Die vorhegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage, insbesondere einer EUV-Lithographieanlage, in einem Atomlagen-Bearbeitungsprozess sowie ein entsprechendes Verfahren. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Reparieren einer Lithographieanlage.

Der Inhalt der Prioritätsanmeldung DE 10 2022 206 124.1 wird durch Bezugnahme vollumfänglich miteinbezogen (incorporation by reference).

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV'Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV'Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden. Als Spiegel werden beispielsweise sogenannte Bragg-Spiegel verwendet, die aus alternierenden Schichten zweier Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex für die zu reflektierende Strahlung aufgebaut sind. Für EUV'Strahlung hat sich beispielsweise Silicium und Molybdän als ein geeignetes Materialpaar herausgestellt. Um eine Oxidation der Außenliegenden Schicht zu verhindern, was die optischen Eigenschaften des Spiegels verschlechtern würde, wird häufig eine Schutzschicht aufgebracht. Für diese wird beispielsweise Ruthenium verwendet.

EUV'Strahlung wird beispielsweise durch Einstrahlung von Laserlicht auf Zinntropfen erzeugt, wodurch ein Zinn-Plasma erzeugt wird, welches eine Emission bei 13,5 nm aufweist. Bei diesem Prozess kann allerdings auch Zinn aus der Strahlungsquelle in die Strahlformungsvorrichtung sowie die Projektionsoptik gelangen und sich dort auf optischen Oberflächen oder gar der Lithographiemas- ke absetzen. Diese Kontamination kann die optischen Eigenschaften und damit die Leistung des Gesamtsystems beeinträchtigen. Daher ist nach einer bestimmten Betriebsdauer der Lithographieanlage beispielsweise ein Service nötig, bei dem die betroffenen Oberflächen gereinigt werden. Insbesondere mit Ruthenium kann Zinn auch Legierungen bilden, die sich nicht einfach von der Oberfläche abtragen lassen, was den Reinigungsprozess aufwändig macht.

Weiterhin wird die EUV'Strahlung in EUV'Lithographieanlagen in einem Vakuum geführt, da die Absorption der Strahlung durch Gasmoleküle bei Normaldruck bereits zu hoch ist. Hierbei wird beispielsweise molekularer Wasserstoff als Spülgas in dem Vakuum -Bereich der der EUV-Lithographieanlage eingesetzt. Die Wasserstoff-Moleküle werden von der EUV'Strahlung dissoziiert oder ionisiert. Die so entstandenen Wasserstoff-Radikale oder Wasserstoff-Ionen sind hochreaktiv. Insbesondere können diese mit den Zinn -Ablagerungen reagieren, wobei volatile Verbindungen entstehen und das Zinn somit abgetragen wird. Die Wasserstoff-Radikale können jedoch auch mit anderen Oberflächen in der EUV- Lithographieanlage reagieren und diese korrodieren. Zudem können sich die so entstandenen volatilen Verbindungen an anderer Stelle wieder absetzen, wie beispielsweise auf optischen Oberflächen der Lithographieanlage, und diese kontaminieren, wobei sich deren optische Eigenschaften verschlechtern können.

Atomlagen-Deposition (ALD, engl. "atomic layer deposition") sowie Atomlagen- Ätzen (ALE, engl. "atomic layer etching") sind bekannte Verfahren, die eine auf wenige Atomlagen an der Oberfläche eines Gegenstands begrenzte Bearbeitung ermöglichen. Dies liegt an der in den Verfahren genutzten selbstbegrenzenden chemischen Reaktion, von der nur die jeweils oberste Schicht der Oberfläche betroffen ist. Die Verfahren basieren auf der Ausbildung einer adsorbierten Monolage eines Präkursors auf der Oberfläche, indem die Oberfläche in einem ersten Schritt einer Atmosphäre des Präkursors ausgesetzt wird. Bei ALE -Prozessen kann der Präkursor hierbei mit Atomen oder Molekülen der Oberfläche chemisch reagieren, diese beispielsweise oxidieren oder reduzieren. Der Präkursor wird dann wieder aus der Atmosphäre abgepumpt, wobei nur die adsorbierte Monolage auf der Oberfläche verbleibt. In einem zweiten Schritt wird die gebildete Mo- nolage "aktiviert", indem diese mit einem zweiten Präkursor in Kontakt gebracht wird. Der zweite Präkursor kann eine hochenergetische Spezies umfassen, wie Radikale, Ionen oder Photonen, oder aber mit dem ersten Präkursor oder der gebildeten Monolage chemisch hochreaktiv sein. Durch die Reaktion des zweiten Präkursors mit der Monolage des ersten Präkursors kann sich entweder eine Monolage neuen Materials abscheiden (Depositionsprozess), oder aber die Monolage wird zersetzt und kann abgetragen werden (Ätzprozess). Der zweite Präkursor reagiert nicht selbstständig mit der (unbehandelten) Oberfläche, weshalb die Reaktion auf die Monolage begrenzt ist. Durch Wiederholen der vorbeschriebenen Schritte kann eine höhere Schichtdicke abgeschieden oder abgetragen werden.

Um die Kontaminationen auf den optischen Oberflächen zu entfernen, ist aus DE 10 2017 211 539 Al ein Verfahren bekannt, das auf einem Atomlagen-Ätzprozess basiert. Der vorgeschlagene Prozess kann in einem Reaktor für die gesamte Oberfläche zeitgleich durchgeführt werden, oder aber es wird ein Bearbeitungskopf genutzt, der die bearbeiteten Bereiche räumlich voneinander separiert und dann die Oberfläche "scannt". In einem ersten Bereich des Bearbeitungskopfes wird in einem Abschnitt der Oberfläche der erste Teilprozess durchgeführt, so dass sich dort die Monolage ausbildet. In einem zweiten Bereich des Bearbeitungskopfes, der über den von dem ersten Bereich bereits erfassten Abschnitt geführt wird, wird der zweite Teilprozess durchgeführt.

US 2016/0090652 Al offenbart ein Atomlagen-Depositionsverfahren, bei dem flüssige Präkursoren verwendet werden, wobei die Präkursoren auf das Substrat schleuderbeschichtet werden. Hierbei wird das Substrat auf einem drehbaren Probenhalter angeordnet und der Probenhalter mit der Substrat wird gedreht. Es wird der erste flüssige Präkursor aufgebracht, wobei aufgrund der Drehung des Substrats und der Trägheit der Flüssigkeit der Präkursor nach außen (in Radialrichtung) beschleunigt (geschleudert) wird. Durch die Schleuderwirkung verbleibt kein überschüssiges Material auf der Oberfläche. Nur das auf der Oberfläche adsorbierte Material, das eine Monolage ausbildet, verbleibt. Entsprechend wird mit dem zweiten, ebenfalls flüssigen, Präkursor verfahren. Eine chemische Reaktion zwischen dem ersten und zweiten Präkursor ist auf die Monolage des ersten Präkursors beschränkt, weshalb durch die beschriebenen Schritte jeweils eine Monolage Material abgeschieden wird. Durch Wiederholen der genannten Schritte lassen sich höhere Schichtdicken erzielen.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage sowie ein entsprechendes Verfahren bereitzustellen. Gemäß einem ersten Aspekt wird eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage, insbesondere einer EUV-Lithographieanlage, in einem Atomlagen-Bearbeitungsprozess vorgeschlagen. Die Vorrichtung umfasst einen Probenhalter zum Halten des optischen Elements während des Bearbeitungsprozesses, einen Bearbeitungskopf mit einem ersten Auslass zum Zuführen eines ersten Präkursor-Fluids in einen Bearbeitungsbereich auf der Oberfläche des optischen Elements, einer Reinigungsanordnung zum Entfernen von überschüssigem Präkursor-Fluid aus dem Bearbeitungsbereich, und einem zweiten Auslass zum Zuführen eines zweiten Präkursor-Fluids in den Bearbeitungsbereich, wobei das erste Präkursor-Fluid und das zweite Präkursor-Fluid ausgewählt sind um einen Atomlagen-Depositionsprozess oder einen Atomlagen-Ätzprozess in dem Bearbeitungsbereich durchzuführen, und wobei das erste oder das zweite Präkursor-Fluid eine Flüssigkeit ist, und mit einer Bewegungseinheit, die dazu eingerichtet ist, den Bearbeitungskopf und/oder den Probenhalter mit dem optischen Element derart relativ zueinander zu bewegen, dass nacheinander der erste Auslass, die Reinigungsanordnung und der zweite Auslass über den Bearbeitungsbereich geführt werden.

Diese Vorrichtung hat den Vorteil, dass eine größere Auswahl an Präkursoren für den wenigstens einen flüssigen Präkursor zur Verfügung steht, als dies für gasförmig zugeführte Präkursoren der Fall ist. Zudem haben gasförmige Präkursoren häufig einen geringen Dampfdruck, was einen langsamen Prozess zur Folge hat, oder es treten bei deren Verwendung thermischen Stabilitätsprobleme auf, was mit dem flüssigen Präkursor vermieden werden kann. Somit kann insbesondere eine Prozessgeschwindigkeit mit dem flüssigen Präkursor deutlich erhöht sein gegenüber einem gasförmigen Präkursor, was die Bearbeitung effizienter und wirtschaftlicher macht. Weiterhin kann eine Selektivität des Prozesses, insbesondere im Fall eines Atomlagen-Ätzprozesses, verbessert werden, indem geeignete selektive Präkursoren genutzt werden. Zudem kann der nicht genutzte Anteil des flüssigen Präkursors aufgefangen und wiederverwendet werden, wodurch sich Ressourcen einsparen lassen. Der jeweilige Auslass erlaubt zudem eine räumlich beschränkte, gezielte Zuführung und damit Bearbeitung bestimmter Oberflächenbereiche des optischen Elements, was gegenüber Verfahren, die die gesamte Oberfläche betreffen, vorteilhaft sein kann.

Unter dem Begriff "Atomlagen-Bearbeitungsprozess" werden vorliegend die eingangs erwähnte Atomlagen-Deposition sowie das Atomlagen -Ätzen verstanden. Der Atomlagen-Bearbeitungsprozess kann damit sowohl als ein Atomlagen- Depositionsprozess als auch als ein Atomlagen-Ätzprozess ausgestaltet sein. Ferner kann der Atomlagen-Bearbeitungsprozess zunächst einen Ätzprozess und dann einen Depositionsprozess umfassen. Die Ausgestaltung als Depositions- oder Ätzprozess hängt beispielsweise von den eingesetzten Präkursoren ab.

Der Probenhalter hält das optische Element beispielsweise in einer waagrechten Lage. Der Probenhalter kann zum Halten von ebenen optischen Elemente oder auch von gekrümmten optischen Elementen geeignet oder speziell hierfür ausgebildet sein. Der Probenhalter hält das optische insbesondere so, dass die optische Oberfläche des optischen Elements, also beispielsweise die spiegelnde Oberfläche, von dem Probenhalter weg weist. Das heißt, dass der Probenhalter das optische Element insbesondere von der Seite hält und/oder von einer Rückseite stützt.

Wenn das optische Element von dem Probenhalter gehalten wird, ist der Bearbeitungskopf insbesondere gegenüber der optischen Oberfläche angeordnet, so dass der Bearbeitungskopf direkt über der optischen Oberfläche positioniert werden kann.

In einem Atomlagen-Depositionsprozess lagern sich erste Präkursor-Teilchen des ersten Präkursor-Fluids an der Oberfläche der optischen Elements in dem Bearbeitungsbereich an (adsorbieren), wobei sich eine Monolage ausbildet. Die Monolage weist eine von dem ersten Präkursor abhängige Schichtdicke auf, die beispielsweise im Bereich zwischen 0,1 nm - 5 nm liegen kann. Überschüssige erste Präkursor-Teilchen, also solche, die nicht an der Oberfläche adsorbiert sind, werden von der Reinigungsanordnung entfernt, beispielsweise abgeblasen oder abgepumpt. Zweite Präkursor-Teilchen des zweiten Präkursor-Fluid reagieren mit den in der Monolage angeordneten ersten Präkursor-Teilchen und bilden hierbei ein Deponat umfassend eine Monolage eines Reaktionsprodukts aus. Bei der chemischen Reaktion können auch flüchtige Reaktionsprodukte entstehen. Das Deponat ist insbesondere stabil an die Oberfläche gebunden, so dass beispielsweise eine weitere Monolage auf die Oberfläche abgeschieden werden kann, um durch wiederholtes Abscheiden einer Monolage eine gewünschte Schichtdicke erzielt werden kann.

In einem Atomlagen-Ätzprozess reagieren die ersten Präkursor-Teilchen des ersten Präkursor-Fluids insbesondere mit einer Oberflächenschicht des optischen Elements in dem Bearbeitungsbereich. Es bildet sich beispielsweise eine Monolage eines Zwischenprodukts aus. Ein Beispiel für einen solchen Prozess ist die Ausbildung eines nativen Oxids auf einer elementaren Silicium-Oberfläche in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre. Überschüssige erste Präkursor-Teilchen, also solche, die nicht in der Monolage integriert sind, werden von der Reini- gungsanordnung entfernt, beispielsweise abgeblasen oder abgepumpt. Zweite Präkursor-Teilchen des zweiten Präkursor-Fluid reagieren mit den ersten Präkursor-Teilchen und insbesondere mit den Bestandteilen der Zwischenschicht unter Bildung von volatilen Reaktionsprodukten. Somit wird die Zwischenschicht-Monolage von der Oberfläche entfernt. Da die Zwischenschicht unter Beteiligung der Atome oder Moleküle der Oberfläche des optischen Elements gebildet wurde, findet somit effektiv ein Materialabtrag (Ätzen) statt. Der Ätzprozess ist selbstbegrenzend, da das zweite Präkursor-Fluid nicht selbstständig chemisch mit der Oberfläche des optischen Elements reagiert. Somit lässt sich der Ätzprozess sehr exakt kontrollieren und nach erreichen der gewünschten Ätztiefe beenden.

Da der Atomlagen-Bearbeitungsprozess jeweils nur eine Monolage an der Oberfläche des optischen Elements betrifft, ist eine sehr gute Prozesskontrolle möglich. Insbesondere kann die Oberfläche nach jedem Bearbeitungsdurchgang (also Deposition oder Ätzen) analysiert werden, beispielsweise mit optischen und/oder elektronenoptischen Verfahren, um den Fortschritt des Bearbeitungsprozesses zu verfolgen und zu beenden, wenn das Ziel der Bearbeitung erreicht ist.

Der Atomlagen-Bearbeitungsprozess läuft räumlich begrenzt ab. Die räumliche Begrenzung wird dadurch erreicht, dass das erste Präkursor-Fluid von dem ersten Auslass nur in einen begrenzten Abschnitt der Oberfläche zugeführt wird. Damit wird nur der begrenzte Oberflächenabschnitt von dem ersten Präkursor- Fluid erfasst. Da dies die Voraussetzung dafür ist, dass durch Exposition mit dem zweiten Präkursor-Fluid die entsprechende chemische Reaktion (Deposition oder Ätzen) abläuft, ist der Bearbeitungsprozess auf den Oberflächenabschnitt begrenzt. Eine räumliche Begrenzung des Bearbeitungsprozesses kann ferner durch eine entsprechende räumliche Begrenzung des zweiten Präkursor-Fluids erreicht werden.

Der räumliche Bereich, auf den der Bearbeitungsprozess beschränkt ist, hängt insbesondere von der Ausgestaltung des Bearbeitungskopfes, insbesondere des ersten und zweiten Auslasses, ab.

Ein Auslass zum Zuführen von flüssigem Präkursor-Fluid ist beispielsweise in der Art einer Breitschlitz düse (engl. "slot-die") ausgebildet, wie aus der Schlitz- düsen-Beschichtung (engl. "slot-die coating") bekannt ist. Der jeweilige Auslass kann aber auch einer anderen Düsen -Geometrie oder auch einer Diffusor- Geometrie entsprechend ausgebildet sein. Zum Durchführen des Bearbeitungsprozesses wird der Bearbeitungskopf derart relativ zu der Oberfläche des optischen Elements verschoben, dass zuerst der erste Auslass den Bearbeitungsbereich überstreift, dann die Reinigungsanordnung den Bearbeitungsbereich überstreift und überschüssiges erstes Präkursor- Fluid von der Oberfläche entfernt, und anschließend der zweite Auslass den Bearbeitungsbereich überstreift. Beispielsweise sind der erste Auslass, die Reinigungsanordnung und der zweite Auslass in dem Bearbeitungskopf in einer ersten Richtung hintereinander angeordnet, und der Bearbeitungskopf wird entlang der ersten Richtung über die Oberfläche des optischen Elements bewegt. Der Bearbeitungsbereich ergibt sich somit als der von dem Bearbeitungskopf überstriche- ne Abschnitt der Oberfläche. Ein momentaner Bearbeitungsbereich zu einem jeweiligen Zeitpunkt ist der dem Bearbeitungskopf gegenüberliegende Abschnitt der Probenoberfläche.

Die Reinigungsanordnung umfassend insbesondere wenigstens einen Auslass oder Einlass, mittels dem überschüssiges erstes Präkursor-Fluid aus dem Bearbeitungsbereich entfernt werden kann. Beispielsweise wird das erste Präkursor- Fluid über den Einlass aus dem Bearbeitungsbereich abgesaugt oder abgepumpt. Hierbei wird nur das überschüssige Präkursor-Fluid entfernt. Das heißt, dass diejenigen ersten Präkursor-Teilchen, die Bestandteil der Monolage an der Oberfläche sind, auf der Oberfläche verbleiben. Der Auslass oder Einlass ist an dem Bearbeitungskopf beispielsweise räumlich zwischen dem ersten Auslass und dem zweiten Auslass angeordnet.

Vorzugsweise ist die Reinigungsanordnung so ausgebildet, dass jegliches überschüssiges erstes und/oder zweites Präkursor-Fluid, sowie eventuelle volatile Reaktionsprodukte aus der Reaktion des jeweiligen Präkursor-Fluids mit der Oberfläche oder der Monolage auf der Oberfläche von der Oberfläche entfernt werden.

Die Reinigungsanordnung kann zum Absaugen des flüssigen Präkursors (oder weiterer flüssiger Stoffe auf der Oberfläche) insbesondere einen Kapillareffekt nutzen. Beispielsweise ist eine den Auslass bildende Öffnung und ein sich daran anschließender Kanal oder Leitung so bemessen, dass eine merkliche Kapillarkraft auf die abzusaugende Flüssigkeit wirkt und damit das Absaugen unterstützt. Hierbei kann der Auslass und/oder der anschließende Kanal vorteilhaft beschichtet sein, um die Kapillarkraft zu verstärken.

Das erste oder das zweite Präkursor-Fluid kann atomar sein (also aus einzelnen Atomen bestehen) oder auch molekular sein (also aus Molekülen umfassend mehrere Atome bestehen) oder sowohl Atome und Moleküle umfassen. Das jewei- lige Präkursor-Fluid kann insbesondere auch heterogen sein in dem Sinne, dass es mehrere unterschiedliche Bestandteile enthält. Ein jeweiliges Präkursor-Fluid kann zudem Oligomere oder auch Polymere als Bestandteile umfassen.

Der Begriff "Fluid" umfasst Stoffe, die in flüssiger Form oder gasförmig vorliegen.

Ferner kann ein jeweiliges Präkursor-Fluid, das als Flüssigkeit vorhegt, ein Lösungsmittel enthalten, das der Flüssigkeit bestimmte Fließeigenschaften vermittelt, so dass das Präkursor-Fluid mit dem Bearbeitungskopf applizierbar und von der Reinigungsanordnung aufnehmbar ist.

Darunter, dass das jeweilige Präkursor-Fluid eine Flüssigkeit ist, wird vorliegend verstanden, dass das jeweilige Präkursor-Fluid bei den Prozessbedingungen, bei denen der Atomlagen-Bearbeitungsprozess durchgeführt wird, in flüssigem Zustand vorhegt und in flüssigem Zustand von dem jeweiligen Auslass auf die Oberfläche des optischen Elements beaufschlagt wird.

Die Verwendung einer Flüssigkeit hat zudem den Vorteil, dass eine an der Oberfläche adsorbierte Schicht aus Gasmolekülen einer umgebenden Gasatmosphäre von der Flüssigkeit verdrängt wird und/oder die Gasmoleküle lösen sich in der Flüssigkeit, so dass die Oberfläche vollständig von der Flüssigkeit benetzt werden kann. Damit ist eine schnelle und vollständige Ausbildung der Monolage und/oder Reaktion mit der Monolage möglich. Die jeweilige Flüssigkeit kann zudem mit einem Überdruck auf die Oberfläche aufgebracht werden, was die Benetzung der Oberfläche zusätzlich fördern kann. Überdruck bedeutet hierbei beispielsweise, dass der Druck der Flüssigkeit auf die Oberfläche höher ist, als wenn Flüssigkeitstropfen auf der Oberfläche ruht.

In Ausführungsformen ist das erste Präkursor-Fluid eine Flüssigkeit und das zweite Präkursor-Fluid ist ein Gas oder umgekehrt.

In Ausführungsformen kann der Atomlagen-Bearbeitungsprozess mehr als zwei Schritte umfassen, wobei der Bearbeitungskopf weitere Auslässe zum Zuführen weiterer Präkursor-Fluide aufweisen kann. Beispielsweise umfasst der Bearbeitungsprozess einen Zwischenschritt, in dem die in dem ersten Schritt gebildete Monolage des ersten Präkursor-Fluids zunächst in eine Zwischenstufe überführt wird, welche Zwischenstufe eine geeignete chemische Reaktionsfähigkeit mit dem zweiten Präkursor-Fluid aufweist. Ein solcher Zwischenschritt kann auch ohne Zuführen eines weiteren Präkursor-Fluids, sondern beispielsweise durch Bestrahlen der Monolage mit elektromagnetischer Strahlung geeigneter Energie und/oder mit geladenen Teilchen, wie Elektronen, Protonen oder Ionen, erfolgen.

In Ausführungsformen der Vorrichtung kann der Bearbeitungskopf eine Messeinheit zum Erfassen eines für einen Zustand der Oberfläche des optischen Elements indikativen physikalischen Parameters umfassen. Der Zustand der Oberfläche umfasst beispielsweise eine Information bezüglich auf der Oberfläche vorhandenen chemischen Elementen, eine Schichtdicke einer auf der Oberfläche vorhandenen Schicht und dergleichen mehr. Die Messeinheit kann beispielsweise zum Anregen und Erfassen von Atom- und Molekülanregungen mittels Einstrahlung von Licht, insbesondere im Infrarotbereich, eingerichtet sein, von deren Energie auf eine chemische Zusammensetzung geschlossen werden kann. Optische reflektive Methoden, wie beispielsweise Ellipsometrie, können zur Ermittlung eines Brechungsindex und/oder eines oberflächennahen Schichtaufbaus genutzt werden.

Der Bearbeitungskopf kann beispielsweise ähnlich zu einem Druckkopf zum Bedrucken von Substraten ausgebildet sein. Der Bearbeitungskopf kann mehrere Elemente umfassen, insbesondere können die verschiedenen Auslässe, die der Bearbeitungskopf umfasst, unabhängig voneinander bewegbar sein. In bevorzugten Ausführungsformen sind die verschiedenen Auslässe fest in dem Bearbeitungskopf angeordnet, so dass eine räumliche Relation der Auslässe zueinander konstant ist.

Die Bewegungseinheit ist dazu eingerichtet, den Bearbeitungskopf und/oder den Probenhalter mit dem optischen Element relativ zueinander zu bewegen. Die Bewegungseinheit kann hierbei sowohl den Probenhalter als auch den Bearbeitungskopfbewegen, oder nur einen von beiden. Beispielsweise umfasst die Bewegungseinheit eine Höhen-Einstelleinheit, mit der eine Höhe des Probenhalters oder des Bearbeitungskopfes einstellbar ist, wobei über die Höhe beispielsweise ein Abstand zwischen der Oberfläche des optischen Elements und einer Unterseite des Bearbeitungskopfes einstellbar ist. Die Unterseite des Bearbeitungskopfes ist dabei die Seite, in der die Auslässe des Bearbeitungskopfes angeordnet sind.

Die Bewegungseinheit kann ferner eine Verschiebungs- und/oder Rotationseinheit umfassen, die zum lateralen Verschieben des Probenhalters und/oder des Bearbeitungskopfes und/oder zum Verdrehen des Probenhalters und/oder des Bearbeitungskopfes eingerichtet ist. Ferner kann die Bewegungseinheit zum Verkippen des optischen Elements eingerichtet sein. Durch das Verkippen kann eine in Bezug auf eine Schwerkraftrichtung schräge Oberfläche bereitgestellt werden, was bei einem flüssigen Präkursor, auf den die Schwerkraft in einer Gasatmosphäre eine beträchtliche Wirkung ausübt, zum Lenken oder beeinflussen Flüssigkeitsströmung genutzt werden kann.

Gemäß einer Ausführungsform der Vorrichtung ist sowohl das erste Präkursor- Fluid als auch das zweite Präkursor-Fluid eine Flüssigkeit.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist das optische Element während der Durchführung des Bearbeitungsprozesses in einer Inertgas- Atmosphäre mit einem Druck in einem Bereich von 0,01 atm - 10 atm, bevorzugt 0,1 atm - 5 atm, angeordnet.

Ein hoher Druck ist insbesondere dann von Vorteil, wenn das jeweilige flüssige Präkursor-Fluid einen gelösten gasförmigen Wirkbestandteil umfasst, da ein höherer Druck zu einer höheren Löslichkeit und damit Konzentration des gelösten Stoffes in der Flüssigkeit beiträgt. Dieser hohe Umgebungsdruck ist aufgrund der Verwendung eines flüssigen Präkursors möglich, da dieser trotz der Umgebungsatmosphäre und auch ohne aufwendige Reinigungsschritte der Oberfläche die Oberfläche vollständig benetzen kann. Schwach adsorbierte Gasmoleküle aus der Atmosphäre werden von der Flüssigkeit verdrängt. Es sei angemerkt, dass 1 atm = 101,325 kPa.

Beispielsweise weist die Vorrichtung ein Gehäuse auf, in dem der Probenhalter, der Bearbeitungskopf und die Bewegungseinheit angeordnet sind, welches Gehäuse zum Bereitstellen der Inertgas-Atmosphäre eingerichtet ist.

In Ausführungsformen kann das Gehäuse als ein Vakuum -Gehäuse ausgebildet sein und evakuiert werden, so dass in dem Gehäuse ein Vakuum vorhegt. Durch gezieltes Zuführen von Gas in das Vakuum-Gehäuse kann eine Restgas- Zusammensetzung in dem Vakuum -Gehäuse genau eingestellt werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist zumindest ein Auslass und/oder Einlass der Reinigungsanordnung entlang eines der Relativbewegung zwischen dem optischen Element und dem Bearbeitungskopf entsprechenden Pfades zwischen dem ersten Auslass und dem zweiten Auslass angeordnet.

Beispielsweise wird der Bearbeitungskopf während der Bearbeitung linear über die Oberfläche bewegt. Dann ist der Auslass und/oder Einlass der Reinigungsanordnung insbesondere auf einer den ersten Auslass und den zweiten Auslass verbindenden Linie angeordnet. In einer Ausführungsform ist der Bearbeitungskopf als ein drehbar gelagerter Kopf ausgebildet, wobei eine Drehachse beispielsweise senkrecht zu der Oberfläche orientiert ist. In einer Unterseite des Kopfes sind beispielsweise schlitzförmige Auslässe integriert, die sich in radialer Richtung erstrecken. Wenn der Bearbeitungskopf nun gedreht wird, überstreichen die Auslässe nacheinander gleiche Oberflächenabschnitte. In dieser Konfiguration ist der Auslass und/oder Einlass der Reinigungsanordnung gemäß der Drehbewegung zwischen dem ersten und dem zweiten Auslass angeordnet.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung umfasst die Reinigungsanordnung mindestens einen Einlass, der zum Absaugen des ersten Präkursor-Fluids oder des zweiten Präkursor-Fluids eingerichtet ist.

Man kann den Einlass auch als Absaugdüse bezeichnen.

In Ausführungsformen umfasst die Reinigungsanordnung mehr als nur einen Auslass oder Einlass. Insbesondere kann die Reinigungsanordnung derart ausgestaltet sein, dass ein als Absaugdüse ausgebildeter Einlass den ersten Auslass und/oder den zweiten Auslass vollständig umschließt oder es ist für jeden Auslass eine separate Absaugdüse vorgesehen. Damit kann überschüssiges Präkur- sor-Fluid in jeder Richtung ausgehend von dem Auslass des jeweiligen Präkursor-Fluids durch die Absaugdüse abgesaugt werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung mündet der mindestens eine Einlass in einen Abpumpkanal, und wobei entlang des Abpumpkanals eine Abscheidevorrichtung angeordnet ist, die zum Abscheiden und Sammeln des abgepumpten Präkursor-Fluids aus dem abgepumpten Fluid eingerichtet ist.

Beim Absaugen der Flüssigkeit kann insbesondere auch Gas aus einer Umgebung von dem Einlass angesaugt werden, so dass das von dem Einlass abgesaugte Fluid eine Mischung aus dem flüssigen Präkursor-Fluid und dem Umgebungsgas umfassen kann. Das flüssige Präkursor-Fluid kann durch das Absaugen zudem zerstäubt werden und als feine Tröpfchen vorliegen. Die Abscheidevorrichtung trennt vorzugsweise die flüssigen von den gasförmigen Bestandteilen ab. Die Abscheidevorrichtung kann beispielsweise einen Fliehkraftabscheider umfassen und/oder geeignete Filtermittel, wie Luftfilter, umfassen.

Somit kann das überschüssige flüssige Präkursor-Fluid aufgefangen, gesammelt und wiederverwendet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung umfasst die Reinigungsanordnung eine Anzahl von Einlässen zum Absaugen von Fluid und eine Anzahl von Spülfluid- Auslässen zum Zuführen eines jeweiligen Spül-Fluids.

Die Spülfluid- Auslässe können zum Zuführen von gasförmigen oder auch flüssigen Spül-Fluiden eingerichtet sein. Als Spül-Fluide eignen sich beispielsweise inerte Gase oder Flüssigkeiten. Vorzugsweise kann eine Reinigung der Oberfläche erreicht werden, indem der Oberflächenbereich mit Lösungs- oder Reinigungsmittel beaufschlagt wird, bevor und/oder nachdem das erste oder das zweite Präkursor-Fluid zugeführt wurde.

Inerte Gase eignen sich insbesondere, um die Oberfläche abzublasen, wobei die Oberfläche auch getrocknet werden kann (trockenblasen). In einer Ausführungsform ist ein zugeführtes gasförmiges Spül-Fluid eine oberflächenaktive Substanz (engl. "surfactant"), welche insbesondere eine Oberflächenspannung einer Flüssigkeit, wie beispielsweise einem auf der Oberfläche vorhandenen Flüssigkeitsfilm des ersten oder zweiten Präkursor-Fluids, beeinflusst. Durch Oberflächenspannungsgradienten kann ein Materialtransport (von Bereichen geringer Oberflächenspannung hin zu Bereichen größerer Oberflächenspannung) gefördert werden. Dies ist beispielsweise als Marangoni-Effekt bekannt. Dieser Effekt kann insbesondere zur Unterstützung der Trocknung der Oberfläche nach dem Applizieren eines flüssigen Präkursors oder auch eines flüssigen Spül-Fluids genutzt werden.

Die jeweilige Anzahl umfasst einen oder mehr als einen Auslass und/oder Einlass. Beispielsweise umfasst die Reinigungsanordnung mehrere Einlässe (Absaugdüsen) und/oder mehrere Spülfluid- Auslässe. In einer Ausführungsform sind die Absaugdüsen und Spülfluid- Auslässe alternierend angeordnet. Vorzugsweise ist benachbart zu dem ersten Auslass eine erste Absaugdüse angeordnet und benachbart zu dem zweiten Auslass ist eine zweite Absaugdüsen angeordnet. Zwischen den beiden Absaugdüsen ist wenigstens ein Spülfluid- Auslass angeordnet.

In dieser Ausführungsform ist besonders zuverlässig sichergestellt, dass auf der Oberfläche kein verbleibendes, freies erstes Präkursor-Fluid verbleibt, das dazu führen könnte, dass die Bearbeitung nicht auf die Monolage beschränkt ist.

Vorzugsweise ist der Spülfluid- Auslass als eine Luftklinge (engl. "airblade") ausgebildet. Hierbei wird ein gasförmiges Spül-Fluid mit einer hohen Strömungsgeschwindigkeit in einer vorzugsweise laminaren Strömung auf die Oberfläche ge- richtet. Das Spül-Fluid bildet dann einen fluidischen Vorhang aus, der eine hohe Strömungsgeschwindigkeit gegenüber der Umgebung aufweist. Dieser Vorhang "reißt" alle freien (also nicht an die Oberfläche gebundenen) fluidischen Stoffe in der Umgebung mit, insbesondere werden freie Reste des jeweiligen Präkursor- Fluids auf der Oberfläche durch das Spül-Fluid somit verdrängt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist wenigstens ein flüssiges Spül-Fluid vorgesehen.

Flüssige Spül-Fluide können gegenüber gasförmigen den Vorteil haben, dass auch vergleichsweise zähflüssige Präkursor-Fluide genutzt werden können, da das Spül-Fluid das zähflüssige Präkursor-Fluid verdünnen kann und damit dessen Fließeigenschaften verbessern kann, so dass das zähflüssige Präkursor-Fluid dennoch rückstandsfrei von der Oberfläche entfernt werden kann.

Insbesondere wenn der Bearbeitungsprozess einen Atomlagen-Ätzprozess umfasst, hat ein flüssiges Spül-Fluid zudem den Vorteil, dass nicht-volatile Reaktionsprodukte, die nur schwach an die Oberfläche gebunden sind, von dem Spül- Fluid abgetragen und somit entfernt werden können. Insofern trägt das Spül- Fluid hier zu der Erosion der Oberfläche bei. Das eröffnet neue Möglichkeiten im Hinblick auf die verwendbaren Präkursoren, da die Reaktionsprodukte nicht zwingend volatil sein müssen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung umfasst der Bearbeitungskopf eine Temperiervorrichtung zum Temperieren des ersten und/oder zweiten Präkursor-Fluids.

Die Temperiervorrichtung kann sowohl zum Erwärmen als auch zum Abkühlen des zugeführten Fluids geeignet sein. Je nach dem, ob es sich bei dem jeweiligen ablaufenden chemischen Prozess um eine endothermen oder um einen exothermen Vorgang handelt, kann das Erhöhen oder Reduzieren der Temperatur des Fluids die Reaktionsgeschwindigkeit erhöhen oder reduzieren. Über die Temperatur kann daher eine Kinetik des Atomlagen-Bearbeitungsprozesses beeinflusst werden, was zu einer besseren Prozesskontrolle beiträgt.

Die Temperiervorrichtung kann beispielsweise in einer Zuleitung zum Leiten des jeweiligen Fluids zu dem jeweiligen Auslass angeordnet sein.

In Ausführungsformen können weitere Temperiervorrichtung in Bezug auf zugeführtes Spül-Fluid vorgesehen sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Vorrichtung ist das erste oder das zweite Präkursor-Fluid ein Gas und der Bearbeitungskopf umfasst einen Plasmagenerator zum Erzeugen eines Plasmas aus dem gasförmigen Präkursor- Fluid.

Ein Plasmagenerator umfasst beispielsweise einen elektrischen Schwingkreis, der ein sich mit einer geeigneten Frequenzen wechselndes Magnet- und/oder elektrisches Feld im Bereich des jeweiligen Auslasses oder einer Zuleitung zu dem jeweiligen Auslass erzeugt. Durch das Wechselfeld werden Ladungen in den Atomen oder Molekülen des betreffenden Fluids gegeneinander verschoben. Wenn die Energie hierbei groß genug ist, kann ein Atom oder Molekül hierdurch ionisiert werden, das heißt, dass sich ein Elektron von seinem Atom oder Molekül trennt. In dem Plasma liegen daher Ionen und ein quasifreies Elektronengas vor.

Der Plasmagenerator zum Erzeugen des Plasmas in Zusammenwirkung mit dem Probenhalter ausgebildet sein. Beispielsweise bildet der Probenhalter eine Gegenelektrode zu einer in dem Bearbeitungskopf angeordneten Elektrode aus, so dass sich ein elektrisches Feld zwischen dem Bearbeitungskopf und dem Probenhalter ausbildet.

Ein beispielhafter Prozess, in dem ein Plasma verwendet werden kann, ist die Entfernung von auf der Oberfläche des optischen Elements abgelagertem Zinn. Das erste Präkursor-Fluid ist beispielsweise gasförmiger Sauerstoff, der durch den Plasmagenerator ionisiert wird. Somit ist die Oberfläche in dem Bearbeitungsbereich einem Sauerstoff- Plasma ausgesetzt, welches das Zinn effektiv oxidiert. Zinnoxid lässt sich durch eine starke Säure effektiv auflösen. Beispielsweise kommt als zweites Präkursor-Fluid daher flüssige Salzsäure (HCl) zum Einsatz.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist diese eine Proben -Temp eriervorrich tun g zum Temperieren des in dem Probenhalter angeordneten optischen Elements auf.

Die Prob en ■ Temp eriervorrichtung kann alternativ oder zusätzlich zu der vorstehend beschriebenen Temp eriervorrichtung des Bearbeitungskopfs vorgesehen sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist das erste Präkursor- Fluid eine saure wässrige Lösung und das zweite Präkursor-Fluid ist eine alkalische wässrige Lösung.

Die saure wässrige Lösung weist beispielsweise einen geringen pH-Wert im Bereich von 0 - 6, bevorzugt zwischen 0 - 4, auf. Eine solche saure wässrige Lösung kann eine Oberfläche eines Metalls oxidieren. Beispiele für die saure wässrige Lösung sind Salzsäure, Zitronensäure, Essigsäure und dergleichen mehr, wobei eine Konzentration der jeweiligen Säure in der wässrigen Lösung zum Einstellen eines bevorzugten pH-Werts der wässrigen Lösung variiert werden kann. Andere saure Lösungen können ebenfalls verwendet werden.

Die alkalische wässrige Lösung weist beispielsweise einen pH-Wert zwischen 8 - 15, bevorzugt zwischen 11 - 14 auf. Beispiele für die alkalische wässrige Lösung sind Natronlauge, Ammoniakwasser oder dergleichen, wobei eine Konzentration des jeweiligen Stoffs in der wässrigen Lösung zum Einstellen eines bevorzugten pH-Werts der wässrigen Lösung variiert werden kann. Andere basische Lösungen können ebenfalls genutzt werden. Eine solche alkalische Lösung kann zum Auflösen von Metallen genutzt werden, wobei sich durch die Exposition des Metalls mit der alkalischen Lösung beispielsweise ein lösliches Metallhydroxid bildet.

Vorzugsweise ist die jeweilige wässrige Lösung gepuffert, so dass der pH-Wert der Lösung im Wesentlichen konstant ist. Es eignen sich insbesondere schwache Säuren oder Basen zum Bereitstellen der jeweiligen gepufferten Lösung. Eine schwache Säure weist beispielsweise eine Säurekonstante (pKs-Wert) im Bereich zwischen 3 - 13 auf. Eine schwache Base weist beispielsweise eine Basenkonstante (pKb-Wert) im Bereich zwischen 3 - 13 auf. Schwache Säuren oder Basen liegen - im Gegensatz zu starken Säuren oder Basen - in der wässrigen Lösung sowohl in protonierter als auch in deprotonierter Form vor. Ein Gleichgewicht zwischen den beiden Formen bestimmt den pH-Wert der Lösung und puffert Veränderungen desselben ab. Essigsäure ist ein Beispiel einer schwachen Säure, deren pKs-Wert bei etwa 4,75 hegt. In Wasser gelöster Ammoniak ist ein Beispiel einer schwachen Base, deren pKb-Wert bei etwa 4,75 liegt.

Beispielsweise weist das zu reinigende optische Element eine Oberflächenschicht aus Ruthenium auf. Ruthenium ist ein reaktionsträges Edelmetall und dient hierbei insbesondere als Schutzschicht, um die empfindliche Silizium- Molybdän-Mehrschichtstruktur, die einen Bragg-Spiegel für die EUV-Strahlung bildet, vor Oxidation zu schützen. Während der Nutzung des optischen Elements in einer EUV'Lithographieanlage kann sich Zinn (in elementarer Form oder auch Form verschiedener chemischer Verbindungen) aus der EUV'Strahlungsquelle auf der Oberfläche ablagern. Diese Kontaminationen sollen in dem Bearbeitungsprozess entfernt werden, ohne dass die Rutheniumschicht beschädigt wird. Durch die Exposition der Rutheniumschicht mit der sauren wässrigen Lösung kann sich beispielsweise eine oxidische Passivierungsschicht in dem Ruthenium ausbilden (beispielsweise RUO2), und bei der Exposition der Rutheniumschicht mit der alkalischen wässrigen Lösung kann sich eine hydroxidische Passivierungsschicht ausbilden (beispielsweise Ru(OH)s). Das Zinn ist gegenüber dem Ruthenium weniger beständig, weshalb es sich bei Bedingungen, die dem Ruthenium nichts anhaben (bis auf die Ausbildung einer Passivierungsschicht), auflösen lässt, wie beispielsweise in alkalischen Lösungen bei einem pH-Wert im Bereich von 8 - 12.

In Bezug auf die Löslichkeit oder Reaktionsfähigkeit von Metallen mit wässrigen sauren oder alkalischen Lösungen sei darauf verwiesen, dass sich dies aus einem sogenannten Pourbaix-Diagramm für ein jeweiliges Metall ableiten lässt. Ein Pourbaix-Diagramm ist eine schematische empirische Darstellung des elektrochemischen Potentials eines Metalls als Funktion des pH-Werts einer wässrigen Lösung. Es sei diesbezüglich auf M. Pourbaix: "Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solution", National Association of Corrosion Engineers, Houston, 1974. DOP 10.1016/0022-0728(67)80059-7, verwiesen. In Bezug auf Ruthenium sei zudem auf I. Povar, O. Spinm "Ruthenium redox equilibria 3. Pourbaix diagrams for the systems Ru-H2O and Ru-Cl--H2", J. Electrochem. Sei. Eng. 6(1) 145 (2016); DOL10.5599/jese.229, verwiesen. In Bezug auf Zinn sei zudem auf S.B. Lyon: "Corrosion of Tin and its Alloys" in B. Cottis, M. Graham, R. Lindsay, S. Lyon, T. Richardson, D. Scantlebury, H. Stott, Eds., "Shreir's Corrosion", Elsevier, 2010, DOT 10.1016/B978-044452787-5.00099'8, verwiesen.

In Ausführungsformen der Vorrichtung wird als flüssiges Spül-Fluid zwischen dem ersten Präkursor-Fluid und dem zweiten Präkursor-Fluid destilliertes oder entionisiertes Wasser verwendet. Damit können alle sauren oder basischen Rückstände und/oder oder sonstige gelöste Stoffe von der Oberfläche entfernt werden, was zu einer verbesserten Prozesskontrolle beiträgt. Insbesondere kann eine chemische Reaktion, die durch den Kontakt der Oberfläche mit der jeweiligen wässrigen Lösung ausgelöst wird, durch das destillierte Wasser durch Verdrängung der wässrigen Lösung gestoppt werden. Damit lassen sich beispielsweise kontinuierlich ablaufende Prozesse auf eine einzelne Atomlage an der Oberfläche beschränken, indem die Expositionszeit durch zügiges Bewegen des Bearbeitungskopfes sehr kurz gehalten wird. Vorzugsweise wird sowohl nach dem ersten Präkursor-Fluid als auch nach dem zweiten Präkursor-Fluid die Oberfläche mit destilliertem Wasser gespült.

In weiteren Ausführungsformen ist das erste Präkursor-Fluid eine alkalische wässrige Lösung und das zweite Präkursor-Fluid ist eine saure wässrige Lösung.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung umfasst das erste und/oder das zweite Präkursor-Fluid zusätzlich ein Oxidationsmittel.

Beispiele für das Oxidationsmittel sind in der wässrigen Lösung gelöste Nitrationen (NO3 ), Nitritionen (NO2 ), Persulfationen (S2O8 ² ) Thiosulfationen (S2O3 ² ), Wasserstoffperoxidionen (HO ² ) Chloritionen (CIO ² ), Hypochloritionen (CIO ), lodationen (IO3 ) und/oder nitroaromatische Ionen, wie 3-Nitrobenzolsulfonat (C ₆ H ₄ (NO2)SO3) oder 3-Nitrobenzoat (C6H4(NO2)CO2’).

Zum Auflösen von Zinn in alkalischen wässrigen Lösungen haben sich lodationen sowie nitroaromatische Ionen als besonders wirksam herausgestellt, weshalb diese bevorzugt verwendet werden. Es sei diesbezüglich auf den Artikel Y.K. Ta- ninouchi and T. Uda^ "Rapid Oxidative Dissolution of Metallic Tin in Alkaline Solution Containing Iodate Ions", J. of Sustainable Metallurgy, 7, 1762 (2021);

DOP 10.1007/s40831-021-00450-3, verwiesen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist diese ferner eine Messvorrichtung zum Erfassen eines Abstands zwischen dem Bearbeitungskopf und der Oberfläche des optischen Elements auf, wobei die Bewegungseinheit dazu eingerichtet ist, den Bearbeitungskopf und/oder das optische Element in einen vorbestimmten Abstand zueinander zu bewegen.

Dies stellt sicher, dass der Bearbeitungsprozess räumlich begrenzt ist, indem die jeweiligen Präkursoren gezielt in den jeweiligen Bearbeitungsbereich geführt werden. Ein geringerer Abstand ist hierbei vorteilhaft, allerdings ist auch der steuer- und regeltechnische Aufwand zum Einstellen und Halten des Abstands größer, wenn der Abstand kleiner ist.

Der Bearbeitungskopf wird während der Bearbeitung einer jeweiligen Oberfläche insbesondere in einem vorbestimmten Abstand über die Oberfläche geführt. Der Abstand liegt beispielsweise im Bereich zwischen 1 jun - 100 mm, vorzugsweise zwischen 10 jun - 10 mm, bevorzugt zwischen 50 jun - 1 mm, weiter bevorzugt zwischen 50 jun - 500 jun. Der vorbestimmte Abstand bezieht sich hierbei insbesondere auf einen kleinsten Abstand zwischen dem Bearbeitungskopf und der Oberfläche. Vorteilhaft ist der Abstand so gewählt, dass das zugeführte Fluid eine im Wesentlichen laminare Strömung ausbildet. Der Bearbeitungskopf kann an seiner Unterseite strukturiert sein, beispielsweise um eine Fluidströmung zu lenken oder zu beeinflussen, wobei ein Abstand in den strukturierten Bereichen variieren kann. Zudem kann beispielsweise in dem Bereich des ersten und/oder zweiten Auslasses ein größerer Abstand vorliegen, insbesondere wenn über den betreffenden Auslass ein flüssiger Präkursor zugeführt wird.

Vorzugsweise ist die Messvorrichtung an dem Bearbeitungskopf angeordnet, beispielsweise in der Art eines Laser-Abstandsmessers oder eines optischen Interferometers. Vorzugsweise sind an mehreren Positionen des Bearbeitungskopfs Messvorrichtungen vorgesehen, so dass eine Verkippung des Bearbeitungskopfes gegenüber der Oberfläche des optischen Elements erfassbar ist.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist das optische Element eine abschnittsweise gekrümmte Oberfläche auf und eine während des Bearbeitungsprozesses dem optischen Element gegenüberliegende Unterseite des Bearbeitungskopfs weist eine der Krümmung angepasste Form auf.

Beispielsweise handelt es sich bei dem optischen Element um einen Kollektor mit einem bestimmten Krümmungsradius. Indem der Bearbeitungskopf dem Krümmungsradius angepasst wird, kann ein einheitlicher Abstand zwischen dem Bearbeitungskopf und der Oberfläche erreicht werden, so dass der Bearbeitungsprozess auch auf der gekrümmten Oberfläche effizient durchgeführt werden kann.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird ein Verfahren zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage, insbesondere einer EUV- Lithographieanlage, in einem Atomlagen-Bearbeitungsprozess vor geschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte^

Anordnen des optischen Elements auf einem Probenhalter,

Positionieren eines Bearbeitungskopfs gegenüber der Oberfläche des optischen Elements, so dass ein erster Auslass des Bearbeitungskopfs gegenüber einem Bearbeitungsbereich auf der Oberfläche angeordnet ist,

Bewegen des Bearbeitungskopfs und/oder des optischen Elements, so dass der erste Auslass über den Bearbeitungsbereich geführt wird, wobei während des Bewegens mittels des ersten Auslasses ein erstes Präkursor-Fluid in den Bearbeitungsbereich zugeführt wird,

Bewegen des Bearbeitungskopfs und/oder des optischen Elements, so dass eine Reinigungsanordnung des Bearbeitungskopfs über den Bearbeitungsbereich geführt wird, wobei die Reinigungsanordnung zum Entfernen von überschüssigem ersten Präkursor-Fluid aus dem Bearbeitungsbereich eingerichtet ist, und

Bewegen des Bearbeitungskopfs und/oder des optischen Elements, so dass ein zweiter Auslass des Bearbeitungskopfes über den Bearbeitungsbereich geführt wird, wobei während des Bewegens mittels des zweiten Auslasses ein zweites Präkursor-Fluid in den Bearbeitungsbereich zugeführt wird, wobei das erste und das zweite Präkursor-Fluid ausgewählt sind, um einen Atomlagen-Depositionsprozess oder einen Atomlagen-Ätzprozess in dem Bearbeitungsbereich durchzuführen, und wobei das erste und/oder das zweite Präkursor- Fluid eine Flüssigkeit ist.

Die für die Vorrichtung gemäß dem ersten Aspekt beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt.

Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Verfahren zum Reparieren einer Lithogra- phieanlage, insbesondere einer EUV-Lithographieanlage, vor geschlagen. In einem ersten Schritt wird ein optisches Element aus einem Strahlengang der Li- thographieanlage entnommen, wobei das optische Element an einer Einstrahloberfläche eine Kontamination und/oder eine Beschädigung aufweist. In einem zweiten Schritt wird das optische Element in einem Bearbeitungsverfahren gemäß dem zweiten Aspekt bearbeitet. In einem dritten Schritt wird das bearbeitete optische Element in die Lithographieanlage wieder eingebaut.

Das optische Element, dessen Oberfläche vorliegend bearbeitet wird, ist insbesondere Bestandteil eines optischen Systems, wie einer Projektionsoptik oder eines Beleuchtungssystem einer Lithographieanlage sein. Die Lithographieanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für "Extreme Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für "Deep Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.

"Ein" ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

Fig. 1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionshthographie!

Fig. 2 zeigt eine schematische Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage;

Fig. 3A - 3C zeigen schematisch das Durchführen eines räumlichen Atomlagen- Bearbeitungsprozesses in einem Bearbeitungsbereich einer Oberfläche eines optischen Elements!

Fig. 4 zeigt schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel eines Bearbeitungskopfes;

Fig. 5 zeigt schematisch ein zweites Ausführungsbeispiel eines Bearbeitungskopfes;

Fig. 6 zeigt schematisch ein drittes Ausführungsbeispiel eines Bearbeitungskopfes;

Fig. 7 zeigt eine schematische Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage;

Fig. 8 zeigt eine schematische Ansicht eines dritten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer gekrümmten Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage; Fig. 9A und 9B zeigen zwei schematische Ansichten eines vierten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage! und

Fig. 10 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels für ein Verfahren zum Bearbeiten einer Oberfläche eines optischen Elements einer Lithographieanlage.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungs systems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht.

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverla- gerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.

In der Fig. 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x- Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x- Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Reti- kelverlagerungsan trieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.

Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV- Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (EnglJ Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (EnglJ Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (EnglJ Free-Electron-Laser, FEL) handeln.

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (EnglJ Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (EnglJ Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlicht weilenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschhcht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt.

Die ersten F acetten 21 können als makroskopische F acetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige F acetten oder als F acetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 Al bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS'System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 Al, der EP 1 614 008 Bl und der US 6,573,978.

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23.

Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet. Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (EnglJ Fly's Eye Integrator) bezeichnet.

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 Al beschrieben ist.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (Ni-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GFSpiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Fig. 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.

Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel Ml bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer- Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaß- stab ß bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 84.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 Al.

Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.

Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf.

Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.

Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet. Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.

Bei der in der Fig. 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.

Fig. 2 zeigt eine schematische Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung 100 zum Bearbeiten einer Oberfläche 102 eines optischen Elements 101 einer Lithographieanlage 1, beispielsweise der in der Fig. 1 dargestellten Projektionsbelichtungsanlage. Das optische Element 101 ist beispielsweise eines der in der Fig. 1 dargestellten optischen Elemente des Beleuchtungssystems 2, der Beleuchtungsoptik 4 oder der Projektionsoptik 10. Insbesondere kann das optische Element der Kollektor 17, einer der Umlenkspiegel 19 und/oder Facetten 21, 23 des ersten Facettenspiegels 20 oder des zweiten Facettenspiegels 22 sein.

Die Vorrichtung 100 umfasst einen Probenhalter 110 zum Halten des optischen Elements 101 während des Bearbeitungsprozesses, einen gegenüber und oberhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 102 des optischen Elements 101 angeordneten Bearbeitungskopf 120 sowie eine Bewegungseinheit 130. Der Bearbeitungskopf 120 umfasst in diesem Beispiel einen ersten Auslass 121, einen zweite Auslass 122 und eine Reinigungsanordnung 123.

In diesem Beispiel ist der Bearbeitungskopf 120 an der Bewegungseinheit 120 angeordnet, wobei die Bewegungseinheit 130 dazu eingerichtet ist, den Bearbeitungskopf 120 relativ zu der Oberfläche 102 des optischen Elements 101 zu bewegen. Die Bewegungseinheit 130 kann einen oder mehrere Freiheitsgrade aufweisen, beispielsweise bis zu drei lineare Freiheitsgrade (Verschiebung in drei Raumrichtungen x, y, z) und bis zu drei rotatorische Freiheitsgrade (Drehung um drei Achsen).

Der erste Auslass 121 ist zum Zuführen eines ersten Präkursor-Fluids PF1 (siehe Fig. 3A - 3C, 4, 5, 7) in einen Bearbeitungsbereich 102A auf der Oberfläche 102 des optischen Elements 101 eingerichtet. Die Reinigungsanordnung 123 umfasst insbesondere einen Auslass oder Einlass zum Entfernen von überschüssigem ersten Präkursor-Fluid PF1 aus dem Bearbeitungsbereich 102 A. Der zweite Auslass 122 ist zum Zuführen eines zweiten Präkursor-Fluids PF2 (siehe Fig. 3A - 3C, 4, 5, 7) in den Bearbeitungsbereich 102A eingerichtet. Das erste Präkursor-Fluid PF1 und das zweite Präkursor-Fluid PF2 sind derart ausgewählt, dass in dem Bearbeitungsbereich 102A ein Atomlagen-Depositionsprozess oder einen Atomla- gen-Ätzprozess stattfindet, wenn die Oberfläche 102 zuerst dem ersten Präkur- sor-Fluid PF1 und dann dem zweiten Präkursor-Fluid PF2 ausgesetzt wird. Vorliegend wird dies dadurch erreicht, dass die Bewegungseinheit 130 den Bearbeitungskopf 120 entlang eines entsprechenden Pfades über die Oberfläche 102 und den Bearbeitungsbereich 102A bewegt. Um den Prozess auf eine Monolage ML (siehe Fig. 3A - 3C) zu beschränken, wird nach dem Applizieren des ersten Präkursor-Fluids PF1 überschüssiges erstes Präkursor-Fluid PF1 aus dem Bearbeitungsbereich 102 A mittels der Reinigungsanordnung 123 entfernt, bevor das zweite Präkursor-Fluid PF2 zugeführt wird. Durch die räumliche Trennung zwi- sehen dem ersten und zweiten Auslass 121, 122 in dem Bearbeitungskopf 120 und der dazwischenliegenden Reinigungsanordnung 123 ist gewährleistet, dass die Präkursor-Fluide PF1, PF2 sich nicht miteinander vermischen. Das erste Präkursor-Fluid PF1 und/oder das zweite Präkursor-Fluid PF2 ist eine Flüssigkeit.

Der Atomlagen-Depositionsprozess oder Atomlagen-Ätzprozess wird nachfolgend anhand der Fig. 3A - 3C näher erläutert. Fig. 3A - 3C zeigen schematisch das Durchführen eines räumlichen Atomlagen-Bearbeitungsprozesses in einem Bearbeitungsbereich 102A einer Oberfläche 102 eines optischen Elements 101. Der im Folgenden beschriebene Prozess kann beispielsweise mit der Vorrichtung 100 der Fig. 2, 7, 8, 9A, 9B durchgeführt werden.

In den Fig. 3A - 3C ist aus Gründen der Übersicht nur ein Ausschnitt des optischen Elements 101 und der Bearbeitungskopf 120 gezeigt. Detailliertere Darstellungen des Bearbeitungskopfes 120 sind in der Fig. 4 und 5 dargestellt.

Auf der Oberfläche 102 ist in einem Bearbeitungsbereich 102A eine Kontamination 103 vorhanden. Es handelt sich beispielsweise um eine Zinn-Ablagerung. Das Zinn 103 stammt beispielsweise aus der EUV-Lichtquelle der Lithographie- anlage, in der das optische Element 101 eingesetzt wurde.

In der Fig. 3A ist der Bearbeitungskopf 120 an einer ersten Position über dem Bearbeitungsbereich 102A gezeigt. In dieser Position befindet sich nur der erste Auslass 121 über dem Bearbeitungsbereich 102A. Zu beiden Seiten neben dem ersten Auslass 121 sind schematisch Einlässe (Absaugdüsen) der Reinigungsanordnung 123 dargestellt (beispielsweise umschließt die Absaugdüse den ersten Auslass 121 vollständig). Über den ersten Auslass 121 wird beispielsweise ein flüssiger erster Präkursor PF1 zugeführt. Dieser breitet sich in dem durch die Absaugdüse begrenzten Bereich zwischen dem Bearbeitungskopf 120 und der Oberfläche 102 aus. An der Kontaktfläche zwischen dem ersten Präkursor PF1 und der Oberfläche 102 bildet der erste Präkursor PF1 eine Monolage ML aus. In dem von der Kontamination 103 nicht benetzten Bereich der Oberfläche 102 adsorbieren beispielsweise erste Präkursor-Teilchen an der Oberfläche 102. Dort, wo der erste Präkursor PF1 mit der Kontamination 103 in Kontakt kommt, findet insbesondere eine chemische Reaktion zwischen oberflächennahen Atomen der Kontamination 103 und ersten Präkursor-Teilchen statt. Es bildet sich hierbei eine Monolage ML eines Zwischenprodukts aus. Beispielsweise wird das Zinn oxidiert, so dass eine Zinnoxid-Monolage resultiert. Die Monolage ML weist beispielsweise eine Schichtdicke von 0, 1 nm - 2 nm auf. Der Bearbeitungskopf 120 wird über den Bearbeitungsbereich 102A bewegt, was durch den Pfeil schematisch dargestellt ist. Es sei angemerkt, dass hierbei auch das optische Element 101 unter dem Bearbeitungskopf 120 durchlaufen kann. Ein Breite des Bearbeitungsbereichs 102A in die Bildebene hinein ist durch die Breite des Bearbeitungskopfes 120, insbesondere dem ersten und zweiten Auslass 121, 122, festgelegt. In der Fig. 3A ist der zweite Auslass 122 noch nicht über dem Bearbeitungsbereich 102A angeordnet, weshalb noch kein zweites Präkur- sor-Fluid PF2 zugeführt wird.

In der Fig. 3B ist gezeigt, wie der Bearbeitungskopf 120 weiter über den Bearbeitungsbereich 102A bewegt wird, wobei in den Bereichen, die mit dem ersten Präkursor PF 1 in Kontakt gekommen sind, die Monolage ML auf der Oberfläche 102 verbleibt. Überschüssiges erstes Präkursor-Fluid PF1 wird abgesaugt. In der Fig. 3B ist der zweite Auslass 122 ebenfalls über dem Bearbeitungsbereich 102A angeordnet, weshalb nun auch zweites Präkursor-Fluid PF2 zugeführt wird. Der zweite Auslass 122 ist in diesem Beispiel ebenfalls von einer Absaugdüse der Reinigungsanordnung 123 umgeben, so dass das zweite Präkursor-Fluid PF2 auf den durch die Absaugdüse, den Bearbeitungskopf 120 und die Oberfläche 102 begrenzten Raumbereich beschränkt ist. Das zweite Präkursor-Fluid PF2 ist beispielsweise eine starke Säure, wie Salzsäure HCl, die ebenfalls in flüssiger Form zugeführt wird.

An der Oberfläche 102 kommen zweite Präkursor-Teilchen des zweiten Präkursors PF2 in Kontakt mit der Monolage ML des ersten Präkursors oder des Zwischenprodukts. Hierbei findet eine chemische Reaktion CR zwischen den Atomen der Monolage ML und den Teilchen des zweiten Präkursors PF2 statt, wobei insbesondere volatile Verbindungen entstehen. Dies führt insbesondere zu einer Erosion der Zwischenprodukt-Monolage ML aus Zinnoxid. Die Zinnoxid- Monolage ML wird durch die chemische Reaktion CR somit abgetragen oder geätzt. Dies führt zu einem effektiven Ätzen der Kontamination 103. In diesem Beispiel weist die Kontamination 103 eine Dicke mehrerer Monolagen auf, weshalb nach dem dargestellten ersten Atomlagen-Ätzprozess, wie in Fig. 3C gezeigt, noch Zinn 103 auf der Oberfläche 102 verbleibt. Durch eine wiederholte Bearbeitung, also mehrfaches Durchführen der beschriebenen Schritte, kann die Kontamination 103 rückstandfrei entfernt werden.

Da die chemische Reaktion CR lediglich in dem Bereich der Zwischenprodukt- Monolage ML abläuft, ist dieser Atomlagen-Ätzprozess selektiv und auf die Kon- tamination 103 beschränkt. Eine Schädigung der umgebenden Oberfläche 102 findet daher vorteilhaft nicht statt.

Es sei angemerkt, dass anstelle des beispielhaft erläuterten Ätzprozesses ein Ab- Scheidungsprozess in gleicher Weise durchführbar ist, wenn andere Präkursoren PF1, PF2 zum Einsatz kommen. Eine in einem solchen Abscheidungsprozess deponierte Atom-Monolage entsteht überall dort, wo die Monolage ML des ersten Präkursors PF1 auf der Oberfläche 102 vorhanden ist.

Fig. 4 zeigt schematisch einen Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungskopfes 120, der beispielsweise in der Vorrichtung 100 der Fig. 2, 7, 8 oder 9 verwendet werden kann und zur Durchführung des anhand der Fig. 3A - 3C erläuterten Atomlagen-Bearbeitungsprozesses geeignet ist.

Der Bearbeitungskopf 120 der Fig. 4 weist zwei Auslässe 121, 122 auf, die zum Zuführen eines ersten Präkursor-Fluids PF1 oder eines zweiten Präkursor-Fluids PF2 auf. Der erste und der zweite Auslass 121, 122 sind beispielsweise jeweils von einem als Absaugdüse ausgebildeten Einlass 123A- 123D der Reinigungsanordnung 123 (siehe Fig. 2 oder 3A - 3C) umgeben, so dass das jeweilige Präku- rsor-Fluid PF1, PF2 nicht aus dem begrenzten Bereich zwischen den jeweiligen Absaugdüsen 123A - 123D austreten kann.

Zudem umfasst die Reinigungsanordnung 123 in diesem Beispiel einen Spülfluid- Auslass 123X, der zum Zuführen eines Spül-Fluids SF1 eingerichtet ist. Das Spül-Fluid SF1 kann flüssige oder auch gasförmig sein. Beispielsweise ist das Spül-Fluid SF1 ein inertes Gas, wie Stickstoff, welches mit einer hohen Strömungsgeschwindigkeit zugeführt wird, so dass die Oberfläche 102 getrocknet wird. Durch den Spülfluid- Auslass 123X kann somit sichergestellt werden, dass kein freies erstes Präkursor-Fluid auf der Oberfläche verbleibt.

In diesem Beispiel ist ebenfalls dargestellt, dass der Bearbeitungskopf 120 an seiner Unterseite eine gewisse Strukturierung aufweisen kann. So ist die Unterseite des Bearbeitungskopfes 120 im Bereich des ersten und zweiten Auslasses 121, 122 etwas zurückversetzt, so dass sich zwischen dem Bearbeitungskopf 120 und der Oberfläche 102 eine Kammer ausbildet, in dem das jeweilige Präkursor- Fluid PF1, PF2 zirkuliert. Seitlich zu dem ersten und zweiten Auslass 121, 122 enthält der Bearbeitungskopf 120 weitere Elemente, die näher an die Oberfläche 102 heranragen. So bildet zwischen diesen Elemente und der Oberfläche 102 ein die Kammer begrenzender Spalt aus, der beispielsweise nur wenige Mikrometer breit ist, was eine Fluidströmung nach außen hin beeinträchtigt. Wenn zudem die Absaugdüsen mit einem ausreichenden Unterdrück beaufschlagt werden, kann die jeweilige Kammer gegenüber einer Umgebungsatmosphäre auf einen Unterdrück gebracht werden, so dass das jeweilige Präkursor-Fluid PF1, PF2 an einem Austreten durch den Spalt weiter gehindert wird.

Fig. 5 zeigt schematisch einen Querschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungskopfes 120, der beispielsweise in der Vorrichtung 100 der Fig. 2, 7, 8 oder 9 verwendet werden kann und zur Durchführung des anhand der Fig. 3A - 3C erläuterten Atomlagen-Bearbeitungsprozesses geeignet ist.

Der Bearbeitungskopf 120 weist in diesem Beispiel drei Auslässe 121, 122, 124 zum Zuführen eines jeweiligen Präkursor-Fluids PF1, PF2, PF3 auf. Der zusätzliche Auslass 124 weist zudem einen Plasmagenerator 125 auf, der dazu eingerichtet ist, ein über den Auslass 124 zugeführtes Präkursor-Gas PF3 zu ionisieren, so dass dieses als ein Plasma vorhegt. Ein Plasma kann insbesondere zum Aktivieren von bestimmten chemischen Reaktionen, die eine hohe Aktivierungsenergie haben, geeignet sein. Es sei angemerkt, dass auch der erste und/oder der zweite Auslass 121, 122 einen Plasmagenerator 125 aufweisen können, und dass als erstes Präkursor-Fluid PF1 oder als zweites Präkursor-Fluid PF2 ein Gas zugeführt werden kann, das von dem Plasmagenerator 125 in einen Plasma- Zustand angeregt wird.

Der Bearbeitungskopf 120 weist zudem eine Mehrzahl an Absaugdüsen 123A- 123F auf. Zudem sind vier Spülfluid- Auslässe 123X gezeigt, die jeweils zum Zuführen eines jeweiligen Spül-Fluids SF1 - SF4 eingerichtet sind. Beispielsweise wird als Spül-Fluid SF1 ein Lösungsmittel zugeführt, um die Oberfläche 102 vor dem Kontakt mit dem ersten Präkursor PF1 zu reinigen. Die Spül-Fluide SF2, SF3, und SF4 sind beispielsweise insbesondere als fluidische Vorhänge zum Trennen der Bereiche, in denen die Präkursoren PF1, PF2, PF3 vorhanden sind, vorgesehen. Es handelt sich beispielsweise um inerte Gase oder Flüssigkeiten. Beispielsweise bilden die beiden Spülfluid-Auslässe 123X der Spül-Fluide SF2, SF3 jeweils eine Luftklinge (engl. "airknife") aus.

Es sei angemerkt, dass der Bearbeitungskopf 120 auch noch mehr als die hier dargestellten Einlässe und/oder Auslässe aufweisen kann und/oder die Auslässe und Einlässe in einer anderen Anordnung in dem Bearbeitungskopf 120 integriert sind.

Fig. 6 zeigt schematisch eine Ansicht einer Unterseite eines dritten Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungskopfes 120, der beispielsweise in der Vorrich- tung 100 der Fig. 2, 7, 8 oder 9 verwendet werden kann und zur Durchführung des anhand der Fig. 3A - 3C erläuterten Atomlagen-Bearbeitungsprozesses geeignet ist.

In der Fig. 6 ist der Bearbeitungskopf 120 rund ausgebildet. In der Unterseite sind mehrere Einlässe und Auslässe 121, 122, 123A - 123E, 123X integriert. Es handelt sich um einen ersten Auslass 121 zum Zuführen eines ersten Präkursor- Fluids PF1, einen zweiten Auslass 122 zum Zuführen eines zweiten Präkursor- Fluids PF2, zwei Spülfluid- Auslässe 123X zum Zuführen eines jeweiligen Spül- Fluids SF1 - SF4 sowie mehrere Absaugdüsen 123A - 123E zum Absaugen von überschüssigem Präkursor-Fluid PF1, PF2 oder Spül-Fluid SF1 - SF4. Wenn der Bearbeitungskopf 120 gedreht wird, wie durch den Pfeil angedeutet, überstreichen die Einlässe und Auslässe 121, 122, 123A - 123D, 123X nacheinander gleiche Oberflächenabschnitte eines dem Bearbeitungskopf gegenüberliegend angeordneten optischen Elements 101. Somit kann mit diesem Bearbeitungskopf 120 ein wie vorstehend beschriebener räumlicher Atomlagen-Bearbeitungsprozess durchgeführt werden. Eine ringförmige Absaugdüse 123E sorgt beispielsweise dafür, dass die zugeführten Präkursor-Fluide PF1, PF2 oder Spül-Fluide SF1 - SF4 den Bereich zwischen dem Bearbeitungskopf 120 und der Oberfläche 102 des optischen Elements 101 nicht verlassen.

Fig. 7 zeigt eine schematische Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung 100 zum Bearbeiten einer Oberfläche 102 eines optischen Elements 101 einer Lithographieanlage 1. Die Vorrichtung 100 weist alle Elemente der Vorrichtung 100 der Fig. 1 auf, welche hier daher nicht erneut erläutert werden. Die Bewegungseinheit 130 ist in diesem Beispiel Bestandteil des Probenhalters 110, beispielsweise handelt es sich um eine x-yz-Stage. Die Bewegungseinheit 130 kann zudem zum Rotieren des Probenhalters 110 um eine oder mehrere Achsen eingerichtet sein, und damit insbesondere auch zum Verkippen des Probenhalters 110 und damit des optischen Elements 101 (siehe auch die Fig. 8 hierzu). Der Probenhalter 110 weist zudem ein Temperiermittel 112 auf, welche zum Erwärmen oder zum Kühlen des optischen Elements 101 eingerichtet ist. Durch die Steuerung der Temperatur des optischen Elements 101 kann der Atomlagen- Bearbeitungsprozess beeinflusst werden.

Zusätzlich umfasst die Vorrichtung in diesem Beispiel ein Gehäuse 160, in welchem der Probenhalter 110, der Bearbeitungskopf 120 und die Bewegungseinheit 130 angeordnet sind. Das Gehäuse 160 kann als ein Vakuum-Gehäuse ausgebildet sein, oder aber es dient dazu, eine Inertgas-Atmosphäre für den Bearbeitungsprozess bereitzustellen. Das Gehäuse 160 ist optional. Der Bearbeitungskopf 120, der hier vereinfacht und schematisch dargestellt ist, kann wie anhand der Fig. 4 - 6 erläutert ausgebildet sein. Zusätzlich sind an dem Bearbeitungskopf 120 zwei Messvorrichtungen 126 angeordnet. Diese sind jeweils dazu eingerichtet, einen jeweiligen Abstand Dl, D2 zu der Oberfläche 102 des optischen Elements 101 zu erfassen. Der jeweilige erfasste Abstand Dl, D2 kann vorteilhaft zu einer Steuerung oder Regelung der Bewegungseinheit 130 genutzt werden, beispielsweise um einen vorbestimmten Abstand einzustellen und diesen während einer relativen Bewegung zwischen Bearbeitungskopf 120 und optischem Element 101 konstant zu halten. Die Messvorrichtungen 126 können alternativ oder zusätzlich dazu eingerichtet sein, die Oberfläche 102 zu analysieren, beispielsweise um eine chemische Zusammensetzung, einen Schichtaufbau oder dergleichen zu erfassen. Die Messvorrichtungen 126 können dann zur direkten Prozesskontrolle nach jeder Atomlagen-Bearbeitung genutzt werden. Beispielsweise umfassen die Messvorrichtungen 126 spektrale Ellipsometer und/oder Infrarot-Spektrometer.

Es kann auch seitlich zu dem optischen Element 101 auf oder an dem Probenhalter 110 eine oder mehrere Messvorrichtungen (nicht dargestellt) vorgesehen sein, die zum Messen des Abstandes zwischen dem Bearbeitungskopf 120 und der Oberfläche 102 eingerichtet sein können. Dies ist insbesondere bei planen Oberflächen 102 vorteilhaft.

Das erste Präkursor-Fluid PF1 wird in einem Reservoir 141 vorgehalten. Es handelt sich beispielhaft um eine Flüssigkeit. Über eine Leitung 142A, in der eine Pumpe 143 angeordnet ist, kann das Präkursor-Fluid PF1 dem Bearbeitungskopf 120 und dem ersten Auslass 121 (siehe Fig. 2 - 6) zugeführt werden. In der Zuführleitung 142A ist zudem ein Temperiermittel 146 angeordnet, das zum Erwärmen oder zum Ab kühlen des ersten Präkursor-Fluids PF1, bevor dieses in den Bearbeitungsbereich 102A (siehe Fig. 3A - 3C) zugeführt wird, eingerichtet ist.

Über Absaugdüsen 123A - 123F (siehe Fig. 3 - 6) wird überschüssiges Präkur- sor-Fluid PF1 abgesaugt. Der hierfür notwendige Unterdrück wird beispielsweise durch eine Pumpe 144 in einer Leitung 142B bereitgestellt. In der Absaugleitung, die auch als Abpumpkanal bezeichnet werden kann, ist eine Abscheidevorrichtung 145 angeordnet. Die Abscheidevorrichtung 145 trennt flüssige Bestandteile des abgesaugten Fluids von gasförmigen ab. So wird das abgesaugte, überschüssige Präkursor-Fluid PF1 abgetrennt und kann über eine Leitung 142C in das Reservoir 141 zurückgeführt werden. Diese Ausführungen gelten entsprechend für das zweite Präkursor-Fluid PF2, das über entsprechende Leitungen 152A - 152C, Pumpen 153, 154, Temperiermittel 156 und Abscheider 155 gefördert und verarbeitet wird.

Fig. 8 zeigt eine schematische Ansicht eines dritten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung 100 zum Bearbeiten einer Oberfläche 102 eines optischen Elements 101 einer Lithographieanlage 1 (siehe Fig. 1). Die Vorrichtung 100 weist alle Elemente der Vorrichtung 100 der Fig. 1 auf, welche hier daher nicht erneut erläutert werden.

In diesem Beispiel weist das optische Element 101 eine gekrümmte Oberfläche 102 auf, es handelt sich beispielsweise um den Kollektor 17 des Beleuchtungssystems 2. Es sei angemerkt, dass die Krümmung der Oberfläche 102 in diesem Beispiel überzeichnet ist, um diese deutlich sichtbar zu machen. Um einen gleichmäßigen Abstand zwischen der Unterseite des Bearbeitungskopfes 120 und der Oberfläche 102 zu erhalten, ist der Bearbeitungskopf an seiner Unterseite (die der Oberfläche 102 gegenüberliegende Fläche des Bearbeitungskopfes 120) an die Krümmung der Oberfläche 102 angepasst. Das heißt, die Unterseite des Bearbeitungskopfes 120 weist beispielsweise den gleichen Krümmungsradius auf, wie die Oberfläche 102, wobei die Oberfläche 102 konkav ist und die Unterseite des Bearbeitungskopfes 120 konvex ist. In Ausführungsformen kann dies auch umgekehrt sein.

Der Bearbeitungskopf 120 ist in diesem Beispiel nur schematisch dargestellt. Der Bearbeitungskopf 120 kann wie anhand der Fig. 4 - 6 erläutert ausgebildet sein, unter Beachtung der gekrümmten Unterseite. Der Bearbeitungskopf 120 weist auch in diesem Beispiel zwei Messvorrichtungen 126 auf, für die das zu der Fig. 7 Erläuterte entsprechend gilt. Die Messvorrichtungen 126 sind insbesondere zum Messen des Abstandes zwischen dem Bearbeitungskopf 120 und der Oberfläche 102 eingerichtet, da es bei einer gekrümmten Oberfläche 102 ohne eine solche ständige Überwachung des Abstands bei einer Bewegung des Bearbeitungskopfes 120 relativ zu der Oberfläche 102 schnell zu einer Kollision des Bearbeitungskopfes 120 mit der Oberfläche 102 kommen kann.

Die Bewegungseinheit 130 umfasst in diesem Beispiel zwei getrennte Einheiten 130A, 130B. Die Einheit 130 A ist beispielsweise ausschließlich für eine Höheneinstellung des optischen Elements eingerichtet. Wenn die Einheit 130 A mehrfach vorhanden ist, wie hier dargestellt, kann zudem eine Verkippung des optischen Elements 101 vorgenommen werden. Das heißt, dass die Bewegungsein- heit 130 A eine Verkippungseinheit umfasst oder ausbildet. Vorzugsweise sind hierfür drei Einheiten 130A vorgesehen, die das optische Element 101 (oder eine Aufnahme für das optische Element 101) stützen und entsprechend bewegen können. Die Einheiten 130A werden insbesondere in einem Steuer- und/oder Regelkreis mit den Messvorrichtungen 126 angesteuert, um einen bestimmten Abstand zwischen der Oberfläche 102 und dem Bearbeitungskopf 120 einzustellen und eine Kollision zu vermeiden. Die Einheit 130B ist in diesem Beispiel als eine Verschwenkeinheit zum Verschwenken des Bearbeitungskopfes 120 ausgebildet. Damit kann der Bearbeitungskopf 120 an unterschiedliche Positionen über der Oberfläche 102 positioniert werden, so dass der Bearbeitungsbereich 102A selektiv ansteuerbar ist.

Durch die Verkippungseinheit kann ferner die Oberfläche 102 des optischen Elements 101 in einer bestimmten Schräge in Bezug auf eine Schwerkraftrichtung unter dem Bearbeitungskopf 120 angeordnet werden. Ein flüssiger Präkursor wird auf einer schrägen Oberfläche insbesondere in Richtung des Schwerkraft-Gradienten fließen, was genutzt werden kann, um dem zugeführten Präkursor (oder auch einem flüssigen Spül-Fluid) eine Fließrichtung vorzugeben.

Fig. 9A und 9B zeigen zwei schematische Ansichten eines vierten Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung 100 zum Bearbeiten einer Oberfläche 102 eines optischen Elements 101 einer Lithographieanlage 1 (siehe Fig. 1), wobei die Fig. 9A eine schematische Seitenansicht und die Fig. 9B eine schematische Aufsicht der Vorrichtung 100 zeigt.

In diesem Beispiel ist weist der Probenhalter 110 einen drehbar gelagerten Tisch 111 auf, und die Bewegungseinheit 130 ist als ein Motor zum Antreiben (Drehen) des Tisches 111 eingerichtet. Der Bearbeitungskopf 120 ist oberhalb des Tisches 111 angeordnet, so dass ein auf dem Tisch 111 gehaltenes optisches Element 101 unter dem Bearbeitungskopf 120 durchläuft, wenn der Tisch 111 gedreht wird. Der Bearbeitungskopf 120 weist eine rechteckige, längliche Form auf und ist so über dem Tisch 111 angeordnet, dass die lange Seite sich in im Wesentlichen radialer Richtung von einem Mittelpunkt (Drehpunkt) des Tisches 111 nach außen hin erstreckt.

In der Fig. 9B ist der Bearbeitungskopf 120 detailliert dargestellt. Dieser Umfasst einen erste Auslass 121, einen zweiten Auslass 122, mehrere Absaugdüsen 123A - 123D und einen Spülfluid- Auslass 123X. Die Absaugdüsen 123A- 123D und der Spülfluid- Auslass 123X bilden gemeinsam eine Reinigungsanordnung 123 aus. Der Bearbeitungskopf 120 ist in diesem Beispiel insbesondere ortsfest angeordnet, wobei der räumliche Atomlagen-Bearbeitungsprozess durch die Bewegung des optischen Elements 101 unter dem Bearbeitungskopf 120 mittels des Drehtisches 111 erreicht wird.

Es sei angemerkt, dass mit dieser Konfiguration auch optische Elemente 101, die nicht kreisrund sind und/oder die nicht den gesamten Tisch 111 bedecken bearbeitet werden können. Diese werden dann beispielsweise so auf dem Tisch 111 angeordnet, dass die Drehachse des Tisches 111 nicht überdeckt ist.

In einer Ausführungsform (nicht separat dargestellt) ist anstelle des Drehtisches beispielsweise ein Förderband vorgesehen, welches das optische Element 101 in unter dem Bearbeitungskopf 120 hindurchführt.

Fig. 10 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels für ein Verfahren zum Bearbeiten einer Oberfläche 102 (siehe Fig. 2 - 5, 7 - 9) eines optischen Elements 101 (siehe Fig. 2 - 5, 7 - 9) einer Lithographieanlage 1 (siehe Fig. 1) in einem Atomlagen-Bearbeitungsprozess, wie beispielsweise anhand der Fig. 3A - 3C erläutert. In einem ersten Schritt S1 wird das optische Element 101 in einem Probenhalter 110 (siehe Fig. 2, 7 - 9) platziert. In einem zweiten Schritt S2 wird ein Bearbeitungskopf 120 (siehe Fig. 2 - 9) gegenüber der Oberfläche 102 des optischen Elements 101 angeordnet, so dass ein erster Auslass 121 des Bearbeitungskopfs 120 gegenüber einem Bearbeitungsbereich 102A (siehe Fig. 2, 3, 8, 9) auf der Oberfläche 102 angeordnet ist. Insbesondere wird der Bearbeitungskopf 120 hierbei in einen vorbestimmten Abstand zu der Oberfläche 102 gebracht, beispielsweise ein Abstand zwischen 1 jun - 100 mm, vorzugsweise zwischen 10 jun - 10 mm, bevorzugt zwischen 50 jun - 1 mm, weiter bevorzugt zwischen 50 im - 500 jun. In einem dritten Schritt S3 wird der Bearbeitungskopf 120 und/oder das optische Element 101 bewegt, so dass der erste Auslass 121 über den Bearbeitungsbereich 102A geführt wird, wobei während des Bewegens mittels des ersten Auslasses 121 (siehe Fig. 2 - 6, 9B) ein erstes Präkursor-Fluid PF1 (siehe Fig. 3 - 5, 7) in den Bearbeitungsbereich 102 A zugeführt wird. In einem vierten Schritt S4 wird der Bearbeitungskopf 120 und/oder das optische Element 101 weiterbewegt, so dass eine Reinigungsanordnung 123 (siehe Fig. 2 - 6, 9B) des Bearbeitungskopfs 120 über den Bearbeitungsbereich 120A geführt wird, wobei die Reinigungsanordnung 123 zum Entfernen von überschüssigem ersten Präkursor-Fluid PF1 aus dem Bearbeitungsbereich 102 A eingerichtet ist. In einem fünften Schritt S5 wird der Bearbeitungskopf 120 und/oder das optische Element 101 weiterbewegt, so dass ein zweiter Auslass 122 (siehe Fig. 2 - 6, 9B) des Bearbeitungskopfes 120 über den Bearbeitungsbereich 102A geführt wird, wobei während des Bewegens mittels des zweiten Auslasses 122 ein zweites Prä- kursor-Fluid PF2 (siehe Fig. 3 - 5, 7) in den Bearbeitungsbereich 102A zugeführt wird. Das erste und das zweite Präkursor-Fluid PF1, PF2 sind derart ausgewählt, um einen Atomlagen-Depositionsprozess oder einen Atomlagen-Ätzprozess in dem Bearbeitungsbereich 102A durchzuführen. Das erste und/oder das zweite Präkursor-Fluid PF1, PF2 ist dabei eine Flüssigkeit.

Dieses Verfahren realisiert einen räumlichen Atomlagen-Bearbeitungsprozess unter Verwendung von wenigstens einem flüssigen Präkursor-Fluid PF1, PF2. Das Verfahren kann insbesondere die Verwendung von gasförmigen und von flüssigen Präkursor-Fluiden in einem Prozess vorsehen.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.

BEZUGSZEICHENLISTE

1 Projektionsbelichtungsanlage

2 Beleuchtungssystem

3 Lichtquelle

4 Beleuchtungsoptik

5 Objektfeld

6 Objektebene

7 Retikel

8 Retikelhalter

9 Retikelverlagerungsantrieb

10 Projektionsoptik

11 Bildfeld

12 Bildebene

13 Wafer

14 Waferhalter

15 Waferverlagerungsantrieb

16 Beleuchtungsstrahlung

17 Kollektor

18 Zwischenfokusebene

19 Umlenkspiegel

20 erster Facettenspiegel

21 erste F acette

22 zweiter Facettenspiegel

23 zweite Facette

100 Vorrichtung

101 optisches Element

102 Oberfläche

102A Oberflächenbereich

103 Kontamination

110 Probenhalter

112 Temp eriereinheit

120 Bearbeitungskopf

121 erster Auslass

122 zweiter Auslass

123 Reinigungsanordnung

123A Einlass (Absaugdüse)

123B Einlass (Absaugdüse)

123C Einlass (Absaugdüse)

123D Einlass (Absaugdüse) 123E Einlass (Absaugdüse)

123F Einlass (Absaugdüse)

123X Spülfluid- Auslass

124 Auslass

125 Plasmagenerator

126 Messvorrichtung

130 Bewegungseinheit

130 A Bewegungseinheit

130B Bewegungseinheit

141 Reservoir

142A Leitungs ab schnitt

142B Leitungs ab schnitt

142C Leitungs ab schnitt

143 Pumpe

144 Pumpe

145 Abscheidevorrichtung

146 Temp eriereinh eit

151 Reservoir

152 A Leitungs ab schnitt

152B Leitungs ab schnitt

152C Leitungs ab schnitt

153 Pumpe

154 Pumpe

155 Abscheidevorrichtung

156 Temp eriereinh eit

160 Gehäuse

CR chemische Reaktion (Deposition/Ätzen)

Ml Spiegel

M2 Spiegel

M3 Spiegel

M4 Spiegel

M5 Spiegel

M6 Spiegel

ML Monolage

PF1 Präkursor-Fluid

PF2 Präkursor-Fluid

PF3 Präkursor-Fluid

51 Verfahrensschritt

52 Verfahrensschritt 53 Verfahrensschritt

54 Verfahrensschritt

55 Verfahrensschritt

SF1 Spül-Fluid SF2 Spül-Fluid

SF3 Spül-Fluid

SF4 Spül-Fluid