以下図面を参考にして本発明の好適な実施� ��態を詳細に説明する。
(第1の実施形態)
 図1Aおよび図1Bは、本発明の第1の実施形態� �直流阻止回路1を示す斜視図である。図2は、 直流阻止回路1を示す平面図である。図3は、� ��2の切断面線III-IIIから見た直流阻止回路1の� ��面図であり、図4は、図2の切断面線IV-IVから 見た直流阻止回路1の断面図である。直流阻� �回路1は、直流の電気信号を通さずに、意図� ��る周波数の電気信号を低い伝送損失で通過� ��せる。この直流阻止回路1は、たとえば配線 基板に形成される回路の一部に組み込まれて 直流を阻止する機能を有するが、本実施形態 では理解の容易のために直流阻止回路1のみ� �単独で説明する。図1Aは、直流阻止回路1の� �体を示す斜視図であり、図1Bは、直流阻止回 路1を電気信号の伝送方向Xに垂直に切断した� ��きの直流阻止回路1の斜視図である。
 直流阻止回路1は、誘電体基板2と、導電体� �3と、第1平面線路4と、第2平面線路5と、導波 管6とを含んで構成される。導電体層3は、誘� ��体基板2の一表面2aおよび他表面2bの間に、� �記一表面2aに平行に設けられ、第1の部分3a,� �2の部分3b,および第3の部分3cを含む。第1平面 線路4は、導電体層3の第1の部分3aを含み、導� ��体層3に対して誘電体基板2の一表面2a側に設 けられる。第2平面線路5は、導電体層3の第2� �部分3bを含み、一端が第1平面線路4の一端と� ��予め定める間隔L1をあけ、導電体層3に対し� ��誘電体基板2の一表面2a側に設けられる。導� ��管6は、導電体層3の第3の部分3cを含み、電� �信号の伝送方向Xにおいて一端部が第1平面線 路4の一端部に重なり、かつ他端部が第2平面� ��路5の一端部に重なって、導電体層3に対し� �誘電体基板2の他表面2b側に設けられる。
 誘電体基板2は、複数の誘電体層が積層され て構成され、本実施形態では第1~第4誘電体層 11,12,13,14が、この順に順次積層されて構成さ� ��る。また誘電体基板2は、後述するがセラミ ックグリーンシートを積層し、焼成すること によって形成され、焼成後では、各セラミッ クグリーンシートを明確に区別することはで きないが、各誘電体層は、積層される各セラ ミックシートに対応する部分を示している。
 導電体層3は、導電性を有し、本実施形態で は第3誘電体層13と第4誘電体層14との間に設け られ、第3誘電体層13と第4誘電体層14との間の 全面にわたって形成される。導電体層3は、� �1および第2平面線路4,5の一部として機能する とともに、導波管6の一部としても機能する� �
 第1および第2平面線路4,5は、たとえばスト� �ップ線路、マイクロストリップ線路、スロ� �ト線路およびコプレナ線路などによって実� �され、本実施形態ではマイクロストリップ� �路によって実現される。第1平面線路4は、誘 電体基板2の厚み方向(以下、上下方向Zという )の一表面2a上において伝送方向Xに延びて形� �される第1ストリップ導体15と、いわゆる接� �導体として機能する導電体層3の第1の部分3a� ��、第4誘電体層14の一部とを含んで構成され� ��。また第2平面線路5は、誘電体基板2の上下� ��向Zの一表面2a上において伝送方向Xに延びて 形成される第2ストリップ導体16と、いわゆる 接地導体として機能する導電体層3の第2の部� ��3bと、第4誘電体層の一部とを含んで構成さ� ��る。第1および第2ストリップ導体15,16は、そ れぞれ導電性を有する材料によって形成され 、本実施形態では上下方向Zの一方から見て� �それぞれ導波管6の幅方向Yの中央部を伝送方 向Xに延びて、直線状に配置される。導電体� �3は、接地導体として機能し、たとえば筐体� ��どに電気的に接続されて基準電位と同電位� ��してもよく、また電源回路に電気的に接続� ��れて電源と同電位としてもよい。第1の部分 3aは、導電体層3のうちの第1平面線路4の接地� ��体として機能する部分であり、第2の部分3b� ��、導電体層3のうちの第2平面線路5の接地導� ��として機能する部分である。
 本実施形態の直流阻止回路1は、誘電体基板 2の他表面2bの全面を覆って形成される裏面導 電体層17をさらに含む。この裏面導電体層17� �、導電性を有し、導波管6の一部として機能� ��る。
 本実施形態における導波管6は、積層型導波 管であり、底部用導電体層18と、複数の側壁� ��導体柱19と、複数の遮蔽用導体柱21とを含ん で構成される。底部用導電体層18は、導電体� ��3に平行に設けられる。複数の側壁用導体柱 19は、導電性を有し、導電体層3および底部用 導電体層18の間にわたって形成され、高周波� ��号の伝送方向Xに遮断波長以下の間隔を互い にあけて、伝送方向Xに沿って2列に配列され� ��。複数の遮蔽用導体柱21は、高周波信号の� �送方向Xの一端と他端とにそれぞれ設けられ� ��導電性を有し、導電体層3および底部用導電 体層18の間にわたって形成され、伝送方向Xに 垂直かつ誘電体基板2の厚み方向(上下方向Z)� �垂直な幅方向Yに遮断波長以下の間隔を互い� ��あけて配列される。
 第1~第3誘電体層11,12,13のうちの、導電体層3� ��第3の部分3cと、裏面導電体層17と、複数の� �壁用導体柱19と、遮蔽用導体柱21とで囲まれ� ��部分が、高周波信号の通る導波管6の導波路 22として機能する。伝送方向Xに隣接する側壁 用導体柱19は、互いに遮断周波数以下の間隔� ��あけて配置されるので、複数の側壁用導体� ��19は、導波路22を伝送する高周波信号が導波 管6から外に漏れることを抑制して、高周波� �号を導波路22に閉じこめる。すなわち複数の 側壁用導体柱19は、導波路22を伝送する高周� �信号にとって、伝送方向Xに延びる幅方向Yに 垂直な板状の導電体と同様に機能する。また 同様に遮蔽用導体柱21は、導波路22を伝送す� �高周波信号が、導波管6から外に漏れること� ��抑制して、高周波信号を導波路22に閉じ込� �る。これによって本実施形態の導波管6は、� ��方体形状の矩形導波管と同様に機能する。� ��た遮蔽用導体柱21を設けることによって、� �1および第2平面線路5のいずれか一方から導� �管6に伝送される高周波信号が、第1および第 2平面線路5のいずれか他方に伝送されずに、� ��波管6から漏れてしまうことを抑制すること ができる。これによって、直流阻止回路1を� �送する高周波信号の伝送損失を低減するこ� �ができる。底部用導電体層18は、裏面導電体 層17の一部であって、裏面導電体層17の導波� �22に臨む部分である。また第3の部分3cは、導 電体層3のうちの、導波路22に臨む部分である 。
 側壁用導体柱19および遮蔽用導体柱21は、ど のような形状に形成されてもよく、上下方向 Zに垂直な平面で切った断面が円形状、楕円� �、および多角形状などに形成され、また上� �方向Zの異なる部位で上下方向Zに垂直な断面 で切った断面の形状が互いに異なっていても よく、本実施形態では円柱状に形成される。
 導波路22の上下方向Zの厚みaと、導波路22の� ��方向Yの幅bとは、それぞれ導波路22を通す高 周波信号の遮断周波数と周波数帯域に応じて 設定され、意図するモード、管内波長および 伝送損失で導波路22を通るように設定される� ��導波路22の上下方向Zの厚みaは、導電体層3� �底部用導電体層18との上下方向Zの間隔に相� �し、導波路22の幅方向Yの幅bは、側壁用導体� ��19の幅方向Yの間隔に相当する。
 導波管6は、1または複数の副導電体層23をさ らに含んでもよく、本実施形態では2つの副� �電体層23を含む。2つの副導電体層23のうちの 一方は、第1誘電体層11と第2誘電体層12との間 に設けられ、2つの副導電体層23のうちの他方 は、第2誘電体層12と第3誘電体層13との間に設 けられる。各副導電体層23は、枠状に形成さ� ��る。具体的には各副導電体層23は、上下方� �Zに垂直な仮想平面において導波路22を外囲� �て、互いに隣接する各側壁用導体柱19間およ び隣接する各遮蔽用導体柱21間を接続する。� ��実施形態では各副導電体層23は、帯状であ� �て、各側壁用導体柱19および各遮蔽用導体柱 21がそれぞれ上下方向Zに貫通する。各副導電 体層23は、各側壁用導体柱19および各遮蔽用� �体柱21よりも導波路22に少しだけ突出して形� ��されるとともに、各側壁用導体柱19および� �遮蔽用導体柱21よりも導波路22から離間する� ��きに突出して形成される。
 導波路22を外囲する副導電体層23を設けるこ とによって、導波路22を伝送する高周波信号� ��さらに閉じ込めることができる。これによ� ��て、高周波信号の漏れをより抑制すること� ��でき、さらには、各側壁用導体柱19および� �遮蔽用導体柱21の層間接続ズレを緩衝するこ とができるため製造ばらつきに強い導波路を 形成できる。
 導波管6は、伝送方向Xにおいて一端部が第1� ��面線路4の一端部に重なり、他端部が第2平� �線路5の一端部に重なるように伝送方向Xに延 びて形成される。すなわち上下方向Zの一方� �ら見て第1平面線路4の一部が導波管6の一部� �重なり、第2平面線路5の一部が導波管6の一� �に重なる。第1平面線路4と導波管6とが重な� �部分では、第1平面線路4の一部として機能す る第1の部分3aと、導波管6の一部として機能� �る第3の部分3cとが重なり、また第2平面線路5 と導波管6とが重なる部分では、第2平面線路5 の一部として機能する第2の部分3bと、導波管 6の一部として機能する第3の部分3cとが重な� �。すなわち導電体層3において、第1の部分3a� ��、第2の部分3bと、第3の部分3cとがそれぞれ� ��ならずに独立して配置されている必要はな� ��、本実施形態では第1の部分3aの一部と、第3 の部分3cの一部とが重なり、また第2の部分3b� ��一部と、第3の部分3cの一部とが重なって構� ��されている。
 導電体層3は、伝送方向Xにおいて導波管6と� ��1平面線路4とが重なる部位で、導波管6と第1 平面線路4とが電磁結合し、本実施形態では� �導波管6と第1平面線路4とが重なる部位に、� �み方向に貫通する第1貫通孔24が形成されて� �導波管6と第1平面線路4とが電磁結合する。� �た導電体層3は、伝送方向Xにおいて導波管6� �第2平面線路5とが重なる部位で、導波管6と� �2平面線路5とが電磁結合し、本実施形態では 、導波管6と第2平面線路5とが重なる部位に厚 み方向に貫通する第2貫通孔25が形成され、導 波管6と第2平面線路5とが電磁結合する。第1� �よび第2貫通孔24,25は、第1および第2平面線路 4,5と導波管6とがそれぞれ強く電磁結合する� �状に選ばれる。本実施形態における第1およ� ��第2貫通孔24,25は、幅方向Yに延びて直方体形 状に形成され、上下方向Zの一方から見て、� �方向Yの中央が第1および第2ストリップ導体15 ,16の幅方向Yの中央に一致して形成される。
 以下、誘電体基板2内での意図する周波数の 高周波信号の波長をλaと記載し、導波管6内� �の管内波長の一波長をλgと記載して、直流� �止回路1の寸法について説明する。
 第1平面線路4の一端と第2平面線路5の一端と は、伝送方向Xに予め定める間隔L1をあける。 この予め定める間隔L1は、使用する高周波信� ��の周波数を76.5GHzとし、誘電体基板2の比誘� �率を9.4とすると、30μm以上に選ばれる。この ような間隔に予め定める間隔L1を設定するこ� ��によって、第1平面線路4と第2平面線路5と間 の透過係数を-15dB以上にすることができる。� ��らに予め定める間隔L1を70μm以上に設定する ことによって、第1平面線路4と第2平面線路5� �の間の反射を低減するとともに、透過係数� �-2dB以上にすることができる。
 間隔L1の上限は、直流阻止回路1が設けられ� ��基板の大きさによって定められる。仮に間� ��L1が予め定める間隔よりも短い場合には、� �とえば第1平面線路4を伝送する高周波信号の 一部が、間隔L1の間隙を越えて第2平面線路5� �伝送してしまい、第1および第2平面線路4,5に よる平面線路間の結合が優先されるため、第 1および第2貫通孔24,25との電磁結合が弱まる� �また、間隔L1を越えて伝送した高周波信号と 、導波管6を通って伝送した高周波信号とが� �所望な位相差で重ね合わされることを抑制� �ることができる。
 また上下方向Zの一方から見て、第1平面線� �4において、第1貫通孔24の伝送方向Xの中央に 重なる位置と、一端との間の長さL2は、λa/4� �選ばれる。同様に上下方向Zの一方から見て� ��第2平面線路5において、第2貫通孔25の伝送� �向Xの中央に重なる位置と、一端との間の長� ��L3は、λa/4に選ばれる。すなわち前記長さL2, L3は、電気長の1/4に選ばれる。このように前� ��長さL2,L3の長さが選ばれるので、たとえば� �1平面線路4を伝送方向Xの一方から他方に伝� �する高周波信号が、一端で反射されて第1貫� ��孔24まで戻ってくると、第1貫通孔24での電� �信号の位相が、進行波と反射波とでπ(rad)異� ��り、互いに打ち消しあう。これによって第1 平面線路4を伝送する高周波信号の反射を抑� �することができる。また同様の理由によっ� �第2平面線路5を伝送する高周波信号の反射を 抑制することができる。仮に前述した間隔L1� ��予め定める間隔よりも短い場合には、たと� ��ば第1平面線路4を伝送する電気信号の一部� �、間隔L1の間隙を越えて第2平面線路5に伝送� ��てしまうので、進行波と反射波とが打ち消� ��あって高周波信号の反射を抑制する効果が� ��さくなるが、間隔L1は、前述した予め定め� �間隔以上に選ばれるので、高周波信号が間� �L1の間隙を越えて伝送することを抑制して、 効果的に高周波信号の反射を抑制することが できる。
 第1および第2貫通孔24,25の形状は、導波管6� �第1および第2平面線路4,5とが強く電磁結合す るように選ばれ、第1および第2貫通孔24,25の� �方向Yの幅L4は、本実施形態ではλa/2に選ばれ 、伝送方向Xの幅L5は、0.1×λaに選ばれる。使� ��する電気信号の周波数を76.5GHzとし、誘電体 基板2の比誘電率を9.4とすると、第1および第2 貫通孔24,25の幅方向Yの幅L4は、860μmに選ばれ� ��伝送方向Xの幅L5は、170μmに選ばれる。
 また第1貫通孔24の伝送方向Xの中央と、導波 管6の一端との伝送方向Xの長さL6、および第2� ��通孔25の伝送方向Xの中央と、導波管6の他端 との伝送方向Xの長さL7は、零よりも長く、か つ管内波長の一波長であるλgの半分未満に選 ばれる。本実施形態における長さL6,L7は、そ� ��ぞれλg/4に選ばれる。このように長さL6,L7が λg/4に選ばれるので、第1貫通孔24を通って導� ��路22を伝播する電気信号は、第2貫通孔25付� �で遮蔽用導体柱21によって反射される反射波 と進行波との位相差がπ(rad)となり、打ち消� �あって第1貫通孔24に戻る反射波を低減する� �とができる。同様に第2貫通孔25を通って伝� �する電気信号が反射されて第2貫通孔25に戻� �反射波を低減することができる。
 導波管6は、伝送方向Xの長さが管内波長の� �波長であるλg以上に選ばれる。本実施形態� �おける導波管6の伝送方向Xの長さは、L1+L2+L3+ L6+L7であって、L1+λa/2+λg/2に選ばれる。λaは� �λg以下なので、常に(λa/2+λg/2)≦λgの関係式� ��満たされる。したがって導波管6の伝送方向 Xの長さをλg以上に設定することによって、� �述した長さのL1,L2,L3,L6,L7を満たす導波管6を� �現することができる。
 以下、直流阻止回路1の製造方法について説 明する。まずたとえばアルミナおよびシリカ (SiO ₂ )などの原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を� �加して混合することによって泥漿状の混合� �を用意する。次に、泥漿状の混合物をドク� �ーブレード法およびカレンダーロール法な� �によってシート状のセラミックグリーンシ� �トに成形して、第1~第4誘電体層11,12,13,14用の セラミックグリーンシートを用意する。
 次に第1~第4誘電体層11,12,13,14用のセラミッ� �グリーンシートに金型およびパンチングな� �の打ち抜き加工またはレーザ加工などによ� �て、側壁用導体柱19および遮蔽用導体柱21用� ��貫通孔を形成する。次に、形成した貫通孔� ��メタライズペーストをスクリーン印刷法な� ��の印刷手段によって充填するとともに、導� ��体層3、裏面導電体層17、副導電体層23、第1� ��トリップ導体15および第2ストリップ導体16� �のメタライズペーストを印刷塗布する。
 次にメタライズペーストが印刷塗布された� ��1~第4誘電体層11,12,13,14用のセラミックグリ� �ンシートを積層して、たとえば約1500℃~1800� �の高温で焼成することによって直流阻止回� �1が製作される。
 導電体層3、第1ストリップ導体15、第2スト� �ップ導体16、裏面導電体層17、側壁用導体柱1 9、遮蔽用導体柱21、および副導電体層23は、� ��もにCu(銅)、Ag(銀)、W(タングステン)、Mo(モ� �ブデン)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)お� �びAu(金)などの導電性を有する金属によって� ��成され、さらに具体的には、誘電体基板2が アルミナによって形成される場合には、Wお� �びMoなどの高融点金属材料によって形成され 、誘電体基板2がガラスセラミックスによっ� �形成される場合には、CuおよびAgなどによっ� ��形成される。
 以上説明した本実施形態の直流阻止回路1に よれば、第1貫通孔24を介して、第1平面線路4� ��導波管6とが電磁結合し、第2貫通孔25を介し て、第2平面線路5と導波管6とが電磁結合する 。したがってたとえば第1平面線路4を伝送す� ��電子信号は、第1貫通孔24を通って導波管6に 伝送し、さらに第2貫通孔を通って第2平面線� ��5を伝送する。すなわち導波管6を介して第1� ��面線路4と第2平面線路5とが接続される。
 第1平面線路4と第2平面線路5とは、予め定め る間隔L1があいており、直流成分は、導波管6 を伝送することができないので、第1および� �2平面線路4,5の一方から他方に伝わることな� ��直流阻止回路1で阻止される。また第1およ� �第2貫通孔24,25の形状を調整することによっ� �、第1および第2平面線路4,5と導波管6との接� �部位でのインピーダンスの不整合を小さく� �ることができるので、交流成分が、導波管6� ��介して第1および第2平面線路の一方から他� �に伝わるときの伝送損失を小さくすること� �できる。これによって、伝送損失が低く、� �つ直流成分を除去することができる直流阻� �回路1を実現することができる。また第1およ び第2平面線路4,5ならびに導波管6は、インタ� ��ィジタルキャパシタやギャップ型キャパシ� ��のような直流阻止回路に比べ、マイクロス� ��リップ線路間のリアクタンス成分により伝� ��特性が決まらないため、導波管6と、第1お� �び第2平面線路4,5とがそれぞれ電磁結合する� ��位、すなわち第1および第2貫通孔24,25により 入出力ポートの位置を独立して設定できるた め、回路構成に合わせた入出力位置を設定す ることが可能となる。
 また副導電体層23を設けることによって、� �1~第4誘電体層11,12,13,14用のセラミックグリー ンシートを積層するときに、各層での側壁用 導体柱19および遮蔽用導体柱21用の貫通孔の� �置が互いに少しずれたとしても、副導電体� �23を介して各層の側壁用導体柱19および遮蔽� ��導体柱21を電気的に接続することができ、� �壁用導体柱19および遮蔽用導体柱21によって� ��電体層3と底部用導電体層18とを電気的に接� ��することができる。これによって、セラミ� ��クグリーンシートを積層するときに、各層� ��ずれが生じたとしても、側壁用導体柱19お� �び遮蔽用導体柱21とで導波路22に電気信号を� ��じ込めることができ、伝送損失の低い導波� ��6を実現することができる。
 また導波管6の一端と他端とに遮蔽用導体柱 21を設けることによって、導波管6を伝送する 電気信号が一端および他端から漏れることを 抑制することができる。
 本実施形態ではセラミックグリーンシート� ��積層して導波管6を形成したけれども、たと えば誘電体導波管または中空の導波管を誘電 体基板2に埋め込んでもよい。また誘電体基� �2は、セラミックによって形成されるとした� ��れども、誘電体基板2は、樹脂材料、液晶ポ リマ、および樹脂とセラミックスとの混合物 などによって形成されてもよい。
(第2の実施形態)
 図5は、本発明の第2の実施形態の直流阻止� �路31を示す平面図である。前述の実施形態の 直流阻止回路1では、上下方向Zの一方から見� ��第1平面線路4と第2平面線路5と導波管6とが� �線状に配置されるとしたけれども、直線状� �限らず曲線状に配置されていてもよい。本� �施形態の直流阻止回路31は、前述の実施形態 の直流阻止回路1とほぼ同じ構成なので、対� �する構成については同一の参照符号を付し� �重複する説明を省略する場合がある。
 本実施形態における導波管6は、曲線状に形 成される。具体的にはL字状に形成され、一� �が延びる向きと、他端が延びる向きとが互� �に直角をなす。第1平面線路4は、導波管6の� �端が延びる向きと同じ向きに延びて形成さ� �、第2平面線路5は導波管6の他端が延びる向� �と同じ向きに延びて形成される。すなわち� �1平面線路4が延びる向きと、第2平面線路5が� ��びる向きとが互いに直角をなす。これによ� ��てたとえば第1平面線路4から入力された高� �波信号が、導波管6によって向きを90度変え� �第2平面線路5から出力される。このように上 下方向Zの一方から見て第1平面線路4と第2平� �線路5と導波管6とを曲線状に配置することに よって、高周波信号の伝送する向きを任意に 変えることができる。たとえば導波管6をU字� ��に形成して、第1平面線路4を導波管6の一端� ��延びる向きと同じ向きに形成し、第2平面線 路5を導波管6の他端の延びる向きと同じ向き� ��形成してもよい。このように第1平面線路4� �第2平面線路5とを平行に配置することによっ て、高周波信号の伝送する向きを180度変える ことができる。
 高周波信号の伝送する向きが曲がる部分で� ��伝送損失が高くなるが、導波管6が平面線路 よりも伝送損失が小さい場合には、高周波信 号の伝送する向きが曲がる部分を導波管6で� �成することによって、低い伝送損失で高周� �信号の伝送する向きを変えることができる� �前述したように本実施形態の導波管6は、セ� ��ミックグリーンシートを積層することによ� ��て形成されるので、任意の形状の導波管6を 容易に形成することができる。これによって 、低い伝送損失で高周波信号の伝送する向き を変え、かつ直流を阻止する機能を有する直 流阻止回路1を容易に実現することができる� �
 またさらに第1平面線路4および第2平面線路5 のうちの少なくともいずれか一方を曲線状に 形成しても、高周波信号の伝送する向きを任 意に変えることができる。さらに、導波管分 岐回路や導波管分配回路との融合により、高 周波回路を基板内部に取り込むことが可能に なり、さらなる小型化が可能になる。
(第3の実施形態)
 図6Aおよび図6Bは、本発明の第3の実施形態� �直流阻止回路101を示す斜視図である。図6Aは 、直流阻止回路101の全体を示す斜視図であり 、図6Bは、直流阻止回路101を高周波信号の伝� ��方向Xに垂直に切断したときの直流阻止回路 101の斜視図である。図7は、直流阻止回路101� �示す平面図である。図8は、図7の切断面線VII I-VIIIから見た直流阻止回路101の断面図であり 、図9は、図7の切断面線IX-IXから見た直流阻� �回路101の断面図である。本実施形態の直流� �止回路101は、前述の各実施形態の直流阻止� �路1,31とほぼ同じ構成なので、対応する構成� ��ついては同一の参照符号を付して重複する� ��明を省略する場合がある。
 本実施形態の直流阻止回路101は、前述の各� ��施形態のように、第1平面線路4の一端部4aと 、第2平面線路5の一端部5bとが伝送方向Xに直� ��状に配置されて、互いに伝送方向Xに離間し ているのではなく、第1平面線路4の一端部4a� �、第2平面線路5の一端部5aとが、互いの延び� ��方向(伝送方向X)に垂直で、かつ誘電体基板2 の厚み方向(上下方向Z)に垂直な幅方向Yに相� �に間隔をあけて、互いに平行に配置される� �また第1平面線路4の一端部4a、および第2平面 線路5の一端部5aは、それぞれ互いに対向する ように逆向きに延びて形成され、伝送方向X� �重なって配置される。
 導波管6と第1平面線路4とは、第1および第2� �面線路4,5が互いに延びる方向(伝送方向X)に� �向する部分よりも、第1平面線路4の他端側に おいて導電体層3で電磁結合される。また導� �管6と第2平面線路5とは、第1および第2平面線 路4,5が互いに延びる方向(伝送方向X)に対向す る部分よりも、第2平面線路5の他端側におい� ��導電体層3で電磁結合される。本実施形態で は前述の実施形態と同様に、導波管6と第1平� ��線路4とは、第1貫通孔24で電磁結合され、導 波管6と第2平面線路5とは、第2貫通孔25で電磁 結合される。第1貫通孔24と、第2貫通孔25とは 、互いに伝送方向Xに間隔をあけるとともに� �幅方向Yに対向して平行に延びて形成される� ��
 第1ストリップ導体15は、上下方向Zの一方か ら見て、第2貫通孔24に向けて第1貫通孔24を交 差して伝送方向Xに延び、一端が第2貫通孔25� �重ならないように、第2貫通孔25とは少しだ� �間隔をあけて形成される。また第2ストリッ� ��導体16は、上下方向Zの一方から見て、第1貫 通孔24に向けて第2貫通孔25を交差して伝送方� ��Xに延び、一端が第1貫通孔24に重ならないよ うに、第1貫通孔24とは少しだけ間隔をあけて 形成される。すなわち第1および第2平面線路4 ,5が伝送方向Xに対向する部分は、上下方向Z� �一方から見て、第1貫通孔24と第2貫通孔25と� �間に配置される。このように上下方向Zの一� ��から見て、第1および第2ストリップ導体15,16 は、それぞれ第1および第2貫通孔24,25に重な� �ので、前述したように第1および第2平面線路 4,5は、それぞれ第1および第2貫通孔24,25を介� �て導波管6に電磁結合する。なお第1平面線路 4と導波管6とは、第2貫通孔25を介して強く電� ��結合しなければよいので、第1ストリップ導 体15の一端が、上下方向Zの一方から見て少し だけ第2貫通孔25に重なっていてもよく、同様 に第2ストリップ導体16の一端が、上下方向Z� �一方から見て少しだけ第1貫通孔24に重なっ� �いてもよい。
 上下方向Zの一方から見て、第1平面線路4に� ��いて、第1貫通孔24の伝送方向Xの中央に重な る位置と、一端との間の長さL8は、前述のL2� �同様の理由で、λa/4に選ばれる。また上下方 向Zの一方から見て、第2平面線路5において、 第2貫通孔25の伝送方向Xの中央に重なる位置� �、一端との間の長さL9は、前述のL3と同様の� ��由で、λa/4に選ばれる。
 また第1および第2貫通孔24,25の形状は、導波 管6と第1および第2平面線路4,5とがそれぞれ強 く電磁結合するように選ばれ、第1および第2� ��通孔24,25の幅方向Yの幅L10は、前述のL5と同� �に本実施形態ではλa/2に選ばれ、伝送方向X� �幅L11は、前述のL4と同様に0.1×λaに選ばれる� ��
 また第1貫通孔24の伝送方向Xの中央と、導波 管6の一端との伝送方向Xの長さL12、および第2 貫通孔25の伝送方向Xの中央と、導波管6の他� �との伝送方向Xの長さL13は、零よりも長く、� ��つ管内波長の一波長であるλgの半分未満に� ��ばれ、前述のL6,L7と同様の理由で、それぞ� �λg/4に選ばれる。また第1ストリップ導体15と 第2ストリップ導体16との幅方向Yの間隔L14は� �本実施形態では100μmに選ばれる。また本実� �形態の導波管6の上下方向Zの厚みaは、450μm� �選ばれ、幅方向Yの幅bは、0.75×λgに選ばれる 。
 以上説明した本実施形態の直流阻止回路101� ��よれば、第1貫通孔24を介して、第1平面線路 4と導波管6とが電磁結合し、第2貫通孔25を介� ��て、第2平面線路5と導波管6とが電磁結合す� ��。したがってたとえば第1平面線路4を伝送� �る高周波信号は、第1貫通孔24を通って導波� �6に伝送し、さらに第2貫通孔を通って第2平� �線路5を伝送する。すなわち導波管6を介して 第1平面線路4と第2平面線路5とが接続される� �
 第1平面線路4と第2平面線路5とは、予め定め る間隔L14があいており、直流成分は、導波管 6を伝送することができないので、第1および� ��2平面線路4,5の一方から他方に伝わることな く直流阻止回路101で阻止される。また第1お� �び第2貫通孔24,25の形状を調整することによ� �て、第1および第2平面線路4,5と導波管6との� �続部位でのインピーダンスの不整合を小さ� �することができるので、交流成分が、導波� �6を介して第1および第2平面線路の一方から� �方に伝わるときの伝送損失を小さくするこ� �ができる。これによって、伝送損失が低く� �かつ直流成分を除去することができる直流� �止回路1を実現することができる。また第1お よび第2平面線路4,5ならびに導波管6は、イン� ��ディジタルキャパシタやギャップ型キャパ� ��タのような直流阻止回路に比べ、マイクロ� ��トリップ線路間のリアクタンス成分により� ��送特性が決まらないため、導波管6と、第1� �よび第2平面線路4,5とがそれぞれ電磁結合す� ��部位、すなわち第1および第2貫通孔24,25によ り入出力ポートの位置を独立して設定できる ため、回路構成に合わせた入出力位置を設定 することが可能となる。
 さらに、第1平面線路4の一端部4aと、第2平� �線路5の一端部5aとは、伝送方向Xに対向して� ��けられるので、第1平面線路4の一端と、第2� ��面線路5の一端とが伝送方向Xに間隔をあけ� �前述の各実施形態の直流阻止回路1,31に比べ� ��、第1および第2平面線路4,5が対向する部分� �伝送方向Xの長さ分と、第1および第2平面線� �4,5の各先端間の伝送方向Xの長さL1分とだけ� �直流阻止回路101の伝送方向Xの長さを短くす� ��ことができる。これによって、直流阻止回� ��101の小形化を実現することができる。
(第4の実施形態)
 図10は、本発明の第4の実施形態のハイブリ� ��ド回路装置であるハイブリッドミクサ80を� �式的に示す平面図である。ハイブリッドミ� �サ80は、ラットレース81と、第1~第4接続線路7 6~79と、前述した直流阻止回路1と、第1延在部 82と、第2延在部83と、第1検波素子84と、第2検 波素子85と、出力線路86と、第1バイアス供給� ��路87と、第2バイアス供給線路88とを含んで� �成される。ラットレース81は、複数の端子を 有し、複数の前記端子のうち予め定める端子 から入力される電力を分配して、前記予め定 める端子とは異なる端子から出力する電力分 配器である。本実施形態では、2つの直流阻� �回路1を含み、一方を第1直流阻止回路1Aと記� ��し、他方を第2直流阻止回路1Bと記載する。� ��た第1および第2直流阻止回路1A,1Bにそれぞれ 含まれる第1平面線路4、第2平面線路5、導波� �6、第1ストリップ導体15および第2ストリップ 導体16を区別するために、第1直流阻止回路1A� ��含まれるものには参照符号に添え字Aを付し 、第2直流阻止回路1Bに含まれるものには添え 字Bを付す。
 ラットレース81は、誘電体基板2の一表面2a� �設けられる。ラットレース81は、リング状伝 送線路90、および前記リング状伝送線路90に� �いて周方向の一方向きに順に設けられる第1~ 第5端子91~95とを有する。リング状伝送線路90� ��、入力される電磁波である高周波信号の波� ��をλとし、自然数をnとしたときに、一周の� ��さが3(2n-1)λ/2に設定される。第1~第5端子91~95 は、電磁波を入出力するための端子である。
 リング状伝送線路90は、マイクロストリッ� �ラインによって実現され、円形状および楕� �形状を含む略円形状などに形成され、本実� �形態では円形状に形成される。第1~第5端子91 ~95は、リング状伝送線路90において周方向の� ��方向きにそれぞれこの順に設けられる。第1 および第2端子91,92の間の線路長、第2および� �3端子92,93の間の線路長、第3および第4端子93, 94の間の線路長が、(2n-1)λ/4にそれぞれ選ばれ 、第4および第1端子94,91の間の線路長が、3(2n- 1)λ/4に選ばれる。なお、各端子間の線路長は 2通りあり、一方の線路長をxとすると、他方� ��線路長が、3λ/2-xとなるが、前述の各端子間 の線路長は、短い方の線路長について説明し ている。第4および第5端子94,95の間の線路長� �、mを自然数としたときに(2m-1)λ/4、あるいは (m)λ/2に選ばれる。但し、このときm=nとする� �
 第1~第4接続線路76~79は、誘電体基板2の一表� ��2a上に形成され、誘電体基板2とともにマイ� ��ロストリップラインを形成する。第1接続線 路76の延在方向の一端部は、第1端子91に接続� ��れ、他端部は、第1直流阻止回路1Aの第1平面 線路4Aに接続される。第1直流阻止回路1Aの第2 平面線路5Aは、第2接続線路77の延在方向の一� ��部に接続される。第2接続線路77の延在方向� ��他端部は、図示しない電極に接続される。� ��2接続線路77に接続される電極には、波長λ ₁ の高周波信号が入力されて、第1直流阻止回� �1Aを介して第1端子91に与えられる。
 第3接続線路78の延在方向の一端部は、第3端 子93に接続され、他端部は、第2直流阻止回路 1Bの第1平面線路4Bに接続される。第2直流阻止 回路1Bの第2平面線路5Bは、第4接続線路79の延� ��方向の一端部に接続される。第4接続線路79� ��延在方向の他端部は、図示しない電極に接� ��される。第4接続線路79に接続される電極に� ��、波長λ ₂ の高周波信号が入力されて、第2直流阻止回� �1Bを介して第3端子93に与えられる。誘電体基 板2に設けられる導電体層3は、誘電体基板2の うち、第1直流阻止回路1A,1Bが形成される部分 にのみ形成される。
 前記λは、波長λ ₁ ,λ ₂ のそれぞれに対応する。したがって前述した n、mは、波長λ ₁ ,λ ₂ のそれぞれの場合について、その数値が異な るが、波長λ ₁ 対応するn、mをn ₁ 、m ₁ とし、波長λ ₂ に対応するn、mをn ₂ 、m ₂ とすると、いずれも上記関係式を満たすよう に、リング状伝送線路90の一周の長さ、第1~� �5端子91~95の位置が選ばれる。
 第1延在部82は、第2端子92に接続されて、第2 端子92から外方に延びる。第1延在部82の第2端 子92が接続される端部とは延在方向の反対側� ��端部に、第1検波素子84が接続される。第1検 波素子84は、ダイオードまたはショットキー� ��リアダイオードによって実現される。第1検 波素子84は、アノードが、第1延在部82に接続� ��れ、カソードが、第1検波素子84に電圧を印� ��するための第1バイアス供給線路87に接続さ� ��る。
 第2延在部83は、第4端子94に接続されて、第4 端子94から延びる。第2延在部83の第4端子94が� ��続される端部とは延在方向の反対側の端部� ��、第2検波素子85が接続される。第2検波素子 85は、ダイオードまたはショットキーバリア� ��イオードによって実現される。第2検波素子 85は、カソードが、第2延在部83に接続され、� ��ノードが、第2検波素子85に電圧を印加する� ��めの第2バイアス供給線路88に接続される。
 第1および第2延在部82,83は、誘電体基板2の� �表面2a上に設けられ、誘電体基板2とともに� �イクロストリップラインを形成する。第1お� ��び第2検波素子84,85は、ダイオードまたはシ� ��ットキーバリアダイオードによって実現さ� ��る。第1および第2検波素子84,85、第1および� �2バイアス供給線路87,88は、誘電体基板2の一� ��面2a上に設けられる。
 第1および第2バイアス供給線路87,88の第1ま� �は第2検波素子84,85と接続される端部とは反� �側の端部には、外部の装置と第1および第2バ イアス供給線路87,88とをそれぞれ接続するた� ��に用いられる電極(図示せず)が、誘電体基� �2の一表面2a上で個別に接続される。第1およ� ��第2バイアス供給線路87,88には、扇形状のラ� ��アルスタブ96,97がそれぞれ設けられる。こ� �ラジアルスタブ96,97は、高周波信号の漏洩を 抑制するために設けられる。第1および第2バ� ��アス供給線路87,88にラジアルスタブ96,97を設 ける代わりに、低域通過フィルタをそれぞれ 設けてもよい。
 出力線路86は、第5端子95に接続され、第5端� ��95とは延在方向の反対側の端部にIF信号を装 置の外部に出力するための電極(図示せず)が� ��誘電体基板2の一表面2a上に設けられる。こ� ��電極と第5端子95との間には、高周波信号を� ��断する低域通過フィルタ98が形成される。� �の低域通過フィルタ98は、ラットレース81か� ��出力される高調波信号を遮断するように形� ��される。この低域通過フィルタ98は、伝送� �路において、線路幅が広がって四角形状に� �成される2つの四角部分を含んで構成される� ��本実施形態の他の例では、出力線路86に低� �通過フィルタ98を設ける代わりに、ラジアル スタブを設けてもよい。
 第1~第4接続線路76~79と、ラットレース81、第 1および第2延在部82,83、第1および第2バイアス 供給線路87,88は、おもにCu、Ag、W、Mo、Al、Ni� �よびAuなどの導電性を有する金属によって形 成される。第1直流阻止回路1Aの第1ストリッ� �導体15Aと、第2直流阻止回路1Bの第1ストリッ� ��導体15Bと、ラットレース81と、第1および第2 延在部82,83とは、一体に形成される。
 前述した第1および第2延在部82,83の電気長は 、等しく選ばれるか、nλ/2の長さ分、異なる� ��に選ばれる。第1および第2延在部82,83の電気 長は、等しく選ばれるほうが装置を小形に形 成することができるので望ましい。
 ハイブリッドミクサ80は、たとえば受信機� �用いられ、発振器からのローカル信号(以下� ��LO信号という)と、外部の装置から与えられ� ��受信した受信信号(以下、Rx信号という)とか ら、中間周波数の信号(以下、IF信号という)� �生成して出力する。波長λ ₁ の高調波信号は、LO信号に対応し、波長λ ₂ の高調波信号は、Rx信号に対応する。波長λ1� ��高周波信号の周波数をf ₁ とし、波長λ ₂ の高周波信号の周波数をf ₂ とすると、第5端子95からは、周波数がk×f ₃ のIF信号が出力される。ここでf ₃ =f ₁ -f ₂ であり、第1および第2検波素子84,85の2つの検� ��素子が設けられることによって、kは正の奇 数となる。したがって、第5端子95から出力さ れる高調波信号は、基本周波数の奇数倍の周 波数となるので、低域通過フィルタ98を設計� ��やすくなる。
 ハイブリッドミクサ80では、第1および第2直 流阻止回路1A,1Bを介してラットレース81に高� �波信号が入力されるので、ラットレース81に 直流電圧が入力されてしまうことが阻止され る。したがってハイブリッドミクサ80を、入� ��される信号の直流成分とは非接触に設ける� ��とができる。ハイブリッドミクサ80は、出� �線路86の電極に、セラミックコンデンサに代 表される直流を阻止するための素子が接続さ れて用いられ、ラットレース81および第1およ び第2検波素子84,85を、直流と非接触状態とす ることによって、中間周波数を生成して出力 することができる。
 またラットレース81と、第1および第2直流阻 止回路1A,1Bと、第1および第2延在部82,83と、第 1および第2検波素子84,85と、出力線路86と、第 1および第2バイアス供給線路87,88とは、誘電� �基板2に集積化して設けられるので、ハイブ� ��ッドミクサ80を小形に形成することができ� �。
 ハイブリッドミクサ80は、直流阻止回路1を� ��製する前述した工程において、第1誘電体層 11用のセラミックグリーンシートの表面に、� ��1~第4接続線路76~79、ラットレース81、第1お� �び第2延在部82,83、出力線路86、第1および第2� ��イアス供給線路87,88ならびに第1および第2バ イアス供給線路87,88に接続される電極用のメ� ��ライズペーストを印刷塗布しておき、セラ� ��ックグリーンシートの焼成した後に、第1お よび第2検波素子84,85を実装することによって 作製される。このようにハイブリッドミクサ 80は、セラミックグリーンシートにメタライ� ��ペーストを塗布して形成することができる� ��で、蒸着によって第1~第4接続線路76~79、ラ� �トレース81、第1および第2延在部82,83、出力� �路86、第1および第2バイアス供給線路87,88な� �びに第1および第2バイアス供給線路87,88に接� ��される電極を作製する場合と比較して、製� ��プロセスを簡略化することができ、生産性� ��向上させることができる。
(第5の実施形態)
 図11は、本発明の第5の実施形態のハイブリ� ��ド回路装置であるハイブリッドミクサ100を� ��式的に示す平面図である。ハイブリッドミ� ��サ100は、前述した図10に示すハイブリッド� �クサ80と同様の構成を有し、ハイブリッドミ クサ80に第1および第2整合回路99,102を付加し� �構成であるので、対応する部分には同一の� �照符号を付して、重複する説明を省略する� �
 第1延在部82は、第2端子92に接続されて延び� ��伝送線路103と、第1整合回路99とを含んで構� ��される。伝送線路103の第2端子92に接続され� ��端部とは反対側の端部に第1検波素子84が接� ��される。第2延在部83は、第4端子94に接続さ� ��て延びる伝送線路104と、第2整合回路102とを 含んで構成される。伝送線路104の第4端子94に 接続される端部とは反対側の端部に第2検波� �子85が接続される。
 第1および第2整合回路99,102は、オープンス� �ブであり、第1および第2延在部82,83の電気長� ��調整するために設けられている。第1および 第2整合回路99,102を設けることによって、ハ� �ブリッドミクサ80を形成した後であっても、 第1および第2整合回路99,102の線路長を調整す� ��ことによって、第1および第2延在部82,83の電 気長の調整を行うことができるので、製造に よる特性のばらつきが抑制され、装置の信頼 性を向上させることができ、さらに歩留まり を向上させることができる。
(第6の実施形態)
 図12は、本発明の第6の実施形態のハイブリ� ��ド回路装置であるハイブリッドミクサ110を� ��式的に示す平面図である。ハイブリッドミ� ��サ110は、前述した図10に示すハイブリッド� �クサ80と同様の構成を有するので、対応する 部分には同一の参照符号を付して、重複する 説明を省略する。
 本実施形態では、第1バイアス供給線路87が� ��第1直流阻止回路1Aの第1および第2平面線路4A ,5Bの間を横切って形成される。すなわち、第 1バイアス供給線路87は、第1ストリップ導体15 Aおよび第2ストリップ導体16Aの間を横切って� ��けられている。このように誘電体基板2の一 表面2a上で、第1ストリップ導体15Aおよび第2� �トリップ導体16Aの間を横切って第1バイアス� ��給線路87を引き回すことによって、第1バイ� ��ス供給線路87に電圧を印加するための電極(� ��示せず)の配置の自由度を向上させることが でき、たとえば第1バイアス供給線路87に電圧 を印加するための電極を、ハイブリッドミク サ80にLO信号、Rx信号を入力するための電極、 第2バイアス供給線路88に電圧を印加するため の電極、IF信号を出力するための電極ととも� ��密集して形成するときに、第1バイアス供給 線路87の経路長をできるだけ短く構成するこ� ��ができるようになる。このように本実施形� ��では、前述の実施形態と同様の効果を達成� ��るとともに、第1バイアス供給線路87の電極� ��位置についての設計の自由度を向上させる� ��とができる。
 第1ストリップ導体15Aおよび第2ストリップ� �体16A間において、第2バイアス供給線路88と� �第1ストリップ導体15Aおよび第2ストリップ導 体16Aとの間の距離L17は、第1ストリップ導体15 Aおよび第2ストリップ導体16Aに伝送される高� ��波信号の半波長以上の間隔に選ばれる。
 本実施形態の他の例では、第1バイアス供給 線路87が、第1ストリップ導体15Bおよび第2ス� �リップ導体16Bの間を横切って形成されても� �く、第2バイアス供給線路88が、第1ストリッ� ��導体15Bおよび第2ストリップ導体16Bの間を横 切って形成される構成としてもよい。
(第7の実施形態)
 図13は、本発明の第7の実施形態のハイブリ� ��ド回路装置であるハイブリッドミクサ120を� ��式的に示す平面図である。また図14は、図13 の切断面線XIV-XIVから見た断面図である。ハ� �ブリッドミクサ120は、前述した図11に示すハ イブリッドミクサ100と同様の構成を有するの で、対応する部分には同一の参照符号を付し て、重複する説明を省略する。
 本実施形態では、誘電体基板2は、第1~第4誘 電体層11~14の他に、第5誘電体層131および第6� �電体層132を含んで構成される。第5誘電体層1 31は、底部用導電体層18の厚み方向の他表面� �に積層され、第6誘電体層132は第5誘電体層131 の厚み方向の他表面上に積層して設けられる 。したがって、本実施形態では、第6誘電体� �132の厚み方向の他表面が、誘電体基板2の他� ��面2bとなり、底部用導電体層18は誘電体基板 2に埋め込まれて形成されている。
 また本実施形態では、第1バイアス供給線路 87は、誘電体基板2の一表面2a上で、第1検波素 子84に接続される第1表層配線部分121と、第1� �よび第2ビア122,123と、誘電体基板2の内部に� �成される内層配線部分124と、誘電体基板2の� ��表面2a上に形成される第2表層配線部分125と� ��含んで構成される。
 誘電体基板2には、厚み方向に延びるビアホ ール126,127が形成される。ビアホール126,127は� ��第1~第5誘電体層11~14,131を貫通して形成され� ��それぞれ第1および第2ビア122,123が設けられ� ��。第1表層配線部分121の延在方向で第1検波� �子84が接続される端部とは反対側には、第1� �ア接続部141が形成され、この第1ビア接続部1 41が第1ビア122と接続される。第1ビア122は、� �層配線部分124の延在方向の一端部と接続さ� �、内層配線部分124の延在方向の他端部は、� �2ビア123と接続される。内層配線部分124は、� ��5および第6誘電体層131,132の間に埋め込まれ� ��内層配線部分124は、導波管6の誘電体基板2� �他表面2b側を通るように設けられる。
 また内層配線部分124のうち、導波管6Aに第5� ��電体層131を介して重なる部分は、第1ストリ ップ導体15Aの第2ストリップ導体16Aに臨む端� �を含み、厚み方向に平行な第1仮想一平面133� ��、第2ストリップ導体16Aの第1ストリップ導� �15Aに臨む端面を含み、厚み方向に平行な第2� ��想一平面134との間の領域に設けられる。こ� ��ように内層配線部分124が設けられると、導� ��管6Aがグランドに接続されるので、第1バイ� ��ス供給線路87にバイアス電圧が印加されて� �、第1および第2ストリップ導体15A,16Aとの間� �寄生容量を形成することがなく、第1および� ��2ストリップ導体15A,16Aおよび導波管6Aにおけ る高周波信号の伝送に影響が与えられてしま うことが抑制される。
 第2ビア123は、第2表層配線部分125の延在方� �の一方の端部に形成される第2ビア接続部142� ��接続される。第2表層配線部分125の延在方向 の他方の端部には、第1バイアス供給線路87に 電圧を印加するための電極(図示せず)が接続� ��れる。以上のようなハイブリッドミクサ120� ��おいても、前述したハイブリッドミクサ110� ��同様に、第1バイアス供給線路87に電圧を印� ��するための電極(図示せず)の配置の自由度� �向上させることができ、第1バイアス供給線� ��87の電極の位置についての設計の自由度を� �上させることができる。
 本実施形態の他の例では、第1バイアス供給 線路87が、第1ストリップ導体15Bおよび第2ス� �リップ導体16Bの間を横切って形成されても� �く、第2バイアス供給線路88が、第1ストリッ� ��導体15Bおよび第2ストリップ導体16Bの間を横 切って形成される構成としてもよい。
 本実施形態では、第1バイアス供給線路87が� ��導波管6Aと誘電体基板2の他表面2bとの間を� �るように設けられるが、本実施形態のさら� �他の例では、第1バイアス供給線路87または� �2バイアス供給線路88が、導波管6Bと誘電体基 板2の他表面2bとの間を通るように形成されて もよい。
 また前述した各実施形態のハイブリッドミ� ��サ80,110,120では、直流阻止回路1を用いてい� �が、直流阻止回路1に代えて、前述した直流� ��止回路31,101のいずれを用いてもよい。また� ��イブリッドミクサ80,110,120にアンプなどの半 導体装置から高周波信号を入力する場合には 、直流阻止回路1,31,101を設ける必要があるが� ��アンテナなどの非半導体装置から高周波信� ��を入力する場合には、直流阻止回路1,31,101� �設ける必要はないので、たとえば、第4接続� ��路79がアンテナに直接、または分波器を介� �て接続される場合には、第1直流阻止回路1A� �みを備え、第2直流阻止回路1Bは備えなくて� �、同様の効果を達成することができる。
(第8の実施形態)
 図15は、本発明の第8の実施形態のハイブリ� ��ド回路装置である移相回路装置150の構成を� ��式的に示す図である。本実施形態において� ��前述した実施形態と同様の構成には、同一� ��参照符号を付して重複する説明を省略する� ��
 移相回路装置150は、ブランチライン155と、� ��1~第5接続線路145~149と、第1および第2直流阻� ��回路1A,1Bと、第1および第2延在部156,157と、� �1および第2可変容量素子161,162と、基準電極16 5と、第1および第2バイアス供給線路166,167と� �含んで構成される。ブランチライン155は、� �1~第4端子151~154を有し、電力分配器である。� ��ランチライン155、第1~第4接続線路145~148、第 1および第2延在部156,157と、第1および第2可変� ��量素子161,162と、基準電極165と、第1および� �2バイアス供給線路166,167とは、誘電体基板2� �一表面上に形成される。第1および第2可変容 量素子161,162は、バラクタダイオードなどの� �導体素子、強誘電体素子、圧電素子、MEMS(Mic ro Electro Mechanical Systems)素子を含む電圧制御 可変コンデンサなどによって実現される。
 ブランチライン155は、第1端子151から入力さ れる電磁波、すなわち高周波信号の波長をλ� ��すると、一周の長さが(2n-1)λに形成される� �角状伝送線路169を含む。四角状伝送線路169� �、誘電体基板2とともにマイクロストリップ� ��インを形成し、四角状および丸みを帯びた� ��四角状などに形成され、本実施形態では、� ��角状に形成される。第1~第4端子151~154は、四 角状伝送線路169において周方向の一方向きに それぞれこの順に設けられる。相互に隣接す る各出力端子間の線路長は、(2n-1)λ/4にそれ� �れ選ばれる。本実施形態において記号「n」� ��、数値「1」に選ばれる。第1端子151と、第2� ��子152との間の伝送線路の特性インピーダン� ��をZ1とし、第2端子152と、第3端子153との間の 伝送線路の特性インピーダンスをZ2とし、第3 端子153と、第4端子154との間の伝送線路の特� �インピーダンスをZ3とし、第4端子154と、第1� ��子151との間の伝送線路の特性インピーダン� ��をZ4とすると、四角状伝送線路169は、Z1,Z2,Z3 ,Z4がそれぞれ次式(1)の関係を満たすように形 成される。
 このような構成のブランチライン155では、� ��1端子151から波長λの高周波信号が入力され� ��と、入力された高周波信号が第2端子152と第 3端子153とに分配されて出力され、第4端子154� ��らは出力されない。また、第2端子152から出 力される高周波信号の位相と、第3端子153か� �出力される高周波信号の位相とは、π/2(rad)� �なる。
 第1接続線路145の延在方向の一端部は、第1� �子151に接続され、他端部は、第1直流阻止回� ��1Aの第1平面線路4Aに接続される。第1直流阻� ��回路1Aの第2平面線路5Aは、第2接続線路146の� ��在方向の一端部に接続される。第2接続線路 146の延在方向の他端部は、図示しない電極に 接続される。第2接続線路146に接続される電� �には、波長λの高周波信号が入力されて、第 1直流阻止回路1Aを介して第1端子151に与えら� �る。
 また第3接続線路147の延在方向の一端部は、 第4端子154に接続される。第3接続線路147の延� ��方向の他端部は、第2直流阻止回路1Bの第1平 面線路4Bに接続される。第2直流阻止回路1Bの� ��2平面線路5Bは、第4接続線路148の延在方向の 一端部に接続される。第4接続線路148の延在� �向の他端部は、図示しない電極に接続され� �。誘電体基板2に設けられる導電体層3は、誘 電体基板2のうち、第1直流阻止回路1A,1Bが形� �される部分にのみ形成される。
 第1延在部156は、第2端子152に接続される。� �1延在部156の第2端子152が接続される端部とは 延在方向の反対側の端部に、第1可変容量素� �161が接続される。第1および第2可変容量素子 161,162は、本実施形態では、バラクタダイオ� �ドによって実現され、アノードが、第1延在� ��156に接続され、カソードが、第1可変容量素 子161に電圧を印加するための第1バイアス供� �線路166に接続される。
 第2延在部157は、第3端子153に接続される。� �2延在部156の第3端子153が接続される端部とは 延在方向の反対側の端部に、第2可変容量素� �162が接続される。第2可変容量素子162は、本� ��施形態では、バラクタダイオードによって� ��現され、アノードが、第2延在部157に接続さ れ、カソードが、第2可変容量素子162に電圧� �印加するための第2バイアス供給線路167に接� ��される。
 第1および第2バイアス供給線路166,167の第1ま たは第2可変容量素子161,162と接続される端部� ��は反対側の端部には、外部の装置と第1およ び第2バイアス供給線路166,167とをそれぞれ接� ��するために用いられる電極(図示せず)が、� �電体基板2の一表面2a上で個別に接続される� �第1および第2バイアス供給線路166,167には、� �形状のラジアルスタブ171,172がそれぞれ設け� ��れる。このラジアルスタブ171,172は、高周波 信号の漏洩を抑制するために設けられる。第 1および第2バイアス供給線路166,167にラジアル スタブ171,172を設ける代わりに、低域通過フ� �ルタをそれぞれ設けてもよい。
 また第1および第2可変容量素子161,162に印加� ��れる電圧の基準電圧を定めるための基準電� ��165は、第1接続線路145の第1直流阻止回路1Aと 第1端子151との間から分岐して延び、端部に� �極パッド176が形成される。電極パッド176と� �1接続線路145との間には、高周波信号を遮断� ��る低域通過フィルタ38が形成される。
 第1延在部156は、第1端子151を通って第2端子1 52から入力される高周波信号を反射するスタ� ��として機能するように形成される。また第2 延在部157は、第1端子151を通って第3端子153か� ��入力される高周波信号を反射するスタブと� ��て機能するように形成される。
 第1延在部156の線路長は、第2延在部157の線� �長と略等しい長さ、またはnλ/2の長さ分、異 なるように選ばれる。これによって第1延在� �27および第2延在部28によってそれぞれ反射さ れて第4端子154で合流する高周波信号の位相� �等しくなり、第1端子151から入力された高周� ��信号が、第4端子154から出力される。このよ うに設計された移相回路装置150を用いると、 反射波の位相変化を生じさせる第1および第2� ��変容量素子161,162を用いても、第1端子151か� �入力された電磁波を、第4端子154から出力さ� ��ることができる。
 第1および第2延在部156,157のインピーダンス� ��、第1および第2バイアス供給線路166,167に印� ��する電圧に応じて変化するので、第1および 第2バイアス供給線路166,167に印加する電圧を� ��整することによって、移相回路装置150を通� ��する高周波信号の位相の変化量を調整する� ��とができる。
 以上のような移相回路装置150では、第1直流 阻止回路1Aを介してブランチライン155に高周� ��信号が入力されるので、ブランチライン155� ��直流電圧が入力されてしまうことが阻止さ� ��る。したがってブランチライン155を、入力� ��れる信号の直流成分とは非接触に設けるこ� ��ができ、第1および第2可変容量素子161,162に� ��入力される高周波信号によって直流電圧が� ��加されることが抑制されるので、ブランチ� ��イン155によって、精度よく電力を分配させ� ��ことができ、すなわち精度よく位相を変化� ��せることができる。また、ブランチライン1 55は、出力ラインに第2直流阻止回路1Bが設け� ��れるので、後段の信号処理回路などからの� ��流と非接触状態とすることができ、さらに� ��度のよい位相調整を行うことができる。ま� ��前述した移相回路装置150では、直流阻止回� ��1を用いているが、直流阻止回路1に代えて� �前述した直流阻止回路31,101のいずれを用い� �もよい。
 また前述したハイブリッド回路装置は、前� ��した直流阻止回路と電力分配器としてのラ� ��トレースまたはブランチラインとを組み合� ��せて構成されているが、本発明の他の実施� ��態において、前述した直流阻止回路と接続� ��れる電力分配器は、方向性結合器、マジッ� ��Tまたはサーキュレータによって実現されて もよい。方向性結合器、マジックTまたはサ� �キュレータの入力部および出力部の少なく� �もいずれか一方に前述した直流阻止回路を� �続することによって、電力分配器を直流と� �接触とすることができ、精度のよい電力の� �配を行うことができるようになる。
(第9の実施形態)
 図16は、本発明の第9の実施形態の送信器41� �構成を示す模式図である。送信器41は、高周 波信号を発生する高周波発振器43と、高周波� ��振器43に接続され、高周波発振器43からの高 周波信号を伝送する伝送線路44と、高周波信� ��が導波管6を通るように、伝送線路44に挿入� ��れる図1に示す前述の実施形態の直流阻止回 路1と、伝送線路44に接続され、高周波信号を 放射する送信用アンテナ45とを含んで構成さ� ��る。本実施形態における送信器41は、図1に� ��す直流阻止回路1を備えるが、該直流阻止回 路1に限らずに、前述の各実施形態の直流阻� �回路のうちのいずれか1つを用いてもよい。
 高周波発振器43は、ガンダイオードを利用� �たガン発振器、またはインパットダイオー� �を利用したインパット発振器またはFET(Field  Effect Transistor)などのトランジスタを利用し� �発振器として機能するMMICなどを含んで構成� ��れ、高周波信号を発生する。高周波発振器4 3は、たとえば直流阻止回路1が形成される誘� ��体基板2と同じ基板上に設けられる電子部品 配置台に実装される。以下、基板のうちの直 流阻止回路1が設けられる部分に限らずに、� �周波発振器43が実装されて、回路が形成され る基板全体を誘電体基板2という。
 伝送線路44は、たとえばたとえばストリッ� �線路、マイクロストリップ線路、スロット� �路およびコプレナ線路などの平面線路およ� �ボンディングワイヤなどによって実現され� �。伝送線路44を構成する平面線路は、たとえ ば誘電体基板2に形成される。本実施形態に� �ける高周波発振器43と平面線路との接続は、 たとえばボンディングワイヤによって実現さ れる。
 直流阻止回路1は、伝送線路44に挿入される� ��具体的には直流阻止回路1に対して高周波発 振器43側の伝送線路44に第1平面線路4が接続さ れ、直流阻止回路1に対して送信用アンテナ45 側の伝送線路44に第2平面線路5が接続される� �伝送線路44を構成する平面線路が、第1平面� �路4および第2平面線路5と同じ種類の平面線� �であれば、伝送線路44は、第1平面線路4およ� ��第2平面線路5とそれぞれ一体に形成される� �このように直流阻止回路1を挿入することに� ��って、高周波発振器43が発生した高周波信� �が、導波管6を伝送するように構成される。
 送信用アンテナ45は、ホーンアンテナおよ� �スロットアンテナなどによって実現される� �送信用アンテナ45は、誘電体基板2に形成さ� �てもよく、また誘電体基板2に取り付けられ� ��もよい。
 高周波発振器43が発生した高周波信号は、� �送線路44および直流阻止回路1を伝播して送� �用アンテナ45に与えられ、電波として放射さ れる。
 以上説明した本実施形態の送信器41によれ� �、直流阻止回路1が発振器と送信用アンテナ4 5とを接続する伝送線路44に挿入される。この 直流阻止回路1は、前述したように直流電圧� �阻止することができる。したがって、直流� �止回路1に対して送信用アンテナ45側の伝送� �路44に直流の電圧が印加されたとしても、こ の直流電圧が直流阻止回路1によって遮断さ� �て高周波発振器43に伝わることを抑制するこ とができる。このように高周波発振器43に不� ��望な電圧が印加されることを抑制すること� ��できる。これによって、高周波発振器43が� �化したり、故障したりすることを抑制して� �安定した強度の高周波信号を発生する送信� �41を実現することができる。
(第10の実施形態)
 図17は、本発明の第10の実施形態の受信器51� ��構成を示す模式図である。受信器51は、高� �波信号を捕捉する受信用アンテナ52と、受信 用アンテナ52に接続され、受信用アンテナ52� �よって捕捉される高周波信号を伝送する伝� �線路44と、高周波信号が導波管6を通るよう� �、伝送線路44に挿入される図1に示す前述の� �施形態の直流阻止回路1と、伝送線路44に接� �され、伝送線路44に伝送される高周波信号を 検波する高周波検波器53とを含んで構成され� ��。本実施形態における受信器51は、図1に示� ��直流阻止回路1を備えるが、該直流阻止回路 1に限らずに、前述の各実施形態の直流阻止� �路のうちのいずれか1つを用いてもよい。本� ��施形態の受信器51は、前述した送信器41にお ける高周波発振器43を高周波検波器53に置換� �、かつ送信用アンテナ45を受信用アンテナ52� ��置換した構成である。ここで送信用アンテ� ��45と受信用アンテナ52とは、名称が異なるが 、同じ構成のアンテナを用いてもよい。
 受信用アンテナ52によって捕捉した高周波� �号は、伝送線路44および直流阻止回路1を伝� �して高周波検波器53によって検波される。
 以上説明した本実施形態の受信器51によれ� �、直流阻止回路1が高周波検波器53と受信用� �ンテナ52とを接続する伝送線路44に挿入され� ��。この直流阻止回路1は、前述したように直 流電圧を阻止することができる。したがって 、直流阻止回路1に対して受信用アンテナ52側 の伝送線路44に直流の電圧が印加されたとし� ��も、この直流電圧が直流阻止回路1によって 遮断されて高周波検波器53に伝わることを抑� ��することができる。このように高周波検波� ��53に不所望な電圧が印加されることを抑制� �ることができる。これによって、高周波検� �器53が劣化したり、故障したりすることを抑 制して、安定した検波能力を有する受信器51� ��実現することができる。
(第11の実施形態)
 図18は、本発明の第11の実施形態のレーダ装 置60の構成を示す模式図である。レーダ装置6 0は、送受信器61と、送受信器61からの中間周� ��信号に基づいて、送受信器61から探知対象� �までの距離を検出する距離検出器71とを含ん で構成される。
 送受信器61は、高周波信号を発生する前述� �高周波発振器43と、第1伝送線路63と、分岐器 64と、第2伝送線路65と、分波器66と、第3伝送� ��路67と、送受信用アンテナ62と、第4伝送線� �68と、第5伝送線路69と、ミクサ70と、図1に示 す前述の直流阻止回路1とを含んで構成され� �。第1伝送線路63は、高周波発振器43に接続さ れ、高周波信号を伝送する。分岐器64は、第1 、第2および第3端子64a,64b,64cを有し、第1端子6 4aが第1伝送線路63に接続され、第1端子64aに与 えられる高周波信号を第2端子64bまたは第3端� ��64cに選択的に出力する。第2伝送線路65は、� ��2端子64bに接続され、第2端子64bから与えら� �る高周波信号を伝送する。分波器66は、第4� �第5および第6端子66a,66b,66cを有し、第2伝送線 路65を介して第4端子66aに与えられる高周波信 号を第5端子66bに出力し、かつ第5端子66bに与� ��られる高周波信号を第6端子66cに出力する。 第3伝送線路67は、第5端子66bに接続され、第5� ��子66bから出力される高周波信号を伝送し、� ��5端子66bに高周波信号を伝送する。送受信用 アンテナ62は、第3伝送線路67に接続され、高� ��波信号を放射および捕捉する。第4伝送線路 68は、第3端子64cに接続され、第3端子64cから� �力される高周波信号を伝送する。第5伝送線� ��69は、第6端子66cに接続され、第6端子66cから 出力される高周波信号を伝送する。ミクサ70� ��、第4および第5伝送線路68,69に接続され、第 4および第5伝送線路68,69から与えられる高周� �信号を混合して中間周波信号を出力する。� �流阻止回路1は、高周波信号が導波管6を通る ように、第1伝送線路63に挿入される。本実施 形態における送受信器61は、図1に示す直流阻 止回路1を備えるが、該直流阻止回路1に限ら� ��に、前述の各実施形態の直流阻止回路のう� ��のいずれか1つを用いてもよい。
 第1~第5伝送線路63,65,67,68,69は、前述の伝送� �路44と同様に構成され、たとえば誘電体基板 2に形成される。また直流阻止回路1は、前述� ��た伝送線路44に挿入されるのと同様に、第1� ��送線路63に挿入される。また高周波発振器43 は、前述の高周波発振器43と同様の構成なの� ��、重複する説明を省略する。
 分岐器(切替器)64は、第1端子64aに与えられ� �高周波信号を、第2端子64bおよび第3端子64cに 選択的に出力する。分岐器64は、たとえば高� ��波スイッチ素子によって実現される。分岐� ��64には、図示しない制御部から制御信号が� �えられ、制御信号に基づいて第1端子64aおよ� ��第2端子64b、または第1端子64aおよび第3端子6 4cを選択的に接続する。
 レーダ装置60は、パルスレーダによって実� �される。前記制御部は、第1端子64aおよび第2 端子64bを接続して、パルス状の高周波信号を 第2端子64bから出力させた後、第1端子64aおよ� ��第3端子64cを接続して、高周波信号を第3端� �64cから出力させる。レーダ装置60は、発振器 に電圧制御型発振器を用いたFM-CWレーダによ� ��て実現してもよく、またたとえば、2周波CW� ��ーダ、FMパルスレーダまたはスペクトル拡� �レーダによって実現してもよい。
 分波器66は、第4端子66aに与えられる高周波� ��号を第5端子66bに出力し、第5端子66bに与え� �れる高周波信号を第6端子66cに出力する。分� ��器66は、高周波スイッチ素子、ハイブリッ� �回路またはサーキュレータによって実現さ� �る。ハイブリッド回路は、たとえば方向性� �合器、ブランチライン、マジックTまたはラ� ��トレースなどによって実現される。
 高周波発振器43で発生した高周波信号は、� �1伝送線路63および直流阻止回路1を通過して� ��分岐器64、第2伝送線路65、分波器66ならびに 第3伝送線路67を介して送受信用アンテナ62に� ��えられ、送受信用アンテナ62から電波とし� �放射される。また、高周波発振器43で発生し た高周波信号は、第1伝送線路63を通過して、 分岐器64ならびに第4伝送線路68を介してミク� ��70にローカル信号として与えられる。
 送受信用アンテナ62によって外部から到来� �る電波を受信すると、送受信用アンテナ62は 電波に基づく高周波信号を第3伝送線路67に与 え、分波器66、第5伝送線路69を介してミクサ7 0に与えられる。
 ミクサ70は、第4および第5伝送線路68,69から� ��えられる高周波信号を混合して中間周波信� ��を出力する。ミクサ70から出力される中間� �波信号は、距離検出器71に与えられる。
 距離検出器71は、前述した高周波検波器53を 含んで構成され、送受信用アンテナ62から放� ��され、測定対象物によって反射された電波( エコー)を受信して得られる前記中間周波信� �に基づいて、測定対象物までの距離を算出� �る。距離検出器71は、たとえばマイクロコン ピュータによって実現される。
 このようにして、第1伝送線路63に直流阻止� ��路1が挿入された送受信器61を有するレーダ� ��置60が実現される。
 以上説明した送受信器61およびレーダ装置60 によれば、直流阻止回路1が第1伝送線路63に� �入される。この直流阻止回路1は、前述した� ��うに直流電圧を阻止することができる。し� ��がって、直流阻止回路1に対して分岐器64側� ��第1伝送線路63に直流の電圧が印加されたと� ��ても、この直流電圧が直流阻止回路1によっ て遮断されて高周波発振器43に伝わることを� ��制することができる。このように高周波発� ��器43に不所望な電圧が印加されることを抑� �することができる。これによって、高周波� �振器43が劣化したり、故障したりすることを 抑制して、安定した強度の高周波信号を発生 する送受信器61およびレーダ装置60を実現す� �ことができる。
 本実施形態では、第1伝送線路63に直流阻止� ��路1が挿入されるとしたけれども、直流阻止 回路1は、第1~第5伝送線路63,65,67,68,69のうちの 少なくともいずれかに挿入されればよい。こ の直流阻止回路1によって直流電圧が遮断さ� �るので、直流阻止回路1に接続される電子部� ��に不所望な電圧が印加されることを抑制す� ��ことができ、電子部品が劣化したり、故障� ��たりすることを抑制することができる送受� ��器61およびレーダ装置60が実現される。
 また本実施形態の送受信器およびレーダ装� ��の他の例として、本実施形態の送受信器61� �よびレーダ装置60におけるミクサ70を、前述� ��た第4~第7の実施形態のうちのいずれかのハ� ��ブリッド回路装置であるハイブリッドミク� ��80,100,110,120によって実現してもよい。この� �合、第2接続線路77が第4伝送線路68に接続さ� �、第4接続線路79が第5伝送線路69に接続され� �第4および第5伝送線路68,69から与えられる高� ��波信号を混合して、ハイブリッドミクサ80,1 00,110,120が中間周波信号を出力する。これに� �って、中間周波数信号が与えられる電子部� �である距離検出器71に不所望な電圧が印加さ れることを抑制することができ、距離検出器 71が劣化したり、故障したりすることを抑制� ��ることができ、信頼性の高い送受信器およ� ��レーダ装置を実現することができる。
(第12の実施形態)
 図19は、本発明の第12の実施形態のレーダ装 置74の構成を示す模式図である。レーダ装置7 4は、送受信器75と、送受信器75からの中間周� ��信号に基づいて、送受信器75から探知対象� �までの距離を検出する距離検出器71とを含ん で構成される。本実施形態のレーダ装置74に� ��いて、図12に示す前述の実施形態のレーダ� �置60の対応する構成については同一の符号を 付して説明を省略する場合がある。
 送受信器75は、高周波信号を発生する高周� �発振器43と、第1伝送線路63と、分岐器64と、� ��2伝送線路65と、送信用アンテナ45と、受信� �アンテナ52と、第3伝送線路67と、第4伝送線� �68と、ミクサ70と、図1に示す前述の実施形態 の直流阻止回路1とを含んで構成される。第1� ��送線路63は、高周波発振器43に接続され、高 周波信号を伝送する。分岐器64は、第1、第2� �よび第3端子64a,64b,64cを有し、第1端子64aが第1 伝送線路63に接続され、第1端子64aに与えられ る高周波信号を第2端子64bまたは第3端子64cに� ��択的に出力する。第2伝送線路65は、第2端子 64bに接続され、第2端子64bから与えられる高� �波信号を伝送する。送信用アンテナ45は、第 2伝送線路65に接続され、高周波信号を放射す る。受信用アンテナ52は、高周波信号を捕捉� ��る。第3伝送線路67は、受信用アンテナ52に� �続され、捕捉した高周波信号を伝送する。� �4伝送線路68は、第3端子64cに接続され、第3端 子64cから出力される高周波信号を伝送する。 ミクサ70は、第3および第4伝送線路67,68に接続 され、第3および第4伝送線路67,68から与えら� �る高周波信号を混合して中間周波信号を出� �する。直流阻止回路1は、高周波信号が導波� ��6を通るように、第1伝送線路63に挿入される 。本実施形態における送受信器75は、図1に示 す直流阻止回路1を備えるが、該直流阻止回� �1に限らずに、前述の各実施形態の直流阻止� ��路のうちのいずれか1つを用いてもよい。
 高周波発振器43で発生した高周波信号は、� �1伝送線路63および直流阻止回路1を通過して� ��分岐器64、および第2伝送線路65を介して送� �用アンテナ45に与えられ、送信用アンテナ45� ��ら電波として放射される。また、高周波発� ��器43で発生した高周波信号は、第1伝送線路6 3を通過して、分岐器64ならびに第4伝送線路68 を介してミクサ70にローカル信号として与え� ��れる。
 受信用アンテナ52によって外部から到来す� �電波を受信すると、受信用アンテナ52は電波 に基づく高周波信号を第3伝送線路67に与え、 ミクサ70に与えられる。
 ミクサ70は、第3および第4伝送線路67,68から� ��えられる高周波信号を混合して中間周波信� ��を出力する。ミクサ70から出力される中間� �波信号は、距離検出器71に与えられる。
 このようにして、第1伝送線路63に直流阻止� ��路1が挿入された送受信器75を有するレーダ� ��置74が実現される。
 以上説明した送受信器75およびレーダ装置74 によれば、直流阻止回路1が第1伝送線路63に� �入される。この直流阻止回路1は、前述した� ��うに直流電圧を阻止することができる。し� ��がって、直流阻止回路1に対して分岐器64側� ��第1伝送線路63に直流の電圧が印加されたと� ��ても、この直流電圧が直流阻止回路1によっ て遮断されて高周波発振器43に伝わることを� ��制することができる。このように高周波発� ��器43に不所望な電圧が印加されることを抑� �することができる。これによって、高周波� �振器43が劣化したり、故障したりすることを 抑制して、安定した強度の高周波信号を発生 する送受信器75およびレーダ装置74を実現す� �ことができる送受信器75およびレーダ装置74� ��ある。
 本実施形態では、第1伝送線路63に直流阻止� ��路1が挿入されるとしたけれども、直流阻止 回路1は、第1~第4伝送線路63,65,67,68のうちの少 なくともいずれかに挿入されればよい。この 直流阻止回路1によって直流電圧が遮断され� �ので、直流阻止回路1に接続される電子部品� ��不所望な電圧が印加されることを抑制する� ��とができ、電子部品が劣化したり、故障し� ��りすることを抑制する送受信器75およびレ� �ダ装置74を実現することができる。
 また本実施形態の送受信器およびレーダ装� ��の他の例として、本実施形態の送受信器75� �よびレーダ装置74におけるミクサ70を、前述� ��た第4~第7の実施形態のうちのいずれかのハ� ��ブリッド回路装置であるハイブリッドミク� ��80,100,110,120によって実現してもよい。この� �合、第2接続線路77が第4伝送線路68に接続さ� �、第4接続線路79が第3伝送線路67に接続され� �第3および第4伝送線路67,68から与えられる高� ��波信号を混合して、ハイブリッドミクサ80,1 00,110,120が中間周波信号を出力する。これに� �って、中間周波数信号が与えられる電子部� �である距離検出器71に不所望な電圧が印加さ れることを抑制することができ、距離検出器 71が劣化したり、故障したりすることを抑制� ��ることができ、信頼性の高い送受信器およ� ��レーダ装置を実現することができる。
 また本発明の他の実施形態として、前述の� ��9~第12の実施形態送信器41、受信器51、送受� �器61,75およびレーダ装置60,74における直流阻� ��回路1に代えて、前述した第8の実施形態の� �相回路装置150を設ける構成としてもよい。� �相回路装置150が設けられることによって、� �信器としては、たとえば高周波発振器を接� �するためのボンディングワイヤやバンプの� �状ばらつきや伝送線路の配線幅のばらつき� �どによって伝送線路に起因して発生する位� �のずれを個々に調整して整合をとることが� �き、安定な発振特性を持つとともに、挿入� �失が小さく抑えられるために高い送信出力� �持つ送信器および送受信器を実現すること� �できる。また受信器としては、安定な検波� �性を持つとともに、挿入損失が小さく抑え� �れるために高い検波出力を持つ受信器およ� �送受信器を実現することができる。またミ� �サ70によって生成される中間周波数信号の信 頼性を向上させることができる。したがって 、信頼性の高い送信器、受信機および送受信 器ならびにレーダ装置を実現することができ る。
 なお、本発明は前述の実施形態に限定され� ��ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない� ��囲において種々の変更、改良などが可能で� ��る。たとえば、本実施形態のさらに他の例� ��送受信器およびレーダ装置では、前述の送� ��信器61,75およびレーダ装置60,74において、分 岐器64を、前述した直流阻止回路と方向性結� ��器と備えるハイブリッド回路装置によって� ��現してもよく、分波器66を、前述した直流� �止回路とサーキュレータとを備えるによっ� �実現してもよい。
 本発明は、その精神または主要な特徴から� ��脱することなく、他のいろいろな形態で実� ��できる。したがって、前述の実施形態はあ� ��ゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範� ��は特許請求の範囲に示すものであって、明� ��書本文には何ら拘束されない。さらに、特� ��請求の範囲に属する変形や変更は全て本発� ��の範囲内のものである。