【명세세

【발명의 명칭】

유기 광전자소자용조성물，유기 광전자소자 및 표시 장치

【기술분야】

유기 광전자소자용조성물，유기 광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

【배경기술】

유기 광전자소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와광 에너지를 상호 전환할수 있는소자이다.

유기 광전자소자는동작원리에 따라크게 두가지로나눌수 있다. 하나는 광에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와정공으로분리되고 전자와 정공이 각각다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광소자이다.

유기 광전자소자의 예로는유기 광전 소자，유기 발광소자，유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum)등을들수 있다.

이 중,유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는근래 평판표시 장치 (flat panel display device)의 수요증가에 따라크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는소자로서，유기 발광소자의 성능은 전극 사이에 위치하는유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.

【발명의 상세한설명】

【기술적 과제】

일 구현예는고효율 및 장수명 유기 광전자소자를구현할수 있는

유기광전자소자용조성물을 제공한다.

다른구현예는상기 유기 광전자소자용조성물을포함하는유기 광전자 소자를 제공한다.

또다른구현예는상기 유기 광전자소자를 포함하는표시 장치를 제공한다. 【기술적 해결방법】

일 구현예에 따르면， 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제 1 유기 광전자소자용화합물，그리고 하기 화학식 3으로표현되는 제 2유기 광전자 소자용화합물을포함하는유기 광전자소자용조성물을 제공한다. 2019/240368 2 1»（：1/10公019/004712

［화학식 1］ ［화학식 2］

상기 화학식 1 ¾ 화학식 2에서,

X ¹ 은 0또는 이고，

연결되고,

머지는각각독립적으로 0-^- ^이고,

1/및 내지 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06내지 020아릴텐기,치환또는비치환된 02 내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

및 II ¹ 내지 II ⁶ 은각각독립적으로수소,중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기，치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기， 치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

II ¹ 내지 묘 ⁴ 중 적어도하나는 하기 화학식 로 표현되는 기이고,

［화학식 리

상기 화학식 ₃ 에서,

독립적으로 단일 결합,치환또는 비치환된 C6 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, ^및 11。는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06내지 030아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，

*은 내지 와의 연결 지점이고; 2019/240368 3 1»（：1^1{2019/004712

［화학식 3］

상기 화학식 3에서，

å ¹ 내지 는 각각 독립적으로 X또는 0이고, 여기서 #는 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기， 치환또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

7} 내지 7} 중 적어도 둘은 >1이고,

1/ 내지 17은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기， 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

II ⁷ 내지 II ⁹ 는 각각 독립작으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

모 ⁷ 내지 II ⁹ 중 적어도 하나는 하기 화학식 1?로 표현되는 기이고,

［화학식 비

상기 화학식 15에서,

X ² 는 0또는 이고，

^내지 0는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 （그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고，

과묘 ¹¹ 는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 2019/240368 1»（：1^1{2019/004712 또는 비치환된 지방족， 방향족또느헤테로 방향족의 고리를 형성하고,

*는 ^내지 I；중 어느하나와의 연결 지점이다.

다른구현예에 따르면,서로마주하는 양극과 음극，상기 양극과상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을포함하고，상기 유기층은상기 유기 광전자 소자용조성물을포함하는유기 광전자소자를 제공한다.

또 다른구현예에 따르면,상기 유기 광전자소자를포함하는표시 장치를 제공한다.

【발명의 효과】

고효율 장수명 유기 광전자소자를구현할수 있다.

【도면의 간단한설명】

도 1 및 도 2는 각각 일구현예에 따른유기 발광소자를도시한단면도이다. <부호의 설명 >

100, 200: 유기 발광소자

105: 유기층

110: 음극

120: 양극

130: 발광층

140: 정공 보조층

【발명의 실시를 위한 최선의 형태】

이하,본 발명의 구현예를상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로， 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 명세서에서 "치환”이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도하나의 수소가중수소， 할로겐기，히드록실기， 아미노기， 치환또는 비치환된 01 내지 030아민기,니트로기, 치환또는 비치환된 （그1 내지 040실릴기, 내지

030 알킬기, 01 내지 （：10 알킬실릴기， 06내지 030 아릴실릴기,〔3 내지 030 시클로알킬기, 03 내지 030헤테로시클로알킬기， 6 내지 030아릴기, 02 내지 030 헤테로아릴기, 020 알콕시기,（：1 내지 010트리플루오로알킬기, 시아노기， 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.

본 발명의 일 예에서，”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, Cl 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기,、 C6내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30시클로알킬기， C3 내지 C30헤테로시클로알킬기, C6내지 C30아릴기, C2 내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한,본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6내지 C30아릴기，또는 C2내지 C30

헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.또한,본 발명의 구체적인 일 예에서,

"치환’’은 치환기 또는 화합물 중의 적어도하나의 수소가중수소, C1 내지 C5 알킬기， C6내지 C18 아릴기，피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기,

디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다.또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서，”치환”은 치환기 또는 화합물중의 적어도 하나의 수소가중수소， C1 내지 C5 알킬기， C6내지 C18 아릴기， 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을의미한다. 또한，본발명의 구체적인 일 예에서， "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, 메틸기， 에틸기， 프로판일기,부틸기, 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기，나프틸기,트리페닐기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.

본 명세서에서 "헤테로”란 별도의 정의가 없는 한，하나의 작용기 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.

본 명세서에서 "아릴 (aryl)기’’는 탄화수소 방향족모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을포함하고 , 2 이상의 탄화수소 방향족모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기,쿼터페닐기 등을포함하며， 2 이상의 탄화수소 방향족모이어티들이 직접 또는 간접적으로융합된 비방향족융합 고리, 예컨대 플루오레닐기 등을포함할수 있다.

아릴기는모노시클릭，폴리시클릭 또는융합고리 폴리시클릭 (즉,

탄소원자들의 인접한쌍들을나눠 가지는고리) 작용기를포함한다.

본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group) "는 헤테로아릴기를포함하는 상위 개념으로서， 아릴기,시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 2019/240368 6 1»（：1^1{2019/004712 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상포함할수 있다.

일 예로 "헤테로아릴（1戒 0 1）기”는 아릴기 내에 의 및 와로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다 . 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나， 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.

상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.

보다구체적으로, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 및/또는 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기는, 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환또는 비치환된 피레닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 I） -터페닐기, 치환또는 비치환된 111-터페닐기, 치환또는 비치환된 0 -터페닐기， 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환또는 비치환된 페릴레닐기， 치환또는 비치환된 플루오레닐기， 치환또는 비치환된 인데닐기, 치환또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환또는 비치환된 피라졸릴기, 치환또는 비치환된 이미다졸일기, 치환또는 비치환된 트리아졸일기， 치환또는 비치환된 옥사졸일기， 치환또는 비치환된 티아졸일기， 치환또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환또는 비치환된

티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환또는 비치환된 인돌일기, 치환또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환또는 비치환된 2019/240368 7 1»（：1^1{2019/004712 벤즈옥사진일기， 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기 , 치환또는 비치환된

아크리디닐기, 치환또는 비치환된 페나진일기, 치환또는 비치환된 페노티아진일기， 치환또는 비치환된 페녹사진일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.

본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.

또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로， 01 0준위를 따라전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.

본 명세서에서 "서로 결합하여 고리를 형성’’이란 인접한 기끼리 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 지방족 고리, 치환또는 비치환된 방향족 고리 또는 치환또는 비치환된 헤테로방향족 고리를 형성하는 것을 의미한다.

일 예로,” 서로 결합하여 고리를 형성’’이란 인접한 기끼리 서로 연결되어 치환또는 비치환된 방향족 고리를 형성하는 것을 의미하고,

더욱 구체적으로, 있접한 기끼리 서로 연결되어 치환또는 비치환된 페닐기 등을 형성하는 것을 의미한다.

이하 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물을 설명한다.

일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물은 정공 특성을 가진 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 전자 특성을 가진 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함한다.

제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현된다. 2019/240368 8 1»（：1^1{2019/004712

[화학식 1] [화학식 2]

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,

은 0또는요이고,

연결되고,

머지는 각각독립적으로 0 ^ 이고，

V및 내지 ⁴ 는 각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06내지  20 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^및 II ¹ 내지 모 ⁶ 은각각독립적으로수소,중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기，치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

II ¹ 내지 묘 ⁴ 중 적어도하나는 하기 화학식 3로표현되는 기이고，

[화학식 _¾ ]

상기 화학식 ᄅ에서,

독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06내지 020 아릴렌기， 치환또는 비치환된 01내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， ^및 11。는각각독립적으로 치환또는 비치환된 06내지 030아릴기，치환 또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，

*은 내지 ： 와의 연결 지점이다. 2019/240368 9 1»（：1^1{2019/004712 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 6원환- 5원환- 6원환- 5원환- 6원환이 융합된 융합헤테로고리에 아릴기 및/또는 헤테로아릴기가 치환된 아민이 연결된 구조를 가짐으로써 HOMO 전자 구름이 아민으로부터 융합헤테로고리로 확장됨으로써 높은 HOMO 에너지를 갖게 되어 정공 주입 및 전달 특성이 우수하다.

또한 6원환- 5원환- 6원환- 5원환- 6원환이 융합된 융합헤테로고리는 바이카바졸 및 인돌로카바졸에 비하며 상대적으로 높은 HOMO 에너지를 갖기 때문에 상기 융합헤테로고리에 아민이 연결된 구조를 적용함으로써 낮은 구동 전압을 갖는 소자를 구현할 수 있다.

뿐만 아니라 바이카바졸 및 인돌로카바졸은 높은 II 에너지를 가지므로 1 （1 110 로서 적합하지 않은 반면에, 상기 융합헤테로고리에 아민이 연결된 구조는 1 （1 110 로서 적합한 II 에너지를 갖는다.

한편, 상기 융합헤테로고리를 포함함에 따라 분자 내 대칭성이 감소되어 화합물 간 결정화가 억제될 수 있으므로, 소자 제작 과정에서 재료의 증착 시 화합물의 결정화로 인해 발생되는 암점 형성이 억제될 수 있고, 이에 따라소자의 수명이 개선될 수 있다.

이에 따라 본 발명에 따른 제 1 유기 광전자 소자용 화합물이 적용된 소자는 고효율/장수명 특성끼 구현될 수 있다.

한편 제 2 유기 광전자소자용 화합물과 함께 포함되어 양호한 계면 특성 및 정공과 전자의 수송 능력을 나타내어 이를 적용한 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.

일 예로, 독립적으로 단일결합이거나 치환또는 비치환된 06 내지 012 아릴렌기일 수 있다.

예컨대,： 및 각각 독립적으로 단일결합, 치환또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기일 수 있다.

일 예로， 및 ^는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된

안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 2019/240368 10 1»（：1^1{2019/004712 있다.

구체적인 일 예로, 및 11。는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 있다.

예컨대, ^ 및 ^는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있다.

일 예로， 1/ 및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기일 수 있다.

구체적인 일 예로, : [/ 및 내지 1/는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.

예컨대, 1/ 및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 伊페닐렌기일 수 있다.

독립적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 0\ 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있다.

예컨대， 및 II ¹ 내지 II ⁴ 는 각각 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 예로, II ⁵ 및 모 ⁶ 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있다.

예컨대, II ⁵ 및 모 ⁶ 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 0\ 내지 04 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 012 아릴기일 수 있다.

일 예로, 상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 화학식 1 및 화학식 2의 융합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1쇼 내지 화학식 내 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 11 1»（：1^1{2019/004712

［화학식 1시 ［화학식 1미 ［화학식 1어

상기 화학식 1쇼 내지 화학식 내에서,

내지 모 ⁶ 은 전술한 바와 같다.

일 예로， 상기 화학식 1쇼는 화학식 &로 표현되는 기의 치환 위처에 따라 하기 화학식 1쇼-1 또는 화학식 1쇼-2로 표현될 수 있다.

［화학식 1쇼-1］ ［화학식 1쇼-2］

상기 화학식 1쇼-1 및 화학식 1쇼-2에서， X ¹ , 1/, ，1^ 및 내지 , 및 II ¹ 내지 묘 ⁶ , 그리고 0 및 는 전술한 바와 같다.

예컨대， 상기 화학식 -1은 화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-1-1 내지 화학식 1쇼-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 12 1»（：1^1{2019/004712

[화학식 1 ，1 -1] [화학식 1쇼-1-2]

상기 화학식 1쇼-1-1 내지 화학식

모 ¹ 내지 II ⁶ ,그리고妙및 11。는 전술한바와같다.

예컨대,상기 화학식 1쇼-2는화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 1쇼-2-1 내지 화학식 1쇼-2-4중 어느하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1쇼-2-1] [화학식 1쇼-2-2]

2019/240368 13 1»（：1^1{2019/004712

［화학식 1쇼_ ² _ ³ ］ ［화학식 1쇼- ² _ ⁴ ］

상기 화학식 1쇼-2-1 내지 화학식 1쇼-2-4에서， ，1/, ，1/ 및 내지 ⁴ 및 모 ¹ 내지 II ⁶ , 그리고 전술한 바와 같다.

일 실시예에서， 화학식 1쇼는 상기 화학식 1쇼-1-1, 화학식 1쇼-2-2 및 화학식

1쇼-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

일 예로, 상기 화학식 화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 -1 또는 화학식 내-2로 표현될 수 있다.

［화학식 내-1］ ［화학식 내-지

내지 II ⁶ , 그리고 전술한 바와 같다.

예컨대, 상기 화학식 1 1은 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 16-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 14 1»（：1^1{2019/004712

[화학식 내-1-1] [화학식 16-1-2]

상기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4에서, , 1/, 1 丄 ¹ ； 및 내지 및 내지 묘 ⁶ ,그리고 전술한바와 같다.

일 예로,상기 화학식 내-2는 화학식 3로 표현되는 기의 치환위치에 따라 하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 16-2-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내-2-1] [화학식 내-2-2]

상기 화학식 16-2-1 내지 화학식 112-4에서,； , 1/, 1 1^ 및 내지 1 11 ³ 및 II ¹ 내지 II ⁶ ,그리고 ^ 및 11。는 전술한바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 내는상기 화학식 16-1-1, 화학식 16-2-2 및 화학식 2019/240368 15 1»（：1^1{2019/004712

16-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

일 예로, 상기 화학식 1（：는 화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 10-1 또는 화학식 1（：-2로 표현될 수 있다.

［화학식 1 1］ ［화학식 10-2］

내지 모 ⁶ , 그리고 전술한 바와 같다.

예컨대, 상기 화학식 1이은 화학식 로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 101-1 내지 화학식 하나로 표현될 수 있다.

2019/240368 16 1»（：1^1{2019/004712 상기 화학식 101-1 내지 화학식 에서,

II ¹ 내지 II ⁶ ,그리고 전술한바와 같다.

예컨대,상기 화학식 1(：-2는화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 화학식 1己2-4중 어느하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1(：- ² -1] [화학식 1(：- ² - ² ] [화학식 1(> ² - ³ ] [화학식 1 - ² _ ⁴ ]

일 실시예에서, 화학식 1(：는 상기 화학식 101-1, 화학식 102-2 및 화학식 10-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

일 예로， 상기 화학식 1£)는 화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 11)-1 또는 화학식 11)-2로 표현될 수 있다.

[화학식 11)-1] [화학식 11> ² ]

상기 화학식 10-1 및 화학식 11)-2에서，； , 1/, 1 1? 및 내지 1 내지 묘 ⁶ , 그리고 전술한 바와 같다.

예컨대, 상기 화학식 11)4은 화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 화학식 11)-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 17 1»（：1/10公019/004712

[화학식 10-1-1] [화학식 10-1-2]

및 내지 내지 II ⁶ ,그리고 전술한바와같다.

예컨대,상기 화학식 11)-2는화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 화학식 11)-2-4중 어느하나로표현될 수 있다.

[화학식 113-2-1] [화학식 113-2-2]

2019/240368 18 1»(：1^1{2019/004712

[화학식 1[>-2-3] [화학식 II)- ² - ⁴ ]

내지 모 ⁶ ,그리고 전술한바와같다.

일 실시예에서，화학식 II)는상기 화학식 화학식 11)-2-2 및 화학식

10-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

일 예로,상기 화학식 내는화학식 &로표현되는 기의 치환위치에 따라하기 화학식 내-1 또는 화학식 내-2중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내-1] [화학식 내_ ² ]

상기 화학식 내-1 및 화학식 내 에서 ¹ , ]?, !?，]^및 내지 ¹ 내지 묘 ⁶ , 그리고 전술한바와같다.

예컨대,상기 화학식 내-1은화학식 _& 로표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4중 어느하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 19 1»（：1^1{2019/004712

[화학식 1 1-1] [화학식 1見1-2] [화학식 1 1- ³ ] [화학식 내-1_ ⁴ ]

예컨대, 상기 화학식 1 2는 화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내- ² _1] [화학식 1比 ² _ ² ] [화학식 내- ² - ³ ] [화학식 1& ² _4]

내지 II ⁶ , 그리고 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 내는 상기 화학식 1 1-1 내지 화학식 比-1-4 및 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. ^'

일 예로， 상기 화학식 내는 화학식 &로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-1 또는 화학식 내-2로 표현될 수 있다. 2019/240368 20 1»（：1^1{2019/004712

[화학식 내-1] [화학식 II ⁷ - ² ]

그리고 전술한바와 같다.

예컨대,상기 화학식 내-1은화학식 3로표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 \¥-1-4중 어느하나로표현될 수 있다.

[화학식 내-1-1] [화학식 내-1- ² ]

상기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4에서,

내지 II ⁶ , 그리고 및 ： 는 전술한바와같다. 2019/240368 21 1»〔"^0技019/004712 예컨대,상기 화학식 내-2는 화학식 _& 로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4중 어느하나로표현될 수 있다.

[화학식 내-2-1] [화학식 내-2-2]

내지 ,그리고 ^및 ： 는 전술한바와같다.

일 실시예에서, 화학식 내는상기 화학식 내-1-1,화학식 내-2-2 및 화학식 내- 2-3 중 어느하나로표현될 수 있다.

본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 제 1 유기 광전자소자용 화합물은상기 화학식 내-1-1 또는화학식 내-2-2로표현될 수 있고, 예컨대 상기 화학식 내-2-2로 표현될 수 있다.

제 1 유기 광전자소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[그룹 1] [A-l] [A-2] [A-3] [A-4]

[A- 19] [A-20] [A-21]

[A-74] [A-75] [A-76] [A-77]

[A-78] [A-79] [A-80] [A-81]

[A-82] [A-83] [A-84]

[A-85] [A-86] [A-87]

[A-88] [A-89] [A-90] [A-91] [A-92] [A-93] [A-94]

[A-lll] [A- 112] [A-113] [A- 114]

0 2019/240368 30 1»（：1^1{2019/004712

0-155] [쇼-156] [쇼-157] [쇼-158]

제 2 유기 _. 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 3으로 표현된다.

제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 전자 특성을 가지는 화합물로， 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 함께 포함되어 바이폴라（뱌］301따） 특성을 나타낼 수 있다.

[화학식 3]

상기 화학식 3에서,

2： ¹ 내지 方는 각각 독립적으로 X또는 00이고, 여기서 중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기， 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노가 또는 이들의 조합이고, 2019/240368 31 1»（：1^1{2019/004712

7} 내지 7} 중 적어도 둘은 이고，

17은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, II ⁷ 내지 II ⁹ 는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，

II ⁷ 내지 II ⁹ 중 적어도 하나는 하기 화학식 13로 표현되는 기이고,

［화학식 비

상기 화학식 1?에서,

X ² 는 0 또는 이고，

^내지 는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

과 는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,

과 ^는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,

*는 1/ 내지丄 ⁷ 중 어느 하나와의 연결 지점이다.

제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 전기장을 걸었을 때 전자를 받을 수 있는 특성, 즉 전자 특성을 가지는 화합물로， 구체적으로 질소를 함유하는 고리， 즉 피리미딘 또는 트리아진 고리에 적어도 하나의 상기 화학식 1?로 표현되는 융합 고리가 결합된 구조를 가짐으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고 이에 따라 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 함께 포함되어 양호한 계면 특성 및 정공과 전자의 수송 능력을 나타내어 이를 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.

일 ）이고 나머지 하나는 일 수 있다. 2019/240368 32 1»（：1^1{2019/004712 예컨대 方 및 는 질소이고 는 0 일 수 있다.

예컨대 만 및 2： ³ 는 질소이고 은 00일 수 있다.

예컨대 7} 및 ³ 는 질소이고 2： ² 는 일 수 있다.

일 예로，方 내지 7}은각각 질소 )일 수 있다.

일 예로, 1/내지 I；은각각독립적으로 단일 결합또는 치환또는 비치환된

06내지 020아릴렌기일수 있다.

예컨대, 1/내지 은 각각독립적으로 단일 결합，치환또는 비치환된 페닐렌기,치환또는 비치환된 바이페닐텐기, 치환또는 비치환된 터페닐렌기,또는 치환또는 비치환된 나프틸텐기일 수 있다.

예컨대， 1/내지 I；은 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 «1- 페닐텐기， 치환또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환또는 비치환된 바이페닐렌기일 수 있다. 여기서 치환은 예컨대 적어도하나의 수소가중수소，이 내지 020 알킬기, 06내지 020아릴기, 할로겐,시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은아니다.

일 예로， II ⁷ 내지 모 ⁹ 는각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기， 치환또는 비치환된 쿼터페닐기,치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기 또는상기 화학식 ¾»로 표현되는 기일 수 있다.

예컨대 ^내지 II ⁹ 는각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸가 또는상기 화학식 1?로표현되는 기일 수 있다.

일 예로,상기 화학식 I?로 표현되는 기는 결합위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1 ₎ -1 내지 화학식 1 ₎ -4중 어느하나로표현될 수 있다.

[화학식 1>1] [화학식 I)- ² ] [화학식 1> ³ ] [화학식 ⁴ ]

와같다. 일 예로,상기 화학식 15로 표현되는 기는상기 화학식 또는 화학식 1)-4로 2019/240368 33 1»（：1^1{2019/004712 표현될 수 있다.

제 2 유기 광전자소자용 화합물은 화학식 15로 표현되는 기의 개수에 따라 예컨대 화학식 3쇼내지 화학식 3（： 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

［화학삭 3시 ［화학식 3미

상기 화학식 3쇼 내지 3（：에서， 내지 方, !/ 내지 V, ^ 및 II ⁹ 는 전술한 바와 같고,

X ² 내지 X ⁴ 는 각각 독립적으로 ◦ 또는 요이고,

독립적으로 수소， 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환 또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기 , 치환또는 비치환된 아민기， 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이다.

일 예로, 화학식 3묘에서, X ² 및 X ³ 은 서로 같거나 다를 수 있다.

예컨대 화학식 3요에서 X ² 와 X ³ 은 같을 수 있고 X ² 와 X ³ 은 각각 0 일 수 있다.

예컨대 화학식 38에서 X ² 와 X ³ 은 같을 수 있고 X ² 와 X ³ 은 각각 요 일 수 있다. 예컨대 화학식 38에서 X ² 와 X ³ 은 서로 다를 수 있고 X ² 는 요이고 X ³ 은 2019/240368 34 1»（：1^1{2019/004712

0이거나 X ² 는 0이고 X ³ 은 요일 수 있다.

일 예로, 화학식 3（：에서, X ² 내지 X ⁴ 는 서로 같거나 다를 수 있다.

예컨대 화학식 3（：에서 X ² 내지 X ⁴ 는 같을 수 있고 X ² 내지 X ⁴ 는 각각◦ 일 수 있다.

예컨대 화학식 3（：에서 X ² 내지 X ⁴ 는 같을 수 있고 X ² 내지 X ⁴ 는 각각 8 일 수 있다.

예컨대 화학식 3（：에서 X ² 내지 X ⁴ 중 어느 하나는 다를 수 있고 X ² 내지 X ⁴ 중 둘은 요이고 X ² 내지 X ⁴ 중 하나는 ◦이거나 X ² 내지 X ⁴ 중 둘은 0이고 X ² 내지 X ⁴ 중 하나는 일 수 있다.

일 예로, 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 3쇼또는 화학식

38로 표현될 수 있다.

일 예로, 화학식 3쇼는 하기 화학식 3쇼-1 또는 화학식 3쇼-2로 표현될 수 있다. [화학식 3쇼-1] [화학식 3쇼-2]

，好 ¹ ， 그리고 는 전술한 바와 같다.

예컨대 상기 화학식 3\-\ 및 화학식 38-1의 X ² 는 0이고,方 내지 은 각각 이고， II ⁸ 및 II ⁹ 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환또는 비치환된 터페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 1 는 단일 결합이고, 및 I；은 각각 독립적으로 단일결합 또는 페닐렌기이고, ¹ , ， ¹ , 그리고 독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.

일 예로, 화학식 3묘는 하기 화학식 3 로 표현될 수 있다. 2019/240368 ⁰⁰ 1 ^» （：1^1{2019/004712

[화학식 36-1]

^ ² , 그리고 전술한 바와 같다.

예컨대 상기 화학식 3모-1의 X ² 및 X ³ 은 각각 0이고，方 내지 은 각각 X이고, 묘 ⁹ 는 치환또는 비치환된 페닐기 또는 치환또는 비치환된 바이페닐기이고， 1/ 내지 17은 각각 독립적으로 단일 결합또는 페닐렌기이며, ¹ ，! ² ，! , !^，! ¹ ，! ² , 그리고 독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.

화학식 38-1로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 1^\10 에너지 밴드가 효과적으로 확장되고 분자 구조의 평면성이 커짐으로써 전가장 인가 시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고, 이에 따라 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 더욱 낮출 수 있다. 또한 이러한 1刀 0의 확장과 고리의 융합은 피리미딘 또는 트리아진 고리의 전자에 대한 안정성을 증가시켜 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 소자의 수명 개선에도 더욱 효과적이다.

제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[그룹 2]

WO 2019/240368

5

\¥0 2019/240368 1 1/10公019/004712

저 11 유기 광전자소자용화합물과 제 2유기 광전자소자용화합물은 예컨대 1:99 내지 99:1의 중량비로포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 제 1 유기 광전자소자용화합물의 정공수송 능력과 제 2유기 광전자소자용화합물의 전자 2019/240368 44 1»（：1^1{2019/004712 수송 능력을 이용해 적절한 중량비를 맞추어 바이폴라 특성을 구현하여 효율과 수명을 개선할 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 90:10 내지 10:90, 약 80:20 내지 20:80또는 약 70:30 내지 30:70의 중량비로 포함될 수 있다. 일 예로, 70:30 내지 40:60또는 70:30 내지 50:50의 중량비로 포함될 수 있으며， 예컨대, 70:30, 60:40 또는 50:50의 중량비로 포함될 수 있다.

일 예로 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 광전자 소자용조성물은 상기 화학식 1 2-2로 표현되는 화합물을 제 1 유기 광전자 소자용 화합물로서 포함하고, 상기 화학식 3쇼또는 화학식 3묘로 표현되는 화합물을 제 2 유기 광전자 소자용 화합물로서 포함할 수 있다.

예컨대， 상기 화학식 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 페닐렌기, 치환또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 또는 치환또는 비치환된 나프틸렌기이고， ， II ¹ ,묘 ² 및 모 ⁴ 는 각각 독립적으로수소， 중수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， ^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기，치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 있으며,

상기 화학식 3쇼 및 화학식 3묘에서,方 내지 는 각각 이고, 1 내지 ⁷ 은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기， 치환또는 비치환된 바이페닐렌기， 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 또는 치환또는 비치환된

나프틸렌기이고， X ² 및 X ³ 은 각각 독립적으로

독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있으며，

상기 화학식 3쇼의 II ⁸ 및 II ⁹ 은 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환또는 비치환된 나프틸기이고,

상기 화학삭 38의 II ⁹ 은 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기일 수 있다.

예컨대, 화학식 3쇼는 화학식 3쇼-1 또는 화학식 3쇼-2로 표현될 수 있다. 예컨대, 화학식 3B는상기 화학식 3B-1로 표현될 수 있다.

유기 광전자소자용조성물은 전술한제 1 유기 광전자소자용화합물 및 제 2 유기 광전자소자용화합불외에 1종 이상의 화합물을더 포함할수 있다.

유기 광전자소자용조성물은도펀트를 더 포함할수 있다. 도펀트는 예컨대 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색，녹색 또는 청색의 인광도펀트일 수 있고， 예컨대 적색 인광도펀트일 수 있다.

도펀트는 제 1 유기 광전자소자용 화합물과 제 2유기 광전자소자용 화합물에 미량혼합되어 발광을 일으키는물질로, 일반적으로삼중항상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는금속착체 (metal complex)와같은물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기,유기，유무기 화합물일 수 있으며， 1종또는 2종 이상포함될 수 있다.

도펀트의 일 예로 인광도펀트를들수 있으며， 인광도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합을포함하는유기 금속화합물을들수 있다. 인광도펀트는 예컨대 하기 화학식 T로 표현되는 화합물을사용할수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 Z]

L ⁸ MX ⁵

상기 화학식 Z에서, M은금속이고, L ⁸ 및 X ⁵ 는서로 같거나다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.

상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합일 수 있고,상기 L ⁸ 및 X ⁴ 는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 유기 광전자소자용조성물은화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.

이하상술한유기 광전자소자용조성물을 적용한유기 광전자소자를 설명한다.

유기 광전자소자는 전기 에너지와광에너지를상호 전환할수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자，유기 발광소자，유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을들수 있다.

여기서는유기 광전자소자의 일 예인 유기 발광소자를 도면을 참고하여 설명한다. 2019/240368 46 1»（：1^1{2019/004712 도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른유기 발광소자를보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면， 일 구현예에 따른유기 발광소자 (100)는서로 마주하는 양극 (120)과음극 (110)，그리고 양극 (120)과음극 (110)사이에 위치하는유기층 (1야)을 포함한다.

양극 (120)은 예컨대 정공주입이 원활하도록 일 함수가높은도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속，금속산화물 및/또는도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금， 바나듐，크롬,구리, 아연,금과 같은금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 ( ⁾ ),

인듐아연산화물 (12：0)과 같은금속산화물; 금속과 산화물의 조합;폴리 (3 -메틸티오펜)，폴리 (3,4-(에틸렌- 1,2- 디옥시) 늘리피롤 및 들리아닐린과 같은 도전성 고분자등을들수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

음극 (110)은 예컨대 전자주입이 원활하도록 일 함수가낮은도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속,금속산화물 및/또는도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리륨,가돌리늄, 알루미늄，은，주석,납，세슘, 바륨등과 같은금속또는 이들의 합금; 물질을들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

유기층 (105)은 전술한유기 광전자소자용조성물을포함하는 발광층 (130)을 포함한다.

발광층 (130)은 예컨대 전술한유기 광전자소자용조성물을포함할수 있다. 전술한유기 광전자소자용조성물은 예컨대 적색 발광조성물일 수 있다. 발광층 (130)은 예컨대 전술한제 1 유기 광전자소자용화합물과 제 2유기 광전자소자용화합물을각각 인광호스트로서 포함할수 있다.

도 2를 참고하면,유기 발광소자 (200)는 발광층 (130)외에 정공보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과발광층 (130)사이의 정공주입 및/또는 정공 이동성을더욱높이고 전자를 차단할수 있다. 정공보조층 (140)은 예컨대 정공수송층, 정공주입층 및/또는 전자차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할수 있다.

상기 정공보조층 (140)은 예컨대 하기 그룹묘에 나열된 화합물 중 적어도 2019/240368 47 1»（：1^1{2019/004712 하나를 포함할 수 있다.

구체적으로 상가 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공 수송층, 및 상기 발광층 (130)과 상기 정공 수송층 사이의 정공 수송 보조층을 포함할 수 있고, 하기 그룹 에 나열된 화합물 중 적어도 하나는 상기 정공 수송 보조층에 포함될 수 있다.

［그룹미

2019/240368 48 1»（：1/10公019/004712

상기 정공수송보조층에는 전술한화합물 외에도 1185061569人付1993- 009471人 01995-009147쇼1， 1995-126615成 1998-095973쇼등에 기재된 공지의 화합물 및 이와유사한구조의 화합물도사용될 수 있다. 2019/240368 49 1»（：1/10公019/004712 또한,본 발명의 일 구현예에서는도 1 또는도 2에서 유기층 (105)으로서 추가로 전자수송층, 전자주입층， 전공주입층등을 더 포함한유기발광소자일 수도 있다.

유기 발광소자 (100, 200)는 기판위에 양극또는 음극을 형성한후, 진공증착법 (evaporation),스퍼터링 (sputtering),플라즈마도금 및 이온도금과같은 건식성막법 등으로유기층을 형성한후，그 위에 음극또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.

상술한유기 발광소자는유기 발광표시 장치에 적용될 수 있다.

【발명의 실시를 위한 형태】

이하실시예를통하여 상술한구현예를보다상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는단지 설명의 목적을위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.

이하,실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은특별한 언급이 없는 한, Sigma- Aldrich /Tit, TCI It, tokyo chemical industry또는 P&H tech에서 구입하였거나,공지된 방법을통해 합성하였다.

하기 합성 중간체의 경우 KR10-1423173 B1 특허 등을 참고하여 합성하였다.

(제 1 유기 광전자소자용화합물의 제조)

합성예 1: 화합물쇼-52의 제조 \¥0 2019/240368 ⁵⁰ 꾜 뼤 에과

[반응식 1]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 A 5.04 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이드 (sodium t-butoxide) 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 (butylphosphine) 0.1g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd (加 a) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과 증류수로추출후유기층을무수황산마그네슘으 로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 : 1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-52를 흰색 고체로 7.8g (수율 82.3%)을 수득 하였다.

계산값: C, 89.52; H, 5.51; N, 2.32; 0, 2.65

분석값: C, 89.51; H, 5.52; N, 2.32; 0, 2.65 합성예 2: 화합물 A-82의 제조

[반응식 2]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 B 4.63 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이—(sodium t-butoxide) 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 O.lg (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류 교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후 유기층을무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 2019/240368 51 1»(：1/10公019/004712 정제하여 목적 화합물인쇼-82를 흰색 고체로 7.3은 (수율 80.5%)을수득 하였다. 계산값: 0, 89.40; II, 5.41;外 2.42; 0, 2.77

분석값: 0, 89.42; ¾ 5.39;此 2.42; 0, 2.77 합성예 3: 화합물쇼_83의 제조

[반응식 3]

중간체 -3 5.0은 (15.68 11111101)과중간체 0 6.23은 (15.68 11111101),소디움 I 부톡사이드 4.52 _§ (47.95 11111101)， ¾ 11 -부틸포스핀 0.1용 (0.47 11111101)을톨루엔 200 에 용해 시키고, ? 加句 ₂ 0.2걔 (0.47 «111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유가층을

무수황산마그네슘으로 건초, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-83을 흰색 고체로 9.2 _§ (수율 86.2%)을수득 하였다. 계산값: 0, 90.10; 5.49;代 2.06; 0, 2.35

분석값: (그, 90.12;뙤 5.47;此 2.06; 0, 2.35 합성예 4: 화합물쇼-56의 제조

[반응식 4]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)4중간체 0 5.67용 (15.68 1111x101),소디움 2019/240368 52 1»（：1/10公019/004712 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고， Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol) 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 톨루엔과 증류수로 주줄 투 유기증을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-56을 흰색 고체로 8.6g (수율 85.1%) 을 수득 하였다. 계산값: C, 89.55; H, 5.79; N, 2.18; 0, 2.49

분석값: C, 89.56; H, 5.78; N, 2.18; 0, 2.49 합성예 5: 화합물쇼-70의 제조

[반응식 5]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과 중간체 E 7.63 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol) 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 투 톨루엔과 증류수로 주줄 푸 유기증을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-70을 흰색 고체로 10.5g (수율 87%) 을 수득 하였다. 계산값: C, 89.03; H, 5.24; N, 3.64; 0, 2.08

분석값: 0, 89.01; ¾ 5.26; 3.64; 0, 2.08 합성예 6: 화합물쇼-76의 제조 \¥0 2019/240368 ⁵³ 1»（：1/10公019/004712

[반응식 6]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 F 7.87 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에. 용해 시키고， Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소 분위기 하에서 12시간동안 환류 교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-76을 흰색 고체로 10.7g (수율 87%)을수득 하였다.

계산값: C, 87.33; H, 4.76; N， 1.79; 0, 6.12

분석값: C, 87.31; H， 4.78; N， 1.79;◦， 6.12 합성예 7: 화합물쇼-78의 제조

[반응식 7]

중

부톡사이드 4.52은 (47.95 11111101)， 1¾나 -부틸포스핀 0.1은 (0.47 11111101)을톨루엔 200 에 용해 시키고, ? 此句 ₂ 0.2 (0:47 «111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 2019/240368 54 1»(：1/10公019/004712 정제하여 목적 화합물인쇼-78을 흰색 고체로 10 (수율 81.2%)을수득 하였다. 계산값: 0, 83.89; ¾ 4.57;凡 1.72; 0, 1.96; 8, 7.86

분석값: 0, 83.86; ¾ 4.59; 1.72; 0, 1.96; 7.86

합성예 8: 화합물쇼-80의 제조

[반응식 8]

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 H 8.12 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로주줄푸유기증을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-80을 흰색 고체로 10.8g (수율 86%)을수득 하였다. 계산값: C, 85.58; H, 4.66; N, 1.75; 0, 4.00; S, 4.01

분석값:〔〕, 85.59; ¾ 4.67;代 1.75; 0, 4.00;民 4.01

합성예 9:화합물쇼-84의 제조

[반응식 9] 중간체 3 5.0은 (15.68 11111101)과중간체 1 7.08 _§ (15.68 11111101),소디움ᄂ 2019/240368 55 1»（：1/10公019/004712 부톡사이드 ⁴ .5 ² g ( ⁴ 7.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (O. ⁴⁷ mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 I ² 시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-84을 흰색 고체로 9.4g (수율 81.6%)을수득 하였다. 계산값: C, 88.37; H, 5.36; N, 1.91 ; 0, 4.36

분석값: C, 88.35; H, 5.38; N, 1.91 ; 0, 4.36

합성예 10:화합물쇼-85의 제조

［반응식 1이

중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 J 9.12 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 47.95 11111101)/1¾4 -부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고， Pd(dba) ₂ 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로 주출후유기증을

무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-85을 흰색 고체로 10.4g (수율 76.7%)을수득 하였다. 계산값: C, 87.57; H, 5.25; N, 1.62; 0, 5.56

분석값: 0, 87.59; ¾ 5.23; 1.62; 0, 5.56

합성예 11:화합물쇼-53의 제조 2019/240368 56 1»(：1/10公019/004712

[반응식 11]

중간체 M-405.0 g (11.29 mmol)과중간체 A 3.63 g (11.29 mmol),소디움 t- 부톡사이드 3.25 g (33.87 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.07g (0.34 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.19g (0.34 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서

12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-53을 흰색 고체로 7.3g (수율 88.8%)을수득 하였다. 계산값: C, 90.75; H， 5.12; N, 1.92; 0, 2.20

분석값: C, 90.73; H, 5.14; N, 1.92; 0, 2.20 합성예 12:화합물쇼-54의 제조

[반응식 12]

12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-54을 흰색 고체로 7.5 _§ (수율 81%)을수득 하였다. 계산값: 0, 87.20; ¾ 5.37; 2.26; 5.17

분석값: 0, 87.22; ¾ 5.35;札 2.26; 8, 5.17 합성예 13:화합물쇼-87의 제조

[반응식 13]

중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)과중간체 B 4.41 g (14.93 mmol),소디움 t- 부톡사이드 4.31 g (44.79 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.09g (0.45 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.26g (0.45 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응 종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-87을 흰색 고체로 7.6g (수율 85.7%) 을수득 하였다. 계산값: C, 86.98; H, 5.26; N, 2.36; S, 5.40

분석값: C, 86.99; H, 5.25; N, 2.36; S, 5.40 합성예 14:화합물 A-88의 제조

[반응식 14]

중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)과중간체 C 5.94 g (14.93 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.31 g (44.79 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.09g (0.45 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba) ₂ 0.26g (0.45 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서

12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다. 2019/240368 58 1»(：1/10公019/004712 생성물을노말핵산/디클로로메탄（2 :1부피비）으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-88을흰색 고체로 8.2용（수율 78.9%）을수득 하였다. 계산값: 0, 88.02; ¾ 5.36;札 2.01; \ 4.61

분석값: 0, 88.00; ¾ 5.38;代 2.01; 4.61 합성예 15:화합물 159의 제조

[반응식 15]

중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)4중간체 0 5.4 § (14.93 ^ ₀ 1), 소디움 부특사이드 4.31은（44.79 11111101）, 1¾나6« -부틸포스핀 0.09§（0.45 11111101）을톨루엔

200 에 용해 시키고, ?（1（（« ） ₂ 0.26용（0.45 11111101）을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류 교반시킨다. 반응종료투톨루엔과증류수로주줄후유기증을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄（2 :1부피비）으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-59을 흰색 고체로 8 （수율 85.2%）을수득 하였다. 계산값: 0, 87.37; ¾ 5.65;代 2.12; 4.86

분석값: 0, 87.35;돠 5.67;外 2.12; , 4.86 합성예 16:화합물쇼-28의 제조

[반응식 16]

중간체 M-11 5.0 g (12.66 mmol)과중간체 A 4.07 g (12.66 mmol),소디움 t- 부톡사이드 3.65 g (37.99 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.08g (0.38 mmol)을톨루엔 2019/240368 59 1»（：1^1{2019/004712

200 1111에 용해 시키고, ?{1( 句 ₂ 0.22 _§ (0.38 11111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로주줄후유기증을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 요-28을 흰색 고체로 7.3 _§ (수율 84.8%)을수득 하였다. 계산값: 0, 90.10; ¾ 5.49;此 2.06; 0, 2.35

분석값: (그， 90.12; ¾ 5.47;外 2.06; 0, 2.35 합성예 17:화합물쇼-30의 제조

[반응식 17]

중간체 M-16 5.0은 (12.17 11111101)과중간체 쇼 3.91은 (12.17 11111101)，소디움 1 부톡사이드 3.65은 (37.99 11111101), 나 -부틸포스핀 0.0걔 (0.36 11111101)을톨루엔

200 에 용해 시키고, (1 (此句 ₂ 0.22§ (0.38 11111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다.

생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-30을 흰색 고체로 7. (수율 83.8%)을수득 하였다. 계산값: 0, 88.02; II, 5.36;此 2.01; , 4.61

분석값: 0, 88.04;氏 5.34;此 2.01 ;요, 4.61 합성예 18:화합물 93의 합성 2019/240368 60 1»(：1/10公019/004712

[반응식 18]

상기 중간체 M-3, 중간체 K를 1 : 1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 A-93을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C43H31NO Exact Mass: 577.24 found for 577.77 [M+H] 합성예 19: 화합물쇼-94의 합성

[반응식 19]

상기 중간체 M-6, 중간체 K를 1 :1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 A-94을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C43H31NS Exact Mass: 593.22 found for 593.78 [M+H] 비교합성예 1： 화합물 V-1의 합성

[반응식 20]

질소 환경에서 상기 화합물 Biphenylcarbazolyl bromide (12.33 g, 30.95 mmol)을 2019/240368 61 1»(：1/10公019/004712

Toluene 200 mL에 녹인 투, biphenylcarbazolylboronic acid (12.37 g, 34.05 mmol) 와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(12.83 g, 92.86 mmol)을 넣고 90 ^° C에서 12시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS0 ₄ 로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 V-1 (18.7 g, 92 %)을 얻었다.

LC/MS calculated for: C48H32N2 Exact Mass: 636.26 found for 636.30 [M+H] 비교합성예 2: 화합물 V-2의 합성

[반응식 21]

둥근바닥플라스크에 중간체 V-2-l(5,8-dihydro-indolo[2,3- C]carbazole) 8g(31 2mmol), 4 -아이오도바이페닐 20.5g(73.32mmol), Cul 1.19g(6.24mmol), 1,10-phenanthroline 1.12g(6.Mmmol), ¾C03 12.9g(93.6mmol)을 넣고 DMF 50ml-i: 가하여 질소 분위기 하에서 24시간 동안환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 증류수로 가하여 결정을 석출시키고, 여과하였다. 고체를 xylene 250ml에 녹여 실리카 겔로 여과한후, 백색 고체로 석출시켜 화합물 V-2 16.2g (수율 93%)을 얻었다.

LC/MS calculated for: C42H28N2 Exact Mass: 560.23 found for 560.27 [M+H]

(제 2유기 광전자소자용화합물의 제조)

합성예 20: 화합물 1의 합성

[반응식 22]

중간체 8-1-1의 합성 500 mL둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 g(81.34 mmol)을무수 테트라하이드로퓨란 200 mL에 녹이고, 질소 대기 하에서 3 -바이페닐

마그네슘브로마이드용액 (0.5M 테트라하이드로퓨란 ) 1 당량을 0 ^° C에서 적가하고 서서히 상온으로올린다. 상온에서 1 시간동안교반한후, 반응액을 얼음물 500 mL에 넣고층분리시킨다.유기층을분리하고무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다.농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 B-1- 1을 17.2 g얻었다.

b)화합물 B-1의 합성

500 mL의 둥근 바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 B-1-1 17.2g (56.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 100 mL를 넣고, 다이벤조퓨란- 3 -보론산 (cas:

395087-89-5) 2당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고， 석출된 고체를 여과하고,물 500 mL로씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-14: 12.87 g얻었다.

LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.1790 found for: 566.18 [M+H] 합성예 21: 화합물 3의 합성

[반응식 23]

幻중간체 8-3-1의 합성

질소환경에서 magnesium(7.86 g, 323 mmol)과 iodine(1.64 g, 6.46 mmol)욜 tetrahydrofliran(THF) 0.1 L에 넣고 30분간교반시킨 후, 여기에 THF 0.3 L에 녹아있는 l-bromo-3,5-diphenylbenzene(100 g， 323 mmol)을 0 ^° C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 이렇게 만들어진 혼합액을 THF 0.5 L에 녹아있는 시아누릭클로라이드 64.5 g (350 mmol)용액에 0 ^° C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 반응완료후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로주줄한다음무수 MgSC> ₄ 로수분을 제거한후， 필터하고 감압농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-3-l(79.4 g, 65 %)을 얻었다.

b) 화합물 B-3의 합성

중간체 B-3-1을사용하여 상기 합성예 20의 비와같은방법으로 화합물 B-3를 합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.2103 found for 642.21 [M+H] 합성예 22:화합물 B-17의 합성

[반응식 24]

a)중간체 B-17-1의 합성

500 mL의 둥근 바닥플라스크에 2, 4 -디클로로- 6 -페닐트리아진 22.6g (100 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL,톨루엔 100 mL, 증류수 100 mL를 넣고， 다이벤조퓨란- 3 -보론산 (CAS No.: 395087-89-5) 0.9 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 6시간 후 반응액을 냉각시키고,물층을 제거한후,유기층을 감압하에서 건조시킨다. 얻어진 고체를물과 핵산으로씻어준후，고체를톨루엔 200 mL로 재결정하여 중간체 B-17-1을 21.4 g(60%수율) 얻었다.

b)화합물 B-17의 합성

500 mL의 둥근 바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 B-17-1 (56.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL,증류수 100 mL를 넣고, 3,5 -다이페닐벤젠보론산 (CAS No.: 128388-54-5) 1.1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고,물 500 mL로씻는다. 고체를모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-17을 얻었다.

LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 555.19多 8 found for 556.21 [M+H] 합성예 23:화합물 B-20의 합성 [반응식 25]

No.: 491612-72-7)을사용하여 상기 합성예 22의 비와같은 방법으로 화합물 B-20을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 24: 화합물 B-23의 합성

[반응식 26]

幻중간체 123-1의 합성

500 II止둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 81.34 _01）을무수 테트라하이드로퓨란 20011止에 녹이고, 질소대기하에서 4 -바이페닐

마그네슘브로마이드용액 （0.5M 테트라하이드로퓨란）1 당량을 0 ^° （그에서 적가하고 서서히 상온으로올린다.상온에서 1 시간동안교반한후, 반응액을 얼음물 500 1!止에 넣고층분리시킨다.유기층을분리하고무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다.농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 3 23 1을 17 2 g얻었다.

비중간체 요-23-2의 합성

중간체 23-1을사용하여 상기 합성예 22의 句와 같은 방법을사용하여 중간체 3-23-2을합성하였다.

화합물 8-23의 합성

중간체 123-2와 1.1 당량의 3, 5 -다이페닐벤젠보론산을사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-23을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 25: 화합물 B-24의 합성

[반응식 27]

중간체 묘-23-2와 1.1 당량의 8-[1,1’:4’,1"-16 1½11 1]-3-541）01'011止 （1을 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 24를 합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 26: 화합물 B- 의 합성

[반응식 28]

幻 중간체 8-71-1의 합성

500：1止의 둥근 바닥 플라스크에 3 -브로모-디벤조퓨란 14.06 56.9011111101）， 테트라하이드로퓨란 20011止, 증류수 10011止를 넣고, 3'-클로로-페닐보론산 1 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고， 석출된 고체를 여과하고, 물 50011止로 씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 11止로 재결정하여 중간체 기- 1을 12.05 _§ 얻었다.（수율 76%）

비 중간체 171-2의 합성

500 II止둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 8-71-1 24.53용（88.02 _01）을 디엠에프 250 !1止에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량，초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간동안가열 환류시켰다. 반응액을 냉각시키고,물 1 L에 적하시켜 고체를 잡는다. 얻어진 고체를 끓는톨루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후실리카겔에서 여과한후 여액을농축한다. 농축된 고체를소량의 핵산과교반후，고체를

여과하여 중간체 B-71-2를 22.81g얻었다.（수율 70%）

c）화합물 B-기의 합성

중간체 B-71- ² 와 2, ⁴ -Bis（[l，r-biphenyl]- ⁴ -yl）- ⁶ -chloro-l, ³ , ⁵ -triazine을각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 b）와같은방법으로 화합물 B-기을합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.25 [M+H] 합성예 27: 화합물 B-124의 합성

[반응식 29]

중간체 8-124-1의 합성

1 -브로모- 3 -클로로- 5 -페닐벤젠과비페닐- 4 -보론산 1.1 당량을사용하여 상기 합성예 22의 句와 같은 방법으로 중간체 124-1을 합성하였다. 이때 재결정 대신 핵산을 이용한플래쉬컬럼을통해 생성물을 정제하였다.

비중간체 8-124-2의 합성

50011止둥근 바닥플라스크에 상기

0 250 11止에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량,

비스피나콜라도다이보론 1.2 당량,초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간동안가열 환류시켰다. 반응액을 냉각시키고,물 1느에 적하시켜 고체를잡는다. 얻어진 고체를끓는톨루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후실리카겔에서 여과한후 여액을농축한다.농축된 고체를 소량의 핵산과교반후, 고체를 여과하여 중간체 묘-124-2를 28.5 70%수율） 얻었다.

화합물 124의 합성

중간체 8-124-2 및 중간체 7-1을각각 1.0당량씩 사용하여 상기 합성예 2019/240368 67 1»（：1/10公019/004712

22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-124를 합성하였다.

LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.22 [M+H] 합성예 28: 화합물 B-129의 합성

[반응식 3이

句 중간체 129-1의 합성

1~81 ^* 01110-4-（：11101：0 61126116과 3-（¾61120¾1 11）¾01011 （1를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 26의 a)와 같은 방법으로 중간체 B-129-1을 합성하였다.

b) 중간체 B-129-2의 합성

중간체 B-129-1와 비스피나콜라도 다이보론 1 :1.2 당량비를 사용하여 상기 합성예 26의 비와 같은 방법으로 중간체 B-129-2을 합성하였다.

c) 화합물 B-129의 합성

중간체 B-129-2와 2-chloro-4-(biphenyl-4-yl)6-phenyl-l，3,5-triazine을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-129을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H] 합성예 29: 화합물 B-131의 합성

[반응식 31]

중간체 6-23-2 및 중간체 135-2을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-131을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C43H27N30 Exact Mass: 601.22 found for 601.26 [M+H] 2019/240368 68 1»(：1/10公019/004712 합성예 30: 화합물 8-133의 합성

[반응식 32]

중간체 B-17-1 및 중간체 B-129-2을각각 1.0당량씩 사용하여 상기 합성예 ,5 22의 비와 같은 방법으로화합물 B-133을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.18 found for 565.22 [M+H] 합성예 31: 화합물 B-135의 합성

[반응식 33]

0 幻중간체 8-135-1의 합성

1~81 ^* 01110-4-011101 ^* 0 611761伯과 2-1 |)111:1 161½ ¾>01'011 를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 26의 句와 같은 방법으로중간체 135-1을합성하였다.

비중간체 묘-135-2의 합성

중간체 135-1와비스피나콜라도다이보론 1:1.2 당량비를사용하여 상기5 합성예 26의 비와 같은 방법으로 중간체 135-2을 합성하였다

화합물묘-135의 합성

중간체 135-2와 3-17-1을각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 8-135을합성하였다.

LC/MS calculated for: C37H23N30 Exact Mass: 525.18 found for 525.22 [M+H]0 합성예 32: 화합물 D-25의 합성 2019/240368 1 ^» （：1^1{2019/004712

[반응식 34]

a) 중간체 Int-1의 합성

1 -Bromo-4-chloro-2-fluorobenzene (61g, 291 mmol), 2,6-Dimethoxyphenylboronic Acid (50.4g, 277mmol), K ₂ C0 ₃ (60.4g, 437mmol) 그리고 Pd(PPh ₃ ) ₄ (lO.lg, 8.7mmol)을

환저플라스크에 넣고 THF(500ml) 와 증류수 (200ml) 에 녹인 후 60 ^° C에서 12시간 동안 환류교반시킨다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후

컬럼크로마토그래피 (Hexane:DCM(20%))를 이용하여 중간체 Int-1를 38g(51%) 수득하였다.

b) 중간체 Int-2의 합성

중간체 Int-1 (38g, 142mmol)와 Pyridine Hydrochloride(165g, 1425mmol) 을 환저플라스크에 넣고 200 ^° C에서 24시간 동안 환류교반시킨다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후 증류수에 천천히 붓고 1시간 동안 교반시킨다. 고형물을 필터하여 중간체 Int-2를 23g(68%) 수득하였다.

c) 중간체 Int-3의 합성

중간체 Int-2 (23g, 96mmol)와 K ₂ C0 ₃ (20g, 144mmol)을 환저플라스크에 넣고 NMP(lOOml)에 녹인 후 180 ^° C에서 12시간 동안환류교반시킨다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓는다. 고형물을 필터한후 에틸아세테이트에 녹인 후 MgS04로 건조하고 유기층 감압 하에 제거한다.

컬럼크로마토그래피 (Hexane:EA( ³ 0%))를 이용하여 중간체 Int_ ³ 를 16g(76%)

수득하였다.

d) 중간체 Int-4의 합성

중간체 Int-3 (16g, 73mmol), Pyridine (12ml, 146mmol)을 환저플라스크에 넣고 DCM(200ml)에 녹인다. 온도를 0 ^° C로 낮준 후 Trifluoromethanesulfonic Anhydride (14.7 , 8811111101)을 천천히 적가한다. 6시간 동안 교반한 후 반응이 종료되면 과량의 증류수를 넣어 30분간 교반한 후 DCM으로 추출한다. 유기용매를 감압하에 제거하고 진공건조하여 중간체 -4를 22.5就88%) 수득하였다.

중간체 1付-5의 합성

중간체 ¾1;-4 (22.5¾ 6½111101) 와 ¾태 ¾¥0 。 (1 (7.8生 641110101)， ¾(그() ₃ (13.3生

9611111101) 그리고 ?크 1¾ ₃ ) ₄ (3.7¾ 3.211111101)을 이용하여 합성예 26의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 1付-5룰 14.4^81%) 수득하였다.

f) 중간체 Int-6의 합성

중간체 Int-5 (22.5g, 80mmol), Bis(pinacolato)diboron (24.6g, 97mmol), Pd(dppf)Cl2 (2g _? 2.4mmol) _? Tricyclohexylphosphine (3.9g, 16mmol) 그리고 Potassium acetate (16g,

161mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(320ml)으로 녹인다. 혼합물을 120 ^° C에서 10시간 동안 환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간 동안 교반한다. 고형물을 필터한후 DCM에 녹인다. MgS0 ₄ 로 수분을 제거한후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한 후 감압 하에 제거한다. 고형물을 EA와 Hexane으로 재결정하여 중간체 Int-6를 26.9g(90%) 수득하였다.

g) 화합물 D-25의 합성

질소 조건에서 환저플라스크에 중간체 B-23-2 (15g, 35mmol), 중간체 Int-6 (12.8g, 35mmol), K ₂ C0 ₃ (7.2g, 52mmol) 그리고 Pd(PPh ₃ ) ₄ (2g, 1.7mmol)을 이용하여 합성예 22의 비와 같은 방법으로 합성하여 화합물 D-25 15.5g(70%) 수득하였다.

LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.21 found for 641.25 [M+H] 합성예 33: 화합물 D-3의 합성

［반응식 35]

Ac

句 중간체 1)-3-1의 합성

2~61：01110-1-(：11101 ^* 0-3-£11101 ^* 0 - 과 2-11 (110 1)11611711)01011 표(^(1를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 30의 a)와 같은 방법으로 중간체 D-3-1을 합성하였다. b)중간체 D-3-2의 합성

중간체 D-3-1와 K ₂ C0 ₃ 를 1:1.5 당량비를사용하여 상기 합성예 32의 이와 같은 방법으로 중간체 D-3-2를 합성하였다.

c)중간체 D-3-3의 합성

중간체 D-3-2와 Bis(pinacolato)diboron를 1:1.2 당량비를사용하여 상기 합성예 32의 와같은 방법으로 중간체 D-3-3를 합성하였다.

d)화합물 D-3의 합성

중간체 D-3-3와 2,4-Bis([l，l’-biphenyl]-4-yl)-6-chloro-l,3,5-triazine을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와같은 방법으로 화합물 D-3을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H]

(유기 발광소자의 제작)

실시예 1

ITO (Indium tin oxide)가 1500A 두께로 박막코팅된 유리 기판을증류수 초음파로세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄올 등의 용제로초음파세척을 하고 건조시킨 후플라즈마세정기로 이송 시킨 다음 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간세정 한후진공증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO투명 전극을 양극으로사용하여 ITO기판상부에 화합물 A을진공 증착하여 700A 두께의 정공주입층을 형성하고상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한후, 화합물 C를 700A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다.상기 정공수송층상부에 화합물 C-1을 400 A의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송보조층상부에 화합물 A-52 및 B- 135을 동시에 호스트로사용하고 도판트로 [Ir(piq) ₂ acac] 2wt%로도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-52와화합물 B- 135은 7:3 중량비로사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층상부에 화합물 D와 Liq를동시에 1 :1 비율로진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층상부에 Liq 15 A과 A1 U00A을 순차적으로진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.

상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을가지는구조로 되어 있으며, 2019/240368 72 1»(：1^1{2019/004712 구체적으로 다음과 같다.

押0/화합물사700入)/화합물 50入)/화합물이700ᅀ)/화합물 0-1(400

A)/EML [화합물쇼-52 : 8-135 : [1 ) ₂ 떠 (2 %)] (400入) /화합물 0 : 1과(300ᅀ) / 1句(15시/신(1 ² 00入)의 구조로 제작하였다.

화합물 쇼: N4,N4'-diphenyl-N4,N4 ^, -bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4 ^, -

(¾班 1난1比

화합물 6: 1 ₅ 4,5 ₅ 8 9,1 l-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN)

화합물 0: N-(biphenyl-4-yl)-9 _? 9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl) -

911-£山0 11-2-죠111 16

화합물 0-1 : N,N-di([l,l ^, -biphenyl]-4-yl)-7 ₅ 7-diInethyl-7H-fluoreno[4 ₅ 3 - b]benzofuran-

10-크11난116

화합물 I): 8-(4-(4 ₅ 6-di(naphthalen-2-yl)-l _? 3 _? 5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline

실시예 2내지 실시예 16,비교예 1 및 비교예 2

표 1에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 평가

실시예 1 내지 16와 비교예 1 및 2에 따른 유기발광소자의 전력효율을 평가하였다.

구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 1과 같다.

(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정

제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 부터 10¥까지 상승시키면서 전류- 전압계 (¾ 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.

(2) 전압변화에 따른 휘도변화측정

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 부터 10¥까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.

(3) 전력효율 측정

상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 111쇼/¥1 ² )의 전력 효율 /쇼) 을 계산하였다. 2019/240368 73 1»(：1^1{2019/004712

(4)수명 측정

휘도 (1/111 ² )를 90000(1/111 ² 로유지하고 전류효율 (1/시이 97%로 감소하는 시간을측정하여 결과를 얻었다.

(5)구동전압측정

전류-전압계 (¾他 2400)를 이용하여 15111 011 ² 에서 각소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다.

[표 1]

표 1을 참고하면，실시예 1 내지 16에 따른유기발광소자는 비교예 1 및 2에 2019/240368 74 1»（：1^1{2019/004712 따른유기발광소자와비교하여 구동 전압,효율 및 수명이 현저히 개선된 것을 확인할수 있다. 이상에서 본 발명의 바람직한실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.