Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
COPPER (I) FORMATE COMPLEXES
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2005/058789
Kind Code:
A2
Abstract:
Copper (I) formate complexes of general formula LnCu(HCOO) • x COOH are decomposed in order to separate metallic copper, wherein x is a number from 0 to 10, n amounts to, 2, 3 or 4 and the n ligands L represent, independent of one another, one of the following ligands: a phosphane of formula R1R2R3P; a phosphite of formula (R1O)(R2O)(R3O)P; an isocyanide of formula R1-NC; an alkene of general formula R1R2C=CR3R4; or an alkyne of general formula R1C=CR2; wherein R1, R2, R3 and R4 represent, independent of one another, hydrogen, a linear or branched, optionally partly or fully fluorinated alkyl, aminoalkyl, alkyoxialkyl, hydroxialkyl, phosphinoalkyl or aryl radical having up to 20 carbon atoms, with the exception of triphenylphosphino-copper (I) formate and 1,1,1-tris(diphenylphosphinomethyl)ethane-copper (I) formate.

Inventors:
WITTENBECHER LARS (DE)
LANG HEINRICH (DE)
SHEN YINGZHONG (CN)
Application Number:
PCT/EP2004/014275
Publication Date:
June 30, 2005
Filing Date:
December 15, 2004
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
BASF AG (DE)
WITTENBECHER LARS (DE)
LANG HEINRICH (DE)
SHEN YINGZHONG (CN)
International Classes:
C07C53/06; C07F1/00; C07F1/08; C07F9/50; C23C16/18; C23C18/08; C23C18/12; (IPC1-7): C07C53/06; C23C18/12
Domestic Patent References:
WO2003053895A22003-07-03
Other References:
G.A. BOWMAKER, EFFENDY, J. V. HANNA, P.C. HEALY, J.C. REID, C.E.F. RICKARD, A.H. WHITE: "Crystal structures and vibrational and solid-state (CPMAS) NMR spectroscopic studies in the tris(triphenylphosphine)-copper(I) and -silver(I) formate systems" J. CHEM. SOC., TRANS., Bd. 5, 2000, Seiten 753-761, XP008053157
B. HAMMOND, F.H. JARDINE, A.G. VOHRA: "Carboxylatocopper(I) complexes" J. INORG. NUCL. CHEM., Bd. 33, 1971, Seiten 1017-1024, XP002347077
C. BIANCHINI, C.A. GHILARDI, A. MELI, S.MIDOLLINI, A. ORLANDINI: "Reactivity of Copper(I) tetrahydroborates toward CO2 and COS. Structure of (triphos)Cu(n1-O2CH)" INORG. CHEM, Bd. 24, Nr. 6, 1985, Seiten 924-931, XP002347078
B. BEGUIN, B. DENISE, R.P.A. SNEEDEN: "Hydrocondensation of CO2. II. Reaction of carbon dioxide and carbon monoxide with [HCuPPh3]" J. OF ORGANOMET. CHEM., Bd. 208, 1981, Seiten C18-C20, XP002347079 in der Anmeldung erwähnt
N. MARSICH, A. CAMUS, G. NARDIN: "Reaction of carbon dioxide with arylcopper(I) complexes containing tertiary phosphines" J. ORGANOMETAL. CHEM., Bd. 239, 1982, Seiten 429-437, XP002347080 in der Anmeldung erwähnt
C. BIANCHINI, C.A. GHILARDI, A. MELLI, S. MIDOLLINI, A. ORLANDINI: "Facile reduction of carbon dioxide, carbonyl sulfide and carbon disulfide by copper(I) borohydride. X-ray crystal structure of the complex [(triphos)Cu(O2CH)]" J. ORGANOMETAL. CHEM., Bd. 248, 1983, Seiten C13-C16, XP002347081 in der Anmeldung erwähnt
MJ. MOUCHE, JL. MERMET, M. ROMAND, M. CHARBONNIER: "Metal-organic chemical vapor deposition of copper using hydrated copper formate as a new precursor" THIN SOLID FILMS, Bd. 262, 1995, Seiten 1-6, XP002347082 in der Anmeldung erwähnt
Attorney, Agent or Firm:
BASF AKTIENGESELLSCHAFT (Ludwigshafen, DE)
Download PDF:
Claims:
Patentansprüche
1. Kupfer (I) formiatkomplexe der allgemeinen Formel LnCu (HCOO) x HCOOH, wobei x eine Zahl von 0 bis 10 ist, n 1,2, 3 oder 4 beträgt und die n Liganden L unabhängig voneinander jeweils einen der folgenden Liganden bedeuten : ein Phosphan der Formel R'R2R3P ; ein Phosphit der Formel (R'O) (R2O) (R3O) P ; ein Isocyanid der Formel R1NC ; ein Alken der allgemeinen Formel R'R2C=CR3R4 ; oder ein Alkin der allgemeinen Formel R'C' CR2 ; wobei R', R2, R3 und R4 unabhängig voneinander Wasserstoff, einen linearen oder verzweigten, wahlweise teilweise oder vollständig fluorierten Alkyl, Ami noalkyl, Alkyoxialkyl, Hydroxialkyl, Phosphinoalkyloder Arylrest mit einem bis 20 Kohlenstoffatomen bedeuten ; ausgenommen TriphenylphosphinoKupfer (I) formiat und 1,1, 1Tris (diphenyl phosphinomethyl) ethanKupfer (I) formiat.
2. Kupfer (I) formiatkomplexe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass n gleich 2 oder 3 ist.
3. Kupfer (I) formiatkomplexe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass L aus der von Trimethylphosphin, Triethylphosphin, Triiso propylphosphin, Trinbutylphosphin, Triisobutylphosphin, Tricyclopen tylphosphin, Trimethoxiphosphin, Triethoxiphosphin, Triisopropoxiphosphin, Tri (2,2, 2Trifluorethoxi) phosphin, isoPropylisocyanid, nButylisocyanid, tert. Butylisocyanid und Cyclohexylisocyanid gebildeten Gruppe gewählt wird.
4. Kupfer (I) formiatkomplexe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass L Trinbutylphosphin ist.
5. Kupfer (I) formiatkomplexe nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass x gleich 1 ist.
6. Verfahren zur Herstellung der in den Ansprüchen 1 bis 5 definierten Kup fer (I) formiatkomplexe durch Umsetzung von Kupfer (I) formiat mit Ligand L und wahlweise Ameisensäure.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass man das Kup fer (I) formiat in einem ersten Schritt aus Kupfer (ll) formiat, metallischem Kupfer und Ameisensäure gewinnt und es vor Zugabe des Liganden L nicht isoliert.
8. Verfahren zur Herstellung der in den Ansprüchen 1 bis 5 definierten Kup fer (I) formiatkomplexe durch Umsetzung eines Kupfer (I) halogenidkomplexes der Formel LnCu (l) X, wobei X ein Halogenid ist und L sowie n die in Anspruch 1 definierten Bedeutungen haben, mit Ameisensäure und anschließend mit ei ner Base.
9. Verfahren zur Abscheidung metallischen Kupfers auf einem Substrat durch Aufbringung eines in den Ansprüchen 1 bis 5 definierten Kupfer (I) formiat komplexes auf das Substrat und thermische Zersetzung des Kupfer (I) formiat komplexes bei einer Temperatur von mindestens 80 °C.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass man den Kup fer (I) formiatkomplex aus der Gasphase abscheidet und gleichzeitig zersetzt.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass man das Substrat mit einer Lösung des Kupfer (I) formiatkomplexes besprüht und diesen gleich zeitig oder anschließend zersetzt.
12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Lösung des Kupfer (I) formiatkomplexes auf ein sich drehendes Substrat aufbringt und den Kupfer (I) formiatkomplex gleichzeitig oder anschließend zersetzt.
Description:
Kupfer (I) formiatkomplexe Beschreibung Die vorliegende Erfindung betrifft Kupfer (I) formiatkomplexe. Kupferkomplexe werden aufgrund ihrer Eigenschaft, unter Abscheidung metallischen Kupfers zu zerfallen, bei- spielsweise zur Abscheidung von Kupferleiterbahnen mittels Abscheidung aus der Gasphase ("chemical vapour deposition", kurz"CVD") oder aus einer Lösung ("Spin- coating"-Verfahren) in der Mikroelektronik verwendet. Derartige Abscheideverfahren können alternativ zum üblichen sogenannten"Sputtern"von Kupfer (ein Verfahren zur "physical vapour deposition", kurz"PVD", bei dem keine Stoffumwandlung stattfindet) oder auch zum Aufbringen von Kupferkeimen, die zu einer verbesserten Abscheidung und Haftung anschließend aufgesputterter Kupferschichten führen, eingesetzt werden.

T. T. Kodas und M. J. Hambden-Smith geben in"The Chemistry of Metal CVD" (Wiley- VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim 1994, ISBN 3-527-29071-0), auf Seiten 239-302 einen Überblick über bekannte CVD-Verfahren zur Abscheidung von Kupfer und über gängige Einsatzstoffe dafür. Dies sind insbesondere Kupfer (ll)-ß-diketonat- Komplexe, Kupfer (l)-ß-diketonat-Komplexe, Kupfer (l)-ß-ketimid-Komplexe, Kupfer (1)-ß- diimid-Komplexe, Kupfer (1)-cyclopentadien-Komplexe und Kupferalkoxide. Am häufigs- ten werden aufgrund ihrer Stabilität, Handhabbarkeit, Verfügbarkeit und ihrem Preis die Diketonate verwendet, deren größter Nachteil ihre vergleichsweise niedrige Kupfer- ausbeute ist, die ohne Einsatz zusätzlicher Reduktionsmittel bei höchstens 50 % liegt.

Ein alternatives Verfahren zur Kupferabscheidung, das sogenannte Spin-coating oder Spin-on-Verfahren, bei dem eine Lösung einer nicht verdampfbaren, aber zersetzlichen Kupferverbindung oder eine Kupferdispersion auf ein sich drehendes Substrat aufge- bracht wird, sich durch die Drehung verteilt, und so ein gleichmäßiger Kupferfilm abge- schieden wird, beschreiben beispielsweise D. K. Sohn, S. C. Park, S. W. Kang und B. T.

Ahn in J. Electrochem. Soc. 144 (1977) 3592-3596.

Es sind allgemein Kupferverbindungen oder Kupferkomplexe mit Carboxylaten oder auch Alkoxilaten bekannt, die auch zur Abscheidung von metallischem Kupfer verwen- det werden können. F. A. Cotton, E. V. Dikarev und M. A. Terukhina beschreiben in In- org. Chem. 39 (2000) 6072-6079 Kupfer (1)- und Kupfer (11)-trifluoracetat. Kupfer (l)- trifluoracetat ist sublimierbar und wäre daher prinzipiell als Einsatzstoff zur CVD geeig- net. E. lljina, A. Korjeva, N. Kuzmina, S. Troyanov, K. Dunaeva und L. Martynenko of- fenbaren in Mater. Sci. Eng. B18 (1993) 234-236 die Darstellung und die Kristallstruk- tur des flüchtigen Kupfer (II) pivalats. S. A. Krupoder, V. S. Danilovich, A. O. Miller und G. G. Furin berichten in J. Fluorine Chem. 73 (1995) 13-15 über die Synthese von und thermogravimetrische Untersuchungen an flüchtigen Kupfer (11) bis (trifluoracetat)- Komplexen. M. E. Gross beschreibt in J. Electrochem. Soc. 138 (8) (1991) 2422-2426 (teil) fluorierte Kupfer (l) alkoxide und vergleicht ihre Flüchtigkeit mit (Cyclopentadie-

nyl) (triethylphosphino) Kupfer (l) und Carbonyl-Kupfer (I) tert. -butoxid sowie dem tech- nisch gängigsten CVD-Einsatzstoff, Bis (hexafluoracetylacetonat) Kupfer (il).

CN 12 40 689 A offenbart die Herstellung außerordentlich feinen Kupferpulvers durch Thermolyse von Carboxylaten. JP 06/184 749 lehrt die Herstellung von Kupferfilmen durch Zersetzung von tert.-Butoxikupfercarbonyl. WO 01/13 426 A1 beschreibt die Verwendung von Kupfer (11)-bis- (2-ethylhexanoat), Kupfer (l I) (2-ethylhexanoat) iso- propoxid und Kupfer (11) (2-ethylhexanoat) methoxiethoxid zur Kupferabscheidung.

DE 41 38 722 A1 offenbart ein Verfahren zur Verdampfung von Kupfer (II) tetramethyl- heptandionat mit Hilfe von Benzylalkohol. EP 976 847 A2 lehrt die Erzeugung eines Kupferfilms aus Kupfer (H) bis (2-ethylhexanoat). DE 39 22 233 A1 beschreibt die Erzeu- gung von Kupfer-Leiterbahnen aus Kupfer (II) carboxylaten durch Laserbestrahlung.

WO 01/94 291 A1 offenbart Kupfer (ii) Komplexe des Typs Cu (OCCF3R'CH2NHR2) 2 mit R' = Wasserstoff, C,-C4-Alkyl oder C-C4-Perfluoralkyl und R2 = C-C6-Alkyl oder C,-C6- Alken, das wahlweise auch durch Fluor, Alkoxi-oder Alkylaminogruppen substituiert sein kann, und ihre Verwendung zur Abscheidung von Kupferfilmen. Die ältere deut- sche Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen DE 10325243.6 (angemeldet am 03.06. 2003) beschreibt die Abscheidung von Kupferschichten auf Substraten durch Inkontaktbringen des Substrats mit einer Verbindung aus Kupfer (11) formiat und Alkoxi- alkylaminen der Formel R'O (CH2) nCHR2NH2, wobei R'Methyl oder Ethyl, R2 Wasser- stoff oder Methyl bedeuten und n für 1,2, 3, oder 4 steht. K. Köhler, J. Eichhorn, F. Meyer und D. Vidovic berichten in Organometallics 22 (2003) 4426-4432 über Di- Kupfer (I) oxalatkomplexe mit Alkin-der Alkenliganden und deren Verwendung zur Kup- ferabscheidung aus Lösung mittels spin-coating oder durch Aufsprühen einer Lösung unter Zersetzung ("aerosol assisted CVD"oder kurz"AACVD").

Es sind auch spezifisch Kupfer (11) formiate und die Abscheidung von metallischem Kup- fer durch Zersetzung solcher Verbindungen bekannt. J. -K Kim, S. -K. Park und C. Lee beschreiben in J. Korean Phys. Soc. 35 (5) (1999) 426-430 die Verwendung von Kup- fer (II)formiat-Tetrahydrat zur Erzeugung von Mikrostrukturen durch laserinduzierte Kupferabscheidung. M. -J. Mouche, J. -L. Mermet, C. Mathon und R. Cimard berichten in Adv. Sci. Technol. (Adv. Inorg. Films and Coatings) 5 (1995) 231-238 wie auch M. -J. Mouche, L. Mermet, M. Romand und M. Charbonnier in Thin Solid Films 262 (1995) 1-6 über die Verwendung von Kupfer (11) formiathydrat als Einsatzstoff für CVD in einem Trägergas. R. Padiyath, M. David und S. V. Babu beschreiben in Metalized Plastics 2 (1991) 113-120 über die Erzeugung von Kupferfilmen aus Kupfer (ii) formiat in einem Wasserstoffplasma. R. Padiyath, J. Seth, S. V. Babu und L. J. Matienzo berichten in J. Appl. Phys. 73 (5) (1993) 2326-2332 über die Abscheidung von Kupfer auf Silizium und die Bildung von Kupfersilizid durch Aufbringung von Kupferformiat und Reduktion in einem Wasserstoffplasma. J. -K. Kim und C. Lee berichteten im Januar 1999 auf der SPIE Conference on Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Manu- facturing IV, San Jose, Kalifornien, USA (vgl. Proceedings SPIE-Int. Soc. Opt. Eng.

3618 (1999) 378-385) über die Erzeugung von Kupferfilmen aus Kupfer (11) formiat durch

Bestrahlung mit einem Argonlaser. EP 1 077 084 A2 offenbart im dortigem Beispiel 24 die Abscheidung von Kupfer auf Mordenit durch thermische Zersetzung von Kupfer- formiat. EP 368 231 A2 beschreibt die Abscheidung von Kupfer durch Thermolyse von Kupfer (ll) formiat auf Harz-Formteilen. Im Verfahren von US 5 141 602 A wird Kupfer durch Zersetzung von Kupfer (ii) formiat mittels Laserbestrahlung abgeschieden und im Verfahren von JP 11/193 461 A wiederum durch thermische Zersetzung.

A. Keller und F. Körösy berichten in Nature 162 (1948) 580-582 über die Zersetzung von Kupfer (I) formiat, das sie als CuHCOO beschreiben und durch vorsichtige Zerset- zung von Kupfer (ll) formiat herstellen, zu Kupfer, Kohlendioxid und Wasserstoff beim Erhitzen auf 105 °C. D. A. Edwards und R. Richards beschreiben in J. Chem. Soc. Dal- ton Trans. 1973,2463-2468 die Synthese von Kupfer (I) formiat durch Umsetzung von Kupfer (11) formiat mit metallischem Kupfer in Ameisensäure. Kupfer (I) formiate sind an- sonsten vor allem in Form ligandenstabilisierter Komplexe bekannt, üblicherweise des Typs LnCu (HCOO), wobei Ln entweder einen mindestens zweizähnigen Liganden L (n = 1) oder (n = 2,3 oder 4) 2,3 oder 4 mindestens einzähnige Liganden L darstellt. B.

Beguin, B. Denise und R. P. A. Sneeden beschreiben in J. Organomet. Chem. 208 (1981) C18-C20 den Kupfer (I) formiatkomplex (PPh3) 2Cu (HCOO), der aus [HCuPPhsje, PPh3 und CO2 hergestellt wird. N. Marisch, A. Camus und G. Nardin berichten in J.

Organomet. Chem. 239 (1982) 429-437 über die Kristallstruktur von (PPh3) 2Cu (HCOO) und seine Pyrolyse bei 200 °C, wobei er im wesentlichen zu Kupfer, CO2 und PPh3 zerfällt. C. Bianchini, C. A. Ghilardi, A. Meli, S. Midollini und A. Orlandini beschreiben in J. Organomet. Chem. 248 (1983) C13-C16 die Synthese und die Struktur von (triphos) Cu (HCOO) mit triphos = 1,1, 1-tris (diphenylphosphinomethyl) ethan. Hergestellt wird dieser Komplex durch Umsetzung von (triphos) Cu (BH) 4 mit COs. G. Doyle, K. A.

Eriksen, M. Modrick und G. Ansell berichten in Organometallics 1 (1982) 1613-1618 über die Synthese des Komplexsalzes [(tmeda) Cu2 (CO) (HCOO)] + [BPh4]- (tmeda = N, N, N', N'-Tetramethylethylendiamin, Ph = Phenyl) aus tmeda, Kupfer (I) oxid, Kohlen- monoxid, Ameisensäure und Natriumtetraphenylboranat. Alle diese Kupfer (I) formiate sind in kleinsten Mengen zu rein wissenschaftlichen Zwecken hergestellte Verbindun- gen, deren Zersetzung zum Zwecke der Kupferabscheidung allein schon aufgrund der umständlichen Herstellung aus wirtschaftlichen Gründen nie in Rede stand.

Es besteht weiterhin Bedarf an Kupferverbindungen, die zur Verwendung als Einsatz- stoff zur Abscheidung von metallischem Kupfer mittels CVD besser geeignet sind als bekannte Verbindungen. Wesentliche Anforderungen sind ein hoher Kupfergehalt, leichte Zugänglichkeit, geringe Kosten, hohe Stabilität bei Handhabung und Lagerung, jedoch leichter Zerfall während der Beschichtung des Substrats, wobei jedoch neben Kupfer keine nicht flüchtigen Verunreinigungen entstehen sollen, da diese auf dem Substrat abgeschieden würden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, derartige Kupferverbindungen und Verfahren zu Ihrer Herstellung und zur Abscheidung von Kup- fer durch ihre Zersetzung zu finden.

Demgemäß wurden Kupfer (I) formiatkomplexe der allgemeinen Formel LnCu (HCOO)-x HCOOH gefunden, wobei x eine Zahl von 0 bis 10 ist, n 1,2, 3 oder 4 beträgt und die n Liganden L unabhängig voneinander jeweils einen der folgenden Liganden bedeuten : - ein Phosphan der Formel R'R2R3P ; - ein Phosphit der Formel (R'O) (R20) (R30) P ; -ein Isocyanid der Formel R1-NC ; - ein Alken der allgemeinen Formel R'R2C=CR3R4 ; oder - ein Alkin der allgemeinen Formel R'C=CR2 ; wobei R1, R2, R3 und R4 unabhängig voneinander Wasserstoff, einen linearen oder verzweigten, wahlweise teilweise oder vollständig fluorierten Alkyl-, Aminoalkyl-, Alkyo- xialkyl-, Hydroxialkyl-, Phosphinoalkyl-oder Arylrest mit einem bis 20 Kohlenstoffato- men bedeuten ; ausgenommen Triphenylphosphin und 1,1, 1-Tris (diphenylphosphinomethyl) ethan.

Ferner wurden Verfahren zur Herstellung dieser erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiat- komplexe gefunden, ein Verfahren zur Herstellung des Ausgangsstoffs Kupfer (I) formiat für eines dieser Verfahren, und Verfahren zur Abscheidung von Kupfer durch Zerset- zung der erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe.

Die erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe haben die allgemeine Formel LnCu (HCOO)-x HCOOH. Derartige Kupfer (I) formiatkomplexe können auch als poly- nukleare Komplexe vorliegen, formal also als Oligomere [LnCu (HCOO) x HCOOH] m, wobei m eine ganze Zahl und mindestens 2 ist. Ob die erfindungsgemäßen Komplexe sich zu polynuklearen Komplexen zusammenlagern, hängt im wesentlichen vom Ligand L ab.

Die Zahl x in der obigen allgemeinen Formel ist eine Zahl, die gleich Null sein kann, jedoch typischerweise im Allgemeinen mindestens 0,1, in bevorzugter Form mindes- tens 0,5 und in besonders bevorzugter Form mindestens 1 sowie im Allgemeinen höchstens 10, in bevorzugter Form höchstens 5 und in besonders bevorzugter Form höchstens 2 beträgt. In ganz besonders bevorzugter Form beträgt x 1 In der allgemeinen Formel bedeutet n 1,2, 3 oder 4. Vorzugsweise bedeutet n 2 oder 3.

L bedeutet einen der folgenden Liganden, die, wenn n größer als 1 ist, unabhängig voneinander gewählt werden :

ein Phosphan der Formel R'R2R3P ; ein Phosphit der Formel (R'O) (R20) (R30) P ; -ein Isocyanid der Formel R'-NC ; -ein Alken der allgemeinen Formel R'R2C=CR3R4 ; oder ein A) kin der aligemeinen Formel R'C=CR2 ; wobei Ri, R2, R3 und R4 jeweils unabhängig voneinander bedeuten : -Wasserstoff oder einen linearen oder verzweigten, wahlweise teilweise oder vollständig fluorier- ten Alkyl-, Aminoalkyl-, Alkoxialkyl-, Hydroxialkyl-, Phosphinoalkyl-oder Aryl- rest mit einem bis 20 Kohlenstoffatomen.

Beispiele derartiger linearer oder verzweigter Alkylreste sind die Methyl-, Ethyl-, n- Propyl-, iso-Propyl-, n-Butyl-, sec.-Butyl-, iso-Butyl-, tert.-Butyl-, und 2-Ethylhexyl- Reste, die isomeren Pentyl-, Hexyl-, Heptyl-, Octyl,-, Nonyl, Decyl-, Undecyl oder Do- decylreste und die cyclischen Alkylreste wie etwa Cyclopropyl-, Cyclobutyl-, Cyclope- tyl-, Cyclohexyl-, Cycloheptyl-, Cyclooctyl-und Bicyclononylreste, die auch Alkylsubsti- tuenten tragen können. Statt mit Wasserstoff können die Kohlenstoffatome auch ande- re Substituenten tragen, beispielsweise Halogensubstituenten, insbesondere Fluor.

Zwei oder mehr der Reste können auch ein geschlossenes Ringsystem bilden, das auch ungesättigt sein kann. Ein Beispiel für einen derartigen Liganden L ist Cyclope- tadienyl, das formal ein Olefin R'R2C=CR3R4 ist.

Beispiele solcher Aminoalkyl-, Alkoxialkyl-, Hydroxialkyl-, und Phosphinoalkylreste sind die mit einer oder mehreren Aminogruppen, Alkylaminogruppen, Alkoxigruppen, Hydroxigruppen, Phosphinoalkyl und/oder Alkylphospinoalkylresten substituierten ge- nannten Alkylreste.

Beispiele solcher Arylreste sind Phenyl-und Naphthylreste, die auch mit den genann- ten Alkyl-, Aminoalkyl-, Alkoxialkyl-, Hydroxialkyl-, und Phosphinoalkylresten substitu- iert sein können.

Vorzugsweise sind die Liganden L unabhängig voneinander jeweils ein Phosphan der Formel R'R2R3P ; ein Phosphit der Formel (R'O) (R20) (R30) P oder ein Isocyanid der Formel R'-NC.

Bevorzugte Reste R" (n = 1,2, oder 3) sind die Methyl-, Ethyl-, iso-Propyl-, n-Butyl-, tert.-Butyl-, Cyclopentyl-und Cyclohexylreste.

Besonders bevorzugte Liganden sind die Trialkylphosphinreste wie Trimethylphosphin, Triethylphosphin, Tri-iso-propylphosphin, Tri-n-butylphosphin, Tri-iso-butylphosphin, Tricyclopentylphosphin, die Trialkylphosphitreste wie Trimethoxiphosphin, Triethoxi- phosphin, Tri-iso-propoxiphosphin und Tri (2,2, 2-Trifluorethoxi) phosphin und die Alkyl- isocyanide wie iso-Propylisocyanid, n-Butylisocyanid, tert.-Butylisocyanid und Cyclohe- xylisocyanid. Tri-n-butylphosphin ist ein ganz besonders bevorzugter Ligand.

Triphenylphosphin und 1,1, 1-Tris (diphenylphosphinomethyl) ethan sind aus der allge- meinen Formel der erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe ausgenommen.

Es wurden drei Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Kup- fer (I) formiatkomplexe gefunden.

Das erste derartige erfindungsgemäße Verfahren geht von Kupfer (I) formiat aus. Ver- fahren zur Herstellung von Kupfer (I) formiat sind bekannt. Kupfer (I) formiat wird dabei in einem trockenen, inerten Lösungsmittel durch Zugabe der gewünschten stöchiometri- schen Menge des oder der Liganden L zu den erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiat- komplexen umgesetzt. Als inertes Lösungsmittel sind alle inerten Lösungsmittel geeig- net. Insbesondere sind aprotische polare Lösungsmittel geeignet. Beispiele geeigneter Lösungsmittel sind Ether wie etwa Diethylether, Dipropylether, Dibutylether, Tetra- hydrofuran, tert-Butylmethylether oder tert.-Butylethylether und halogenierte, insbeson- dere chlorierte Alkanlösungsmittel wie Methylenchlorid und Chloroform. Bevorzugt werden Tetrahydrofuran oder Methylenchlorid verwendet. Zur Durchführung der Um- setzung wird bequemerweise das Kupfer (I) formiat in Lösung oder als Suspension vor- gelegt und eine Lösung von n Moläquivalenten des oder der Liganden unter Rühren zugegeben. Der Kupfer (I) formiatkomplex wird anschließend gewonnen, beispielsweise durch Kristallisation, wahlweise auch durch Entfernen des Lösungsmittels, etwa durch Abdampfen im Vakuum oder durch Kristallisation nach teilweisem Entfernen des Lö- sungsmittels. Komplexe, die nach diesem Verfahren hergestellt werden, enthalten in der Regel keine von Ameisensäure (x = 0), falls gewünscht, kann jedoch eine entspre- chende Menge Ameisensäure bei der Synthese zugesetzt werden.

Es wurde im Rahmen der vorliegenden Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe gefunden, bei dem das wenig stabile ligandenfreie Kupfer (I) formiat nicht isoliert und als Substanz gehandhabt werden muss.

Bei diesem Verfahren wird wasserfreies Kupfer (ll) formiat mit metallischem Kupfer (üb- licherweise in stöchiometrischem Überschuss eingesetzt, beispielsweise als Draht, Dispersion, Granalien oder Folie) und einem Moläquivalent Ameisensäure umgesetzt, wahlweise in einem inerten Lösungsmittel. Als inertes Lösungsmittel sind alle inerten

Lösungsmittel geeignet, insbesondere aprotische polare Lösungsmittel. Beispiele ge- eigneter Lösungsmittel sind Ether wie etwa Diethylether, Dipropylether, Dibutylether, Tetrahydrofuran, tert-Butylmethylether oder tert.-Butylethylether, halogenierte, insbe- sondere chlorierte Alkanlösungsmittel wie Methylenchlorid und Chloroform und Aceto- nitril. Bevorzugt wird Acetonitril verwendet. Die Reaktionsmischung wird reagieren ge- lassen, bis die Umsetzung beendet ist, was im Allgemeinen nach mindestens einer Stunde, vorzugsweise mindestens 2 Stunden und in besonders bevorzugter Form nach mindestens 4 Stunden Reaktionsdauer sowie im Allgemeinen nach höchstens 48 Stunden, vorzugsweise nach höchstens 36 Stunden und in besonders bevorzugter Form nach höchstens 30 Stunden Reaktionsdauer der Fall ist. Anschließend wird der gewünschte Ligand L in der gewünschten stöchiometrischen Menge zugegeben und die Reaktionsmischung bis zum Abschluss der Komplexbildung weiter reagieren gelas- sen. Im Allgemeinen ist die Komplexbildung nach mindestens fünf Minuten, vorzugs- weise mindestens 10 Minuten und in besonders bevorzugter Form nach mindestens 30 Minuten Reaktionsdauer sowie im Allgemeinen nach höchstens 6 Stunden, vorzugs- weise nach höchstens 4 Stunden und in besonders bevorzugter Form nach höchstens 2 Stunden beendet. Anschließend wird der Feststoff (im wesentlichen unumgesetztes Kupfer) abgetrennt, das Lösungsmittel entfernt und so das Produkt gewonnen. Bei die- ser Form der Herstellung der erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe enthält der hergestellte Komplex Ameisensäure, deren Menge sich dem gewählten Liganden L und seinem Anteil n gemäß einstellt.

Ferner können manche der erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe LnC (HCOO), nämlich die, deren Halogenidanaloga, insbesondere Chloridanaloga LnCuX mit X = Halogenid, z. B. Cl, bekannt sind, durch Umsetzung dieser Halogenidkomplexe mit Ameisensäure und einer Base hergestellt werden. Dazu wird der Halogenidkomplex in einem Lösungsmittel mit der gewünschten stöchiometrischen Menge Ameisensäure versetzt. Die stöchiometrische Menge Ameisensäure ist mindestens so hoch wie die Menge des Halogenidkomplexes. Wenn ein Ameisensäure enthaltender erfindungs- gemäßer Kupfer (I) komplex (d. h. mit x > 0) hergestellt werden soll, wird die stöchio- metrische Menge Ameisensäure entsprechend gewählt. Als inertes Lösungsmittel sind insbesondere alle solchen inerten Lösungsmittel geeignet, in denen entweder das aus Base und Halogenid gebildete Nebenprodukt besser löslich ist als der Kup- fer (I) formiatkomplex, oder umgekehrt. Insbesondere sind aprotische polare Lösungs- mittel geeignet. Beispiele geeigneter Lösungsmittel sind Ether wie etwa Diethylether, Dipropylether, Dibutylether, Tetrahydrofuran, tert-Butylmethylether oder tert.- Butylethylether und halogenierte, insbesondere chlorierte Alkanlösungsmittel wie Me- thylenchlorid und Chloroform. Bevorzugt wird ein Ether, insbesondere tert- Butylmethylether verwendet ; in diesen Fällen wird zumeist der Kupfer (I) formiatkomplex besser gelöst als das Nebenprodukt. Im Allgemeinen ist der Austausch des Halogenids gegen Formiat nach mindestens fünf Minuten, vorzugsweise mindestens 10 Minuten und in besonders bevorzugter Form nach mindestens 30 Minuten Reaktionsdauer so-

wie im Allgemeinen nach höchstens 6 Stunden, vorzugsweise nach höchstens 4 Stun- den und in besonders bevorzugter Form nach höchstens 2 Stunden beendet. Das Ha- logenid wird nun durch Zugabe einer Base gefällt. Als Basen eignen sich insbesondere primäre, sekundäre oder tertiäre Amine, beispielsweise und vorzugsweise Triethyl- min. Die Reaktionsmischung wird nach Basenzugabe weiter reagieren gelassen, im Allgemeinen für mindestens eine Stunde, vorzugsweise mindestens 2 Stunden und in besonders bevorzugter Form mindestens 4 Stunden Reaktionsdauer sowie im Allge- meinen höchstens 12 Stunden, vorzugsweise höchstens 8 Stunden und in besonders bevorzugter Form höchstens 6 Stunden. Anschließend werden Produkt und Nebenpro- dukt getrennt. Ist das Produkt im verwendeten Lösungsmittel besser löslich als das Nebenprodukt, wird abfiltriert und anschließend wird das Lösungsmittel entfernt. Der getrocknete Rückstand kann zur weiteren Reinigung in einem Extraktionsmittel aufge- nommen, und dieses anschließend wiederum vom Feststoff befreit werden. Als Extrak- tionsmittel eignen sich alle Lösungsmittel, in denen zwar der erfindungsgemäße Kup- fer (I) formiatkomplex, nicht jedoch das als Nebenprodukt gebildete Umsetzungsprodukt von Halogenwasserstoff mit der Base löslich ist. Insbesondere sind aprotische unpola- re oder wenig polare Lösungsmittel geeignet. Beispiele geeigneter Lösungsmittel sind Alkane oder aromatische Kohlenwasserstoffe wie etwa Pentan, Hexan, Benzin, Petro- leum, Benzol oder Toluol. Bevorzugt wird Hexan verwendet. Das Extraktionsmittel wird im Anschluss an die Entfernung von Feststoffen entfernt und so das Produkt gewon- nen. Ist dagegen das Produkt im gewählten Lösungsmittel schlechter löslich als das Nebenprodukt, wird es abfiltriert, falls nötig nach Einengen des Lösungsmittels.

Auf die gleiche Weise kann auch ligandenfreies Kupfer (I) formiat aus Kupfer (l)- halogenid, insbesondere Kupfer (I) chlorid, durch dessen Umsetzung mit Ameisensäure und einer Base gewonnen werden.

Die Reaktionstemperatur bei diesen Umsetzungen und auch die bei der Entfernung des Lösungsmittels angewandte Temperatur sollte so hoch sein, dass die Umsetzung oder Lösungsmittelentfernung in befriedigender Geschwindigkeit abläuft, jedoch nicht so hoch, dass die Zersetzung des Kupfer (I) formiats beginnt. Im Allgemeinen wird eine Temperatur von mindestens-20 °C, vorzugsweise mindestens 0 °C und in besonders bevorzugter Weise mindestens 10 °C sowie im Allgemeinen höchstens 80 °C, vor- zugsweise höchstens 60 °C und in besonders bevorzugter Weise höchstens 40 °C eingestellt. Es kann meist problemlos bei Raumtemperatur, also im Bereich von 20 °C bis 25 °C gearbeitet werden, die Lösungsmittelentfernung ist gegebenenfalls unter vermindertem Druck durchzuführen, um befriedigende Geschwindigkeiten zu errei- chen.

In allen Fällen werden die Synthesen bevorzugt unter Ausschluss von Luft, insbeson- dere Sauerstoff durchgeführt. Es wird mit üblichen Schutzgastechniken gearbeitet. Als

Schutzgas eignen sich übliche Inertgase, insbesondere Stickstoff oder Argon. Ebenso bevorzugt wird so weit wie möglich in wasserfreier Umgebung gearbeitet.

Die erfindungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexe werden durch bekannte Verfahren wie CVD, AACVD oder spin-coating auf Substrate aufgebracht und dabei oder danach thermisch unter Kupferabscheidung zersetzt. Dabei entstehen geschlossene Kupferfil- me. Bei der AACVD und beim Spin-Coating werden die erfindungsgemäßen Kup- fer (I) formiatkomplexe vorzugsweise in Form einer Lösung in einem inerten Lösungsmit- tel verwendet. Als inertes Lösungsmittel sind alle Lösungsmittel geeignet, in denen sich der verwendete erfindungsgemäße Kupfer (I) formiatkomplex ausreichend löst und die unter den angewendeten Bedingungen auch gegenüber dem Substrat inert sind. Sie sollten auch möglichst leicht verdampfbar und so einfach entfernbar sein. Beispiele geeigneter Lösungsmittel sind polare oder unpolare aprotische Lösungsmittel wie etwa Ether wie Diethylether, Dipropylether, Dibutylether, Tetrahydrofuran, tert-Butylmethyl- ether oder tert.-Butylethylether und halogenierte, insbesondere chlorierte Alkanlö- sungsmittel wie Methylenchlorid und Chloroform, Alkane und aromatische Kohlenwas- serstoffe wie Pentan, Hexan, Benzin, Petroleum, Benzol oder Toluol. Die Konzentration der Lösung an Formiatkomplex wird so gewählt, dass die Viskosität der Lösung eine einfache Handhabung erlaubt und dass gleichmäßige Kupferfilme entstehen. Im All- gemeinen wird eine Lösung verwendet, die mindestens 0,5 Gew.-%, vorzugsweise mindestens 3 Gew. -% und in besonders bevorzugter form mindestens 5 Gew. -% sowie im Allgemeinen höchstens 40 Gew. -%, vorzugsweise höchstens 30 Gew. -% und in besonders bevorzugter Form höchstens 20 Gew. -% des Kupfer (I) formiatkomplexes enthält.

Zur Aufbringung mittels AACVD wird üblicherweise der Komplex oder eine Lösung des Komplexes auf das geheizte Substrat gesprüht oder das besprühte Substrat anschlie- ßend auf Zersetzungstemperatur geheizt. Zur Aufbringung mittels Spin-Coating wird üblicherweise der Komplex oder eine Lösung des Komplexes auf das sich drehende Substrat aufgebracht, so dass durch die Fliehkraft eine gleichmäßige Schicht der Flüs- sigkeit erzeugt wird. Das Substrat wird während des Aufbringens oder anschließend auf die Zersetzungstemperatur geheizt.

Zur Abscheidung einer Kupferschicht auf einem Substrat durch Zersetzung eines erfin- dungsgemäßen Kupfer (I) formiatkomplexes wird das Substrat während der Aufbringung des Komplexes oder unmittelbar danach auf eine Temperatur oberhalb der Zerset- zungstemperatur des Komplexes erwärmt. Im allgemeinen wird auf eine Temperatur von mindestens 80 °C, vorzugsweise mindestens 100 °C und in besonders bevorzug- ter Form mindestens 105 °C sowie im Allgemeinen höchstens 300 °C, vorzugsweise höchstens 280 °C und in besonders bevorzugter Form höchstens 250 °C erwärmt.

Beispiele Beispiel 1 : Herstellung von Kupfer (I) formiat Zu einer Suspension von 1,98 g Kupfer (I) chlorid CuCI (20 mMol) in 40 ml trockenem Methylenchlorid wurde unter Rühren unter Stickstoff innerhalb von 5 Minuten bei Raumtemperatur eine Lösung von 0,92 g Ameisensäure (20 mMol) in 20 ml Methy- lenchlorid gegeben. Nach 10 Minuten wurden 2,02 g wasserfreies Triethylamin (20 mMol) zugegeben. Die Mischung wurde für weitere 4 Stunden gerührt, anschlie- ßend wurde der gebildete blassgrüne Niederschlag aus Kupfer (I) formiat über eine Um- kehrfritte abfiltriert und mit 20 ml Methylenchlorid gewaschen. Die Ausbeute betrug 95 Mol-%.

Beispiel 2 : Herstellung der erfindungsgemäßen Komplexe aus Kupfer (I) formiat und Ligand Eine Lösung von n Äquivalenten des Liganden (1 Äquivalent zu je 8,3 mMol) wurde in 20 ml trockenem Methylenchlorid oder Tetrahydrofuran langsam unter Stickstoff zu einer gerührten Suspension von 8,3 mMol Kupfer (I) formiat in 20 ml Methylenchlorid oder THF gegeben. Nach jeweils etwa einer Stunde war das Kupfer (I) formiat vollstän- dig gelöst. Nach Abziehen des Lösungsmittels im Vakuum erhielt man die Kup- fer (I) formiatkomplexe als farblose Öle oder Feststoffe.

Beispiel 3 : Herstellung der erfindungsgemäßen Komplexe aus Kupfer (I) chlorid- komplexen Eine Lösung von 0,1 Mol eines Kupfer (I) chlorids der Formel LnCuCI in 200 ml Methyl- tert.-butyl-ether wurde bei 0 °C unter Rühren mit 4,6 g (0,1 Mol) Ameisensäure versetzt und für eine Stunde weiter gerührt. Anschließend wurden 10,1 g (0,1 Mol) wasserfreies Triethylamin zugegeben und für 5 Stunden bei Raumtemperatur gerührt. Danach wur- de das Lösungsmittel bei 40 °C im Vakuum entfernt und der feste Rückstand zweimal mit je 100 mi Hexan extrahiert. Die vereinigten Extrakte wurden bei 40 °C im Vakuum vom Hexan befreit und so das Produkt gewonnen.

Beispiel 4 : Herstellung eines erfindungsgemäßen Komplexes ohne Isolierung interme- diär gebildeten Kupfer (I) formiats 1,53 g wasserfreies Kupfer (ll) formiat Cu (HCOO) 2 (10 mMol), 1,6 g 98% ige Ameisen- säure und 2,7 g Kupferfolie wurden für 24 Stunden unter Stickstoff in 60 ml wasserfrei- em Acetonitril gerührt. Dabei bildete sich eine farblose Lösung über unumgesetztem festen Kupfer. 6,65 g Triethoxiphosphan (40 mMol) wurden anschließend tropfenweise zugefügt. Die Reaktionsmischung wurde für eine weitere Stunde gerührt und anschlie-

ßend die Kupferfolie abfiltriert. Das Produkt [(H3CH2CO)3P]2Cu(HCOO)#x HCOOH wird durch Einengen des Filtrats als farblose Flüssigkeit gewonnen.

Die nach diesen Methoden als Beispiele hergestellten Kupfer (I) formiatkomplexe LnCu (HCOO)-x HCOOH sind gemeinsam mit den chemischen Verschiebungen 5 der Phosphinliganden im 31P-NMR, und denjenigen der Formiatkohlenstoffe und-protonen im 3C-NMR-und'H-NMR in der folgenden Tabelle zusammengestellt Tabelle

Ligand L n hergestellt Aggregat-"P-NMR'3C-NMR'H-NMR nach Bsp. zustand ö [ppm] ö [ppm] 5 [ppm] (H3C) 3P 2 2, 3 flüssig-45, 7 166, 7 8,4 (H3CH2C) 3P 2 2, 3 flüssig-12, 2 165, 4 8, 3 3 2,3 flüssig-14, 4 164,3 8,5 [(H3C)2HC]3P 2 2, 3 flüssig 22,1 167, 2 8,3 (H3CH2CH2CH2C) 3P 2 2, 3 flüssig-25 165, 7 8, 4 3 2,3 fest-22 166,8 8,5 [(H3C) 2HCH2C] 3P 2 2, 3 flüssig-28, 5 164, 1 8, 2 (C5H9) 3P 2 2, 3 fest 8, 3 164, 7 8, 2 3 2,3 fest 9,6 165,2 8, 3 (H3C0) 3P 2 2, 3 flüssig 126, 5 167, 3 8, 6 3 2,3 flüssig-126,9 167 8,6 (H3CH2CO) 3P 2 2,3, 4 flüssig 122, 9 166, 6 8, 4 3 2,3 fest 117,9 165,8 8,5 [(H3C) 2HCO] 3P 2 2, 3 fest 117 169 8, 2 3 2,3 fest 121,6 168,5 8,3 (F3CH2CO) 3P 2 2, 3 flüssig 119, 8 159, 5 8, 1 (C6H5)3P 2 2,3 fest -3,3 169,2 8,5 (H3C) 2HC-NC 2 2 fest-140, 5 8, 2 H3CH2CH2CH2C-NC 2 2 fest-140, 5 8, 2 (H3C) 3C-NC 2 2 fest-129 8, 5 H11C6-NC 2 2 flüssig - 152,4 8,6

Beispiel 5 : Thermogravimetrische Untersuchung von [(H3CH2CO) 3P] 2Cu (HCOO) Eine thermogravimetrische Untersuchung des Komplexes [(H3CH2CO)3P]2Cu(HCOO) bestätigte, dass er wie berechnet zu 14,4 Gew. -% aus Kupfer und zu 85,6 Gew.-% aus organischen Bestandteilen besteht und zeigte, dass er beim Erwärmen auf Temperatu- ren von mindestens 150 °C exakt 85,6 % seines ursprünglichen Gewichts verliert. Dies bestätigt, dass der Komplex zu Kupfer und ansonsten unter diesen Bedingungen aus- schließlich gasförmigen sonstigen Zerfallsprodukten zerfällt.

Beispiel 6 : Abscheidung eines Kupferfilms Eine 10 %-ige Lösung von [(H3CH2CO) 3P] 2Cu (HCOO) in Methylenchlorid wurde in ei- nen auf 200 °C geheizten Glaskolben gesprüht. Es entstand ein Kupferfilm auf der In- nenseite des Kolbens.

Beispiel 7 : Abscheidung eines Kupferfilms Die Innenwand eines Glaskolbens wurde mit einer 10 %-igen Lösung von [(H3CH2CO) 3P] 2Cu (HCOO) in Methylenchlorid benetzt. Durch vorsichtiges Verdampfen des Lösungsmittels wurde ein dünner Film des Formiatkomplexes auf der Kolbenin- nenwand erzeugt. Der Kolben wurde anschließend auf 200 °C erhitzt. Es entstand ein Kupferfilm auf der Innenseite des Kolbens.