Eine derartige Vorrichtung ist aus der US 4,976,216 vorbekannt. Diese Schrift offenbart einen Epitaxie-Reak- tor mit einer Trägerplatte, auf welcher planetenartig Substrathalter angeordnet sind, um beschichtet zu wer- den. Bei den Substraten handelt es sich um einkristalli- ne Scheiben, sogenannte Wafer, die je nach Prozess aus Galliumarsenit, Indiumphosphid oder Silicium bestehen können. Die Vorrichtung besitzt ferner ein Gaseinlass- organ, durch welches die Prozessgase der Prozesskammer zugeführt werden. Die Prozessgase können metallorgani- sche Verbindungen von Metallen der III. Hauptgruppe sein und Hydride von Elementen der V. Hauptgruppe. Es ist aber auch bekannt, als Prozessgase Silan und Propan zu verwenden. Dies beschreibt die US 5,788,777. Diese Schrift beschreibt auch einen, die von unten beheizte Trägerplatte umgebenden ringförmigen Gas-Kollektor.

Darüber hinaus zeigt diese Schrift eine beabstandet von der Trägerplatte angeordnete Deckplatte, so dass die Prozesskammer nach unten von der Trägerplatte nach oben von der Deckplatte und in Umfangsrichtung von dem Gas- kollektor begrenzt wird. Auch die eingangs erwähnte US 4,976,217 besitzt einen Gasauslassring. Dieser ist aus einem Molybden-Blechstreifen geformt und bildet einen kronenförmigen Hohlkörper aus.

Bei der Epitaxie von Siliciumkarbit aus den Reaktionsga- sen Silan und Methan/Propan muss die Temperatur in der Prozesskammer vergleichsweise hoch sein. Insbesondere soll der Temperaturgradient in der Gasphase zwischen Trägerplatte und Deckplatte möglichst flach verlaufen.

Ebenso soll die Temperatur der Trägerplatte möglichst über ihrer gesamten Oberfläche nahezu gleich bleiben.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, dass Isothermenprofil innerhalb der Prozesskammer möglichst flach zu halten.

Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebe- ne Erfindung gelöst.

Der Anspruch 1 sieht vor, dass der Gasauslassring massi- vem Grafit besteht. Bevorzugt besteht auch die Deckplat- te aus massivem Grafit und wird ebenso wie die Träger- platte rückwärtig beheizt.

Zufolge dieser Ausgestaltung hat der Gasauslassring eine erhöhte Wärmekapazität und gleichzeitig eine gute Wärmeleitung, so dass ein gleichmäßiger Temperaturüber- gang von Deckplatte zu Trägerplatte vorliegt. Der Gas- auslassring kann Stufen ausbilden, die von der Deckplat- te übergriffen und von der Trägerplatte untergriffen werden. Der Gasauslassring liegt somit bereichsweise zwischen Deck-und Trägerplatte. Die Breite des Gasaus- lassringes entspricht in etwa dem Abstand zwischen Trägerplatte und Deckplatte. Bevorzugt ist der Gasaus- lassring einstückig aus Grafit gefertigt und besitzt eine SiC-oder TaC-Beschichtung.

Die Deckplatte und die Trägerplatte ragen mit ihrem Rand in einer Falz des Gasauslassringes ein. Es beste- hen keine Radialfugen, die Ursache von Temperaturinhomo- genitäten sein können. Der Gasauslassring besitzt fer- ner einen oberen und einen unteren Ringkragen, dessen Innenwand der Umfangsschmalwand der Trägerplatte bzw. der Deckplatte gegenüberliegt. Obwohl zwischen Ringkra- gen und Umfangsschmalwand ein kleiner Spalt besteht, findet doch in genügendem Maße eine Wärmeübertragung von der Trägerplatte bzw. von der Deckplatte auf den Gasauslassring statt, so dass die Temperatur des oberen Ringkragen etwa der Temperatur des Randes der Deckplat- te und die Temperatur des unteren Ringkragens etwa der Temperatur des Randes der Trägerplatte entspricht. Die Deckplatte und die Trägerplatte ragen mit ihrem Rand in eine Falz des Gasauslassringes ein. Indem sich an die Außenwandung des Gasauslassringes zwei Ringvorsprünge anschließen, bildet sich zwischen diesen ein U-förmiger Ringspalt. In diesem Ringspalt münden die Gasaustritts- öffnungen. Die beiden Ringvorsprünge besitzen zufolge der guten Wärmeleiteigenschaften des Grafites eine relativ hohe Temperatur, so dass auch der Ringspalt und damit die Austrittsmündungen der Gasaustrittsöffnungen derart heiß sind, dass dort die Kondensation von Zer- fallsprodukten vermindert ist. Die Ringvorsprünge haben zudem die Aufgabe, Ringplatten zur Führung des Abgases zu tragen, bzw. sich darauf abzustützen. Die Beheizung der Trägerplatte erfolgt mittels einer unterhalb ihr liegenden HF-Spule. Die Beheizung der Deckplatte er- folgt durch eine über ihr liegende HF-Spule.

Die beiden HF-Spulen können von getrennten HF-Generato- ren gespeist werden. Hierdurch ist eine individuelle Regelung von Substrattemperatur und Deckentemperatur möglich. Die Substrattemperatur liegt etwa bei 1600°C.

Hierzu wird die vorzugsweise aus Grafit bestehende Trägerplatte auf eine Temperatur von 1700°C bis 1800°C aufgeheizt. Die Oberflächentemperatur der aus Grafit bestehenden Deckplatte liegt etwa bei 1600°C. Auch der Bereich der Deckplatte, der unmittelbar an das Gasein- lassorgan angrenzt, besitzt eine derart hohe Tempera- tur. Zufolge eine Kühlung besitzt das Gaseinlassorgan eine Temperatur von unter 100°C.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen : Fig. l in schematischer Darstellung den Reaktor, bestehend aus der in einem Reaktorgehäuse ange- ordneten Prozesskammer und Die im Ausführungsbeispiel dargestellte Vorrichtung g dient zum monokristallinen Abscheiden von SiC-Schichten auf monokristallinen Si-Substraten in einem Heisswand- reaktor. Diese Substrate können einen Durchmesser von 4 Zoll besitzen.

In dem Reaktorgehäuse 2 befindet sich die Prozesskammer 1. Diese Prozesskammer 1 besitzt eine Trägerplatte 3, die die Substrathalter 45 trägt. Parallel zur Träger- platte 3 erstreckt sich oberhalb dieser eine Deckplatte 4. Die Trägerplatte 3 wird von unten mittels einer wassergeskühlten HF-Spule 19 beheizt. Die Deckplatte 4 wird von oben mit einer ebenfalls wassergekühlten HF- Spule 20 beheizt. Die Trägerplatte 3 ist ringförmig gestaltet, wobei der Außendurchmesser etwa doppelt so groß ist wie der Innendurchmesser. Die Innenwandung der Trägerplatte 3 besitzt eine radial einwärts ragende Ringstufe 3. Mit dieser Ringstufe 3"liegt die Träger- platte 3 auf dem Rand einer Stützplatte 1 auf. Die Stützplatte 1 stützt sich wiederum auf einem Stützrohr 24 ab, welches von einer Zugstange 23 durchragt wird.

Die Zugstange 23 greift etwa mittig an einer oberhalb der Stützplatte 21 angeordneten Zugplatte 22 an, welche mit ihrem Rand auf den Kragen 3'aufliegt. Durch Zug an der Zugstange 23 von unten wird die Trägerplatte 3 klemmbackenartig gehalten.

Die Trägerplatte 3 und die Deckplatte 4 werden von einem Gasauslassring 5 umgeben. Dieser Gasauslassring 5 bildet die seitliche Prozesskammer-Wand. Der Randbe- reich der HF-Spulen 19,20 überdeckt teilweise den Gasauslassring 5. Der Gasauslassring 5 besitzt eine Vielzahl von radialen Bohrungen 25, durch welche das Prozessgas austreten kann. Der Gasauslassring 5 ist ebenso wie die Stützplatte 21, die Zugplatte 22, die Trägerplatte 3 und die Deckplatte 4 aus massivem Grafit gefertigt. Er ist einstückig und hat eine Breite, die etwa der Höhe der Prozesskammer 1 entspricht. Hierdurch besitzt der Gasauslassring 5 eine relativ hohe Wärmeka- pazität, was zur Folge hat, dass das Temperaturprofil innerhalb der Prozesskammer auch am Rand sehr homogen ist. Indem der Gasauslassring 5 eine von der Deckplatte 4 uberfangene Stufe 35 und eine von der Trägerplatte unterfangene Stufe 36 ausbildet, ragt er bereichsweise in den Zwischenraum von Deckplatte 4 und Trägerplatte 3.

Im Bereich der Stufe 35 besitzt der Gasauslassring 5 einen nach oben abragenden Kragen 13. Die Innenwandung des Kragens 13 liegt der schmalen Umfangswand der Deck- platte 4 gegenüber. Auch nach unten erstreckt sich ein Ringkragen 14, dessen radialeinwärts gerichtete Innen- wand liegt der radialauswärts gerichteten Schmalwand der Trägerplatte 3 gegenüber.

Der Gasauslassring 14 besitzt ferner nach außen weisen- de Ringvorsprünge 16 und 17. Diese beiden Ringvorsprün- ge 16,17 sind voneinander beabstandet und bilden einen U-förmigen Ringspalt 15 aus, in welchen die Gasaus- trittsöffnungen 25 münden. Der untere Ringvorsprung 17 stützt sich auf einer Ringplatte 7 aus Quarz ab. Die Ringplatte 7 ist parallel beabstandet von einer Ring- platte 7'die ebenfalls aus Quarz besteht, und die sich auf dem oberen Ringvorsprung 16 abstützt. Zwischen den beiden Ringplatten 7 und 7'befindet sich ein Kanal, durch den das durch die Gasaustrittsöffnung 25 ausgetre- tene Gas einem Auspuff 18 zugeleitet wird.

Die Deckplatte 4 ist an ihrer Unterseite mit insgesamt drei Verkleidungsringen 34 ausgefüttert. Diese Verklei- dungsringe können aus Grafit bestehen oder aus TaC. Sie werden ähnlich wie Ofenringe durch gegenseitigen über- griff aneinander gehalten, wobei sich der innerste Ring 34 auf einen Ringkragen eines Grafitträgers 33 ab- stützt, welcher auf das untere Ende eines Gaseinlass- organes 6 aufgeschraubt ist.

Das Gaseinlassorgan 6 ist insgesamt zweiteilig ausgebil- det. Es besitzt einen Kern, der einen in die Prozesskam- mer 1 ragenden Abschnitt 49 ausbildet, welche eine Kegelstumpfgestalt besitzt. Dieser Kern wird von einem Mantel 50 umgeben. Mittels O-Ringdichtung 12 ist der Mantel 50 gegenüber dem Kern 49 abgedichtet.

Die Zuführung des Silans 5 erfolgt durch die Zuleitung 27. Es tritt durch eine ringkeilförmige Öffnung 30 aus. Die Wandung dieses Austritts 30 wird einerseits vom Kernabschnitt 49 und andererseits vom Mantel 50 ausgebildet. Die Wände des Kanals 30 sind gekühlt.

Hinter den Kanalwänden befinden sich Kühlwasserkammern 28, durch welche Kühlwasser strömt, um die Wandungstem- peratur unterhalb der Zerlegungstemperatur des Silans zu halten.

Die Basisfläche 52 welche ebenfalls zufolge rückwärti- ger Kühlwasserbeaufschlagung bei einer Temperatur gehal- ten ist, bei welcher sich die Reaktionsgase nicht zerle- gen, befindet sich etwa in der Mitte der Prozesskammer und verläuft parallel zur Oberfläche der Trägerplatte 3 In der Mitte der Basisfläche 52 befindet sich die Öff- nung 31 der Methan-bzw. Propan-Zuleitung 26.

Um die beim Betrieb der Vorrichtung etwa bis auf 1600°C aufgeheizte Deckplatte 4 von dem gekühlten Gaseinlass- organ 6 zu isolieren, ist eine Isolationsmanschette 32 aus einem Kohlenstoffschaum vorgesehen, welche auf dem Träger 33 sitzt.

Die Trägerplatte 3 wird über das Stützrohr 24 drehange- trieben. Die Trägerplatte 3 besitzt zudem Kanäle 54, durch welche Gas strömt, welches in Spiralnuten aus- tritt, die sich am Boden von Aussparungen befinden. In den Aussparungen liegen die Substrathalter 45 ein. Sie drehen sich auf einem Gaspolster des Gases.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswe- sentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) voll- inhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.