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Title:
CUTTER COMPOSITE COATING, CUTTER, AND METHOD FOR PREPARING CUTTER COMPOSITE COATING
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2018/112910
Kind Code:
A1
Abstract:
A cutter composite coating, a cutter, and a method for preparing a cutter composite coating, applicable to the technical field of drilling tools. The cutter composite coating comprises a core layer (3) and a top layer (4). The core layer (3) is a MeAlX composite layer and has a thickness of 0.1 to 10 μm, and the top layer (4) is a tetrahedral amorphous carbon film layer and has a thickness of 0.01 to 10 μm, wherein Me represents at least one of metallic elements such as Ti, Cr, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zr and a nonmetallic element, Si, X represents one or two or three of N, C and B, and the atomic ratio of Al content in MeAlX satisfies 0.30≤Al/(Al+Me)≤0.80. The cutter comprises a cutter substrate and the cutter composite coating. The method for preparing a cutter composite coating is used for preparing the cutter composite coating. The present invention can decrease the drill bit breakage rate, improve the service life of a cutter by 4 to 10 times, can ensure drilling quality, and reduce production costs.

Inventors:
CHEN CHENG (CN)
QU JIANGUO (CN)
LUO CHUNFENG (CN)
Application Number:
PCT/CN2016/111780
Publication Date:
June 28, 2018
Filing Date:
December 23, 2016
Export Citation:
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Assignee:
SHENZHEN JINZHOU PRECISION TECH CORPORATION (CN)
International Classes:
C23C14/06; C23C28/00
Foreign References:
US20010024737A12001-09-27
CN101781748A2010-07-21
CN1390667A2003-01-15
CN101062602A2007-10-31
CN101444985A2009-06-03
Attorney, Agent or Firm:
SHENZHEN YOUTH PATENT AND TRADEMARK AGENCY LTD. (CN)
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Claims:
权利要求书

[权利要求 1] 1.一种刀具复合涂层, 其特征在于, 包括核心层和顶层; 所述核心层 是 MeAlX复合层且厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述顶层为四面体非晶碳膜层 且厚度 0.01至 ΙΟμηι; 其中 Me代表 Ti、 Cr、 V、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu 、 Zr以及非金属元素 Si中的至少一种, X代表 N、 C、 B中的一种或两 种或三种, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80

[权利要求 2] 2.如权利要求 1所述的一种刀具复合涂层, 其特征在于, 所述刀具复 合涂层还包括至少一层中间层, 所述中间层包括打底层和过渡层中的 任意一层, 或者, 所述中间层包括层叠设置的打底层和过渡层; 所述 打底层为 Me层且厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层为 MeX层且厚度为 0 .01至 15μηι。

[权利要求 3] 3.如权利要求 1所述的一种刀具复合涂层, 其特征在于, 所述四面体 非晶碳膜层由为 C元素组成的四面体非晶碳膜层, 由 40%至 90%的 sp3 键碳原子为骨架构成。

[权利要求 4] 一种刀具, 其特征在于, 所述刀具包括刀具基体, 所述刀具基体的部 分表面或全部表面设置有如权利要求 1或 2或 3所述的一种刀具复合涂 层。

[权利要求 5] —种刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 包括以下步骤:

(1) 制备核心层: 将所述刀具要放入物理气相沉积设备, 于刀具上 沉积形成 MeAlX核心层并得到半成品, 其中, 所述 Me代表 Ti、 Cr、 V 、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zr以及非金属元素 Si中的至少一种, X代 表N、 C、 B中的一种或两种或三种, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比 满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80;

(2) 制备四面体非晶碳膜层: 将所述半成品放入物理气相沉积设备 中, 于所述核心层上沉积四面体非晶碳膜层。

6.如权利要求 5所述的刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 在制 备所述核心层之前, 所述制备方法还包括以下步骤:

(1) 制备打底层: 将刀具基体放入电弧离子镀设备中, 采用电弧离 子镀技术在刀具基体表面沉积由 Me形成的打底层, 得到第一半成品

(2) 制备过渡层: 在电弧离子镀设备中, 通入含 N、 C、 B中至少一 种元素的气体, 电弧离子镀设备所用靶材为 Me靶材, 采用电弧离子 镀技术在所述第一半成品的打底层上沉积形成 MeX过渡层并得到第二 半成品, 其中, 所述 X代表 N、 C、 B中的一种或两种或三种。

7.如权利要求 6所述的刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 所述 打底层的厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层的厚度为 0.01至 15μηι; 所 述核心层的厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述四面体非晶碳膜层的厚度为 0.01 至 10μηι。

8.如权利要求 6所述的刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 在制 备打底层的步骤中, 当真空达到 5.0xl0-3Pa, 幵启强流金属蒸汽真空 电弧离子源, 进行 Me离子注入, Me离子注入到刀具基体的表面以下 ; 再通过电弧离子镀技术在第一半成品的表面沉积 Me过渡层, 电弧 离子镀的弧电流 50至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10% 至 80%。

9.如权利要求 6所述的刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 在制 备过渡层步骤中, 通入含 N、 C、 B中至少一种元素的气体, 采用电弧 离子镀技术在打底层上沉积 MeX过渡层, 所用靶材为纯金属 Me靶材

, 气体的流量为 50至 500sccm, 电弧离子镀的弧电流 50至 100A, 脉冲 偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10%至 80%。

10.如权利要求 5所述的刀具复合涂层的制备方法, 其特征在于, 在制 备核心层步骤中, 所述物理气相沉积设备中纯金属靶材或者合金靶材 电流为 5至 10Α, 离子源功率为 1.0至 3.0Kw, Ar气体流量为 50至 300scc m, 含N、 C、 B中至少一种元素的气体流量 50至 300sccm, 脉冲负偏 压峰值 -50至 -200V, 占空比 10%至 80<¾。

Description:
说明书 发明名称:一种刀具复合涂层、 刀具和刀具复合涂层的制备方法 技术领域

[0001] 本发明属于钻孔工具技术领域, 尤其涉及一种刀具复合涂层、 刀具和刀具复合 涂层的制备方法。

背景技术

[0002] 随着印制电路板企业的发展, 特别是在整个经济增速放缓的情况下, 各个企业 求, 如增加微型 PCB刀具的加工孔数, 提升微型 PCB刀具加工的板材厚度等。 但 是印制电路板加工存在较大的难题, 首先印制电路板中含有大量的树脂和增强 材料, 印制电路板的硬度和强度高, 普通的微型 PCB刀具在加工印制电路板的过 程中磨损速度快, 磨损量大, PCB刀具的寿命短; 其次, 微型 PCB刀具加工印制 电路板吋, 切屑容易堵塞在 PCB刀具的排屑槽内, 造成排尘不良, 会严重降低印 制电路板的孔壁质量; 再次, 印制电路板中含有铜箔, PCB微型 PCB刀具加工印 制电路板吋, 铜屑易粘在 PCB微型 PCB刀具的刃口上, 在刃口形成积屑瘤, 也会 严重降低 PCB微型 PCB刀具加工印制电路板的质量。 由于未涂层 PCB刀具提升幅 度有限, 急需将涂层材料运用到 PCB微型 PCB刀具上, 以大幅度提升 PCB微型 PC B刀具的加工性能。

[0003] 为了提高 PCB微型 PCB刀具的寿命及其加工印制电路板的质量, 国内外很多企 业都对微型 PCB刀具进行表面改性处理, 如化学气相沉积 (CVD) 和物理气相 沉积 (PVD) 等, 同吋该技术已经广泛运用在钢铁等金属加工上 , 可以提升未 涂层 PCB刀具的寿命达 2倍以上。 然而将这些方法直接转移到微型 PCB刀具吋, 存在较多问题。 首先将常规 PCB刀具涂层工艺直接转移到微型 PCB刀具吋, 制备 出的涂层与微型 PCB刀具基体的结合力低, 涂层易脱落而失去了保护作用; 其次 微型 PCB刀具刃径极小, 在微型 PCB刀具上制备涂层吋, 刃口容易出现尖端放电 , 造成刃口严重烧伤。 再次涂层表面液滴多, 表面摩擦系数高, 在加工 PCB板材 吋, 容易出现排尘不良, 刃口粘铜等问题, 钻孔质量欠佳, 刀具使用寿命短。 技术问题 [0004] 本发明的目的在于克服上述现有技术的不足, 提供了一种刀具复合涂层、 刀具 和刀具复合涂层的制备方法, 其既能大大减少钻头加工的断针率, 又能将钻头 的使用寿命提高至 4至 10倍, 同吋可保证钻孔质量, 大幅度提升 PCB的加工效率 , 降低生产成本

问题的解决方案

技术解决方案

[0005] 本发明的技术方案是: 一种刀具复合涂层, 包括核心层和顶层; 所述核心层是 MeAlX复合层且厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述顶层为四面体非晶碳膜层且厚度 0.01至 1 Ομηΐ; 其中 Me代表 Ti、 Cr、 V、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zr等金属元素以及非金 属元素 Si中的至少一种, X代表 N、 C、 B中的一种或两种或三种, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80。

[0006] 可选地, 所述刀具复合涂层还包括至少一层中间层, 所述中间层包括打底层和 过渡层中的任意一层, 或者, 所述中间层包括层叠设置的打底层和过渡层; 所 述打底层为 Me层且厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层为 MeX层且厚度为 0.01至 15μ m°

[0007] 可选地, 所述四面体非晶碳膜层由为 C元素组成的四面体非晶碳膜层, 由 40% 至 90%的 sp3键碳原子为骨架构成。

[0008] 本发明还提供了一种刀具, 所述刀具包括刀具基体, 所述刀具基体的部分表面 或全部表面设置有上述的刀具复合涂层。

[0009] 本发明还提供了一种刀具复合涂层的制备方法 , 包括以下步骤:

[0010] (1) 制备核心层: 将所述刀具要放入物理气相沉积设备, 于刀具上沉积形成 MeAlX核心层并得到半成品, 其中, 所述 Me代表 Al、 Ti、 Cr、 V、 Mn、 Fe、 Co 、 Ni、 Cu、 Zr等金属元素以及非金属元素 Si中的至少一种, X代表 N、 C、 B中的 一种或两种或三种, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80。

[0011] (2) 制备四面体非晶碳膜层: 将所述半成品放入物理气相设备中, 于所述核 心层上沉积四面体非晶碳膜层。

[0012] 可选地, 在制备所述核心层之前, 所述制备方法还包括以下步骤: [0013] (1) 制备打底层: 将刀具基体放入电弧离子镀设备中, 采用电弧离子镀技术 在刀具基体表面沉积由 Me形成的打底层, 得到第一半成品;

[0014] (2) 制备过渡层: 在电弧离子镀设备中, 通入含 N、 C、 B中至少一种元素的 气体, 电弧离子镀设备所用靶材为 Me靶材, 采用电弧离子镀技术在所述第一半 成品的打底层上沉积形成 MeX过渡层并得到第二半成品, 其中, 所述 X代表 N、 C、 B中的一种或两种或三种。

[0015] 可选地, 所述打底层的厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层的厚度为 0.01至 15μηι ; 所述核心层的厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述四面体非晶碳膜层的厚度为 0.01至 10μηι。

[0016] 可选地, 在制备打底层的步骤中, 当真空达到 5.0xl0-3Pa, 幵启强流金属蒸汽 真空电弧离子源, 进行 Me离子注入, Me离子注入到刀具基体的表面以下; 再通 过电弧离子镀技术在第一半成品的表面沉积 Me过渡层, 电弧离子镀的弧电流 50 至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10%至 80%。

[0017] 可选地, 在制备过渡层步骤中, 通入含 N、 C、 B中至少一种元素的气体, 采用 电弧离子镀技术在打底层上沉积 MeX过渡层, 所用靶材为纯金属 Me靶材, 气体 的流量为 50至 500sccm, 电弧离子镀的弧电流 50至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -50 0 V, 占空比 10%至 80%。

[0018] 可选地, 在制备核心层步骤中, 所述所述物理气相沉积设备中纯金属靶材或者 合金靶材电流为 5至 10Α, 离子源功率为 1.0至 3.0Kw, Ar气体流量为 50至 300sccm , 含N、 C、 B中至少一种元素的气体流量 50至 300sccm, 脉冲负偏压峰值 -50至 -2 00V, 占空比 10%至 80<¾。

发明的有益效果

有益效果

[0019] 本发明所提供的一种刀具复合涂层、 刀具和刀具复合涂层的制备方法, 其通过 在硬质合金微型刀具的钻身表面沉积出硬度高 、 摩擦系数低、 结合力好、 耐高 温性好的多层纳米复合涂层, 可以保证微钻在高速加工普通 FR-4、 无卤素、 HT G、 柔性板以及封装基板等 PCB材料吋, 既能大大减少断针率, 又能将微钻的使 用寿命提高至 4至 10倍, 同吋可保证钻孔质量, 大幅度提升 PCB的加工效率, 降 低生产成本。 对附图的简要说明

附图说明

[0020] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案 , 下面将对实施例中所需要使用 的附图作简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实 施例, 对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动的前提下, 还可以 根据这些附图获得其他的附图。

[0021] 图 1是本发明实施例提供的刀具复合涂层的平面 意图;

[0022] 图 2是本发明实施例提供的刀具复合涂层中四面 非晶碳膜层的纳米硬度随压 入深度的变化曲线图;

[0023] 图 3是本发明实施例提供的刀具复合涂层中核心 (MeAlX涂层) 的纳米硬度 随压入深度的变化曲线图;

[0024] 图 4是本发明实施例提供的刀具复合涂层中四面 非晶碳膜层的拉曼光谱分析 图。

本发明的实施方式

[0025] 为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白, 以下结合附图及实施例 , 对本发明进行进一步详细说明。 应当理解, 此处所描述的具体实施例仅仅用 以解释本发明, 并不用于限定本发明。

[0026] 需要说明的是, 当元件被称为 "固定于"或"设置于"另一个元件, 它可以直接在 另一个元件上或者可能同吋存在居中元件。 当一个元件被称为是 "连接于"另一个 元件, 它可以是直接连接到另一个元件或者可能同吋 存在居中元件。

[0027] 还需要说明的是, 本发明实施例中的左、 右、 上、 下等方位用语, 仅是互为相 对概念或是以产品的正常使用状态为参考的, 而不应该认为是具有限制性的。

[0028] 如图 1所示, 本发明实施例提供的一种刀具复合涂层, 包括核心层 3和顶层 4; 所述核心层 3是 MeAlX复合层且厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述顶层 4为四面体非晶碳膜 层且厚度 0.01至 ΙΟμηι; 其中 Me代表 Ti、 Cr、 V、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zr等金 属元素以及非金属元素 Si中的至少一种, X代表 N、 C、 B中的一种或两种或三种 , 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80。 [0029] 优选地, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.40≤A1/(A1+Me)≤0.75。

[0030] 更优选地, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.45≤A1/(A1+Me)≤0.75。

[0031] 本实施例中, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比满足 0.50≤A1/(A1+Me)≤0.70。

[0032] 具体地, 所述刀具复合涂层还包括至少一层中间层, 所述中间层包括打底层 1 和过渡层 2中的任意一层, 即打底层 1和过渡层 2均可以直接沉积于刀具基体, 或 者, 所述中间层包括层叠设置的打底层 1和过渡层 2, 即可以包括打底层 1-过渡层 2-打底层 1-过渡层 2依次层叠的结构。

[0033] 具体地, 所述打底层 1为 Me层且厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层 2为 MeX层且 厚度为 0.01至 15μηι。

[0034] 优选地, 打底层 1的厚度可为 0.05至 ΙΟμηι, 例如, 0.1至 10μηι。

[0035] 优选地, 过渡层 2的厚度可为 0.05至 ΙΟμηι, 例如, 0.1至 10μηι。

[0036] 具体地, 所述四面体非晶碳膜层由为 C元素组成的四面体非晶碳膜层 (ta-c结构 的类金刚石), 由 40%至 90%的 sp3键碳原子为骨架构成。

[0037] 具体地, 四面体非晶碳膜层 ( Ta-C) 的 拉曼光谱分析图, 如图 4。

[0038] 通过拉曼光谱分析, 确定 Ta-C膜的 ID和 IG值, ID表示 Diamond峰强度, 波数在 1300至 1400 (例如 1340或左右) ; IG表示 Graphite峰强度, 波数在 1500至 1600 ( 例如 1580或左右) 。 ID峰的强度在一定程度上代表着 Sp3键的含量。 拟合方法采 用高斯函数拟合, 峰与横坐标的面积代表 sp2或者 sp3键成分含量。

[0039] 通过在硬质合金微型刀具的钻身表面沉积出硬 度高、 摩擦系数低、 结合力好、 耐高温性好的多层纳米复合涂层, 涂层不易脱落, 可以保证微钻在高速加工普 通 FR-4、 无卤素、 HTG、 柔性板以及封装基板等 PCB材料吋, 既能大大减少断 针率, 又能将刀具的使用寿命提高至 4至 10倍, 同吋可保证钻孔质量, 刃口不会 出现尖端放电的现象, 排尘良好, 刃口不易粘铜, 大幅度提升 PCB的加工效率, 降低生产成本。

[0040] 本发明实施例还提供了一种刀具, 其特征在于, 所述刀具包括刀具基体, 刀具 基体可为陶瓷基体或金属基体, 刀具基体的刃径可以为 0.02至 0.5mm。 所述刀具 基体的部分表面或全部表面设置有上述的刀具 复合涂层。

[0041] 本发明实施例还提供了一种刀具复合涂层的制 备方法, 包括以下步骤: [0042] (1) 制备核心层 3: 将所述刀具要放入物理气相沉积设备 (高频脉冲磁控溅射 设备) , 于所述刀具上沉积形成 MeAlX核心层 3并得到半成品, 其中, 所述 Me代 表 Ti、 Cr、 V、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zr等金属元素以及非金属元素 Si中的至 少一种, X代表 N、 C、 B中的一种或两种或三种, 所述 MeAlX中 A1含量的原子比 满足 0.30≤A1/(A1+Me)≤0.80。

[0043] (2) 制备四面体非晶碳膜层: 将所述半成品放入物理气相设备中, 于所述核 心层 3上沉积四面体非晶碳膜层; 其中所述物理气相设备中碳靶电流可为 10至 50 A, 脉冲负偏压峰值可为 -50至 -200V, 占空比可为 30%至 50%。

[0044] 具体地, 在制备所述核心层 3之前, 所述制备方法还包括以下步骤:

[0045] (1) 制备打底层 1 : 将刀具基体放入电弧离子镀设备中, 采用电弧离子镀技术 在刀具基体表面沉积由 Me形成的打底层 1, 得到第一半成品;

[0046] (2) 制备过渡层 2: 在电弧离子镀设备中, 通入含 N、 C、 B中至少一种元素的 气体, 电弧离子镀设备所用靶材为 Me靶材, 采用电弧离子镀技术在所述第一半 成品的打底层 1上沉积形成 MeX过渡层 2并得到第二半成品, 其中, 所述 X代表 N 、 C、 B中的一种或两种或三种。 再在过渡层 2上制备核心层 3。

[0047] 具体地, 所述打底层 1的厚度为 0.01至 ΙΟμηι; 所述过渡层 2的厚度为 0.01至 15μηι ; 所述核心层 3的厚度为 0.1至 ΙΟμηι; 所述四面体非晶碳膜层的厚度为 0.01至 10μ m。

[0048] 具体地, 在制备打底层 1的步骤中, 当真空达到 5.0xl0-3Pa, 幵启强流金属蒸汽 真空电弧离子源, 进行 Me离子注入, Me离子注入到刀具基体的表面以下; 再通 过电弧离子镀技术在第一半成品的表面沉积 Me过渡层, 电弧离子镀的弧电流 50 至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10%至 80%。

[0049] 具体地, 在制备过渡层 2步骤中, 通入含 N、 C、 B中至少一种元素的气体, 采 用电弧离子镀技术在打底层上沉积 MeX过渡层 2, 所用靶材为纯金属 Me靶材, 气 体的流量为 50至 500sccm, 电弧离子镀的弧电流 50至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至- 500 V, 占空比 10%至 80%。

[0050] 具体地, 在制备核心层 3步骤中, 所述物理气相沉积设备中纯金属靶材或者合 金靶材电流为 5至 10Α, 离子源功率为 1.0至 3.0Kw, Ar气体流量为 50至 300sccm , 含N、 C、 B中至少一种元素的气体流量 50至 300sccm, 脉冲负偏压峰值 -50至 -2

00V, 占空比 10%至 80<¾。

[0051] 具体地, 制备所述制备打底层 1前, 对所述刀具基体进行喷砂钝化处理, 再采 用超声波清洗机清洗喷砂后的刀具基体, 并装夹在复合涂层设备中, 将温度设 定为 300至 500°C进行加热烘烤。

[0052] 具体制备流程可以参考如下:

[0053] 本发明制备技术方案是:

[0054] (1) 对微型 PCB刀具的硬质合金基体 (刀具基体) 表面进行喷砂钝化处理, 去除 PCB刀具表面的杂质和刃口毛刺等。

[0055] (2) 采用超声波清洗机清洗喷砂后的刀具基体, 并装夹在复合涂层设备中, 将温度设定为 300至 500°C进行加热烘烤。

[0056] (3) 当真空达到 5.0xl0-3Pa, 幵启强流金属蒸汽真空电弧离子源 (MEVVA源

) , 进行 Me离子注入, 这些离子在高达五千伏至八千伏的电场下, 注入到待加 工的微型 PCB刀具工件的表面, 并扎根在硬质合金表面下一定深度, 可以显著提 升涂层与基体的结合力。

[0057] (4) 采用电弧离子镀技术在微型 PCB刀具表面沉积 Me金属打底层 1, 电弧离子 镀的弧电流 50至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10%至 80%。

[0058] (5) 通入 CH4、 N2混合气体, 采用电弧离子镀技术在金属打底层 1上面沉积 M eX过渡层 2, 所用靶材为 Me靶材, 气体的流量为 50至 500s C cm, 电弧离子镀的弧 电流 50至 100A, 脉冲偏压峰值 -100至 -500 V, 占空比 10%至 80%。

[0059] (6) 采用物理气相设备沉积 MeAlX核心层 3, 物理气相沉积设备中纯金属靶材 或者合金靶材电流为 5至 10A, 离子源功率为 1.0至 3.0Kw, Ar气体流量为 50至 300 sccm

, 含N、 C、 B中至少一种元素的气体流量 50至 300sccm, 脉冲负偏压峰值 -50至 -2

00V, 占空比 10%至 80<¾。

[0060] (7) 采用物理气相技术制备四面体非晶碳膜, 碳靶电流可为 10至 50A, 脉冲负 偏压峰值可为 -50至 -200V, 占空比可为 30%至 50%

[0061] (8) 冷却取样。 [0062] 本发明采用强流金属蒸汽真空电弧离子源 (MEVVA源) 产生的 Me等离子体进 行离子注入和清洗, 改变微型 PCB刀具表面的物理化学性能。 首先, 离子源产生 的高能离子撞击 PCB刀具表面吋, 高能离子对 PCB刀具产生强烈的溅射作用, 可 以清除吸附在 PCB刀具表面的气体、 液体和粉尘等杂质, 为硬质涂层的沉积提供 极其洁净的表面, 增强微型 PCB刀具与后续的硬质涂层的结合力; 其次, 高能离 子在 PCB刀具基体表面产生强烈的碰撞和级联碰撞, 部分高能离子取代 PCB刀具 基体原有的原子, 改变 PCB刀具表面的化学成分, 在表面形成一层混合界面, 该 混合界面既提高了 PCB刀具表面的强度、 硬度等力学性能, 同吋也可以增强硬质 涂层与 PCB刀具基体的结合力;

[0063] 本发明采用电弧离子镀技术沉积金属 Me打底层 1与 MeX过渡层 2, 主要是利用 了阴极电弧离子镀离化率高的特点, 能够进一步提高涂层与基材的结合力; 利 用高频脉冲磁控溅射技术沉积 MeAlX核心层 3, 主要是利用高频脉冲磁控溅射技 术沉积的涂层表面光滑的优势, 克服了阴极电弧技术沉积涂层表面"液滴"的缺 , 能够适用于微型 PCB刀具。 利用物理气相技术制备四面体非晶碳膜, 提升了四 面体非晶碳膜与基体的结合力, 使得四面体非晶碳膜的厚度可以增加到 5μηι。

[0064] 通过本发明提供的方法制备 Me/MeX/MeAlX/四面体非晶碳膜形成的刀具复合 涂层, 顶层 4的四面体非晶碳膜的纳米硬度可以高达 40至 80GPa, 如图 2是四面体 非晶碳膜层的纳米硬度随压入深度的变化曲线 ; 核心层 3MeAlX的纳米硬度高达 30至 45GPa, 如图 3是核心层 3 (MeAlX涂层) 的纳米硬度随压入深度的变化曲线 , 同吋与硬质合金基材的结合力大于 130N, 摩擦系数低于 0.1。 涂覆有该复合涂 层的微型刀具, 加工普通 PCB板材吋, 寿命提升 4至 10倍。

[0065] 本发明实施例所提供的一种刀具复合涂层、 刀具和刀具复合涂层的制备方法, 其通过在硬质合金微型刀具的钻身表面沉积出 硬度高、 摩擦系数低、 结合力好 、 耐高温性好的多层纳米复合涂层, 可以保证微钻在高速加工普通 FR-4、 无卤 素、 HTG、 柔性板以及封装基板等 PCB材料吋, 既能大大减少断针率, 又能将微 钻的使用寿命提高至 4至 10倍, 同吋可保证钻孔质量, 大幅度提升 PCB的加工效 率, 降低生产成本。

[0066] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已, 并不用以限制本发明, 凡在本发明的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换或改进等, 均应包含在本发明的保 护范围之内。