本发明涉及显示技术领域， 具体说， 涉及一种用于显示面板的检测电路。 背景技术

在薄膜晶体管 （TFT-LCD) 液晶面板的生产过程中， 具体说在阵列制程段和成盒段 中通常会采 ^如点灯测试等测试环节来监控液晶面板的良� �率。测试完毕之后可将测试电 路与显示区上线路的连接移出或用激光断开 （laser out) 。 但在有些情况下， 这种移出或 者断开并不是很方便。 如果保留测试电路的话， 该测试电路中的元器件如 TFT开关的源 漏极之间会存在漏电流， 从而对显示区的数据线和樋极线上产生干扰。 在一种情况下， 为 了防止 TFT幵关出现截止状态下的漏电流， 可以将它们的沟道长度 （channe! length) 做 的很大， 如 10微米左右。 但这样一来， 针对窄边框设计又非常不利。

因此，需要一种能够有效防止在显示面板使用 时测试线路对其产生干扰的面板检测电 路。

本发明所要解决的技术问题之一是需要提供 一种能够有效防止在显示面板使用时测 试线路对其产生千扰的面板检测电路。

为了解决上述技术问题， 本发明提供了一种用于显示面板的检测电路， 该电路包括； 短路棒， 其上布设有 ]¾于引入测试信号或控制信号的连接线；

晶体管阵列，其栅极连接在所述弓 i入控制信号的连接线上，在所述控制信号的� �用下 通过所述晶体管的源极、漏极将所述引入测试 信号的连接线与所述显示面板的数据线或扫 描线相连通， 其中，

在所述晶体管阵列的栅极与所述短路棒之间设 置一元件，在所述控制信号为使所述晶 体管阵列截止的信号时，所述元件用于进一步 降低所述樋极上的电压，使得所述晶体管阵 列可靠截止。

在本发明的一个实施例中，所述晶体管阵列为 TFT薄膜场效应管阵列或 MOSFET管 阵列。 在本发明的一个实施例中，所述元件为二极管 ，其中所述二极管的阴极连接所述晶体 管陈列的栅极， 所述二极管的阳极连接到所述引入控制信号的 连接线上。

在本发明的一个实施例中，所述元件为另一晶 体管，其中所述另一晶体管的栅极与其 源极连接， .从而共同连接到所述引入控制信号的连接线� �，所述另一晶体管的漏极与所述 晶体管阵列的栅极相连。

在本发明的一个实施例中，所述元件为另一晶 体管，其中所述另一晶体管的栅极与其 源极连接，从而共同连接到所述引入测试信号 的连接线上，所述另一晶体管的漏极与所述 晶体管阵列的栅极相连。

在本发明的一个实施例中， 所述晶体管为 TFT薄膜场效应管或 MOSFET管。

在本发明的一个实施例中， 所述 TFT薄膜场效应管的沟道长度为 3-5微米。

与现有技术相比， 本发明带来以 T有益效果： U ) 通过在晶体管阵列的極极与短路 棒之间设置 ^于进一步降低栅极电压的元件,可以在施加低� ��平信号控制晶体管阵列时使 其全部—可靠截止， 减少了漏电流的出现； （2) 控制连接线与测试连接线共用， 可防止正 常使用显示面板的时候， 检测线路的悬空对显示面板带来影响； （3 ) 本发明的检溯电路 可以进一步减小 TFT薄膜场效应管的沟道长度， 对窄边框设计有利。

本发明的其它特征和优点将在隨后的说明书中 阐述，并且，部分地认说明书中变得显 而易见， 或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和 其他优点可通过在说明书、权利要 求书以及 i 图中所特别指出的结构来实现和获得。 j图说明

图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成 说明书的一部分，与本发明的实施例 共同用于解释本发明， 并不构成对本发明的限制。 在附图中：

图： ί是根据本发明的一种检测电路示意图；

图 2显示了在两个数字开关之间出现漏电流的示� �图；

图 3是一种根据本发明改迸了的等效电路示意图� �

图 4是根据本发明一个实施例的检测电路示意图� �

图 5是另一种根据本发明改进了的等效电路示意� �；

图 6是根据本发明另一个实施例的检测电路示意� �。 具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的 实施方式，借此对本发明如何应用技术 手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现 过程能充分理解并据以实施。需要说明的是, 只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及 各实施 ^中的各个特征可以相互结合，所形 成的技术方案均在本发明的保护范围之内》

如图 〗 所示， 其中显示了一种检测电路示意图。 在图 1 中， 各测点 1-7经过短路棒 ( shorting bar) 上的走线 （或者说连接线） 并通过一组数字幵关阵列 （例如 TFT幵关阵 列） 而连接到显示面板的数据线和扫描线上。 这里并不限于 TFT幵关阵列， 其他可控的 数字开关阵列例如晶体管阵列均可以实现相同 目的。在 LCD技术领域中， 优选 TFT开关 此外， 短路棒上的连接线包括与测点 1和测点 5连接的控制连接线， 以及与测点 2-4 和测点 6和 7连接的测试连接线。 测点 i和测点 5经过控制连接线而连接到 TFT开关的 栅极上，测点 2到测点 4以及测点 6和测点 7通过测试连接线而连接到 TFT开关的漏极， 而 TFT开关的源极与显示区上布置的数据线或扫描 线连接。 可根据实际情况给数据线或 扫描线上分配不同数量的 TFT开关和测点进行点灯測试。 例如， 可以采用测点 2到测点 4通过 6个 TFT开关来连接到数据线（Data line)上， 而测点 6和 7通过 4个 TFT开关来 连接到扫描线 （Gate line) 上。

在检测时， 向测点 1和测点 5输入高电平信号， A认而控刺 TFT开关导通。 因此， 在 测点 2到溯点 4以及测点 6和测点 7分别加上检测需要的信号就可以对显示面板� �行测试。

在完成显示面板的生产后进行使用时， 向劉点 1和测点 5输入低电平信号，使得 TFT 开关截止，进而断开短路棒 shorting bar与数据线 Data line或扫描线 Gate line之间的连接。

这样的设计在显示面板单元检测后不需要进行 激光切割， 即切断短路棒和数据线、扫 描线的连接， 从而节省了生产时间。 但在显示面板工作时， TFT开关长期处于负偏压状 态， 而测点 2到测点 4以及测点 6和测点 7上无测试信号， 因此导致 TFT开关漏极侧一 直处于悬空状态。 这种悬空状态在某些情况下会产生一定的电压 波动， 可能会使 TFT开 关的源极和漏极在反向截止的情况下形成漏电 通道，从而产生漏电流。漏电流的一种情况 如图 2中加粗的线条所指示。由于漏电流在一定程� �上会间接导致外部信号通过短路棒对 数据线或扫描线的干扰， 迸而影响面板的显示品质。

为了防止 TFT开关出现截止状态下的漏电流, -可以将它们的沟道长度 ( chaiMd length) 做的很大， 如 10微米左右。 但这样一来， 对于生产窄边框设计的产品又很难以实现。

因此,本发明又提供一种用于测试显示面板的� �路，该电路包括短路棒和晶体管阵列》 如上所示，该短路棒上布设有用于引入测试信 号或控制信号的连接线。晶体管阵列在控制 信号的作用下通过晶体管的源极、漏极将引入 溯试信号的连接线与显示面板的数据线或扫 描线相连通。

根据本发明，在晶体管阵列的栅极与短路棒之 间还设置了一个元件。在控制信号为使 晶体管陈列截止的信号时，该元件用于进一步 降低或 高栅极上的电压，使得晶体管阵列 可靠截止。

如前所述， 晶体管阵列可以为 TFT幵关阵列、 ≡极管或增强型 MOS管阵列。 当晶体 管阵列为 TFT 幵关阵列时， 该控制信号为低电平信号， 而对于≡极管或者增强型 MOS 管， 则是使它 ί门截止的相应的电流和电压信号。

在实际应用中， 该元件可以为二极管， 也可以为另一晶体管。在二极管的情况下， 二 极管的阴极连接晶体管阵列的栅极，二极管的 阳极连接到引入控制信号的测点上。而在晶 体管的情况下， 另一晶体管的栅极与其源极连接，从而共同连 接到引入控制信号的连接线 上， 另一晶体管的漏极与晶体管阵列的櫥极相连。

如图 3所示，它是一种按照上述方式实现防止晶体� �阵列漏电流的情况而改迸了的等 效电路示意图。在该图中， 在如图 3中的标记 TFT2所指示的数字幵关的檝极与测点 1之 间增加另一 TFT开关， 用 TFT2表示。

也就是说，在一种优选方式中，该另一晶体管 和晶体管阵列均可以为薄膜场效应晶体 管 TFT或 MOSFET管。

图 4显示了将上述改进应用到显示区电路中的检� �电路示意图。与图 1不同的是，在 幵关阵列 TFT1 的櫥极线与短路棒的走线之间增加了另一数字 幵关 TFT2。 该数字幵关 TFT2的源栅极连接在一起， 漏极与 TFT2的栅极连接， 用于控制 TFT2可靠截止。

采 ]¾如图 4所示的检测电路，可以有效地避免幵关阵列 TFT1的源漏极之间的漏电流 现象发生。

如图 5所示， 还有一种等效电路的情况。 其中， 数字开关管 TFT1的栅极与其源极连 接，从而共同连接到引入测试信号的测点上， 另一晶体管的漏极与晶体管阵列的栅极相连。 在这种情况下， 短路棒上不必专门布设控制线， 同时也不需要专门的控制信号。

如图 6所示， 当测试时， 测试线路上的电压足以使 TFTi和 TFT2导通， 并同时通过 源漏极将测试信号分别引入到显示面板中的数 据线和扫描线上。当不測试时，给所有的测 点均施加低电平信号， 而避免了部分线路悬空的状态， 因此可以有效地使开关阵列 TFT2 可靠地截止， 而不会产生漏电流。

采用这种设计， 开关 TFT的沟道长度可以设计得比较小 （3〜5微米） , 而传统设计 的开关 TFT沟道长度通常为 10微米左右。 新的设计可以节省空间， 对现在流行的窄边框 设计非常有利。 虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的� �容只是为了便于理解本发明而采用的 实施方式， 并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领 域内的技术人员， 在不脱离本发 明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施 的形式上及细节上作任何的修改与变化，但 本发明的专利保护范围， 仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。