本発明のプラズマディスプレイパネル用誘� ��体材料は、PbOを含有しなくても、比較的容� ��にガラスの低融点化を行うことができ、し� ��も、ガラス基板に適合する熱膨張係数を得� ��すいZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Bi ₂ O ₃ -R ₂ O系非鉛ガラスを基本組成とする。この系の� �ラスにおいては、特に、コストの上昇を抑� �るために、Bi ₂ O ₃ の含有量を少なくし、R ₂ Oを多く含有させた場合、Ag電極が形成された ガラス基板上に誘電体層を形成すると、焼成 時に、誘電体層とAgが反応して、Ag電極周辺� �誘電体層が黄変しやすくなる。

 しかし、本発明では、この系のガラスに� ��いて、黄変を抑制する成分であるCuOを必須� ��分として0.01~1.5質量%含有させている。その� ��め、誘電体層の黄変を抑えることができ、� ��明性に優れた誘電体層を得ることができる� ��

 尚、CuOの含有量が0.01%より少なくなると� �誘電体層の黄変を抑制する効果が得難くな� �。一方、1.5%より多くなると、ガラスが不安� ��となりやすく、ガラスを溶融する際にガラ� ��が失透したり、誘電体材料を焼成する際に� ��ラス中に結晶が析出しやすくなる傾向にあ� ��、透明性に優れた誘電体層が得難くなる。C uOの好ましい範囲は0.02~1.2%である。

 また、本発明の誘電体材料において、コス� ��の上昇を抑えながら、600℃以下の温度で焼� ��することができ、しかも、ガラス基板に適� ��する熱膨張係数を有する誘電体層を得るに� ��、誘電体材料を構成するガラス中のBi ₂ O ₃ を2.5~14.5質量%未満、R ₂ Oを1~12質量%含有させ、R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の値を0.35~5.0(質量比)に制限する必要がある� �

 Bi ₂ O ₃ の含有量が2.5%より少なくなると、ガラスの� �化点が上昇する傾向にあり、600℃以下の温� �で焼成し難くなる。また、ガラスの軟化点� �上昇を抑えるために、Ag電極との反応を起こ しやすくする成分であるR ₂ Oを多く含有させなければならなくなり、CuO� �含有させることによる黄変を抑制する効果� �得難くなる。一方、Bi ₂ O ₃ の含有量が14.5%以上になると、コストが上昇� ��る。また、熱膨張係数がガラス基板より大� ��くなる傾向にあり、誘電体層をガラス基板� ��に形成した際にガラス基板に許容量以上の� ��が残留しやすくなり、パネルの強度が低下� ��易くなる。Bi ₂ O ₃ の好ましい範囲は3~10%未満である。

 R ₂ Oの含有量が1%より少なくなると、ガラスの軟 化点が上昇する傾向にあり、600℃以下の温度 で焼成し難くなる。また、ガラスの軟化点の 上昇を抑えるために、高価な原料であるBi ₂ O ₃ を多く含有させなければならなくなり、コス トが著しく上昇する。一方、12%より多くなる と、CuOを含有させることによる黄変を抑制す る効果が得難くなる。また、熱膨張係数がガ ラス基板より大きくなる傾向にあり、誘電体 層をガラス基板上に形成した際にガラス基板 に許容量以上の歪が残留しやすくなり、パネ ルの強度が低下し易くなる。R ₂ Oの好ましい範囲は1~11%である。尚、R ₂ Oの各成分の好ましい範囲は、質量百分率で� �Li ₂ O 0~2%、Na ₂ O 0~6%、K ₂ O 0~12%である。

 R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の値が、質量比で、0.35より小さくなると、� �ストが著しく上昇する。一方、5.0より大き� �なると、Ag電極との反応が起こりやすくなり 、CuOを含有させることによる黄変を抑制する 効果が得難くなる。また、ガラスの軟化点が 上昇する傾向にあり、600℃以下の温度で焼成 し難くなる。R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の好ましい範囲は0.75~4.7である。

 また、本発明において、ZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Bi ₂ O ₃ -R ₂ O系ガラスを用いるにあたり、十分なガラス� �範囲を有し、ガラス溶融時におけるガラス� �失透や誘電体材料の焼成時におけるガラス� �への結晶の析出を抑えて透明性に優れた誘� �体層を得るには、ZnO、B ₂ O ₃ 及びSiO ₂ を合量で45~85質量%にすることが重要である。 ZnO、B ₂ O ₃ 及びSiO ₂ の合量が少なくなると、ガラス化し難くなる 。一方、ZnO、B ₂ O ₃ 及びSiO ₂ の合量が多くなると、ガラスを溶融する際に ガラスが失透したり、誘電体材料を焼成する 際にガラス中に結晶が析出しやすくなる傾向 にあり、透明性に優れた誘電体層が得難くな る。ZnO、B ₂ O ₃ 及びSiO ₂ の合量の好ましい範囲は55~83%である。尚、各 成分の好ましい範囲は、質量百分率で、ZnO 2 6~55%、B ₂ O ₃  10~40%、SiO ₂  3~20%である。

 また、本発明に使用するZnO-B ₂ O ₃ -SiO ₂ -Bi ₂ O ₃ -R ₂ O系ガラス粉末は、黄変を起こし難く、透明� �に優れ、600℃以下の焼成で良好な流動性を� �し、ガラス基板に適合する熱膨張係数を有� �るガラスであれば制限はないが、特に、実� �的にPbOを含まず、質量百分率で、ZnO 26~55%、 B ₂ O ₃  10~40%、SiO ₂  3~20%、ZnO+B ₂ O ₃ +SiO ₂  45~85%、Bi ₂ O ₃  2.5~14.5%未満、Li ₂ O 0~2%、Na ₂ O 0~6%、K ₂ O 0~12%、R ₂ O 1~12%、MgO 0~15%、CaO 0~15%、SrO 0~15%、BaO 0~15% 、RO(ROはMgO、CaO、SrO、BaOのアルカリ土類金属� ��化物を表す) 0~18%、CuO 0.01~1.5%含有し、質量 比でR ₂ O/Bi ₂ O ₃ が0.35~5.0となるガラスを使用することが望ま� ��い。

 本発明においてガラスの組成を上記のよ� ��に限定した理由は、次のとおりである。

 ZnOはガラスを構成する主成分であると共� ��、ガラスの軟化点を下げる成分であり、そ� ��含有量は26~55%である。ZnOの含有量が少なく� ��ると、ガラスの軟化点が上昇して、600℃以� ��の温度で焼成し難くなる。また、ガラスの� ��膨張係数がガラス基板より大きくなる傾向� ��あり、誘電体層をガラス基板上に形成した� ��にガラス基板に許容量以上の歪が残留しや� ��くなり、パネルの強度が低下し易くなる。� ��方、含有量が多くなると、ガラスが不安定� ��なりやすく、ガラスを溶融する際にガラス� ��失透したり、誘電体材料を焼成する際にガ� ��ス中に結晶が析出しやすくなる傾向にあり� ��透明性に優れた誘電体層が得難くなる。ZnO� ��より好ましい範囲は28~50%である。

 B ₂ O ₃ はガラスの骨格を形成すると共に、ガラス化 範囲を広げ、ガラスを安定化させる成分であ り、その含有量は10~40%である。B ₂ O ₃ の含有量が少なくなると、ガラスが不安定と なりやすく、ガラスを溶融する際にガラスが 失透したり、誘電体材料を焼成する際にガラ ス中に結晶が析出しやすくなる傾向にあり、 透明性に優れた誘電体層が得難くなる。一方 、含有量が多くなると、ガラスの軟化点が高 くなる傾向にあり、600℃以下の温度で焼成し 難くなる。また、ガラスの熱膨張係数がガラ ス基板より大きくなる傾向にあり、誘電体層 をガラス基板上に形成した際にガラス基板に 許容量以上の歪が残留しやすくなり、パネル の強度が低下し易くなる。B ₂ O ₃ のより好ましい範囲は13~38%である。

 SiO ₂ はガラスの骨格を形成する成分であり、その 含有量は3~20%である。SiO ₂ の含有量が少なくなると、ガラス化し難くな る。一方、含有量が多くなるとガラスの軟化 点が高くなる傾向にあり、600℃以下の温度で 焼成し難くなる。SiO ₂ のより好ましい範囲は5~19%である。

 尚、十分なガラス化範囲を有し、ガラス溶� ��時におけるガラスの失透や誘電体材料の焼� ��時におけるガラス中への結晶の析出を抑え� ��透明性に優れた誘電体層を得るには、SiO ₂ 、B ₂ O ₃ 及びZnOを合量で45~85%にする必要がある。SiO ₂ 、B ₂ O ₃ 及びZnOの合量が少なくなると、ガラス化し難 くなる。一方、SiO ₂ 、B ₂ O ₃ 及びZnOの合量が多くなると、ガラスが不安定 となりやすく、ガラスを溶融する際にガラス が失透したり、誘電体材料を焼成する際にガ ラス中に結晶が析出しやすくなる傾向にあり 、透明性に優れた誘電体層が得難くなる。SiO ₂ 、B ₂ O ₃ 及びZnOの合量の好ましい範囲は55~80%である。

 Bi ₂ O ₃ は熱膨張係数を調整する成分である。また、 ガラスの軟化点を低下させる成分であるため 、Agによる誘電体層の黄変を生じやすくする� ��分であるR ₂ Oの含有量を減らすことができる効果も有す� �成分である。その含有量は2.5~14.5%未満であ� �。Bi ₂ O ₃ の含有量が少なくなると、ガラスの軟化点を 低下させるためにR ₂ Oを多く含有させなければならなくなり、CuO� �含有させることによる黄変を抑制する効果� �得難くなる。一方、Bi ₂ O ₃ の含有量が多くなると、ガラスの熱膨張係数 がガラス基板より大きくなる傾向にあり、誘 電体層をガラス基板上に形成した際にガラス 基板に許容量以上の歪が残留しやすくなり、 パネルの強度が低下し易くなる。また、Bi ₂ O ₃ は高価な原料であるため、コストの上昇を招 く。Bi ₂ O ₃ の好ましい範囲は3~10%未満である。

 Li ₂ Oはガラスの軟化点を著しく低下させたり、� �膨張係数を調整する成分であり、その含有� �は0~2%である。Li ₂ Oの含有量が多くなると、CuOを含有させるこ� �による誘電体層の黄変を抑制する効果が著� �く低下しやすくなる。また、熱膨張係数が� �ラス基板より大きくなる傾向にあり、誘電� �層をガラス基板上に形成した際にガラス基� �に許容量以上の歪が残留しやすくなり、パ� �ルの強度が低下し易くなる。Li ₂ Oのより好ましい範囲は0~0.5%であり、さらに� �ましくは実質的に含有しないことである。

 Na ₂ Oはガラスの軟化点を低下させたり、熱膨張� �数を調整する成分であり、その含有量は0~6%� ��ある。Na ₂ Oの含有量が多くなると、CuOを含有させるこ� �による誘電体層の黄変を抑制する効果が得� �くなる。また、熱膨張係数がガラス基板よ� �大きくなる傾向にあり、誘電体層をガラス� �板上に形成した際にガラス基板に許容量以� �の歪が残留しやすくなり、パネルの強度が� �下し易くなる。Na ₂ Oのより好ましい範囲は0~5%である。

 K ₂ Oはガラスの軟化点を低下させたり、熱膨張� �数を調整する成分であり、その含有量は0~12% である。K ₂ Oの含有量が多くなると、CuOを含有させるこ� �による誘電体層の黄変を抑制する効果が得� �れない場合がある。また、熱膨張係数がガ� �ス基板より大きくなる傾向にあり、誘電体� �をガラス基板上に形成した際にガラス基板� �許容量以上の歪が残留しやすくなり、パネ� �の強度が低下し易くなる。K ₂ Oのより好ましい範囲は0~11%である。

 尚、600℃以下の温度で焼成でき、Ag電極と� �反応による誘電体層の黄変を抑え、ガラス� �板に適合する熱膨張係数を有するようにす� �には、Li ₂ O、Na ₂ O及びK ₂ Oの合量を示すR ₂ Oとしては1~12%にする必要がある。R ₂ Oの含有量が少なくなると、ガラスの軟化点� �上昇して、600℃以下の温度で焼成し難くな� �。また、ガラスの軟化点の上昇を抑えるた� �に、高価な原料であるBi ₂ O ₃ を多く含有させなければならなくなり、コス トが著しく上昇する。一方、R ₂ Oの含有量が多くなると、CuOを含有させるこ� �による黄変を抑制する効果が得難くなる。� �た、熱膨張係数がガラス基板より大きくな� �傾向にあり、誘電体層をガラス基板上に形� �した際にガラス基板に許容量以上の歪が残� �しやすくなり、パネルの強度が低下し易く� �る。R ₂ Oの好ましい範囲は1~11%である。

 また、コストの上昇を抑えながら、ガラス� ��軟化点を低下させると共にAg電極との反応� �よる誘電体層の黄変を抑制するには、R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の値を質量比で0.35~5.0の範囲にする必要があ� ��。R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の値が小さくなると、コストが著しく上昇す る。一方、R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の値が大きくなると、Ag電極との反応が起こ� ��やすくなり、CuOを含有させることによる黄� ��を抑制する効果が得難くなる。また、ガラ� ��の軟化点が上昇する傾向にあり、600℃以下� ��温度で焼成し難くなる。R ₂ O/Bi ₂ O ₃ の好ましい範囲は0.75~4.7である。

 MgOはガラスの軟化点を低下させると共に� ��熱膨張係数を調整する成分であり、その含� ��量は0~15%である。MgOの含有量が多くなると� �ガラスが不安定となりやすく、ガラスを溶� �する際にガラスが失透したり、誘電体材料� �焼成する際にガラス中に結晶が析出しやす� �なる傾向にあり、透明性に優れた誘電体層� �得難くなる。また、熱膨張係数がガラス基� �より大きくなる傾向にあり、誘電体層をガ� �ス基板上に形成した際にガラス基板に許容� �以上の歪が残留しやすくなり、パネルの強� �が低下し易くなる。MgOのより好ましい範囲� �0~10%である。

 CaOはガラスの軟化点を低下させると共に� ��熱膨張係数を調整する成分であり、その含� ��量は0~15%である。また、アルカリ土類金属� �化物の中で最もAg電極との反応による誘電体 層の黄変が生じ難い成分でもある。CaOの含有 量が多くなると、ガラスが不安定となりやす く、ガラスを溶融する際にガラスが失透した り、誘電体材料を焼成する際にガラス中に結 晶が析出しやすくなる傾向にあり、透明性に 優れた誘電体層が得難くなる。また、熱膨張 係数がガラス基板より大きくなる傾向にあり 、誘電体層をガラス基板上に形成した際にガ ラス基板に許容量以上の歪が残留しやすくな り、パネルの強度が低下し易くなる。CaOのよ り好ましい範囲は0~13%である。

 SrOはガラスの軟化点を低下させると共に� ��熱膨張係数を調整する成分であり、その含� ��量は0~15%である。SrOの含有量が多くなると� �ガラスが不安定となりやすく、ガラスを溶� �する際にガラスが失透したり、誘電体材料� �焼成する際にガラス中に結晶が析出しやす� �なる傾向にあり、透明性に優れた誘電体層� �得難くなる。また、熱膨張係数がガラス基� �より大きくなる傾向にあり、誘電体層をガ� �ス基板上に形成した際にガラス基板に許容� �以上の歪が残留しやすくなり、パネルの強� �が低下し易くなる。SrOのより好ましい範囲� �0~10%である。

 BaOはガラスの透過率を高める成分である� ��また、ガラスの軟化点を低下させると共に� ��熱膨張係数を調整する成分でもある。その� ��有量は0~15%である。BaOの含有量が多くなる� �、ガラスが不安定となりやすく、ガラスを� �融する際にガラスが失透したり、誘電体材� �を焼成する際にガラス中に結晶が析出しや� �くなる傾向にあり、透明性に優れた誘電体� �が得難くなる。また、熱膨張係数がガラス� �板より大きくなる傾向にあり、誘電体層を� �ラス基板上に形成した際にガラス基板に許� �量以上の歪が残留しやすくなり、パネルの� �度が低下し易くなる。BaOのより好ましい範� �は0~13%である。尚、誘電体層の透過率を高め たい場合は、BaOを0.1%以上含有させることが� �ましい。

 尚、MgO、CaO、SrO及びBaOの合量を示すROと� �ては0~18%であることが好ましい。ROの含有量� ��多くなると、ガラスが不安定となりやすく� ��ガラスを溶融する際にガラスが失透したり� ��誘電体材料を焼成する際にガラス中に結晶� ��析出しやすくなる傾向にあり、透明性に優� ��た誘電体層が得難くなる。また、熱膨張係� ��がガラス基板より大きくなる傾向にあり、� ��電体層をガラス基板上に形成した際にガラ� ��基板に許容量以上の歪が残留しやすくなり� ��パネルの強度が低下し易くなる。ROのより� �ましい範囲は0~16%である。

 CuOは焼成時に誘電体層とAg電極との反応� �起こし難くして、誘電体層の黄変を抑制す� �成分であり、その含有量は0.01~1.5%である。Cu Oの含有量が少なくなると、Ag電極との反応を 抑え難くなり、誘電体層の黄変を抑制する効 果が得難くなる。一方、含有量が多くなると 、ガラスが不安定となりやすく、ガラスを溶 融する際にガラスが失透したり、誘電体材料 を焼成する際にガラス中に結晶が析出しやす くなる傾向にあり、透明性に優れた誘電体層 が得難くなる。CuOの好ましい範囲は0.02~1.2%で ある。

 また、本発明の誘電体材料は、上記成分以� ��にも、より黄変を抑制するためにMoO ₃ を0~3%(望ましくは0~2.5%)、また、CoOを0~0.2%(望� �しくは0.03~0.15%)添加してもよい。但し、これ らの成分の含有量が多くなると、これら成分 による誘電体層の着色が強くなり、透明性に 優れた誘電体層が得難くなる。

 さらに上記成分以外にも、要求される特性� ��損なわない範囲で種々の成分を添加するこ� ��ができる。例えば、ガラスの軟化点を低下� ��せるために、Cs ₂ O、Rb ₂ O等を合量で5%まで、ガラスを安定化させたり 、耐水性や耐酸性を向上させるために、Y ₂ O ₃ 、La ₂ O ₃ 、Ta ₂ O ₅ 、SnO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、TiO ₂ 、ZrO ₂ 、Nb ₂ O ₅ 、P ₂ O ₅ 等を合量で10%まで添加することができる。尚 、Al ₂ O ₃ 、TiO ₂ 及びZrO ₂ は、ガラスの軟化点を上昇させたり、ガラス を溶融する際にガラスを失透させたり、誘電 体材料を焼成する際にガラス中に結晶を析出 させ、透明な焼成膜を得難くする成分でもあ るため、これら成分の含有量は合量で3.5%以� �とすることが望ましい。

 但し、PbOは、ガラスの融点を低下させる� ��分であるが、環境負荷物質でもあるため、� ��質的に含有しないことが好ましい。

 尚、本発明で言う「実質的に含有しない� ��とは、積極的に原料として用いず不純物と� ��て混入するレベルをいい、具体的には、含� ��量が0.1%以下であることを意味する。

 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘� ��体材料におけるガラス粉末の粒度は、平均� ��径D ₅₀ が3.0μm以下、最大粒径D _max が20μm以下のものを使用することが望ましい� ��いずれか一方でもその上限を超えると、焼� ��膜中に泡が残存しやすくなり、透明性に優� ��、安定した耐電圧を有する誘電体層が得難� ��なるためである。

 本発明のプラズマディスプレイパネル用� ��電体材料は、熱膨張係数や焼成後の強度及� ��外観の調節の為に、上記ガラス粉末に加え� ��セラミック粉末を含有してもよい。セラミ� ��ク粉末が多くなると、十分に焼結が行えず� ��緻密な膜を形成することが難しくなる。尚� ��セラミック粉末としては、例えばアルミナ� ��ジルコニア、ジルコン、チタニア、コージ� ��ライト、ムライト、シリカ、ウイレマイト� ��酸化錫、酸化亜鉛等を1種又は2種以上組み� �わせて使用することができる。

 上述のように、本発明のプラズマディス� ��レイパネル用誘電体材料は、600℃以下の温� ��で焼成することができ、焼成時に、誘電体� ��が黄変し難く、透明性に優れた焼成膜が得� ��れるため、特に、Ag電極が形成された前面� �ラス基板用の透明誘電体層の形成に用いら� �る誘電体材料として有用である。また、2層� ��上の誘電体構造を有する誘電体における電� ��と接する下層誘電体層としても使用するこ� ��が可能である。もちろん、Ag以外の電極上� �形成する誘電体材料や、下層誘電体層の上� �形成され直接電極と接することない上層誘� �体層の材料や、それ以外の用途、例えば、� �面ガラス基板用のアドレス電極保護誘電体� �料や隔壁形成材料として使用することもで� �る。

 前面ガラス基板用の透明誘電体材料とし� ��使用する場合は、上記セラミック粉末の含� ��量を0~10質量%にすることで使用できる。セ� �ミック粉末の含有量をこのようにすること� �、セラミック粉末の添加による可視光の散� �を抑えて透明度の高い焼成膜を得ることが� �きる。また、背面ガラス基板用のアドレス� �極保護誘電体材料や隔壁材料として使用す� �場合は、上記セラミック粉末を5~40質量%の範 囲で含有させることで使用できる。セラミッ ク粉末の含有量をこのようにすることで、高 い強度、或いは優れた耐酸性を有する焼成膜 を得ることができる。

 次に、本発明のプラズマディスプレイパ� ��ル用誘電体材料の使用方法を説明する。本� ��明の材料は、例えばペーストやグリーンシ� ��トなどの形態で使用することができる。

 ペーストの形態で使用する場合、上述し� ��誘電体材料と共に、熱可塑性樹脂、可塑剤� ��溶剤等を使用する。尚、ペースト全体に占� ��る誘電体材料の割合としては、30~90質量%程� ��が一般的である。

 熱可塑性樹脂は、乾燥後の膜強度を高め� ��また柔軟性を付与する成分であり、その含� ��量は、0.1~20質量%程度が一般的である。熱可 塑性樹脂としてはポリブチルメタアクリレー ト、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタ アクリレート、ポリエチルメタアクリレート 、エチルセルロース等が使用可能であり、こ れらを単独あるいは混合して使用する。

 可塑剤は、乾燥速度をコントロールする� ��共に、乾燥膜に柔軟性を与える成分であり� ��その含有量は0~10質量%程度が一般的である� �可塑剤としてはブチルベンジルフタレート� �ジオクチルフタレート、ジイソオクチルフ� �レート、ジカプリルフタレート、ジブチル� �タレート等が使用可能であり、これらを単� �あるいは混合して使用する。

 溶剤は材料をペースト化するための材料� ��あり、その含有量は10~30質量%程度が一般的� ��ある。溶剤としては、例えばターピネオー� ��、ジエチレングリコールモノブチルエーテ� ��アセテート、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタジ� �ールモノイソブチレート等を単独または混� �して使用することができる。

 ペーストの作製は、上記の誘電体材料、� ��可塑性樹脂、可塑剤、溶剤等を用意し、こ� ��を所定の割合で混練することにより行うこ� ��ができる。

 このようなペーストを用いて、透明誘電� ��層又はアドレス保護誘電体層を形成するに� ��、まず、走査電極が形成された前面ガラス� ��板やアドレス電極が形成された背面ガラス� ��板上に、これらのペーストをスクリーン印� ��法や一括コート法等を用いて塗布し、所定� ��膜厚の塗布層を形成した後、乾燥させる。� ��の後、500~600℃の温度で5~20分間保持し焼成� �ることで所定の誘電体層を得ることができ� �。尚、焼成温度が低すぎたり、保持時間が� �くなると、十分に焼結が行えず、緻密な膜� �形成することが難しくなる。一方、焼成温� �が高すぎたり、保持時間が長くなると、ガ� �ス基板が変形したり、Agによる誘電体層の黄 変が生じやすくなる。

 尚、2層以上の誘電体構造を有する誘電体 層を形成する場合、予め電極が形成されたガ ラス板上に、下層誘電体形成用ペーストをス クリーン印刷法や一括コート法等によって、 膜厚およそ20~80μmに塗布し、乾燥させた後、� ��記と同様に焼成する。続いて、その上に上� ��誘電体形成用ペーストをスクリーン印刷や� ��括コート法等によって膜厚およそ60~160μmに� ��布し、乾燥させる。その後、上記と同様に� ��成することで得ることができる。

 本発明の材料をグリーンシートの形態で� ��用する場合、上述した誘電体材料と共に、� ��可塑性樹脂、可塑剤等を使用する。尚、グ� ��ーンシート中に占める誘電体材料の割合は� ��60~80質量%程度が一般的である。

 熱可塑性樹脂及び可塑剤としては、上記� ��ーストの調製の際に用いられるのと同様の� ��可塑性樹脂及び可塑剤を用いることができ� ��熱可塑性樹脂の混合割合としては、5~30質量 %程度が一般的であり、可塑剤の混合割合と� �ては、0~10質量%程度が一般的である。

 グリーンシートを作製する一般的な方法� ��しては、上記の誘電体材料、熱可塑性樹脂� ��可塑剤等を用意し、これらにトルエン等の� ��溶媒や、イソプロピルアルコール等の補助� ��媒を添加してスラリーとし、このスラリー� ��ドクターブレード法によって、ポリエチレ� ��テレフタレート(PET)等のフィルムの上にシ� �ト成形する。シート成形後、乾燥させるこ� �によって溶媒や溶剤を除去し、グリーンシ� �トとすることができる。

 以上のようにして得られたグリーンシー� ��を用いて前面又は背面誘電体層を形成する� ��は、走査電極が形成された前面ガラス基板� ��アドレス電極が形成された背面ガラス基板� ��に、グリーンシートを配置し、熱圧着して� ��布層を形成した後に、上述のペーストの場� ��と同様に焼成することで誘電体層を得るこ� ��ができる。

 尚、2層以上の誘電体構造を有する誘電体 層を形成する場合、予め電極が形成されたガ ラス板上に、下層誘電体形成用グリーンシー トを熱圧着して下層誘電体膜を形成した後、 上述のペーストの場合と同様に焼成する。続 いてその上に上層誘電体形成用グリーンシー トを熱圧着して上層誘電体膜を形成し、その 後、上記と同様に焼成することで得ることが できる。

 2層以上の誘電体構造を有する誘電体層を 形成するにあたっては、上層誘電体形成材料 としてペーストやグリーンシートのどちらを 用いて形成した場合でも、下層誘電体層の焼 成温度±20℃の温度範囲で上層誘電体材料を� �成すればよい。この条件で焼成すれば、Agに よる誘電体層の黄変を抑制でき、しかも、下 層誘電体層の形状を維持しながら、下層と上 層との界面での発泡を抑制することができる 。また、上層誘電体材料及び下層誘電体材料 の焼成温度が同じである場合は、上記形成方 法以外にも、下層誘電体膜を乾燥させた後、 上層誘電体膜を形成し乾燥後、所定の温度で 両層を同時焼成する方法を採用することもで きる。

 また、下層誘電体層は、ペーストを用い� ��形成し、上層誘電体層は、グリーンシート� ��用いて形成するハイブリッド形成法を用い� ��ことも可能である。

 上記のように、電極が形成されたガラス� ��板上に本発明の誘電体材料を塗布または配� ��し、焼成することで、Agによる黄変が少な� �、透明性に優れた本発明のプラズマディス� �レイパネル用誘電体層を備えたプラズマデ� �スプレイパネル用ガラス板を得ることがで� �る。

 上記の説明においては、誘電体形成方法� ��して、ペーストまたはグリーンシートを用� ��た方法を例にして説明しているが、本発明� ��プラズマディスプレイパネル用誘電体材料� ��、これらの方法に限定されるものではなく� ��感光性ペースト法、感光性グリーンシート� ��などその他の形成方法にも適用され得る材� ��である。