以下に添付図面を参照しながら、本発明� ��好適な実施の形態について詳細に説明する� ��なお、本明細書及び図面において、実質的� ��同一の機能構成を有する構成要素について� ��、同一の符号を付することにより重複説明� ��省略する。

 まず、本発明の一実施形態にかかる表示� ��置の構成について説明する。図1は、本発明 の一実施形態にかかる表示装置100の構成につ いて説明する説明図である。以下、図1を用� �て本発明の一実施形態にかかる表示装置100� �構成について説明する。

 図1に示したように、本発明の一実施形態 にかかる表示装置100は、制御部104と、記録部 106と、信号処理集積回路110と、記憶部150と、 データドライバ152と、ガンマ回路154と、過電 流検出部156と、パネル158と、を含んで構成さ れる。

 そして信号処理集積回路110は、エッジぼ� ��し部112と、I/F部114と、リニア変換部116と、� ��ターン生成部118と、色温度調整部120と、静� ��画検波部122と、長期色温度補正部124と、発� ��時間制御部126と、信号レベル補正部128と、� ��ラ補正部130と、ガンマ変換部132と、ディザ� ��理部134と、信号出力部136と、長期色温度補� ��検波部138と、ゲートパルス出力部140と、ガ� ��マ回路制御部142と、を含んで構成される。

 表示装置100は、映像信号の供給を受ける� ��、その映像信号を分析して、分析した内容� ��従って、後述するパネル158の内部に配置さ� ��る画素を点灯することで、パネル158を通じ� ��映像を表示するものである。

 制御部104は、信号処理集積回路110の制御� ��行うものであり、I/F部114との間で信号の授� ��を行う。また、制御部104はI/F部114から受け� ��った信号に対して各種信号処理を行う。制� ��部104で行う信号処理には、例えばパネル158� ��表示する画像の輝度の調整に用いるゲイン� ��算出がある。

 記録部106は、制御部104において信号処理� ��積回路110を制御するための情報を格納する� ��めのものである。記録部106として、表示装� ��100の電源が切れている状態でも情報が消え� ��に格納することができるメモリを用いるこ� ��が好ましい。記録部106として採用するメモ� ��として、例えば電気的に内容を書き換える� ��とができるEEPROM(Electronically Erasable and Progr ammable Read Only Memory)を用いることが望まし� �。EEPROMは基板に実装したままでデータの書� �込みや消去を行うことができる不揮発性の� �モリであり、刻一刻と変化する表示装置100� �情報を格納するために好適なメモリである� �

 信号処理集積回路110は、映像信号を入力� ��、入力された映像信号に対して信号処理を� ��すものである。本実施形態では、信号処理� ��積回路110に入力される映像信号はデジタル� ��号であり、信号幅は10ビットである。入力� �た映像信号に対する信号処理は、信号処理� �積回路110の内部の各部で行う。

 エッジぼかし部112は、入力された映像信� ��に対してエッジをぼかすための信号処理を� ��うものである。具体的には、エッジぼかし� ��112は、パネル158への画像の焼き付き現象を� ��ぐために、画像を意図的にずらすことでエ� ��ジをぼかして、画像の焼き付き現象を抑え� ��ものである。

 リニア変換部116は、入力に対する出力が� ��ンマ特性を有する映像信号を、ガンマ特性� ��らリニア特性を有するように変換する信号� ��理を行うものである。リニア変換部116で入� ��に対する出力がリニア特性を有するように� ��号処理を行うことで、パネル158で表示する� ��像に対する様々な処理が容易になる。リニ� ��変換部116での信号処理によって、映像信号� ��信号幅が10ビットから14ビットに拡がる。リ ニア変換部116でリニア特性を有するように映 像信号を変換すると、後述するガンマ変換部 132においてガンマ特性を有するように変換す る。

 パターン生成部118は、表示装置100の内部� ��画像処理で使用するテストパターンを生成� ��るものである。表示装置100の内部の画像処� ��で使用するテストパターンとしては、例え� ��パネル158の表示検査に用いるテストパター� ��がある。

 色温度調整部120は、画像の色温度の調整� ��行うものであり、表示装置100のパネル158で� ��示する色の調整を行うものである。図1には 図示していないが、表示装置100には色温度を 調整するための色温度調整手段を備えており 、利用者が色温度調整手段を操作することで 、画面に表示される画像の色温度を手動で調 整することができる。

 長期色温度補正部124は、有機EL素子のR(赤 )、G(緑)、B(青)各色の輝度・時間特性(LT特性)� ��異なることによる経年変化を補正するもの� ��ある。有機EL素子には、R、G、B各色のLT特性 が異なるため、発光時間の経過に伴って色の バランスが崩れてくる。その色のバランスを 補正するものである。

 発光時間制御部126は、映像をパネル158に� ��示する際のパルスのデューティ比を算出し� ��、有機EL素子の発光時間を制御するもので� �る。表示装置100は、パルスがHI状態の間にパ ネル158内部の有機EL素子に対して電流を流す� ��とで、有機EL素子を発光させて画像の表示� �行う。

 信号レベル補正部128は、画像の焼き付き� ��象を防ぐために、映像信号の信号レベルを� ��正することでパネル158に表示する映像の輝� ��を調整するものである。画像の焼き付き現� ��は、特定の画素の発光頻度が他の画素に比� ��て高い場合に生じる発光特性の劣化現象の� ��とであり、劣化してしまった画素は他の劣� ��していない画素に比べて輝度の低下を招い� ��、周辺の劣化していない部分との輝度差が� ��きくなる。この輝度の差によって、画面に� ��字が焼き付いてしまったように見える。

 信号レベル補正部128は、映像信号と発光� ��間制御部126で算出されたパルスのデューテ� ��比とから各画素または画素群の発光量を算� ��し、算出した発光量に基づいて、必要に応� ��て輝度を落とすためのゲインを算出し、算� ��したゲインを映像信号に乗じるものである� ��

 長期色温度補正検波部138は、長期色温度� ��正部124で補正するための情報を検知するも� ��である。長期色温度補正検波部138で検知し� ��情報は、I/F部114を通じて制御部104に送られ� ��制御部104を経由して記録部106に記録される� ��

 ムラ補正部130は、パネル158に表示される� ��像や映像のムラを補正するものである。ム� ��補正部130において、パネル158の横筋、縦筋� ��よび画面に局所的に生じる発光むらを、入� ��信号のレベルや座標位置を基準にして補正� ��行う。

 ガンマ変換部132は、リニア変換部116でリ� ��ア特性を有するように変換した映像信号に� ��してガンマ特性を有するように変換する信� ��処理を施すものである。ガンマ変換部132で� ��う信号処理は、パネル158が有するガンマ特� ��をキャンセルし、信号の電流に応じてパネ� ��158の内部の有機EL素子が発光するようにリ� �ア特性を有するような信号に変換する信号� �理である。ガンマ変換部132で信号処理を行� �ことで、信号幅が14ビットから12ビットに変� ��する。

 ディザ処理部134は、ガンマ変換部132で変� ��された信号に対してディザリングを施すも� ��である。ディザリングは、使用可能な色数� ��少ない環境で中間色を表現するために、表� ��可能な色を組み合わせて表示することであ� ��。ディザ処理部134でディザリングを行うこ� ��で、本来パネル上では表示できない色を、� ��かけ上作り出して表現することができる。� ��ィザ処理部134でのディザリングによって、� ��号幅が12ビットから10ビットに変化する。

 信号出力部136は、ディザ処理部134でディ� ��リングが施された後の信号をデータドライ� ��152に対して出力するものである。信号出力� ��136からデータドライバ152に渡される信号はR 、G、B各色の発光量に関する情報が乗った信� ��であり、発光時間の情報が乗った信号はゲ� ��トパルス出力部140からパルスの形式で出力� ��れる。

 ゲートパルス出力部140は、パネル158の発� ��時間を制御するパルスを出力するものであ� ��。ゲートパルス出力部140から出力されるパ� ��スは、発光時間制御部126で算出したデュー� ��ィ比によるパルスである。ゲートパルス出� ��部140からのパルスによって、パネル158での� ��画素の発光時間が決定される。

 ガンマ回路制御部142は、ガンマ回路154に� ��定値を与えるものである。ガンマ回路制御� ��142が与える設定値は、データドライバ152の� ��部に含まれるD/A変換器のラダー抵抗に与え� ��ための基準電圧である。

 記憶部150は、信号レベル補正部128で輝度� ��補正する際に必要となる、所定の輝度を上� ��って発光している画素または画素群の情報� ��、当該上回っている量の情報とを対応付け� ��格納しているものである。記憶部150として� ��、記録部106とは異なり、電源が切れると内� ��が消去されるようなメモリを用いてもよく� ��そのようなメモリとして、例えばSDRAM(Synchro nous Dynamic Random Access Memory)を用いることが� ��ましい。

 過電流検出部156は、基板のショート等で� ��電流が生じた場合にその過電流を検出し、� ��ートパルス出力部140に通知するものである� ��過電流検出部156からの過電流発生通知によ� ��、過電流が生じた場合にその過電流がパネ� ��158に印加されるのを防ぐことができる。

 データドライバ152は、信号出力部136から� ��け取った信号に対して信号処理を行い、パ� ��ル158に対して、パネル158で映像を表示する� ��めの信号を出力するものである。データド� ��イバ152には、図示しないが、D/A変換器が含� ��れており、D/A変換器はデジタル信号をアナ� ��グ信号に変換して出力する。

 ガンマ回路154は、データドライバ152の内� ��に含まれるD/A変換器のラダー抵抗に基準電� ��を与えるものである。ラダー抵抗に与える� ��めの基準電圧は、上述のようにガンマ回路� ��御部142で生成される。

 パネル158は、データドライバ152からの出� ��信号およびゲートパルス出力部140からの出� ��パルスを入力し、入力した信号およびパル� ��に応じて、自発光素子の一例である有機EL� �子を発光させて動画像や静止画像を表示す� �ものである。パネル158は、画像を表示する� �の形状が平面である。有機EL素子は電圧を印 加すると発光する自発光型の素子であり、そ の発光量は電圧に比例する。従って、有機EL� ��子のIL特性(電流-発光量特性)も比例関係を� �することとなる。

 パネル158には、図示しないが、所定の走� ��周期で画素を選択する走査線と、画素を駆� ��するための輝度情報を与えるデータ線と、� ��度情報に基づいて電流量を制御し、電流量� ��応じて発光素子である有機EL素子を発光さ� �る画素回路とが、マトリクス状に配置され� �構成されており、このように走査線、デー� �線および画素回路が構成されていることで� �表示装置100は映像信号に従って映像を表示� �ることができる。

 以上、図1を用いて本発明の一実施形態に かかる表示装置100の構成について説明した。 なお、図1に示した本発明の一実施形態にか� �る表示装置100は、リニア変換部116でリニア� �性を有するように映像信号を変換した後、� �換後の映像信号をパターン生成部118に入力� �たが、パターン生成部118とリニア変換部116� �を入れ替えてもよい。

 次に、本発明の一実施形態にかかる表示� ��置100を流れる信号の特性の移り変わりにつ� ��て説明する。図2A~Fは、本発明の一実施形態 にかかる表示装置100を流れる信号の特性の移 り変わりをグラフで説明する説明図である。 図2A~Fの各グラフは、横軸を入力、縦軸を出� �として示している。

 図2Aは、被写体を入力した際に、被写体� �光量に対する出力Aがガンマ特性を有する映� ��信号に対して、リニア変換部116で逆のガン� ��曲線(リニアガンマ)を掛け合わせることで� �被写体の光量に対する出力がリニア特性を� �するように映像信号を変換したことを示し� �いる。

 図2Bは、被写体の光量の入力に対する出� �Bの特性がリニア特性を有するように変換し� ��映像信号に対して、ガンマ変換部132でガン� ��曲線を掛け合わせることで、被写体の光量� ��入力に対する出力がガンマ特性を有するよ� ��に映像信号を変換したことを示している。

 図2Cは、被写体の光量の入力に対する出� �Cの特性がガンマ特性を有するように変換し� ��映像信号に対して、データドライバ152にお� ��るD/A変換が行われたことを示している。D/A� ��換は、入力と出力との関係がリニア特性を� ��している。従って、データドライバ152によ� ��てD/A変換が施されることによって、被写体� ��光量を入力すると、出力電圧はガンマ特性� ��有する。

 図2Dは、D/A変換が施された後の映像信号� �、パネル158に含まれるトランジスタに入力� �れることによって、両者のガンマ特性が打� �消されることを示している。トランジスタ� �VI特性は、被写体の光量の入力に対する出力 電圧のガンマ特性と逆のカーブを有するガン マ特性である。従って、被写体の光量を入力 すると出力電流がリニア特性を有するように 再び変換することができる。

 図2Eは、被写体の光量を入力すると出力� �流がリニア特性を有する信号がパネル158に� �力されることで、当該リニア特性を有する� �号と、上述したようにリニア特性を有する� �機EL素子のIL特性とが掛け合わされることを� ��している。

 その結果、図2Fに示したように、被写体� �光量を入力すると、パネル(OLED;Organic Light E mitting Diode)の発光量がリニア特性を有してい るため、リニア変換部116で逆のガンマ曲線を 掛け合わせてリニア特性を有するように映像 信号を変換することで、図1に示した信号処� �集積回路110におけるリニア変換部116からガ� �マ変換部132の間をリニア領域として信号処� �することが可能となる。

 以上、本発明の一実施形態にかかる表示� ��置100を流れる信号の信号特性の移り変わり� ��ついて説明した。

[画素回路構造]
 続いて、図1に図示したパネル158に設けられ る画素回路の構造の一例について説明する。

 図3は、図1に図示したパネル158に設けら� �る画素回路の断面構造の一例を示す断面図� �ある。図3に示すように、パネル158に設けら� ��る画素回路は、駆動トランジスタ1022等を含 む駆動回路が形成されたガラス基板1201上に� �縁膜1202、絶縁平坦化膜1203およびウインド絶 縁膜1204がその順に形成され、当該ウインド� �縁膜1204の凹部1204Aに有機EL素子1021が設けら� �た構成となっている。ここでは、駆動回路� �各構成素子のうち、駆動トランジスタ1022の� ��を図示し、他の構成素子については省略し� ��示している。

 有機EL素子1021は、上記ウインド絶縁膜1204 の凹部1204Aの底部に形成された金属等からな� ��アノード電極1205と、当該アノード電極1205� �に形成された有機層(電子輸送層、発光層、� ��ール輸送層/ホール注入層)1206と、当該有機� ��1206上に全画素共通に形成された透明導電膜 等からなるカソード電極1207とから構成され� �いる。

 この有機EL素子1021において、有機層1206は 、アノード電極1205上にホール輸送層/ホール� ��入層2061、発光層2062、電子輸送層2063および� ��子注入層(図示せず)が順次堆積されること� �よって形成される。そして、駆動トランジ� �タ1022による電流駆動の下に、駆動トランジ� ��タ1022からアノード電極1205を通して有機層12 06に電流が流れることで、当該有機層1206内の 発光層2062において電子と正孔が再結合する� �に発光するようになっている。

 駆動トランジスタ1022は、ゲート電極1221� �、半導体層1222の一方側に設けられたソース/ ドレイン領域1223と、半導体層1222の他方側に� ��けられたドレイン/ソース領域1224と、半導� �層1222のゲート電極1221と対向する部分のチャ ネル形成領域1225とから構成されている。ソ� �ス/ドレイン領域1223は、コンタクトホールを 介して有機EL素子1021のアノード電極1205と電� �的に接続されている。

 そして、図3に示すように、駆動トランジ スタ1022を含む駆動回路が形成されたガラス� �板1201上に、絶縁膜1202、絶縁平坦化膜1203お� �びウインド絶縁膜1204を介して有機EL素子1021� ��画素単位で形成された後は、パッシベーシ� ��ン膜1208を介して封止基板1209が接着剤1210に� ��って接合され、当該封止基板1209によって有 機EL素子1021が封止されることにより、パネル 158が形成される。

[駆動回路]
 続いて、図1に図示したパネル158に設けられ る駆動回路の構成の一例について説明する。

 図4等に示す、有機EL素子を備えた発光部E LPを駆動するための駆動回路として各種の回� ��があるが、以下、5トランジスタ/1容量部か� ��基本的に構成された駆動回路(以下、5Tr/1C駆 動回路と呼ぶ場合がある)、4トランジスタ/1� �量部から基本的に構成された駆動回路(以下� ��4Tr/1C駆動回路と呼ぶ場合がある)、3トラン� �スタ/1容量部から基本的に構成された駆動回 路(以下、3Tr/1C駆動回路と呼ぶ場合がある)、2 トランジスタ/1容量部から基本的に構成され� ��駆動回路(以下、2Tr/1C駆動回路と呼ぶ場合が ある)に共通する事項を、先ず説明する。

 便宜上、駆動回路を構成する各トランジ� ��タは、原則として、nチャネル型の薄膜トラ ンジスタ(TFT)から構成されているとして説明� ��る。但し、場合によっては、一部のトラン� ��スタをpチャネル型のTFTから構成することも できる。尚、半導体基板等にトランジスタを 形成した構成とすることもできる。駆動回路 を構成するトランジスタの構造は、特に限定 するものではない。以下の説明においては、 駆動回路を構成するトランジスタはエンハン スメント型であるとして説明するが、これに 限るものではない。デプレッション型のトラ ンジスタが用いられていてもよい。また、駆 動回路を構成するトランジスタはシングルゲ ート型であってもよいし、デュアルゲート型 であってもよい。

 以下の説明において、表示装置は、(N/3)× M個の2次元マトリクス状に配列された画素か� ��構成され、1つの画素は、3つの副画素(赤色� ��発光する赤色発光副画素、緑色を発光する� ��色発光副画素、青色を発光する青色発光副� ��素)から構成されているとする。また、各画 素を構成する発光素子は、線順次駆動される とし、表示フレームレートをFR(回/秒)とする� ��即ち、第m行目(但し、m=1,2,3・・・M)に配列� �れた(N/3)個の画素、より具体的には、N個の� �画素のそれぞれを構成する発光素子が同時� �駆動される。換言すれば、1つの行を構成す� ��各発光素子にあっては、その発光/非発光の タイミングは、それらが属する行単位で制御 される。尚、1つの行を構成する各画素につ� �て映像信号を書き込む処理は、全ての画素� �ついて同時に映像信号を書き込む処理(以下� ��単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある)で あってもよいし、各画素毎に順次映像信号を 書き込む処理(以下、単に、順次書込み処理� �呼ぶ場合がある)であってもよい。いずれの� ��込み処理とするかは、駆動回路の構成に応� ��て適宜選択すればよい。

 ここで、原則として、第m行目、第n列(但� ��、n=1,2,3・・・N)に位置する発光素子に関す� ��駆動、動作を説明するが、係る発光素子を� ��以下、第(n,m)番目の発光素子あるいは第(n,m) 番目の副画素と呼ぶ。そして、第m行目に配� �された各発光素子の水平走査期間(第m番目の 水平走査期間)が終了するまでに、各種の処� �(後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み� ��理、移動度補正処理)が行われる。尚、書込 み処理や移動度補正処理は、第m番目の水平� �査期間内に行われる必要がある。一方、駆� �回路の種類によっては、閾値電圧キャンセ� �処理やこれに伴う前処理を第m番目の水平走� ��期間より先行して行うことができる。

 そして、上述した各種の処理が全て終了� ��た後、第m行目に配列された各発光素子を構 成する発光部を発光させる。尚、上述した各 種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を 発光させてもよいし、所定の期間(例えば、� �定の行数分の水平走査期間)が経過した後に� ��光部を発光させてもよい。この所定の期間� ��、表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応� ��て、適宜設定することができる。尚、以下� ��説明においては、説明の便宜のため、各種� ��処理終了後、直ちに発光部を発光させるも� ��とする。そして、第m行目に配列された各発 光素子を構成する発光部の発光は、第(m+m’)� ��目に配列された各発光素子の水平走査期間� ��開始直前まで継続される。ここで、「m’」 は、表示装置の設計仕様によって決定される 。即ち、或る表示フレームの第m行目に配列� �れた各発光素子を構成する発光部の発光は� �第(m+m’-1)番目の水平走査期間まで継続され� ��。一方、第(m+m’)番目の水平走査期間の始� �から、次の表示フレームにおける第m番目の� ��平走査期間内において書込み処理や移動度� ��正処理が完了するまで、第m行目に配列され た各発光素子を構成する発光部は、原則とし て非発光状態を維持する。上述した非発光状 態の期間(以下、単に、非発光期間と呼ぶ場� �がある)を設けることにより、アクティブマ� ��リクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動� ��品位をより優れたものとすることができる� ��但し、各副画素(発光素子)の発光状態/非発� ��状態は、以上に説明した状態に限定するも� ��ではない。また、水平走査期間の時間長は� ��(1/FR)×(1/M)秒未満の時間長である。(m+m’)の� ��がMを越える場合、越えた分の水平走査期間 は、次の表示フレームにおいて処理される。

 1つのトランジスタの有する2つのソース/� ��レイン領域において、「一方のソース/ドレ イン領域」という用語を、電源部に接続され た側のソース/ドレイン領域といった意味に� �いて使用する場合がある。また、トランジ� �タがオン状態にあるとは、ソース/ドレイン� ��域間にチャネルが形成されている状態を意� ��する。係るトランジスタの一方のソース/ド レイン領域から他方のソース/ドレイン領域� �電流が流れているか否かは問わない。一方� �トランジスタがオフ状態にあるとは、ソー� �/ドレイン領域間にチャネルが形成されてい� ��い状態を意味する。また、或るトランジス� ��のソース/ドレイン領域が他のトランジスタ のソース/ドレイン領域に接続されていると� �、或るトランジスタのソース/ドレイン領域� ��他のトランジスタのソース/ドレイン領域と が同じ領域を占めている形態を包含する。更 には、ソース/ドレイン領域は、不純物を含� �したポリシリコンやアモルファスシリコン� �の導電性物質から構成することができるだ� �でなく、金属、合金、導電性粒子、これら� �積層構造、有機材料(導電性高分子)から成る 層から構成することができる。また、以下の 説明で用いるタイミングチャートにおいて、 各期間を示す横軸の長さ(時間長)は模式的な� ��のであり、各期間の時間長の割合を示すも� ��ではない。

 図4等に示す駆動回路を用いた発光部ELPの駆 動方法は、例えば、
 (a)第1ノードND ₁ と第2ノードND ₂ との間の電位差が、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を越え、且つ、第2ノードND ₂ と発光部ELPに備えられたカソード電極との間 の電位差が、発光部ELPの閾値電圧を越えない ように、第1ノードND ₁ に第1ノード初期化電圧を印加し、第2ノードN D ₂ に第2ノードND ₂ 初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで 、
 (b)第1ノードND ₁ の電位を保った状態で、第1ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を減じた電位に向かって、第2ノ� �ドND ₂ の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理 を行い、その後、
 (c)走査線SCLからの信号によりオン状態とさ� ��た書込みトランジスタTR _W を介して、データ線DTLから映像信号を第1ノ� �ドND ₁ に印加する書込み処理を行い、次いで、
 (d)走査線SCLからの信号により書込みトラン� ��スタTR _W をオフ状態とすることにより第1ノードND ₁ を浮遊状態とし、電源部2100から駆動トラン� �スタTR _D を介して、第1ノードND ₁ と第2ノードND ₂ との間の電位差の値に応じた電流を発光部ELP に流すことにより、発光部ELPを駆動する、
工程から成る。

 上述したように、前記工程(b)において、第1 ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を減じた電位に向かって、第2ノ� �ドND ₂ の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理 を行なう。より具体的には、第1ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を減じた電位に向かって第2ノー� �ND ₂ の電位を変化させるために、前記工程(a)にお ける第2ノードND ₂ の電位に駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を加えた電圧を超える電圧を、駆 動トランジスタTR _D の一方のソース/ドレイン領域に印加する。� �性的には、閾値電圧キャンセル処理におい� �、第1ノードND ₁ と第2ノードND ₂ との間の電位差(換言すれば、駆動トランジ� �タTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差)� �駆動トランジスタTR _D の閾値電圧に近づく程度は、閾値電圧キャン セル処理の時間により左右される。従って、 例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分 長く確保した形態にあっては、第2ノードND ₂ の電位は第1ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧を減じた電位に達する。そして、 第1ノードND ₁ と第2ノードND ₂ との間の電位差は駆動トランジスタTR _D の閾値電圧に達し、駆動トランジスタTR _D はオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キ ャンセル処理の時間を短く設定せざるを得な い形態にあっては、第1ノードND ₁ と第2ノードND ₂ との間の電位差が駆動トランジスタTR _D の閾値電圧より大きく、駆動トランジスタTR _D はオフ状態とはならない場合がある。閾値電 圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆 動トランジスタTR _D がオフ状態となることを要しない。

 次いで、各駆動回路毎に、駆動回路の構� ��、及び、これらの駆動回路を用いた発光部E LPの駆動方法に関して、以下、詳しく説明す� ��。

[5Tr/1C駆動回路]
 5Tr/1C駆動回路の等価回路図を図4に示し、図 4に示した5Tr/1C駆動回路の駆動のタイミング� �ャートを模式的に図5に示し、図4に示した5Tr /1C駆動回路の各トランジスタのオン/オフ状� �等を模式的に図6A~図6Iに示す。

 この5Tr/1C駆動回路は、書込みトランジスタT R _W 、駆動トランジスタTR _D 、第1トランジスタTR ₁ 、第2トランジスタTR ₂ 、第3トランジスタTR ₃ の5つのトランジスタから構成され、更には� �1つの容量部C ₁ から構成されている。尚、書込みトランジス タTR _W 、第1トランジスタTR ₁ 、第2トランジスタTR ₂ 、及び、第3トランジスタTR ₃ をpチャネル型のTFTから形成してもよい。な� �、図4に示した駆動トランジスタTR _D は、図3で図示した駆動トランジスタ1022に相� ��するものである。

 [第1トランジスタTR ₁ ]
 第1トランジスタTR ₁ の一方のソース/ドレイン領域は、電源部2100( 電圧V _CC )に接続され、第1トランジスタTR ₁ の他方のソース/ドレイン領域は、駆動トラ� �ジスタTR _D の一方のソース/ドレイン領域に接続されて� �る。また、第1トランジスタTR ₁ のオン/オフ動作は、第1トランジスタ制御回� ��2111から伸びて、第1トランジスタTR ₁ のゲート電極に接続された第1トランジスタ� �御線CL ₁ によって制御される。電源部2100は、発光部EL Pに電流を供給し、発光部ELPを発光させるた� �に設けられている。

 [駆動トランジスタTR _D ]
 駆動トランジスタTR _D の一方のソース/ドレイン領域は、上述のと� �り、第1トランジスタTR ₁ の他方のソース/ドレイン領域に接続されて� �る。一方、駆動トランジスタTR _D の他方のソース/ドレイン領域は、
(1)発光部ELPのアノード電極、
(2)第2トランジスタTR ₂ の他方のソース/ドレイン領域、及び、
(3)容量部C ₁ の一方の電極、
に接続されており、第2ノードND ₂ を構成する。また、駆動トランジスタTR _D のゲート電極は、
(1)書込みトランジスタTR _W の他方のソース/ドレイン領域、
(2)第3トランジスタTR ₃ の他方のソース/ドレイン領域、及び、
(3)容量部C ₁ の他方の電極、
に接続されており、第1ノードND ₁ を構成する。

 ここで、駆動トランジスタTR _D は、発光素子の発光状態においては、以下の 式(1)に従ってドレイン電流I _ds を流すように駆動される。発光素子の発光状 態においては、駆動トランジスタTR _D の一方のソース/ドレイン領域はドレイン領� �として働き、他方のソース/ドレイン領域は� ��ース領域として働く。説明の便宜のため、� ��下の説明において、駆動トランジスタTR _D の一方のソース/ドレイン領域を単にドレイ� �領域と呼び、他方のソース/ドレイン領域を� ��にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ :実効的な移動度
L :チャネル長
W :チャネル幅
V _gs :ゲート電極とソース領域との間の電位差
V _th :閾値電圧
C _ox :(ゲート絶縁層の比誘電率)×(真空の誘電率)/( ゲート絶縁層の厚さ)
k≡(1/2)・(W/L)・C _ox
とする。

I _ds =k・μ・(V _gs -V _th ) ²   (1)

 このドレイン電流I _ds が発光部ELPを流れることで、発光部ELPが発光 する。更には、このドレイン電流I _ds の値の大小によって、発光部ELPにおける発光 状態(輝度)が制御される。

 [書込みトランジスタTR _W ]
 書込みトランジスタTR _W の他方のソース/ドレイン領域は、上述のと� �り、駆動トランジスタTR _D のゲート電極に接続されている。一方、書込 みトランジスタTR _W の一方のソース/ドレイン領域は、信号出力� �路2102から伸びるデータ線DTLに接続されてい� ��。そして、データ線DTLを介して、発光部ELP� ��おける輝度を制御するための映像信号V _Sig が、一方のソース/ドレイン領域に供給され� �。尚、データ線DTLを介して、V _Sig 以外の種々の信号・電圧(プリチャージ駆動� �ための信号や各種の基準電圧等)が、一方の� ��ース/ドレイン領域に供給されてもよい。ま た、書込みトランジスタTR _W のオン/オフ動作は、走査回路2101から伸びて� ��書込みトランジスタTR _W のゲート電極に接続された走査線SCLによって 制御される。

 [第2トランジスタTR ₂ ]
 第2トランジスタTR ₂ の他方のソース/ドレイン領域は、上述のと� �り、駆動トランジスタTR _D のソース領域に接続されている。一方、第2� �ランジスタTR ₂ の一方のソース/ドレイン領域には、第2ノー� ��ND ₂ の電位(即ち、駆動トランジスタTR _D のソース領域の電位)を初期化するための電� �V _SS が供給される。また、第2トランジスタTR ₂ のオン/オフ動作は、第2トランジスタ制御回� ��2112から伸びて、第2トランジスタTR ₂ のゲート電極に接続された第2トランジスタ� �御線AZ ₂ によって制御される。

 [第3トランジスタTR ₃ ]
 第3トランジスタTR ₃ の他方のソース/ドレイン領域は、上述のと� �り、駆動トランジスタTR _D のゲート電極に接続されている。一方、第3� �ランジスタTR ₃ の一方のソース/ドレイン領域には、第1ノー� ��ND ₁ の電位(即ち、駆動トランジスタTR _D のゲート電極の電位)を初期化するための電� �V _Ofs が供給される。また、第3トランジスタTR ₃ のオン/オフ動作は、第3トランジスタ制御回� ��2113から伸びて、第3トランジスタTR ₃ のゲート電極に接続された第3トランジスタ� �御線AZ ₃ によって制御される。

 [発光部ELP]
 発光部ELPのアノード電極は、上述のとおり� ��駆動トランジスタTR _D のソース領域に接続されている。一方、発光 部ELPのカソード電極には、電圧V _Cat が印加される。発光部ELPの容量を符号C _EL で表す。また、発光部ELPの発光に必要とされ る閾値電圧をV _th-EL とする。即ち、発光部ELPのアノード電極とカ ソード電極との間にV _th-EL 以上の電圧が印加されると、発光部ELPは発光 する。

 以下の説明において、電圧あるいは電位� ��値を以下のとおりとするが、これは、あく� ��でも説明のための値であり、これらの値に� ��定されるものではない。

V _Sig  :発光部ELPにおける輝度を制御するための映 像信号
    ・・・0ボルト~10ボルト
V _CC  :電源部2100の電圧
    ・・・20ボルト
V _Ofs  :駆動トランジスタTR _D のゲート電極の電位(第1ノードND ₁ の電位)を初期化するための電圧
    ・・・0ボルト
V _SS  :駆動トランジスタTR _D のソース領域の電位(第2ノードND ₂ の電位)を初期化するための電圧
    ・・・-10ボルト
V _th  :駆動トランジスタTR _D の閾値電圧
    ・・・3ボルト
V _Cat  :発光部ELPのカソード電極に印加される電圧
    ・・・0ボルト
V _th-EL :発光部ELPの閾値電圧
    ・・・3ボルト

 以下、5Tr/1C駆動回路の動作説明を行う。� ��、上述したように、各種の処理(閾値電圧キ ャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理 )が全て完了した後、直ちに発光状態が始ま� �ものとして説明するが、これに限るもので� �ない。後述する4Tr/1C駆動回路、3Tr/1C駆動回� �、2Tr/1C駆動回路の説明においても同様であ� �。

  [期間-TP(5) _-1 ](図5及び図6A参照)
 この[期間-TP(5) _-1 ]は、例えば、前の表示フレームにおける動� �であり、前回の各種の処理完了後に第(n,m)番 目の発光素子が発光状態にある期間である。 即ち、第(n,m)番目の副画素を構成する発光素� ��における発光部ELPには、後述する式(5)に基� ��くドレイン電流I’ _ds が流れており、第(n,m)番目の副画素を構成す� ��発光素子の輝度は、係るドレイン電流I’ _ds に対応した値である。ここで、書込みトラン ジスタTR _W 、第2トランジスタTR ₂ 及び第3トランジスタTR ₃ はオフ状態であり、第1トランジスタTR ₁ 及び駆動トランジスタTR _D はオン状態である。第(n,m)番目の発光素子の� ��光状態は、第(m+m’)行目に配列された発光� �子の水平走査期間の開始直前まで継続され� �。

 図5に示す[期間-TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₄ ]は、前回の各種の処理完了後の発光状態が� �了した後から、次の書込み処理が行われる� �前までの動作期間である。即ち、この[期間- TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₄ ]は、例えば、前の表示フレームにおける第(m +m’)番目の水平走査期間の始期から、現表示 フレームにおける第(m-1)番目の水平走査期間� ��終期までの或る時間長さの期間である。尚� ��[期間-TP(5) ₁ ]~[期間-TP(5) ₄ ]を、現表示フレームにおける第m番目の水平� ��査期間内に含む構成とすることもできる。

 そして、この[期間-TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₄ ]において、第(n,m)番目の発光素子は原則とし て非発光状態にある。即ち、[期間-TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₁ ]、[期間-TP(5) ₃ ]~[期間-TP(5) ₄ ]においては、第1トランジスタTR ₁ はオフ状態であるので、発光素子は発光しな い。尚、[期間-TP(5) ₂ ]においては、第1トランジスタTR ₁ はオン状態となる。しかし、この期間におい ては後述する閾値電圧キャンセル処理が行わ れている。閾値電圧キャンセル処理の説明に おいて詳しく述べるが、後述する式(2)を満た すことを前提とすれば、発光素子が発光する ことはない。

 以下、[期間-TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₄ ]の各期間について、先ず、説明する。尚、[� ��間-TP(5) ₁ ]の始期や、[期間-TP(5) ₁ ]~[期間-TP(5) ₄ ]の各期間の長さは、表示装置の設計に応じ� �適宜設定すればよい。

  [期間-TP(5) ₀ ]
 上述したように、この[期間-TP(5) ₀ ]において、第(n,m)番目の発光素子は、非発光 状態にある。書込みトランジスタTR _W 、第2トランジスタTR ₂ 、第3トランジスタTR ₃ はオフ状態である。また、[期間-TP(5) _-1 ]から[期間-TP(5) ₀ ]に移る時点で、第1トランジスタTR ₁ がオフ状態となるが故に、第2ノードND ₂ (駆動トランジスタTR _D のソース領域あるいは発光部ELPのアノード電 極)の電位は、(V _th-EL +V _Cat )まで低下し、発光部ELPは非発光状態となる� �また、第2ノードND ₂ の電位低下に倣うように、浮遊状態の第1ノ� �ドND ₁ (駆動トランジスタTR _D のゲート電極)の電位も低下する。

  [期間-TP(5) ₁ ](図6B及び図6C参照)
 この[期間-TP(5) ₁ ]において、後述する閾値電圧キャンセル処� �を行うための前処理が行われる。即ち、[期� ��-TP(5) ₁ ]の開始時、第2トランジスタ制御線AZ ₂ 及び第3トランジスタ制御線AZ ₃ をハイレベルとすることによって、第2トラ� �ジスタTR ₂ 及び第3トランジスタTR ₃ をオン状態とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位は、V _Ofs (例えば、0ボルト)となる。一方、第2ノードND ₂ の電位は、V _SS (例えば、-10ボルト)となる。そして、この[期 間-TP(5) ₁ ]の完了以前において、第2トランジスタ制御� ��AZ ₂ をローレベルとすることによって、第2トラ� �ジスタTR ₂ をオフ状態とする。尚、第2トランジスタTR ₂ 及び第3トランジスタTR ₃ を同時にオン状態としてもよいし、第2トラ� �ジスタTR ₂ を先にオン状態としてもよいし、第3トラン� �スタTR ₃ を先にオン状態としてもよい。

 以上の処理により、駆動トランジスタTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差が V _th 以上となる。駆動トランジスタTR _D はオン状態である。

  [期間-TP(5) ₂ ](図6D参照)
 次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる� ��即ち、第3トランジスタTR ₃ のオン状態を維持したまま、第1トランジス� �制御線CL ₁ をハイレベルとすることによって、第1トラ� �ジスタTR ₁ をオン状態とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位は変化しないが(V _Ofs =0ボルトを維持)、第1ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th を減じた電位に向かって、第2ノードND ₂ の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第2ノ� �ドND ₂ の電位が上昇する。そして、駆動トランジス タTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差が V _th に達すると、駆動トランジスタTR _D がオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の 第2ノードND ₂ の電位が(V _Ofs -V _th =-3ボルト>V _SS )に近づき、最終的に(V _Ofs -V _th )となる。ここで、以下の式(2)が保証されて� �れば、云い換えれば、式(2)を満足するよう� �電位を選択、決定しておけば、発光部ELPが� �光することはない。

(V _Ofs -V _th )<(V _th-EL +V _Cat )  (2)

 この[期間-TP(5) ₂ ]にあっては、第2ノードND ₂ の電位は、最終的に、(V _Ofs -V _th )となる。即ち、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th 、及び、駆動トランジスタTR _D のゲート電極を初期化するための電圧V _Ofs のみに依存して、第2ノードND ₂ の電位は決定される。云い換えれば、発光部 ELPの閾値電圧V _th-EL には依存しない。

  [期間-TP(5) ₃ ](図6E参照)
 その後、第3トランジスタTR ₃ のオン状態を維持したまま、第1トランジス� �制御線CL ₁ をローレベルとすることによって、第1トラ� �ジスタTR ₁ をオフ状態とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位は変化せず(V _Ofs =0ボルトを維持)、浮遊状態の第2ノードND ₂ の電位も変化せず、(V _Ofs -V _th =-3ボルト)を保持する。

  [期間-TP(5) ₄ ](図6F参照)
 次いで、第3トランジスタ制御線AZ ₃ をローレベルとすることによって、第3トラ� �ジスタTR ₃ をオフ状態とする。第1ノードND ₁ 及び第2ノードND ₂ の電位は、実質上、変化しない。実際には、 寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ 得るが、通常、これらは無視することができ る。

 次いで、[期間-TP(5) ₅ ]~[期間-TP(5) ₇ ]の各期間について説明する。尚、後述する� �うに、[期間-TP(5) ₅ ]において書込み処理が行われ、[期間-TP(5) ₆ ]において移動度補正処理が行われる。上述� �たように、これらの処理は、第m番目の水平� ��査期間内に行われる必要がある。説明の便� ��のため、[期間-TP(5) ₅ ]の始期と[期間-TP(5) ₆ ]の終期とは、それぞれ、第m番目の水平走査� ��間の始期と終期とに一致するものとして説� ��する。

  [期間-TP(5) ₅ ](図6G参照)
 その後、駆動トランジスタTR _D に対する書込み処理を実行する。具体的には 、第1トランジスタTR ₁ 、第2トランジスタTR ₂ 、及び、第3トランジスタTR ₃ のオフ状態を維持したまま、データ線DTLの電 位を、発光部ELPにおける輝度を制御するため の映像信号V _Sig とし、次いで、走査線SCLをハイレベルとする ことによって、書込みトランジスタTR _W をオン状態とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位は、V _Sig へと上昇する。

 ここで、容量部C ₁ の容量を値c ₁ と表し、発光部ELPの容量C _EL の容量を値c _EL と表す。そして、駆動トランジスタTR _D のゲート電極とソース領域との間の寄生容量 の値をc _gs とする。駆動トランジスタTR _D のゲート電極の電位がV _Ofs からV _Sig (>V _Ofs )に変化したとき、容量部C ₁ の両端の電位(第1ノードND ₁ 及び第2ノードND ₂ の電位)は、原則として、変化する。即ち、� �動トランジスタTR _D のゲート電極の電位(=第1ノードND ₁ の電位)の変化分(V _Sig -V _Ofs )に基づく電荷が、容量部C ₁ 、発光部ELPの容量C _EL 、駆動トランジスタTR _D のゲート電極とソース領域との間の寄生容量 に振り分けられる。然るに、値c _EL が、値c ₁ 及び値c _gs と比較して十分に大きな値であれば、駆動ト ランジスタTR _D のゲート電極の電位の変化分(V _Sig -V _Ofs )に基づく駆動トランジスタTR _D のソース領域(第2ノードND ₂ )の電位の変化は小さい。そして、一般に、� �光部ELPの容量C _EL の容量値c _EL は、容量部C ₁ の容量値c ₁ 及び駆動トランジスタTR _D の寄生容量の値c _gs よりも大きい。そこで、説明の便宜のため、 特段の必要がある場合を除き、第1ノードND ₁ の電位変化により生ずる第2ノードND ₂ の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の駆 動回路においても同様である。尚、図5に示� �た駆動のタイミングチャートも、第1ノードN D ₁ の電位変化により生ずる第2ノードND ₂ の電位変化を考慮せずに示した。駆動トラン ジスタTR _D のゲート電極(第1ノードND ₁ )の電位をV _g 、駆動トランジスタTR _D のソース領域(第2ノードND ₂ )の電位をV _s としたとき、V _g の値、V _s の値は以下のとおりとなる。それ故、第1ノ� �ドND ₁ と第2ノードND ₂ の電位差、換言すれば、駆動トランジスタTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差V _gs は、以下の式(3)で表すことができる。

V _g =V _Sig
V _s ≒V _Ofs -V _th
V _gs ≒V _Sig -(V _Ofs -V _th )   (3)

 即ち、駆動トランジスタTR _D に対する書込み処理において得られたV _gs は、発光部ELPにおける輝度を制御するための 映像信号V _Sig 、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th 、及び、駆動トランジスタTR _D のゲート電極を初期化するための電圧V _Ofs のみに依存している。そして、発光部ELPの閾 値電圧V _th-EL とは無関係である。

  [期間-TP(5) ₆ ](図6H参照)
 その後、駆動トランジスタTR _D の移動度μの大小に基づく駆動トランジスタT R _D のソース領域(第2ノードND ₂ )の電位の補正(移動度補正処理)を行う。

 一般に、駆動トランジスタTR _D をポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製 した場合、トランジスタ間で移動度μにばら� ��きが生じることは避け難い。従って、移動� ��μに差異がある複数の駆動トランジスタTR _D のゲート電極に同じ値の映像信号V _Sig を印加したとしても、移動度μの大きい駆動� ��ランジスタTR _D を流れるドレイン電流I _ds と、移動度μの小さい駆動トランジスタTR _D を流れるドレイン電流I _ds との間に、差異が生じてしまう。そして、こ のような差異が生じると、表示装置の画面の 均一性(ユニフォーミティ)が損なわれてしま� ��。

 従って、具体的には、書込みトランジスタT R _W のオン状態を維持したまま、第1トランジス� �制御線CL ₁ をハイレベルとすることによって、第1トラ� �ジスタTR ₁ をオン状態とし、次いで、所定の時間(t ₀ )が経過した後、走査線SCLをローレベルとす� �ことによって、書込みトランジスタTR _W をオフ状態とし、第1ノードND ₁ (駆動トランジスタTR _D のゲート電極)を浮遊状態とする。そして、� �上の結果、駆動トランジスタTR _D の移動度μの値が大きい場合、駆動トランジ� ��タTR _D のソース領域における電位の上昇量δV(電位� �正値)は大きくなり、駆動トランジスタTR _D の移動度μの値が小さい場合、駆動トランジ� ��タTR _D のソース領域における電位の上昇量δV(電位� �正値)は小さくなる。ここで、駆動トランジ� ��タTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差V _gs は、式(3)から以下の式(4)のように変形される 。

V _gs ≒V _Sig -(V _Ofs -V _th )-δV   (4)

 尚、移動度補正処理を実行するための所定� ��時間([期間-TP(5) ₆ ]の全時間t ₀ )は、表示装置の設計の際、設計値として予� �決定しておけばよい。また、このときの駆� �トランジスタTR _D のソース領域における電位(V _Ofs -V _th +δV)が以下の式(2’)を満足するように、[期間 -TP(5) ₆ ]の全時間t ₀ は決定されている。そして、これによって、 [期間-TP(5) ₆ ]において、発光部ELPが発光することはない� �更には、この移動度補正処理によって、係� �k(≡(1/2)・(W/L)・C _ox )のばらつきの補正も同時に行われる。

(V _Ofs -V _th +δV)<(V _th-EL +V _Cat )  (2’)

  [期間-TP(5) ₇ ](図6I参照)
 以上の操作によって、閾値電圧キャンセル� ��理、書込み処理、移動度補正処理が完了す� ��。ところで、走査線SCLがローレベルとなる� ��果、書込みトランジスタTR _W がオフ状態となり、第1ノードND ₁ 、即ち、駆動トランジスタTR _D のゲート電極は浮遊状態となる。一方、第1� �ランジスタTR ₁ はオン状態を維持しており、駆動トランジス タTR _D のドレイン領域は、電源部2100(電圧V _CC 、例えば20ボルト)に接続された状態にある。 従って、以上の結果として、第2ノードND ₂ の電位は上昇する。

 ここで、上述したとおり、駆動トランジス� ��TR _D のゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容 量部C ₁ が存在するが故に、所謂ブートストラップ回 路におけると同様の現象が駆動トランジスタ TR _D のゲート電極に生じ、第1ノードND ₁ の電位も上昇する。その結果、駆動トランジ スタTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差V _gs は、式(4)の値を保持する。

 また、第2ノードND ₂ の電位が上昇し、(V _th-EL +V _Cat )を越えるので、発光部ELPは発光を開始する� �このとき、発光部ELPを流れる電流は、駆動� �ランジスタTR _D のドレイン領域からソース領域へと流れるド レイン電流I _ds であるので、式(1)で表すことができる。ここ で、式(1)と式(4)から、式(1)は、以下の式(5)に ように変形することができる。

I _ds =k・μ・(V _Sig -V _Ofs -δV) ²   (5)

 従って、発光部ELPを流れる電流I _ds は、例えば、V _Ofs を0ボルトに設定したとした場合、発光部ELP� �おける輝度を制御するための映像信号V _Sig の値から、駆動トランジスタTR _D の移動度μに起因した第2ノードND ₂ (駆動トランジスタTR _D のソース領域)における電位補正値δVの値を� �じた値の2乗に比例する。云い換えれば、発� ��部ELPを流れる電流I _ds は、発光部ELPの閾値電圧V _th-EL 、及び、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th には依存しない。即ち、発光部ELPの発光量(� �度)は、発光部ELPの閾値電圧V _th-EL の影響、及び、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th の影響を受けない。そして、第(n,m)番目の発� ��素子の輝度は、係る電流I _ds に対応した値である。

 しかも、移動度μの大きな駆動トランジス� �TR _D ほど、電位補正値δVが大きくなるので、式(4) の左辺のV _gs の値が小さくなる。従って、式(5)において、 移動度μの値が大きくとも、(V _Sig -V _Ofs -δV) ² の値が小さくなる結果、ドレイン電流I _ds を補正することができる。即ち、移動度μの� ��なる駆動トランジスタTR _D においても、映像信号V _Sig の値が同じであれば、ドレイン電流I _ds が略同じとなる結果、発光部ELPを流れ、発光 部ELPの輝度を制御する電流I _ds が均一化される。即ち、移動度μのばらつき( 更には、kのばらつき)に起因する発光部の輝� ��のばらつきを補正することができる。

 発光部ELPの発光状態を第(m+m’-1)番目の水平 走査期間まで継続する。この時点は、[期間-T P(5) _-1 ]の終わりに相当する。

 以上によって、第(n,m)番目の副画素を構� �する発光素子10の発光の動作が完了する。

 次に、2Tr/1C駆動回路に関する説明を行う� ��

  [2Tr/1C駆動回路]
 2Tr/1C駆動回路の等価回路図を図7に示し、駆 動のタイミングチャートを模式的に図8に示� �、各トランジスタのオン/オフ状態等を模式� ��に図9A~図9Fに示す。

 この2Tr/1C駆動回路においては、前述した5Tr/ 1C駆動回路から、第1トランジスタTR ₁ 、第2トランジスタTR ₂ 、及び、第3トランジスタTR ₃ の3つのトランジスタが省略されている。即� �、この2Tr/1C駆動回路は、書込みトランジス� �TR _W 、及び、駆動トランジスタTR _D の2つのトランジスタから構成され、更には� �1つの容量部C ₁ から構成されている。なお、図7に示した駆� �トランジスタTR _D は、図3で図示した駆動トランジスタ1022に相� ��するものである。

  [駆動トランジスタTR _D ]
 駆動トランジスタTR _D の構成は、5Tr/1C駆動回路において説明した駆 動トランジスタTR _D の構成と同じであるので、詳細な説明は省略 する。但し、駆動トランジスタTR _D のドレイン領域は電源部2100に接続されてい� �。尚、電源部2100からは、発光部ELPを発光さ� ��るための電圧V _CC-H 、及び、駆動トランジスタTR _D のソース領域の電位を制御するための電圧V _CC-L が供給される。ここで、電圧V _CC-H 及びV _CC-L の値として、
V _CC-H = 20ボルト
V _CC-L =-10ボルト
を例示することができるが、これらの値に限 定するものではない。

  [書込みトランジスタTR _W ]
 書込みトランジスタTR _W の構成は、5Tr/1C駆動回路において説明した書 込みトランジスタTR _W の構成と同じであるので、詳細な説明は省略 する。

  [発光部ELP]
 発光部ELPの構成は、5Tr/1C駆動回路において� ��明した発光部ELPの構成と同じであるので、� ��細な説明は省略する。

 以下、2Tr/1C駆動回路の動作説明を行う。

  [期間-TP(2) _-1 ](図8及び図9A参照)
 この[期間-TP(2) _-1 ]は、例えば、前の表示フレームにおける動� �であり、実質的に、5Tr/1C駆動回路において� �明した[期間-TP(5) _-1 ]と同じ動作である。

 図8に示す[期間-TP(2) ₀ ]~[期間-TP(2) ₂ ]は、図5に示す[期間-TP(5) ₀ ]~[期間-TP(5) ₄ ]に対応する期間であり、次の書込み処理が� �われる直前までの動作期間である。そして� �5Tr/1C駆動回路と同様に、[期間-TP(2) ₀ ]~[期間-TP(2) ₂ ]において、第(n,m)番目の発光素子は原則とし て非発光状態にある。但し、2Tr/1C駆動回路の 動作においては、図8に示すように、[期間-TP( 2) ₃ ]の他、[期間-TP(2) ₁ ]~[期間-TP(2) ₂ ]も第m番目の水平走査期間に包含される点が� ��5Tr/1C駆動回路の動作とは異なる。尚、説明� ��便宜のため、[期間-TP(2) ₁ ]の始期、及び、[期間-TP(2) ₃ ]の終期は、それぞれ、第m番目の水平走査期� ��の始期、及び、終期に一致するものとして� ��明する。

 以下、[期間-TP(2) ₀ ]~[期間-TP(2) ₂ ]の各期間について、説明する。尚、5Tr/1C駆� �回路において説明したと同様に、[期間-TP(2) ₁ ]~[期間-TP(2) ₃ ]の各期間の長さは、表示装置の設計に応じ� �適宜設定すればよい。

  [期間-TP(2) ₀ ](図9B参照)
 この[期間-TP(2) ₀ ]は、例えば、前の表示フレームから現表示� �レームにおける動作である。即ち、この[期� ��-TP(2) ₀ ]は、前の表示フレームにおける第(m+m’)番目 の水平走査期間から、現表示フレームにおけ る第(m-1)番目の水平走査期間までの期間であ� ��。そして、この[期間-TP(2) ₀ ]において、第(n,m)番目の発光素子は、非発光 状態にある。ここで、[期間-TP(2) _-1 ]から[期間-TP(2) ₀ ]に移る時点で、電源部2100から供給される電� ��を、V _CC-H から電圧V _CC-L に切り替える。その結果、第2ノードND ₂ の電位はV _CC-L まで低下し、発光部ELPは非発光状態となる。 また、第2ノードND ₂ の電位低下に倣うように、浮遊状態の第1ノ� �ドND ₁ (駆動トランジスタTR _D のゲート電極)の電位も低下する。

  [期間-TP(2) ₁ ](図9C参照)
 そして、現表示フレームにおける第m行目の 水平走査期間が開始する。この[期間-TP(2) ₁ ]において、閾値電圧キャンセル処理を行う� �めの前処理が行われる。[期間-TP(2) ₁ ]の開始時、走査線SCLをハイレベルとするこ� �によって、書込みトランジスタTR _W をオン状態とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位は、V _Ofs (例えば、0ボルト)となる。第2ノードND ₂ の電位はV _CC-L (例えば、-10ボルト)を保持する。

 上記の処理により、駆動トランジスタTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差が V _th 以上となり、駆動トランジスタTR _D はオン状態となる。

  [期間-TP(2) ₂ ](図9D参照)
 次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる� ��即ち、書込みトランジスタTR _W のオン状態を維持したまま、電源部2100から� �給される電圧を、V _CC-L から電圧V _CC-H に切り替える。その結果、第1ノードND ₁ の電位は変化しないが(V _Ofs =0ボルトを維持)、第1ノードND ₁ の電位から駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th を減じた電位に向かって、第2ノードND ₂ の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第2ノ� �ドND ₂ の電位が上昇する。そして、駆動トランジス タTR _D のゲート電極とソース領域との間の電位差が V _th に達すると、駆動トランジスタTR _D がオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の 第2ノードND ₂ の電位が(V _Ofs -V _th =-3ボルト)に近づき、最終的に(V _Ofs -V _th )となる。ここで、上述した式(2)が保証され� �いれば、云い換えれば、式(2)を満足するよ� �に電位を選択、決定しておけば、発光部ELP� �発光することはない。

 この[期間-TP(2) ₂ ]にあっては、第2ノードND ₂ の電位は、最終的に、(V _Ofs -V _th )となる。即ち、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th 、及び、駆動トランジスタTR _D のゲート電極を初期化するための電圧V _Ofs のみに依存して、第2ノードND ₂ の電位は決定される。そして、発光部ELPの閾 値電圧V _th-EL とは無関係である。

  [期間-TP(2) ₃ ](図9E参照)
 次に、駆動トランジスタTR _D に対する書込み処理、及び、駆動トランジス タTR _D の移動度μの大小に基づく駆動トランジスタT R _D のソース領域(第2ノードND ₂ )の電位の補正(移動度補正処理)を行う。具体 的には、書込みトランジスタTR _W のオン状態を維持したまま、データ線DTLの電 位を、発光部ELPにおける輝度を制御するため の映像信号V _Sig とする。その結果、第1ノードND ₁ の電位はV _Sig へと上昇し、駆動トランジスタTR _D はオン状態となる。尚、書込みトランジスタ TR _W を、一旦、オフ状態とし、データ線DTLの電位 を、発光部ELPにおける輝度を制御するための 映像信号V _Sig に変更し、その後、走査線SCLをハイレベルと することによって、書込みトランジスタTR _W をオン状態とすることで、駆動トランジスタ TR _D をオン状態としてもよい。

 5Tr/1C駆動回路において説明したと異なり、� ��動トランジスタTR _D のドレイン領域には電源部2100から電位V _CC-H が印加されているので、駆動トランジスタTR _D のソース領域の電位は上昇する。所定の時間 (t ₀ )が経過した後、走査線SCLをローレベルとす� �ことによって、書込みトランジスタTR _W をオフ状態とし、第1ノードND ₁ (駆動トランジスタTR _D のゲート電極)を浮遊状態とする。尚、この[� ��間-TP(2) ₃ ]の全時間t ₀ は、第2ノードND ₂ の電位が(V _Ofs -V _th +δV)となるように、表示装置の設計の際、設� ��値として予め決定しておけばよい。

 この[期間-TP(2) ₃ ]にあっても、駆動トランジスタTR _D の移動度μの値が大きい場合、駆動トランジ� ��タTR _D のソース領域における電位の上昇量δVは大き く、駆動トランジスタTR _D の移動度μの値が小さい場合、駆動トランジ� ��タTR _D のソース領域における電位の上昇量δVは小さ い。

  [期間-TP(2) ₄ ](図9E参照)
 以上の操作によって、閾値電圧キャンセル� ��理、書込み処理、移動度補正処理が完了す� ��。そして、5Tr/1C駆動回路において説明した[ 期間-TP(5) ₇ ]と同じ処理がなされ、第2ノードND ₂ の電位が上昇し、(V _th-EL +V _Cat )を越えるので、発光部ELPは発光を開始する� �このとき、発光部ELPを流れる電流は、前述� �た式(5)にて得ることができるので、発光部EL Pを流れる電流I _ds は、発光部ELPの閾値電圧V _th-EL 、及び、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th には依存しない。即ち、発光部ELPの発光量(� �度)は、発光部ELPの閾値電圧V _th-EL の影響、及び、駆動トランジスタTR _D の閾値電圧V _th の影響を受けない。加えて、駆動トランジス タTR _D における移動度μのばらつきに起因したドレ� ��ン電流I _ds のばらつき発生を抑制することができる。

 そして、発光部ELPの発光状態を第(m+m’-1)番 目の水平走査期間まで継続する。この時点は 、[期間-TP(2) _-1 ]の終わりに相当する。

 以上によって、第(n,m)番目の副画素を構� �する発光素子10の発光の動作が完了する。

 以上、好ましい例に基づき説明したが、� ��発明においては駆動回路の構成はこれらの� ��に限定されるものではない。各例において� ��明した表示装置、発光素子、駆動回路を構� ��する各種の構成要素の構成、構造、発光部� ��駆動方法における工程は例示であり、適宜� ��変更することができる。例えば、駆動回路� ��して図10に示した4Tr/1C駆動回路や、図11に示 した3Tr/1C駆動回路を用いてもよい。

 また、5Tr/1C駆動回路の動作説明においては� ��書込み処理と移動度補正を別個に行ったが� ��これに限るものではない。2Tr/1C駆動回路の� ��作説明と同様に、書込み処理において移動� ��補正処理が併せて行われる構成とすること� ��できる。具体的には、発光制御トランジス� ��T _{EL_C} をオン状態とした状態で、書込みトランジス タT _Sig を介して、データ線DTLから映像信号V _{Sig_m} を第1ノードに印加する構成とすればよい。

 続いて、本発明の一実施形態にかかるム� ��補正部130の構成について説明する。図12は� �本発明の一実施形態にかかるムラ補正部130� �構成について説明する説明図である。

 図12に示したように、本発明の一実施形� �にかかるムラ補正部130は、レベル検出部162� �、ムラ補正情報記憶部164と、補間部166、168� �、加算器170と、を含んで構成される。

 レベル検出部162は、映像信号の電圧(レベ ル)を検出する。レベル検出部162で映像信号� �レベルを検出すると、検出したレベルをム� �補正情報記憶部164に送る。

 ムラ補正情報記憶部164は、パネル158に表� ��される画像の発光むらを補正するための情� ��が記憶されるものである。ムラ補正情報記� ��部として、記録部106と同様に、表示装置100� ��電源が切れている状態でも情報が消えずに� ��納することができるメモリを用いることが� ��ましい。ムラ補正情報記憶部164として採用� ��るメモリとして、例えば電気的に内容を書� ��換えることができるEEPROMを用いることが望� ��しい。ここで、パネル158に表示される画像� ��発光むらを補正するための情報について説� ��する。

 パネル158に対して一様な値を有する映像� ��号を供給した状態で、パネル158の画像の表� ��面をビデオカメラなどの撮像手段で撮像し� ��場合に、パネル158に発光むらが無いときは� ��当該撮像手段からは一様な値の信号を得る� ��とができる。しかし、パネル158に発光むら� ��あるときは、当該撮像手段からは発光むら� ��応じて値が変化する信号を得ることになる� ��

 そこで、パネル158が発光むらを生じてい� ��かどうかを検出するために、パネル158にお� ��て複数の所定の輝度で発光するような映像� ��号をパネル158に対して供給する。そのよう� ��映像信号は、例えばパターン生成部118で生� ��してパネル158に供給してもよく、表示装置1 00の外部で生成して表示装置100に供給しても� ��い。ここで、表示装置100では、パネル158の� ��画素において印加する電圧と、パネル158の� ��画素における輝度とはリニアな(線形な)関� �を有しているので、映像信号の信号レベル(� ��圧)に比例してパネル158における輝度が変化 することになる。

 パネル158が所定の輝度で発光するような� ��像信号の入力を受けると、当該映像信号に� ��ってパネル158が発光する。発光したパネル1 58の表示面を撮像手段で撮像し、撮像手段で� ��像したパネル158の表示面の画像から信号電� ��を取得する。取得した信号電圧を外部の専� ��コンピュータ(図示せず)に入力することで� �当該輝度における発光むらの補正データを� �る。

 つまり、当該輝度における発光むらの補� ��データとは、パネル158が当該輝度で表示す� ��画像に発光むらがある場合に、パネル158に� ��ける発光むらが無くなる様に、発光むらを� ��じている箇所に対して映像信号の信号レベ� ��を補正するための補正データである。そし� ��、このような補正データをムラ補正情報記� ��部164に記憶しておき、記憶した補正データ� ��基づいて映像信号の信号レベルを補正する� ��とで、パネル158固有の発光むらを抑えて画� ��を表示することができる。

 上述したように、パネル158は画素を構成� ��るTFTをレーザー光で露光する工程があり、� ��のレーザー光による露光工程に起因して、� ��ネル158の水平方向や垂直方向に筋状の発光� ��らを生じやすくなっている。また、パネル1 58の水平方向や垂直方向以外にも、局所的に� ��光むらを生じる場合もある。

 そのため、発光むらの補正データには、� ��ネル158の水平方向や垂直方向に生じる発光� ��らを補正する補正データと、パネル158の局� ��的に生じる発光むらを補正する補正データ� ��が含まれる。本実施形態における表示装置1 00は、水平方向や垂直方向に生じる発光むら� ��補正(以下「縦横補正」とも称する)と、局� �的に生じる発光むらを補正する補正(以下「� ��ポット補正」とも称する)とを組み合わせて 補正することを特徴とする。

 以上、発光むらを補正するための情報に� ��いて説明した、なお、縦横補正とスポット� ��正の詳細については後述する。

 補間部166、168は、補間によって映像信号� ��補正するための補正信号を生成するもので� ��る。補間部166、168によって生成された補正� ��号を用いて映像信号を補正することによっ� ��、パネル158における発光むらを補正する。

 ここで、補間部166と補間部168との違いは� ��補間部166が縦横補正によって発光むらを補� ��する際に補正信号を生成するものであり、� ��間部168はスポット補正によって発光むらを� ��正する際に補正信号を生成するものである� ��縦横補正とスポット補正のどちらを用いて� ��光むらを補正するか、また、縦横補正とス� ��ット補正の両方を用いて発光むらを補正す� ��かは、パネル158に生じている発光むらの状� ��によって、ムラ補正情報記憶部164に補正情� ��を記録する際に指定してもよい。

 加算器170は、補間部166、168で生成された� ��正信号と、ムラ補正部130に入力された映像� ��号とを加算するものである。補間部166、168� ��生成された補正信号と、ムラ補正部130に入� ��された映像信号とが加算されることで、パ� ��ル158における発光むらを補正することがで� ��る。

 以上、本発明の一実施形態にかかるムラ� ��正部130の構成について説明した。次に、本� ��明の一実施形態にかかる表示装置100におけ� ��発光むらの補正方法について説明する。

 図13は、本発明の一実施形態にかかる、� �示装置100における発光むらの補正方法の概� �について説明する説明図である。本実施形� �にかかる表示装置100においては、3つの輝度� ��パネル158に画像を表示することで発光むら� ��検出し、発光むらを補正する補正データを� ��て、発光むらを補正する。発光むらを検出� ��るための輝度を、輝度の低い順にL1、L2、L3� ��する。そして、上述したようにパネル158に� ��加する電圧と輝度とはリニアな関係を有し� ��いる。そこで、輝度L1に対応する電圧をV1、 L2に対応する電圧をV2、L3に対応する電圧をV3� ��する。もちろん本発明においては、補正デ� ��タを得るための輝度は3つに限られない。ま た、本実施形態では、輝度L3をほぼ中間の輝� ��に設定することとするが、もちろん本発明� ��おいては輝度の設定はかかる例に限られな� ��。

 それぞれの輝度に対応する信号レベルを� ��する映像信号をパネル158に与え、上述のよ� ��にパネル158に表示された画像をビデオカメ� ��などの撮像手段で撮像して、パネル158の発� ��むらを検出する。

 パネル158の製造工程に起因して生じる発� ��むらには、パネル158の水平方向や垂直方向� ��生じる筋状の発光むらと、パネル158の局所� ��に生じる発光むらとがある。パネル158の水� ��方向や垂直方向に生じる筋状の発光むらを� ��正するには縦横補正が適している。しかし� ��パネル158の局所的に生じる発光むらを補正� ��るには縦横補正だけでは補正しきれない。� ��って、パネル158の局所的に生じる発光むら� ��補正するには、パネル158の表示面に対して� ��子状に検出点を設けて補正(以下「格子型補 正」とも称する)する必要がある。

 ここで、格子型補正を用いる場合には、� ��子の目を細かくすればする程、局所的に生� ��る発光むらを完全に補正することができる� ��しかし、格子型補正では格子の各交点につ� ��て補正データを保持する必要があるため、� ��子の目を細かくする程、ムラ補正情報記憶� ��164で記憶しておかなければいけない補正デ� ��タが増大する。従って、限られたメモリ容� ��では格子型補正を行う場合の格子の目の細� ��さに制限が生じる。また格子の目を細かく� ��る程、ムラ補正部130におけるむら補正に要� ��る時間も増える。

 そこで、本発明の一実施形態にかかる表� ��装置100における発光むらの補正方法では、� ��14Aに示したような画面全面を処理領域とし� ��いた従来の格子型補正に対し、図14Bに示し� ��ような発光むらが生じている特定領域のみ� ��処理領域を絞ってスポット補正を行うこと� ��特徴としている。このように特定領域のみ� ��処理領域を絞ってスポット補正を行うこと� ��、メモリ容量が限られていても格子の目を� ��かくすることができて、発光むらをより補� ��することができる。

 図15は、本発明の一実施形態にかかる表� �装置100における発光むらの補正方法による� �光むらの補正について、グラフを用いて説� �する説明図である。横軸はパネル158に入力� �れる映像信号の信号レベル(電圧)を、縦軸は パネル158で出力される画像の輝度を示してい る。

 符号172で示した線は、発光むらが生じて� ��る箇所における、発光むらの検出によって� ��定される入出力特性の一例を示している。� ��た符号174で示した線は、発光むらが生じて� ��ない場合における入出力特性の一例を示し� ��いる。

 このように、パネル158に発光むらが生じ� ��いる場合には、発光むらを生じている箇所� ��本来の入出力特性より低い輝度で発光する� ��この低い輝度で発光している箇所を本来の� ��度で発光するように、ムラ補正部130におい� ��映像信号の信号レベルを調節する。

 本発明の一実施形態にかかる表示装置100� ��おける発光むらの補正方法では、パネル158� ��生じている発光むらを、縦横補正とスポッ� ��補正とを適宜組み合わせることによって補� ��することを特徴とする。ここで、縦横補正� ��よって補正する場合の補正データと、スポ� ��ト補正によって補正する補正データについ� ��、詳細に説明する。

 縦横補正によって発光むらを補正する場� ��には、水平方向に対して補正する補正デー� ��と垂直方向に対して補正するデータとを作� ��する。水平方向に対して補正する補正デー� ��は、パネル158を水平方向に一様な輝度に補� ��するためのデータを、全ての水平線におい� ��平均して得られるデータである。同様に、� ��直方向に対して補正する補正データは、パ� ��ル158を垂直方向に一様な輝度に補正するた� ��のデータを、全ての垂直線において平均し� ��得られるデータである。

 ここで、縦横補正について詳細に説明す� ��。縦横補正は、パネル158の水平および垂直� ��向に発生した発光むらを補正するものであ� ��。縦横補正は、複数個の水平方向および垂� ��方向の補正データによって補正する。水平� ��向および垂直方向の補正データは等間隔に� ��定してもよい。例えば、パネル158の水平方� ��の水平方向のピクセル数が960ピクセル、垂� ��方向のピクセル数が540ピクセルであった場� ��に、32ピクセル間隔で補正データを設定す� �こともできる。

 本実施形態にかかる水平方向の補正デー� ��は、パネル158に対して複数の水平線を想定� ��た場合に、当該水平線を水平方向に一様な� ��度に補正するための補正データを、全ての� ��平線で平均した補正データである。また、� ��実施形態にかかる垂直方向の補正データは� ��パネル158に対して複数の垂直線を想定した� ��合に、当該垂直線を垂直方向に一様な輝度� ��補正するための補正データを、全ての垂直� ��で平均した補正データである。

 水平方向の発光むらの補正は、水平走査� ��置に関わらず、垂直走査位置に対応した垂� ��方向の補正データをムラ補正情報記憶部164� ��ら繰り返し読み出すことによって行う。そ� ��結果、水平方向の筋状の発光むらを補正す� ��ことができる。同様に、垂直方向の発光む� ��の補正は、垂直走査位置に関わらず、水平� ��査位置に対応した水平方向の補正データを� ��ラ補正情報記憶部164から繰り返し読み出す� ��とによって行う。その結果、垂直方向の筋� ��の発光むらを補正することができる。

 一方、スポット補正によって発光むらを� ��正する場合には、発光むらが生じている領� ��に対して格子状に検出点を設けて、当該検� ��点における輝度を発光むらが生じていない� ��合の輝度に補正するためのデータを、全て� ��検出点(格子点)において作成する。このよ� �に輝度を補正するためのデータを作成する� �とで、画面上の一部の領域に生じている発� �むらを抑えて一様な輝度で画像を表示する� �とができる。

 ここで、スポット補正による補正方法に� ��いて、詳細に説明する。図16は、本発明の� �実施形態にかかるパネル158に部分的に生じ� �発光むらを、スポット補正によって補正す� �場合について説明する説明図である。

 スポット補正によって補正する補正領域� ��左上の座標を(X1,Y1)、右下の座標を(X2,Y2)と� �る。また、スポット補正を行う際の格子の� �幅をhwid、縦幅をvwidとする。ここで、hwidお� �びvwidの値は2のべき乗であることが望ましい 。

 図16に示した補正領域における補正点(格子� ��各交点を指す)の数は、補正領域の横幅をhsi ze(=X2-X1+1)、縦幅をvsize(=Y2-Y1+1)とすると、以下 の数式1のように表される。
 {(hsize/hwid)+1}×〔{(vsize/vwid)/2}+1〕
 ・・・(数式1)

 本実施形態においては、数式1において、 (hsize/hwid)および(vsize/vwid)は、それぞれ切り上 げて整数にしたものを用い、{(vsize/vwid)/2}は� �り捨てて整数にしたものを用いる。そして� �本実施形態においては、この数式1で求めら� ��る値が所定の値以下となるように、また補� ��領域における発光むらの状態に応じてhwidお よびvwidの値を決定する。

 この様に、補正領域における発光むらの� ��態に応じてhwidおよびvwidの値を決定するこ� �で、パネル158に局所的に生じた発光むらを� �スポット補正を用いて効果的に補正するこ� �ができる。

 以上、スポット補正による補正方法につ� ��て説明した。なお、スポット補正を行う場� ��における格子の横幅、縦幅は、縦横補正を� ��う場合における水平線や垂直線の間隔と等� ��くてもよく、縦横補正を行う場合における� ��平線や垂直線の間隔より狭くてもよい。ス� ��ット補正を行う場合における格子の横幅お� ��び縦幅は、パネル158の発光むらを効果的に� ��正するために、縦横補正を行う場合におけ� ��水平線や垂直線の間隔より狭い方が望まし� ��。

 こうして求められた、発光むらを補正す� ��ための補正データをムラ補正情報記憶部164� ��記憶する。そして、映像信号がムラ補正部1 30に入力されると、ムラ補正情報記憶部164に� ��憶した補正データを用いて映像信号の信号� ��ベルを補正し、出力する。

 ムラ補正情報記憶部164に記憶した補正デ� ��タを用いて映像信号の信号レベルを補正す� ��方法について、より詳細に説明する。

 レベル検出部162で映像信号の信号レベル( 電圧)を検出すると、検出した信号レベルを� �ラ補正情報記憶部164に送る。ムラ補正情報� �憶部164では、レベル検出部162が検出した信� �レベルに対応し、かつ当該映像信号の走査� �置に対応する補正データが読み出される。

 例えば、本実施形態では発光むらを検出� ��る輝度をL1、L2、L3の3種類に設定しているが 、映像信号の信号レベルが輝度L1に対応する� ��圧V1未満である場合には、輝度L1における補 正データがムラ補正情報記憶部164から読み出 される。そして、縦横補正を行う場合には補 間部166に、スポット補正を行う場合には補間 部168に補正データを送る。

 補間部166には、レベル検出部162で検出し� ��映像信号の信号レベルの情報と、ムラ補正� ��報記憶部164から読み出された補正データと� ��入力され、当該信号レベルにおける、縦横� ��正を行う際の補正データが補間によって生� ��される。同様に、補間部168にもレベル検出� ��162で検出した映像信号の信号レベルの情報� ��、ムラ補正情報記憶部164から読み出された� ��正データとが入力され、当該信号レベルに� ��ける、スポット補正を行う際の補正データ� ��補間によって生成される。

 補間部166、168で生成された補正データは� ��それぞれ加算器170に入力され、映像信号と� ��加算処理が行われる。この様に加算によっ� ��補正することで、発光むらが生じている箇� ��の輝度が、他の発光むらが生じていない箇� ��との輝度を均一になるように補正すること� ��出来る。

 同様に、映像信号の信号レベルが輝度L1� �対応する電圧V1以上、輝度L1に対応する電圧V 2未満である場合には、輝度L1における補正デ ータと輝度L2における補正データとがムラ補� ��情報記憶部164から読み出され、これらの補� ��データから補間部166、168においてそれぞれ� ��間によって補正データが生成される。

 また、映像信号の信号レベルが輝度L2に� �応する電圧V2以上、輝度L3に対応する電圧V3� �満である場合には、輝度L2における補正デー タと輝度L3における補正データとがムラ補正� ��報記憶部164から読み出され、これらの補正� ��ータから補間部166、168においてそれぞれ補� ��によって補正データが生成される。

 そして、映像信号の信号レベルが輝度L3� �対応する電圧V3以上である場合には、輝度L3� ��おける補正データがムラ補正情報記憶部164� ��ら読み出され、当該補正データから補間部1 66、168においてそれぞれ補間によって補正デ� ��タが生成される。

 このように生成された補正データは、同� ��にそれぞれ加算器170に入力され、映像信号� ��の加算処理が行われることで、発光むらを� ��正することができる。

 以上、本発明の一実施形態にかかる表示� ��置100における発光むらの補正方法について� ��明した。

 なお、縦横補正とスポット補正のどちら� ��使用して、または縦横補正とスポット補正� ��両方を使用してむら補正を行うかは、補正� ��ータを登録する際にムラ補正部130に設定し� ��もよく、画面上のむらのうねりの幅や色の� ��合いを解析することで、ムラ補正部130にお� ��て判断を行ってもよい。

 以上説明したように、本発明の一実施形� ��によれば、縦横補正とスポット補正とを組� ��合わせて発光むらを補正することで、パネ� ��158の製造工程に起因する発光むらを抑えて� ��パネル158に画像を表示することができる。� ��して、スポット補正においてはパネル158の� ��面において行うのではなく、発光むらが生� ��ている領域に対して行うことで、限られた� ��モリ容量を有していても、検出点を細かく� ��けることが可能となり、パネル158の局所的� ��生じた発光むらを補正して、パネル158に画� ��を表示することができる。

 また、本発明の一実施形態によれば、リ� ��ア特性を有する映像信号に対して信号処理� ��施して発光むらの補正を行うことで、ガン� ��特性を有する映像信号に比べて発光むらの� ��出面の数が少なく済む。そのため、発光む� ��を補正するための補正データの記憶容量を� ��なく抑えることができるので、表示装置100� ��コスト削減に繋がる。そして、ムラ補正部1 30に対して輝度値の絶対値を入力すればよい� ��で、ムラ補正部130における補正も容易に行� ��ことができる。

 なお、上述した本発明の一実施形態にか� ��るむら補正方法は、表示装置100の内部の記� ��媒体(例えば記録部106)に予め本発明の一実� �形態にかかるむら補正方法を実行するよう� �作成されたコンピュータプログラムを記録� �ておき、当該コンピュータプログラムを演� �装置(例えば制御部104)が順次読み出して実行 することによって行ってもよい。

 以上、添付図面を参照しながら本発明の� ��適な実施形態について説明したが、本発明� ��係る例に限定されないことは言うまでもな� ��。当業者であれば、特許請求の範囲に記載� ��れた範疇内において、各種の変更例または� ��正例に想到し得ることは明らかであり、そ� ��らについても当然に本発明の技術的範囲に� ��するものと了解される。

 例えば、むらを補正する際において、黒� ��(低階調側)に対しては補正しないようにし� �もよい。リニア空間でむらを補正している� �め、黒側の精度が非常に敏感であり、また� �ニア空間のビット数の制限により、黒側が� �ニア空間から外れてしまうからである。

 図17は、低階調側に対してはむら補正を� �わないようにしたムラ補正部130’の構成に� �いて説明する説明図である。図17に示したム ラ補正部130’は、図12に示したムラ補正部130� ��比較して、レベル検出部162の前段に低階調� ��遮断部161を設けている。低階調側遮断部161� ��、ムラ補正部130’が受け取った映像信号に� ��して低階調側を遮断する処理を行って、レ� ��ル検出部162に送るものである。

 図18Aは、低階調側に対してもむら補正を� ��う場合におけるむら補正の様子を概念的に� ��す説明図であり、符号182で示した線は量子� ��誤差のある補正量を、符号184で示した線は� ��想的な補正量を示している。図18Bは、低階� ��側遮断部161を設けることで低階調側に対し� ��はむら補正を行わないようにした場合にお� ��るむら補正の様子を概念的に示す説明図で� ��り、符号183で示した線は量子化誤差のある� ��正量を、符号184で示した線は理想的な補正� ��を示している。

 図18Aに示した場合においては、量子化誤� ��のある補正量と理想的な補正量との間にあ� ��誤差が低階調側に位置しており、リニア空� ��でむらを補正しているため、両者の間の誤� ��がパネル158で映像を映した際に見えてしま� ��可能性がある。一方、図18Bに示した場合に� ��いては、量子化誤差のある補正量と理想的� ��補正量との間にある誤差が、図18Aの場合よ� ��も高階調側にシフトしており、両者の間の� ��差がパネル158で映像を映した際にも目に見� ��なくなるという効果を奏する。