以下に本発明の実施の形態を添付図面に� ��づいて説明するが、これら実施の形態は例� ��的に示されるもので、本発明の技術思想か� ��逸脱しない限り種々の変形が可能なことは� ��うまでもない。

 図中、10は本発明に係る円筒状スクリー� �版である。該円筒状スクリーン版10は、内部 を中空部12としかつ印刷画像に応じた多数の� ��ロ部14を開穿した円筒状スクリーン版本体16 を有している。該円筒状スクリーン版本体16� ��中空部12内にはスクイージ又は内部ドクタ� �18が設けられている。

 図2に示すように、前記中空部12内にイン� ��20を導入し、前記スクイージ18が導入された インキ20を外方に押し出すことによって当該� ��ンキ20を前記開ロ部14を通過させて被印刷物 22に転写させることができる。図2において、 符号28は圧胴である。

 本発明の円筒状スクリーン版10の構成的� �徴は、図3によく示されるごとく、前記円筒� ��スクリーン版本体16の少なくとも内表面24を 表面強化被膜26で被覆した点にある。前記表� ��強化被膜26の厚さとしては、0.1~10μm、好ま� �くは0.1~5μmが好適である。

 前記表面強化被膜26としては、ダイヤモ� �ドライクカーボン被膜又は二酸化珪素被膜� �用いることができ、二酸化珪素被膜の場合� �はペルヒドロポリシラザンを用いて前記二� �化珪素被膜を形成するのが好ましい。

 本発明の円筒状スクリーン版の製造方法� ��第1の態様は、ダイヤモンドライクカーボン 被膜を表面強化被膜として形成した円筒状ス クリーン版の製造方法であって、前記ダイヤ モンドライクカーボン被膜をCVD法又はPVD法に よって形成するものである。

 CVD法としては、炭化水素系原料ガスを用� ��て常圧で成膜するAPCVD(Atmospheric Pressure Chemi cal Vapor Deposition)法、0.05Torr程度の減圧で成� �するLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法� ��常圧よりやや低い600Torr程度の圧力のSACVD(Sub atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)法、超 高真空のUHVCVD(Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Depos ition)法、600~1000℃の高温の熱CVD法、高周波プ� ��ズマエネルギーを用い200~450℃で成膜するプ ラズマCVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)� �、紫外線による励起を利用した光CVD法、ソ� �スに有機金属を用いた化合物結晶成長用のMO CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法等が知 られているが、プラズマCVD法が好適である。

 前記炭化水素系原料ガスとしては、従来公� ��のシクロヘキサン、ベンゼン、アセチレン� ��メタン、ブチルベンゼン、トルエン、シク� ��ペンタン等を用いることが出来る。
 なお、前記円筒状スクリーン版本体表面と� ��イヤモンドライクカーボン被膜との間に、� ��ルミニウム(Al),リン(P),チタン(Ti)、珪素(Si)� �からなる0.1~1μm程度の厚さのCVD密着層(図示� �省略)を形成するのが好ましい。前記CVD密着� ��は上記金属を含むガス種、例えば、トリメ� ��ルアルミニウム、チタニウムテトライソプ� ��ポキシド、テトラメチルシラン、亜リン酸� ��リメチル等を用いてCVD法によって形成する� ��とができる。

 PVD法としては、スパッタリング法、真空蒸� ��法(エレクトロンビーム法)、イオンプレー� �ィング法、MBE(分子線エピタキシー法)、レー ザーアブレーション法、イオンアシスト成膜 法等を挙げることができるが、スパッタリン グ法が好適である。
 なお、前記円筒状スクリーン版本体表面と� ��イヤモンドライクカーボン被膜との間に、� ��ングステン(W)、チタン(Ti)、珪素(Si)、クロ� �(Cr)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)等から� �る0.1~1μm程度の厚さのPVD密着層(図示は省略)� ��形成するのが好ましい。前記PVD密着層はス� ��ッタリング法等のPVD法によって形成するこ� ��ができる。

 本発明の円筒状スクリーン版の製造方法� ��第2の態様は、二酸化珪素被膜を表面強化被 膜として形成した円筒状スクリーン版の製造 方法であって、前記円筒状スクリーン版本体 の内表面にペルヒドロポリシラザン溶液を塗 布し所定の膜厚のペルヒドロポリシラザン塗 布膜を形成する塗布膜形成工程と、前記塗布 されたペルヒドロポリシラザン塗布膜を過熱 水蒸気によって所定の条件で加熱処理して所 定の硬度の二酸化珪素被膜を前記被処理体の 表面に形成する工程と、を有するものである 。ペルヒドロポリシラザン溶液の塗布方法と しては、スプレーコート、インクジェット塗 布、ファウンティンコート、ディップコート 、回転塗布、ロール塗布、ワイヤーバー塗布 、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、カーテ ン塗布等の公知の塗布方法を用いることがで きる。

 上記ペルヒドロポリシラザンを溶解する� ��剤としては公知のものを用いればよいが、� ��えばベンゼン、トルエン、キシレン、エー� ��ル、THF、塩化メチレン、四塩化炭素、アニ� ��ール、デカリン、シクロヘキセン、メチル� ��クロヘキサン、ソルベッソ、デカヒドロナ� ��タリン、メチルターシャリーブチルエーテ� ��、ジイソブチルエーテル、エチルシクロヘ� ��サン、リモネン、ヘキサン、オクタン、ノ� ��ン,デカン、C8-C11アルカン混合物、C18-C11芳� �族炭化水素混合物、C8以上の芳香族炭化水素 を5重量%以上25重量%以下含有する脂肪族/脂環 式炭化水素混合物、及びジブチルエーテルな どを用いることができる。

 上記した各種溶剤に溶解されて作製され� ��ペルヒドロポリシラザン溶液は、そのまま� ��も過熱水蒸気による加熱処理によって二酸� ��珪素へ転化するが、反応速度の増加、反応� ��間の短縮、反応温度の低下、形成される二� ��化珪素被膜の密着性の向上等を図る目的で� ��媒を用いるのが好ましい。これらの触媒も� ��知であり、例えばアミンやパラジウムが用� ��られるが、具体的には、有機アミン、例え� ��C1-5のアルキル基が1-3個配置された第1-第3級 の直鎖状脂肪族アミン、フェニル基が1-3個配 置された第1-第3級の芳香族アミン、ピリジン 又はこれにメチル、エチル基等のアルキル基 が核置換された環状脂肪族アミン等が挙げら れ、さらに好ましいものとして、ジエチルア ミン、トリエチルアミン、モノブチルアミン 、モノプロピルアミン、ジプロピルアミン等 を挙げることができる。これらの触媒はペル ヒドロポリシラザン溶液に予め添加しておい てもよく、また過熱水蒸気による加熱処理の 際の処理雰囲気中に気化状態で含有させるこ ともできる。

 前記加熱処理が第1次及び第2次加熱処理� �含む複数段の加熱処理であり、第1次加熱処� ��の条件を100℃~170℃、好ましくは105℃~170℃� �1分~30分、及び第2次加熱処理の条件を140℃~20 0℃、1分~30分とし、第2次加熱処理の温度を第 1次加熱処理の温度よりも高く設定するのが� �適である。また、上記第2次加熱処理の温度� ��第1次加熱処理の温度よりも5℃以上、好ま� �くは10℃以上高く設定するのがよい。また、 前記加熱処理によって形成された二酸化珪素 被膜の表面を冷水又は温水で洗浄する工程を さらに有するのが好ましい。