente le taux de réticulation de la résine BCB en fonction de la température et du temps ; et la figure 4 représente schématiquement un module électronique de puissance selon un deuxième mode de réalisation de l’invention.

[0018] Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l’ensemble des figures.

DESCRIPTION DETAILLEE

[0019] La figure 1 est une vue en coupe schématique d’un module électronique de puissance 1 selon un premier mode de réalisation.

[0020] Le module de puissance 1 comprend un substrat 10 et au moins un composant électronique de puissance 11 disposé sur le substrat 10. De préférence, le substrat 10 est métallisé, c’est-à-dire qu’il comporte en surface des pistes métalliques 110, et le composant électronique 11 est relié électriquement à une ou plusieurs pistes métalliques 110 du substrat 10. Par exemple, le composant électronique 11 est soudé ou brasé sur une piste métallique 110 du substrat 10.

[0021] Le substrat 10 est par exemple un substrat céramique métallisé par du cuivre (substrat dit DCB pour « Direct Copper Bonding « en anglais) ou de l’aluminium (DAB, pour « Direct Aluminium Bonding »), un substrat céramique brasé (substrat dit AMB, pour « Active Metal Brazing ») ou un substrat métallique isolé (SMI).

[0022] Le composant électronique 11 peut comprendre plusieurs surfaces de contact électrique, aussi appelées métallisations (car formées d’un métal), par exemple une première surface de contact sur sa face inférieure et une deuxième surface de contact sur sa face supérieure. La première surface de contact est reliée électriquement à une première piste métallique 110 du substrat 10 (par brasure ou soudage) et la deuxième surface de contact est reliée électriquement à une deuxième piste métallique 110, par exemple au moyen d’un fil de liaison 13 (aussi appelé fil de bonding).

[0023] Le composant électronique 11 est avantageusement un composant électronique à base de matériau semi-conducteur à grand gap, c’est-à-dire un matériau semi-conducteur ayant une largeur de bande interdite (EG) largement supérieure à celle du silicium, typiquement supérieure à 3 eV à une température de 300 K (la largeur de bande interdite du silicium étant de 1 ,1 eV à 300 K). Un tel composant électronique est capable d’atteindre une température de fonctionnement élevée, typiquement supérieure à 250 °C. Le composant électronique 11 est de préférence un composant actif, tel qu’un transistor, une diode ou un thyristor. A titre d’exemple de matériau semi-conducteur à grand gap, on peut citer le carbure de silicium, le nitrure de galium, le nitrure d'aluminium ou le diamant.

[0024] Sur la figure 1 , un seul composant électronique de puissance 11 est représenté. Le module de puissance 1 peut toutefois comprendre plusieurs composants électroniques de puissance 11 (avantageusement à base de matériau semi-conducteur à grand gap) disposés sur le substrat 10. Ces composants électroniques 11 peuvent être reliés électriquement entre eux (par exemple par les pistes métalliques 110 du substrat 10 et/ou par des fils de liaison 13) ou isolés électriquement les uns des autres.

[0025] Le module de puissance 1 comprend en outre au moins une couche d’encapsulation 12 disposée sur le substrat 10 et le(s) composant(s) électronique(s) 11. La couche d’encapsulation 12 est formée d’un matériau diélectrique composite. Elle présente avantageusement une épaisseur supérieure à 100 pm, de préférence supérieure à 1 mm, par exemple égale à 30 mm. Elle assure la tenue diélectrique du module de puissance 1 et protège le composant électronique 11 des agressions externes (humidité, contamination...). De plus, elle renforce l’isolation électrique entre les différents éléments conducteurs du module de puissance 1 (pistes métalliques 110, fils de liaison 13, surfaces de contact électriques...) et améliore la tenue aux décharges partielles.

[0026] De préférence, le substrat 10 et le composant électronique 11 sont entièrement recouverts par le matériau diélectrique composite de la couche d’encapsulation 12. Autrement dit, le matériau diélectrique composite recouvre totalement la face supérieure et les flancs du substrat 10 et du composant électronique 11 . La protection du substrat 10 et du composant électronique 11 est alors maximale.

[0027] Le module de puissance 1 peut également comporter un boîtier 14 renfermant le substrat 10 et le(s) composant(s) électronique(s) de puissance 11. Le boîtier 14 est rempli du matériau diélectrique composite. Avantageusement, le matériau diélectrique composite occupe tout l’espace intérieur disponible du boîtier 14. Le boîtier 14 est de préférence étanche, c’est-à-dire qu’il est imperméable aux liquides et aux gaz (air, eau...).

[0028] Le boîtier 14 comprend de préférence un support 141 appelé semelle, sur lequel repose le substrat 10, et un capot (ou couvercle) 142 rapporté sur le support 141 . Le support 141 est de préférence métallique, par exemple en cuivre ou en alliage de cuivre. Le substrat 10 est de préférence brasé ou soudé au support 141. Le capot 142 est fixé au support 141 , par exemple au moyen de vis (non visible dans le plan de coupe de la figure 1 ).

[0029] Le module de puissance 1 peut comprendre en outre un dispositif de refroidissement 15, fixé au support 141 du côté opposé au substrat 10, par exemple par brasure ou soudure. Le support 141 transfère la chaleur générée par le(s) composant(s) électronique(s) de puissance 11 vers le dispositif de refroidissement 15. Le dispositif de refroidissement 15 est par exemple un dissipateur thermique.

[0030] Enfin, le module de puissance 1 peut comprendre des bornes de connexion (ou connecteurs) 16, fixées aux pistes métalliques 110 du substrat 10 et qui s’étendent en dehors du boîtier 14.

[0031] Le matériau diélectrique composite de la couche d’encapsulation 12, aussi appelé matériau d’encapsulation, a été obtenu par réticulation d’une résine thermodurcissable de type benzocyclobutène (BCB) dans laquelle a été incorporée une charge inorganique sous la forme de particules. Le benzocyclobutène (BCB) est un hydrocarbure aromatique polycyclique de formule CsHs, ayant un cycle benzénique uni à un cycle cyclobutane. Une résine thermodurcissable de type benzocyclobutène, appelée plus simplement ci-après résine BCB, désigne un pré-polymère contenant du benzocyclobutène.

[0032] Le matériau diélectrique composite de la couche d’encapsulation 12 comprend donc une résine BCB réticulée (ou « thermodurcie ») et une charge inorganique sous la forme de particules, la résine BCB réticulée formant une matrice organique qui enrobe les particules.

[0033] Le taux de réticulation de la résine BCB est avantageusement compris entre 20 % et 100 %. Un tel taux de réticulation permet de couvrir différentes typologies de modules. Par exemple, pour un module comprenant de nombreux fils de liaison, il est préférable d’utiliser une résine plus faiblement réticulée afin de ne pas générer trop de contraintes (mais au détriment des propriétés diélectriques).

[0034] Outre une température de transition vitreuse TG supérieure à 300°C, les résines BCB présentent (à l’état réticulé) des propriétés intéressantes pour l’encapsulation de modules de puissance (faible constante diélectrique, faible absorption d'humidité, très bonne stabilité thermique et une excellente résistance chimique). Elles sont habituellement utilisées pour des applications en microélectronique sous la forme de couches minces (épaisseur inférieure à 100 pm) obtenues par dépôt à la tournette (« spin-coating » en anglais).

[0035] Les résines BCB présentent toutefois un coefficient de dilatation thermique supérieur à 40 ppm/°C, ce qui les rend de prime abord incompatibles avec l’application d’encapsulation de modules de puissance (en raison des contraintes thermomécaniques générées par une différence de coefficient de dilatation thermique trop importante avec les autres éléments du module de puissance 1 ).

[0036] Afin d’obtenir un matériau d’encapsulation ayant un coefficient de dilatation thermique plus proche de celui des autres éléments du module de puissance 1 , une charge inorganique comprenant des particules de tungstate de zirconium de formule chimique ZrW2Û8 est ajoutée à la résine BCB. Autrement dit, la résine BCB est « dopée » avec du tungstate de zirconium. Le tungstate de zirconium est un matériau céramique caractérisé par un comportement de dilatation thermique négative isotrope sur une large plage de températures. Il améliore la stabilité dimensionnelle de la résine BCB en réduisant considérablement son coefficient de dilatation thermique.

[0037] Le matériau diélectrique composite présente avantageusement un taux de charge en particules de ZrW2Û8 inférieur à 50 % en poids, de préférence comprise entre 1 % et 49 % en poids. Autrement dit, les particules de ZrW2Û8 représentent moins de 50 % du poids du matériau diélectrique composite. Un tel taux de charge permet d’obtenir un bon compromis entre la viscosité (avant réticulation), les propriétés mécaniques (après réticulation) et le coût du matériau diélectrique composite. Une trop forte viscosité complexifierait le procédé d’encapsulation du module de puissance.

[0038] A titre d’exemple, le coefficient de dilatation thermique est égal à 28 ppm/°C environ lorsque le taux de charge est égal à 20 % et à 15 ppm/°C environ lorsque le taux de charge est égal à 45 %. A titre de comparaison, le coefficient de dilatation thermique de la résine BCB seule (taux de charge nul) est égal à 45 ppm/°C environ.

[0039] Les particules de tungstate de zirconium peuvent être des microparticules ou des nanoparticules. Une microparticule est une particule dont la taille caractéristique (typiquement le diamètre dans le cas d’une particule sphérique) est comprise entre 0,1 pm et 100 pm. Une nanoparticule est une particule dont la taille caractéristique est comprise entre 1 nm et 100 nm.

[0040] Par exemple, la société Fisher Scientific commercialise du tungstate de zirconium sous forme micro-particulaire. Des nanoparticules de ZrW2Û8 cubiques peuvent être synthétisées par la méthode hydrothermale décrite dans l’article [« Carbon Fiber-Reinforced Cyanate Ester/Nano-ZrW2O8 Composites with Tailored Thermal Expansion », P. Badrinarayanan et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 4, no 2, pp. 510-517, 2012],

[0041] Les nanoparticules de ZrW2Û8 peuvent être fonctionnalisées à l'aide d’un agent de couplage de type silane, tel que le 3-glycidyloxypropyl triméthoxysilane, afin d’améliorer la compatibilité des particules avec la matrice organique. Cette méthode implique le remplacement des groupes hydroxyles à la surface des particules par des groupes plus hydrophobes de type O-Si-R.

[0042] Alternativement, les particules de ZrW2Û8 peuvent être recouvertes d’une couche de matériau polymère, par exemple de polypyrrole, afin d’améliorer la dispersion des particules dans la matrice organique. La couche de matériau polymère à la surface des particules de ZrW2Û8 peut être obtenue grâce à une polymérisation par plasma (par exemple d’un monomère de type pyrrole).

[0043] La résine BCB employée pour former le matériau diélectrique composite de la couche d’encapsulation 12 est avantageusement une résine à base de 1 ,3-divinyl- 1 ,1 ,3,3-tetramethyldisiloxane-bisbenzocyclobutene (DVS-b/s-BCB), par exemple celle commercialisé par la société Dupont sous la marque enregistrée CYCLOTENE™.

[0044] La structure du monomère DVS-b/s-BCB est rappelée ci-dessous :

[0045] [Chem 1]

[0046] La résine CYCLOTENE™, comme les autres résines BCB disponibles dans le commerce, est réticulée sous l'action de la chaleur. Cette réticulation thermique suit un processus en deux étapes, propre à la chimie des benzocyclobutènes (BCB) : le cycle à quatre chaînons BCB s’ouvre thermiquement à partir de 160 °C pour produire de l'o-quinodiméthane (o-QDM), une espèce chimique très réactive également connue sous le nom d'o-xylylène ; et l'o-quinodiméthane subit une réaction de Diels-Alder avec un diénophile pour former un groupe tétrahydronaphtalène.

[0047] Ce processus en deux étapes peut être illustré de la façon suivante :

[0048] [Chem 2] [0049] Dans le cas d’une résine à base de DVS-b/s-BCB, le diénophile et le BCB sont présents au sein de la même molécule (le monomère DVS-b/s-BCB) permettant ainsi la réticulation du système :

[0050] [Chem 3]

[0051] Le mécanisme de réticulation des résines à base de DVS-b/s-BCB ainsi qu’une technique de synthèse du monomère DVS-b/s-BCB ont été décrits en détail dans le document [« Benzocyclobutene-based polymers for microelectronic applications. », Ying-Hung So et al., Polymers for Microelectronics and Nanoelectronics, Chapter 21 , pp. 279-293, 2004].

[0052] La figure 2 montre l’évolution de la réaction de réticulation de la résine CYCLOTENE™, ici suivie par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR). On observe la croissance de la bande d’absorption à 1500 cm ^-1 associée à une vibration des groupes tétrahydronaphtalènes formés lors de la réaction et la baisse concomitante de la bande d’absorption à 1475 cm ^-1 associée aux vibrations de déformation du cycle à 4 chaînons BCB.

[0053] La réticulation de la résine BCB est avantageusement effectuée en l'absence d'oxygène (< 100 ppm) car le polymère est sensible à l'oxydation, en particulier à des températures élevées. L'oxydation se produit principalement au niveau des groupes tétrahydronaphtalènes formés lors de la réaction de Diels-Alder. La réaction d'oxydation est clairement visible sur la figure 2 (courbe en pointillés : recuit à 250 °C sous air pendant 2h), qui montre la disparition des bandes d'absorption associées aux groupes tétrahydronaphtalènes, cette disparition étant accompagnée par l'apparition de bandes d'absorption liées aux groupements de type carbonyles après 1650 cm ^-1 .

[0054] La réticulation de la résine BCB du matériau diélectrique composite est donc avantageusement effectuée dans une chambre sous une atmosphère dépourvue d’oxygène, de préférence sous une atmosphère inerte (par exemple sous N2), ou sous vide.

[0055] La réticulation peut être accomplie en suivant le profil de température (aussi appelé profil de cuisson) suivant. Les vitesses de chauffe et de refroidissement sont fixées à ± 10°C/min. La température est d’abord augmentée de 25 °C à 150 °C, puis maintenue pendant 15 min à 150 °C, puis à nouveau augmentée jusqu'à une température T dite de cuisson comprise entre 190 °C et 250 °C, puis maintenue à cette température de cuisson T pendant une durée t qui est fonction du taux de réticulation souhaité. Enfin, la température T est diminuée. L’atmosphère inerte est de préférence maintenue au moins jusqu’à ce que la température atteigne 150°C lors du refroidissement.

[0056] La figure 3 est un abaque donnant le taux de réticulation de la résine BCB en fonction de la température de cuisson T et de la durée t (durée du palier à la température T).

[0057] La résine BCB chargée en particules de ZrW2Û8 est particulièrement avantageuse pour l’encapsulation des modules de puissance, car elle est capable de résister à des températures de l’ordre de 300 °C en continu (contrairement aux résines silicone de l’art antérieur) et de pouvoir être réticulée en une couche d’épaisseur supérieure à 100 pm (contrairement aux résines BCB dépourvues de particules de ZrW2Os), et même en une couche de plusieurs centimètres d’épaisseur. Par ailleurs, son coefficient de dilatation thermique est variable en fonction du taux de charge en particules de ZrW2Û8 et sa dureté est variable en fonction du taux de réticulation. Elle offre donc une grande souplesse d’utilisation.

[0058] Dans le premier mode de réalisation représenté par la figure 1 , le module de puissance 1 comprend une seule couche d’encapsulation 12 formée du matériau diélectrique composite (résine BCB réticulée et chargée en particules de ZrW2Os). Cette couche d’encapsulation 12 occupe de préférence tout le volume intérieur disponible du boîtier 14.

[0059] Dans le deuxième mode de réalisation représenté par la figure 4, le module de puissance 1 comprend un empilement de plusieurs couches d’encapsulation 12a- 12c formées du matériau diélectrique composite. Les différentes couches d’encapsulation 12a-12c de l’empilement présentent des taux de réticulation différents, et plus particulièrement croissants en s’éloignant du substrat 10 (de bas en haut sur la figure).

[0060] Ainsi, le module de puissance 1 comprend (au moins) : une première couche d’encapsulation 12a disposée sur le substrat 10 et le composant électronique 11 et présentant un premier taux de réticulation ; et une deuxième couche d’encapsulation 12b disposée sur la première couche d’encapsulation 12a et présentant un deuxième taux de réticulation supérieur au premier taux de réticulation.

[0061] Le premier taux de réticulation est par exemple compris entre 20 % et 49 %. Le deuxième taux de réticulation est par exemple compris entre 50 % et 74 %.

[0062] Comme cela est illustré sur la figure 4, le module de puissance 1 peut également comprendre une troisième couche d’encapsulation 12c disposée sur la deuxième couche d’encapsulation 12b et présentant un troisième taux de réticulation supérieur au deuxième taux de réticulation. Le troisième taux de réticulation est par exemple compris entre 75 % et 100 %.

[0063] L’empilement de couches d’encapsulation occupe de préférence tout le volume intérieur disponible du boîtier 14.

[0064] La première couche d’encapsulation 12a de l’empilement, en contact le substrat 10 et le composant électronique 11 , est faiblement réticulée (20 % - 49 %) afin de limiter les contraintes mécaniques sur le composant électronique 11 et éventuellement les fils de liaison 13, par exemple en utilisant un faible temps de cuisson t (cf. Fig.3). Ainsi, des fonctions cyclobutènes et vinyliques restent présentes pour réagir avec la deuxième couche d’encapsulation 12b, laquelle est plus réticulée (et ainsi de suite, le cas échéant). La dernière couche d’encapsulation de l’empilement (la plus éloigné du substrat 10, soit la deuxième couche d’encapsulation 12b dans le cas d’un empilement bicouche ou la troisième couche d’encapsulation 12c dans le cas de l’empilement à trois couches illustré par la figure 4) est fortement réticulée (75 % - 100 %), afin d’apporter une certaine dureté qui protège le module puissance 1 contre les forces extérieures.

[0065] Le matériau diélectrique composite décrit ci-dessus peut être utilisé pour former une couche d’encapsulation dans un dispositif électrique autre qu’un module électronique de puissance. Il peut également servir pour l’imprégnation de machines électriques diverses ou encore pour l’isolation de fils émaillés.