La présente invention se rapporte à un nouveau matériau à base de poly(thio- ou séléno-)phènes, et à un procédé pour sa préparation.

Les dispositifs tels que les dispositifs électroniques organiques, les dispositifs photovoltaïques organiques, les diodes électroluminescentes organiques, les dispositifs thermoélectriques organiques ou encore les photo-détecteurs organiques sont constitués d'électrodes mettant en œuvre des matériaux conducteurs.

Un matériau généralement apprécié est l'oxyde d'indium-étain (ΓΓΟ). Il est intéressant d'une part pour sa transparence optique et d'autre part pour sa conductivité élevée. Malheureusement, ce matériau demeure fragile et sa mise en œuvre dans des dispositifs souples reste donc difficile. En outre, l'approvisionnement en indium est très coûteux.

Pour ces raisons, les matériaux organiques représentent une alternative avantageuse pour remplacer l'oxyde d'indium-étain dans ces dispositifs.

En particulier, le poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) et ses dérivés sont considérés comme des polymères présentant un fort potentiel technologique et commercial. En effet, ils sont biocompatibles et ils possèdent en outre une bonne activité électrochromique dynamique et une bonne stabilité à l'air à long terme.

Toutefois, ces matériaux présentent des conductivités modérées.

Différentes voies ont été explorées pour tenter d'augmenter la conductivité de ces matériaux.

Une première option a été proposée par Groenendaal et al. qui ont développé la synthèse de PEDOT conducteurs, par électropolymérisation de 3,4- éthylènedioxythiophène (EDOT). Ces matériaux sont synthétisés par électropolymérisation en phase liquide d'EDOT dans une solution de sels dans l'acétonitrile. Des PEDOT:triflate, PEDOT:triflimidate, PEDOT:perchlorate ou encore PEDOT:hexafluorophosphate ont ainsi été synthétisés (Groenendaal et al, Advanced Material, 2003, 15(11), 855-879). Cependant, la conductivité de ces polymères demeure trop faible. En outre, le procédé de synthèse de ces matériaux n'est pas compatible avec tous les substrats sur lesquels est déposé le matériau conducteur, qui doivent être conducteurs pour servir d'électrode lors de la polymérisation.

Une autre possibilité a été décrite par Fabretto et al. qui ont synthétisés des PEDOT:OTs. Ces derniers sont préparés par polymérisation oxydante en phase vapeur d'EDOT par du Fer tristosylate Fe(OTs) ₃ dans une matrice de PEG-PPG-PEG (Fabretto et al, Chemistry of Materials, 2012, 24, 3998-4003). Toutefois, la synthèse de ces matériaux est très contraignante et n'est pas compatible avec la préparation de grandes surfaces à haut débit.

Plus récemment encore, Park et al. ont développé des PEDOT:OTs conducteurs pour des applications thermoélectriques par polymérisation en solution. Ces PEDOT sont également synthétisés par polymérisation oxydante en phase liquide d'EDOT par le Fer tristosylate Fe(OTs) ₃ dans une matrice de PEG-PPG-PEG. La pyridine est utilisée comme inhibiteur de polymérisation (Park et al., Energy & Environmental Science, 2013, 6(3), 788). Néanmoins, l'utilisation de pyridine est contraignante car très toxique et n'est donc pas compatible avec la production industrielle de ce matériau.

Par conséquent, il demeure un besoin en nouveaux matériaux hautement conducteurs et qui peuvent être en outre synthétisés de manière simple et adaptée à une production à 1 ' échelle industrielle.

Ainsi, selon l'un de ses aspects, l'invention concerne un matériau polymérique conducteur de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins deux espèces distinctes de contre-anion avec au moins l'une d'entre elles étant une forme anionique d'un acide sulfuré.

De préférence, une seule des deux espèces est une forme anionique d'un acide sulfuré.

En particulier, l'invention concerne un matériau polymérique conducteur de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins deux espèces distinctes de contre- anion, dont une première espèce qui est une forme anionique de l'acide sulfurique, et une seconde espèce de contre-anion choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate

Contre toute attente, les inventeurs ont constaté que ces matériaux polymériques présentent une conductivité très élevée. Leur mise en œuvre est ainsi particulièrement avantageuse dans des dispositifs électroniques organiques, photovoltaïques organiques, thermoélectriques organiques, dans des diodes électroluminescentes organiques, ou dans des photo-détecteurs organiques.

En outre, leur synthèse est aisée et compatible avec une production à grande échelle.

Ainsi, selon encore un autre des ses aspects, la présente invention concerne un procédé de préparation d'un matériau tel que défini ci-dessus comprenant au moins les étapes consistant à :

(a) disposer d'un matériau polymérique de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins une espèce anionique choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate,

(b) mettre en contact ledit matériau avec une solution aqueuse d'un acide sulfuré dans des conditions propices à l'immobilisation d'une forme anionique dudit acide au sein du matériau polymérique, et

(c) disposer dudit matériau contenant une première espèce anionique choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, perchlorate, hexafluorophosphate et une seconde espèce correspondant à une forme anionique dudit acide sulfuré.

En particulier, le matériau de l'étape (a) est au préalable obtenu par polymérisation en milieu solvant de monomère(s) thio- ou séléno-phénique, en présence d'une solution oxydante de triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate ou hexafluorophosphate de fer (HT), et d'une quantité efficace de copolymère bloc de type polyéthyleneglycol-polypropylèneglycol-polyéthylèneglyco l (PEG-PPG-PEG), et est purifié par lavage aqueux avant sa mise en œuvre en étape (b).

Selon une variante avantageuse, ce matériau de l'étape (a), figure déjà sur un support en surface duquel il a été au préalable formé par polymérisation selon le procédé détaillé ci-dessus.

Le procédé selon l'invention permet avantageusement d'obtenir des matériaux hautement conducteurs.

Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne l'utilisation d'un matériau selon l'invention, ou obtenu selon le procédé décrit ci-dessus, à titre de film conducteur. Selon encore un autre de ses aspects, la présente invention vise un substrat revêtu au moins en partie par un film d'un matériau selon l'invention, ou obtenu selon le procédé décrit ci-dessus.

Selon encore un autre de ses aspects, la présente invention concerne un dispositif comportant à titre de matériau conducteur un matériau selon l'invention, ou obtenu selon le procédé décrit ci-dessus.

Selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne l'utilisation d'un matériau selon l'invention, ou obtenu selon le procédé décrit ci-dessus, ou d'un substrat selon l'invention, dans les domaines de l'électronique organique, de la thermoélectricité organique, du photovoltaïque organique et des photodétecteurs organiques.

D'autres avantages et caractéristiques apparaîtront à la lecture de la description et des exemples qui suivent.

MATERIAU

Comme mentionné précédemment, un matériau polymérique conducteur de type poly(tbio- ou séléno-)phénique selon l'invention contient au moins deux espèces distinctes de contre-anion avec au moins l'une d'entre elles étant une forme anionique d'un acide sulfuré.

Selon un mode de réalisation préféré, une seule des deux espèces est une forme anionique d'un acide sulfuré.

Dans un matériau selon l'invention, l'acide sulfuré est en particulier choisi parmi l'acide sulfurique, un acide sulfonique et un acide perfmorosulfonique.

De préférence, l'acide sulfuré est l'acide sulfurique.

Selon un autre mode de réalisation préférée, la seconde espèce de contre-anion est au moins une espèce anionique choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate, et en particulier est un triflate.

En particulier, un matériau polymérique conducteur de type poly(thio- ou séléno-)phénique selon l'invention contient au moins deux espèces distinctes de contre- anion, dont une première espèce qui est une forme anionique de l'acide sulfurique, et une seconde espèce de contre-anion choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate. L'utilisation de triflate permet d'obtenir des films avec de très bonnes propriétés conductrices. .

Ainsi, plus préférentiellement, un matériau selon l'invention contient au moins des contre-anions hydrogénosulfate et triflate.

Selon une première variante de réalisation, le matériau selon l'invention est à base d'un polymère thiophénique dérivant de la polymérisation de monomère(s) choisi(s) parmi le thiophène, les 3-alkylthiophènes, les 3,4-dialkylthiophènes, 3,4- cycloalkylthiophènes, 3,4-dialkoxythiophènes, et 3,4-alkylènedioxythiophènes, dans lesquels les groupements alkyles, identiques ou différents, sont de formule C _n H _2n+1 avec n compris entre 1 et 12.

En particulier, le matériau selon l'invention est à base d'un polymère thiophénique dérivant de la polymérisation de monomère(s) choisi(s) parmi les 3,4- dialkylthiophènes, 3,4-cycloalkylthiophènes, 3,4-dialkoxythiophènes, et 3,4- alkylènedioxythiophènes, dans lesquels les groupements alkyles, identiques ou différents, sont de formule C _n H _2n+1 avec n compris entre 1 et 12.

Ainsi, le polymère thiophénique peut par exemple être :

- un poly(3,4-dialkylthiophène) de formule :

- un poly(3,4-cycloalkylthiophène) de formule :

- un poly(3,4-dialkoxythiophène) de formule :

- un poly(3,4-alkylènedioxythiophène) de formule :

En particulier, les monomères sont choisis parmi le thiophène, le 3,4- éthylènedioxythiophène (EDOT), le 3-hexylthiophène et le 3,4-propylènedioxythiophène (PRODOT).

De préférence, le monomère est le 3 ,4-éthylènedioxythiophène (EDOT).

Ainsi, le matériau selon l'invention est préférentiellement à base de poly(3,4- éthylènedioxythiophène) (PEDOT).

Selon une deuxième variante de réalisation, le matériau selon l'invention est à base d'un polymère sélénophénique dérivant de la polymérisation de monomère(s) choisi(s) parmi le sélénophène, les 3-alkylsélénophènes, les 3,4-dialkylsélénophènes, 3,4- cycloalkylsélénophènes, 3,4-dialkoxysélénophènes, et 3,4-alkylenedioxysélénophènes, dans lesquels les groupements alkyles, identiques ou différents, sont de formule C _n H _2n+1 avec n compris entre 1 et 12.

En particulier, le matériau selon l'invention est à base d'un polymère sélénophénique dérivant de la polymérisation de monomère(s) choisi(s) parmi les 3,4- dialkylsélénophènes, 3,4-cycloalkylsélénophènes, 3,4-dialkoxysélénophènes, et 3,4- alkylenedioxysélénophènes, dans lesquels les groupements alkyles, identiques ou différents, sont de formule C _n H _2n+1 avec n compris entre 1 et 12.

Le polymère sélénophénique peut par exemple être :

- un poly(3,4-dialkylsélénophène) de formule :

- un poly(3,4-cycloalkylsélénophène) de formule :

- un poly(3,4-dialkoxysélénophène) de formule :

- un poly(3,4-alkylènedioxysélénophène) de formule :

En particulier, les monomères sont choisis parmi le sélénophène, le 3,4- éthylènedioxysélénophène (EDOS), le 3-hexylsélénophène, et le 3,4- propylènedioxysélénophène (PRODOS).

Préférentiellement, un matériau selon l'invention possède une conductivité au moins égale à 1 000 S/cm, et de préférence variant d'environ 1 500 S/cm à environ 2 500 S/cm, mesurée par la méthode 4 pointes, à l'aide d'un conductimètre LORESTA EP MCP-T360.

Avantageusement, un matériau selon l'invention peut être utile à titre de film conducteur.

PROCEDE

La présente invention concerne également un procédé de préparation d'un matériau comprenant au moins les étapes consistant à :

(a) disposer d'un matériau polymérique de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins une espèce anionique choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate,

(b) mettre en contact ledit matériau avec une solution aqueuse d'un acide sulfuré dans des conditions propices à l'immobilisation d'une forme anionique dudit acide au sein du matériau polymérique, et

(c) disposer dudit matériau contenant une première espèce anionique choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, perchlorate, hexafluorophosphate et une seconde espèce correspondant à une forme anionique dudit acide sulfuré. La mise en contact du matériau avec une solution aqueuse d'un acide sulfuré peut par exemple être effectuée en plongeant le matériau dans un bain de la solution aqueuse d'acide sulfuré.

De préférence, dans un procédé selon l'invention, le matériau de l'étape (a) est au préalable obtenu par polymérisation en milieu solvant de monomère(s) thio- ou séléno- phénique, en présence d'une solution oxydante de triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate ou hexafluorophosphate de fer (ΙII), et d'une quantité efficace de copolymère bloc de type polyéthylèneglycol-polypropylèneglycol-polyéthylèneglyc ol (PEG-PPG- PEG), et est purifié par lavage aqueux avant sa mise en œuvre en étape (b).

Plus préférentiellement, le matériau de l'étape (a) est au préalable obtenu en présence d'une solution oxydante de triflate.

Le copolymère bloc de type polyéthylèneglycol-polypropylèneglycol- polyéthylèneglycol (PEG-PPG-PEG) permet avantageusement d'inhiber la cristallisation des molécules de la solution oxydante, de ralentir la vitesse de polymérisation, et d'augmenter la conductivité du matériau polymérique.

De manière avantageuse, le temps de mise en contact du matériau avec la solution aqueuse d'acide sulfuré est supérieur à 10 minutes, et de préférence supérieur à 30 minutes.

Selon un mode de réalisation avantageux, la mise en contact du matériau avec la solution aqueuse d'acide sulfuré est effectuée à température ambiante.

De préférence, le matériau est ensuite soumis à un recuit à une température comprise entre 120°C et 200°C, en particulier comprise entre 140°C et 180°C, et de préférence égale à 160°C.

Selon une variante de réalisation avantageuse, le matériau polymérique de l'étape (a) se présente sous la forme d'un film figurant en surface d'un substrat solide.

Ainsi, selon un autre de ses aspects, la présente invention concerne également un procédé pour augmenter la conductivité d'un matériau polymérique de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins une espèce anionique distincte d'un acide sulfuré, se présentant sous la forme d'un film, figurant en surface d'un substrat solide, comprenant l'étape consistant à mettre en contact ledit film avec une solution aqueuse d'un acide sulfuré dans des conditions propices à l'immobilisation d'une forme anionique dudit acide au sein du matériau polymérique. A l'issue de cette étape, le film ainsi traité est séché.

Selon un mode de réalisation particulier, l'espèce anionique distincte d'un acide sulfuré est choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate.

En particulier, la présente invention concerne un procédé pour augmenter la conductivité d'un matériau polymérique de type poly(thio- ou séléno-)phénique contenant au moins une première espèce de contre- anion qui est une forme anionique de l'acide sulfurique, et une deuxième espèce de contre-anion choisie parmi les triflate, triflimidate, tosylate, mesylate, perchlorate et hexafluorophosphate, se présentant sous la forme d'un film, figurant en surface d'un substrat solide, comprenant l'étape consistant à mettre en contact ledit film avec une solution aqueuse d'un acide sulfuré dans des conditions propices à l'immobilisation d'une forme anionique dudit acide au sein du matériau polymérique.

Avantageusement, la mise en contact du film avec la solution aqueuse peut être réalisée en plongeant directement le substrat dans un bain de la solution aqueuse d'acide sulfuré.

Ce substrat peut notamment être tel que défini ci-après.

SUBSTRAT

La présente invention concerne également un substrat revêtu au moins en partie par un film d'un matériau selon l'invention, ou obtenu selon le procédé selon l'invention.

De préférence, le substrat est un substrat en verre, en silicium, en matière tissée ou de nature organique et/ou polymérique, par exemple un substrat en papier.

Lorsqu'il est de nature polymérique, le substrat peut par exemple être en polyéthylèneterephthalate (PEN), en polyéthylènenaphthalate (PET), en polyimide ou en polytetrafluoroéthylène (PTFE).

Les exemples qui suivent sont présentés à titre illustratif et non limitatif du domaine de l'invention.

EXEMPLES Exemple 1 : Synthèse de PEDOT avec différents traitement acide

2 mL d'une solution à 20 % en poids de polyéthylèneglycol- polypropylèneglycol -polyéthylèneglycol (PEG-PPG-PEG) (Mn = 5 800 g-mol ^-1 ) dans

Péthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires.

La solution est ensuite refroidie à 5°C et 20 μL d'EDOT sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant

1 minute.

La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle

XG (10 x 10 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air

libre.

La plaque de verre est découpée en morceau de 2,5 x 1,25 cm et la conductivité

des films obtenus est mesurée à 1 200 S/cm (+/- 20 S/cm) par mesure 4 pointes pour une

épaisseur moyenne de 70 nm (+/-5 nm).

Ces films sont trempés dans un bain d'acide à pH = 1 pendant une heure, puis

séchés sur une plaque chauffante à 160°C pendant 30 minutes.

La conductivité des films est mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes)

et comparée à la valeur avant traitement acide.

Les valeurs sont rassemblées dans le tableau ci-dessous.

On remarque que les échantillons 1, 4 et 5 qui ont subi un traitement avec un

acide sulfuré ou sulfonique présentent des conductivités après traitement très élevées

contrairement aux échantillons 2 et 3 qui ont été traités avec du HC1 ou du HNO ₃ . i

I Exemple 2 : Synthèse de PEDOT:HSO ₄ hautement conducteurs

2 mL d'une solution à 20 % en poids de PEG-PPG-PEG (Mn = 5 800 g-mol ^-1 ) dans l'éthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires.

La solution est ensuite refroidie à 5°C et 20 μL d'EDOT sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant

1 minute.

La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle XG (10 x 10 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air libre.

La plaque de verre est découpée en morceau de 2,5 x 1,25 cm et la conductivité des films obtenus est mesurée à 1 200 S/cm (+/- 20 S/cm) par mesure 4 pointes pour une épaisseur moyenne de 70 nm (+/-5 nm).

Ces films sont trempés dans un bain d'acide sulfurique à pH = 1 pendant une durée déterminée (1 min, 10 min, 30 min, 1 h, 2 h, 5 h ou 24 h), puis séchés sur une plaque chauffante à 160°C pendant 30 minutes.

La conductivité des films est mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes) et comparée à la valeur avant traitement acide.

Les valeurs sont rassemblées dans le tableau ci-dessous.

L'ensemble des échantillons traités avec du H ₂ SO ₄ possède des conductivités après traitement très élevées. Les conductivités après traitement acide sont d'autant plus hautes lorsque le temps de traitement est supérieur à 30 minutes.

Exemple 3 : Synthèse de PEDOT:HSO ₄ hautement conducteurs

2 mL d'une solution à 20 % en poids de PEG-PPG-PEG (Mn = 5 800 g-mol ^"1 ) dans l'éthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires. La solution est ensuite refroidie à 5°C et 20 μL d'EDOT sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant

1 minute.

La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle XG (10 x 10 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air libre.

La plaque de verre est découpée en morceau de 2,5 x 1,25 cm et la conductivité des films obtenus est mesurée à 1 200 S/cm (+/- 20 S/cm) par mesure 4 pointes pour une épaisseur moyenne de 70 nm (+/-5 nm).

Ces films sont trempés dans un bain d'acide sulfurique à pH = 1 pendant 30 minutes, puis séchés sur une plaque chauffante à différentes températures (140°C, 160°C ou 180°C) pendant 30 minutes.

La conductivité des films est mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes) et comparée à la valeur avant traitement acide.

Les valeurs sont rassemblées dans le tableau ci-dessous.

L'ensemble des échantillons traités avec du H ₂ SO ₄ possède des conductivités après traitement très élevées. Les conductivités après traitement acide sont d'autant plus hautes lorsque la température de traitement est de 160°C.

Exemple 4 ; Synthèse de PRODOT:HSOi hautement conducteurs

2 mL d'une solution à 20 % en poids de PEG-PPG-PEG (Mn = 5 800 g-mol ^-1 ) dans l'éthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires. La solution est ensuite refroidie à 5°C et 25 μL de 3,4- propylènedioxythiophène (PRODOT) sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant 1 minute.

La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle XG (2,5 x 2,5 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air libre.

Le film est trempé dans un bain d'acide sulfurique à pH = 1 pendant 30 minutes, puis séchés sur une plaque chauffante à 160°C pendant 30 minutes.

La conductivité du film, mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes) est de 1 500 S.cm-1 et son épaisseur de 70 nm (+/-5 nm).

Exemple 5 : Synthèse de PEDOS:HSO ₄ hautement conducteurs

2 mL d'une solution à 20 % en poids de PEG-PPG-PEG (Mn = 5 800 g-mol ^"1 ) dans l'éthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires.

La solution est ensuite refroidie à 5°C et 25 μL de 3,4- éthylènedioxysélénophène (EDOS) sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant 1 minute. La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle XG (2,5 x 2,5 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air libre.

Le film est trempé dans un bain d'acide sulfurique à pH = 1 pendant 30 minutes, puis séchés sur une plaque chauffante à 160°C pendant 30 minutes.

La conductivité du film, mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes) est de 1 650 S.cm-1 et son épaisseur de 70 nm (+/-5 nm).

Exemple 6 ; Synthèse de PEDOT:HSO ₄ hautement conducteur à partir de PEDOT.OTs

2 mL d'une solution à 20 % en poids de PEG-PPG-PEG (Mn = 5 800 g.mol ^-1 ) dans l'éthanol est préparée sous agitation dans un bain à ultrasons pendant 4 heures.

240 mg de Fe(OTf) ₃ sont ajoutés à la solution sous agitation.

La solution est laissée sous agitation pendant 30 minutes supplémentaires. La solution est ensuite refroidie à 5°C et 20 de 3,4-éthylenedioxythiophène

(EDOT) sont ajoutés.

La solution est immédiatement placée dans un bain à ultrasons à 5°C pendant

1 minute.

La solution est déposée à la tournette sur une plaque de verre Corning Eagle XG (2,5 x 2,5 cm), puis recuite pendant 10 minutes sur une plaque chauffante à 70°C à l'air libre.

Le film est trempé dans un bain d'acide sulfurique à pH = 1 pendant 30 minutes, puis séchés sur une plaque chauffante à 160°C pendant 30 minutes.

La conductivité du film, mesurée par la méthode Van der Pauw (4 pointes) est de 1 750 S.cm-1 et son épaisseur de 70 nm (+/-5 nm).