以下、本発明を実施するための最良の形� ��について詳細に説明する。

 本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行� ��た結果、対向電極間に、前記一般式(1)で表� ��れるアミド系化合物を電解質の溶媒として� ��有することを特徴とする表示素子により、� ��示速度が速く、繰り返し駆動を行っても耐� ��性に優れ、長期間にわたり使用した際の溶� ��揮発を抑制することで表示ムラが改良され� ��長期間安定した特性を維持できる表示
素子を実現できることを見出し、本発明に至 った次第である。

 本発明の表示素子においては、更には、� ��向電極間に、銀または銀を化学構造中に含� ��化合物と前記一般式(1)で表される化合物と� ��含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生� ��させるように該対向電極の駆動操作をする� ��示素子であることが好ましい。

 以下、本発明の詳細について説明する。

 〔電解質〕
 本発明でいう「電解質」とは、一般に、水� ��どの溶媒に溶けて、その溶液がイオン伝導� ��を示す物質(以下、「狭義の電解質」という 。)をいうが、本発明の説明においては、狭� �の電解質としては、電解質、非電解質を問� �ず他の金属、化合物等を含有させた混合物� �電解質(「広義の電解質」)という。

 本発明に係る対向電極間に存在させる電� ��質は、本発明に係る一般式(1)で表される化� ��物の他に、有機溶媒、イオン性液体、酸化� ��元活性物質、支持電解質、錯化剤、白色散� ��物、高分子バインダー等を必要に応じて選� ��して構成されている。

 以下、本発明に係る電解質の各構成要素� ��ついて、更に説明する。

 (一般式(1)で表される化合物)
 前記一般式(1)において、R _B1 はアルキル基、アリール基、アミノ基、アル コキシ基またはアリールオキシ基を表し、R _B2 、R _B3 は各々、アルキル基を表す。

 R _B1 、R _B2 、R _B3 で各々表されるアルキル基としては、例えば 、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ ロピル基、t-ブチル基、ペンチル基、シクロ� ��ンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基� ��オクチル基、ドデシル基等が挙げられ、R _B1 で表されるアリール基としては、例えば、フ ェニル基、ナフチル基等が挙げられ、アミノ 基としては、例えば、アミノ基、エチルアミ ノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、 シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシル� ��ミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、� ��フチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等が� �げられ、アルコキシ基としては、例えば、� �トキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基� �ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ� �、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキ� �基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基� �が挙げられ、アリールオキシ基としては、� �えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等� �挙げられる。

 本発明においては、R _B1 はアルキル基、アリール基またはアミノ基で あることが好ましく、更には、R _B1 ~R _B3 が全てアルキル基であり、かつR _B1 ~R _B3 の炭素数の総和が、12以上、20以下であるこ� �が好ましい。

 本発明に係る一般式(1)で表される化合物� ��組合せる銀または銀を化学構造中に含む化� ��物としては、本発明の一般式(2)~(5)で表され る化合物が好ましい。本発明の一般式(2)~(5)� �表される化合物は、置換基に電子吸引性基� �有していることで、銀イオンの高い拡散速� �と高い反応速度を有しているため、本発明� �係る一般式(1)で表される化合物を電解質の� �媒として使用したときの表示速度向上効果� �より大きくなる。

 以下に、本発明に係る一般式(1)で表され� ��化合物の代表的な具体例を示すが、本発明� ��これらに限定されない。

 以上の具体例の他に、本発明に係る一般� ��(1)で表される化合物の具体例としては、特� ��平5-188547号公報の第8頁~10頁に記載された例� ��化合物C-II~C-XVI、C-XVIII~C-XX等を挙げることが できる。

 (有機溶媒)
 本発明に係る電解質には、有機溶媒として� ��般式(1)で表されるアミド系化合物を用いる� ��とを特徴とするが、本発明の目的効果を損� ��わない範囲で、他の有機溶媒を併用しても� ��い。一般式(1)で表される化合物に併用可能� ��有機溶媒としては、電解質を形成した後、� ��発を起こさず電解質に留まることができる� ��点が120~300℃の範囲にある有機溶媒であるこ とが好ましく、例えば、プロピレンカーボネ ート、エチレンカーボネート、エチルメチル カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメ チルカーボネート、ブチレンカーボネート、 γ-ブチルラクトン、テトラメチル尿素、スル ホラン、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチ� �-2-イミダゾリジノン、2-(N-メチル)-2-ピロリ� �ノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、N- メチルプロピオンアミド、N,N-ジメチルアセ� �アミド、N-メチルアセトアミド、N,Nジメチル ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、ブチ� ��ニトリル、プロピオニトリル、アセトニト� ��ル、アセチルアセトン、4-メチル-2-ペンタ� �ン、2-ブタノール、1-ブタノール、2-プロパ� �ール、1-プロパノール、無水酢酸、酢酸エチ ル、プロピオン酸エチル、ジメトキシエタン 、ジエトキシフラン、テトラヒドロフラン、 エチレングリコール、ジエチレングリコール 、トリエチレングリコールモノブチルエーテ ル、トリクレジルホスフェート、2エチルヘ� �シルホスフェート、ジオクチルフタレート� �ジオクチルセバケート等を挙げることがで� �る。

 上記有機溶媒の中でも、プロピレンカー� ��ネート、エチレンカーボネート、エチルメ� ��ルカーボネート、ジエチルカーボネート、� ��メチルカーボネート、ブチレンカーボネー� ��、γ-ブチルラクトン等の環状カルボン酸エ� ��テル系化合物を用いることが好ましい。

 本発明で用いることのできるその他の溶� ��として、J.A.Riddick,W.B.Bunger,T.K.Sakano,“Organic  Solvents”,4th ed.,John Wiley & Sons(1986)、Y.Marc us,“Ion Solvation”,John Wiley & Sons(1985)、C.R eichardt,“Solvents and Solvent Effects in Chemistry� �,2nd ed.,VCH(1988)、G.J.Janz,R.P.T.Tomkins,“Nonaqueous� �Electorlytes Handbook”,Vol.1,Academic Press(1972)に記 載の化合物を挙げることができる。

 (イオン性液体)
 本発明に係る電解質にはイオン性液体を添� ��することができる。本発明でいうイオン性� ��体とは、室温でも液体で存在する塩を指し� ��例えば、イミダゾリウム、ピリジニウム等� ��陽イオンと、フッ化物イオンやトリフラー� ��等の陰イオンの組合せから選択することが� ��きる。

 (高分子バインダー)
 本発明に係る電解質に適用可能な高分子バ� ��ンダーとして、表示素子の特性や電解質の� ��度の観点から、例えば、ブチラール樹脂、� ��リビニルアルコール、ポリエチレングリコ� ��ル、ポリフッ化ビリニデン等の様々な高分� ��化合物の中から選択することができるが、� ��発明においては、高分子バインダーとして� ��チラール樹脂を用いることが好ましい。本� ��明においては、ブチラール樹脂を有機溶媒� ��添加した後、加熱溶解して用いることがで� ��、有機溶媒とブチラール樹脂との質量比は1 0:1~2:1の範囲にあることが好ましく、より好� �しい範囲は10:1~10:3である。

 本発明に係る電解質に適用可能なブチラ� ��ル樹脂の具体例としては、例えば、電気化� ��工業株式会社製の#3000-1、#3000-2、#3000-4、#300 0-K、#4000-2、#5000-A、#5000-D、#6000-C、#6000-AS、#60 00-CS、積水化学工業株式会社製のエスレック� ��リーズ等が挙げられる。

 (スペーサ)
 本発明の表示素子においては、電解質にス� ��ーサーを添加することができる。本発でい� ��スペーサーとは、対向電極間のギャップを� ��御するための微粒子であり、例えば、液晶� ��ィスプレイ等に使用されているガラス製ま� ��はアクリル樹脂製またはシリカ製等の微小� ��球を使用することができる。平均粒径は、� ��解質中での分散安定性またはスクリーン印� ��適性または表示素子特性の観点から、10μm� �上50μm以下の範囲にあることが好ましい。

 (白色散乱物)
 本発明に係る電解には、白色散乱物を適用� ��ることができる。本発明でいう白色散乱物� ��は、電解質に添加することで表示色を調整� ��きる全ての材料であり、好ましくは無機系� ��料、より好ましくは金属酸化物である。金� ��酸化物としては、例えば、二酸化チタン(ア ナターゼ型あるいはルチル型)、硫酸バリウ� �、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸� �亜鉛、酸化マグネシウムおよび水酸化亜鉛� �水酸化マグネシウム、リン酸マグネシウム� �リン酸水素マグネシウム、アルカリ土類金� �塩、タルク、カオリン、ゼオライト、酸性� �土、ガラス等を挙げることができる。

 また、有機化合物として、ポリエチレン� ��ポリスチレン、アクリル樹脂、アイオノマ� ��、エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂、ベンゾ グアナミン樹脂、尿素-ホルマリン樹脂、メ� �ミン-ホルマリン樹脂、ポリアミド樹脂など� ��単体または複合混合で、または粒子中に屈� ��率を変化させるボイドを有する状態で使用� ��れてもよい。

 本発明では、上記着色材料の中でも、二酸� ��チタン、酸化亜鉛、水酸化亜鉛が好ましく� ��いられ、特に、高温時の着色防止、屈折率� ��起因する素子の反射率の観点から、二酸化� ��タンを用いることがより好ましい。また、� ��酸化チタンは、無機酸化物(Al ₂ O ₃ またはSiO ₂ )で表面処理した二酸化チタンであることが� �ましい。

 本発明に係る白色散乱物は、本発明に係� ��電解質を構成する有機溶媒とブチラール樹� ��との混合物に添加し、超音波分散機やビー� ��ミル等の湿式微粉砕分散機を用いて電解質� ��に分散させて使用することができる。

 本発明においては、有機溶媒と着色材料� ��の質量比が10:1~1:1の範囲であることが好ま� �く、より好ましくは5:1~5:4である。

 本発明に係る白色散乱物は、有機溶媒や� ��オン性液体にブチラール樹脂を溶解後に白� ��散乱物を添加することが好ましい。

 本発明の表示素子は、対向電極間に白色� ��乱物を含んだ多孔質層(以下、多孔質白色散 乱層)を形成してもよい。多孔質白色散乱層� �、白色散乱物及び分散溶媒及び蛍光増白剤� �び高分子化合物を含有した分散物を塗布方� �、インクジェット方式、印刷方式等で形成� �ることができる。多孔質白色散乱層の好ま� �い形成方式は、スクリーン印刷方式である� �

 多孔質白色散乱層の膜厚は、5~50μmの範囲 であることが好ましく、より好ましくは10~30� �mの範囲である。

 本発明でいう多孔質とは、多孔質の白色� ��乱物を形成した後、該散乱物上に、銀また� ��銀を化学構造中に含む化合物を含有する電� ��質液を与えた後に対向電極で挟み込み、対� ��電極間に電位差を与え、銀の溶解析出反応� ��生じさせることが可能で、イオン種が電極� ��で移動可能な貫通状態のことを言う。

 (銀または銀を化学構造中に含む化合物)
 本発明に係る電解質に含有される銀または� ��を化学構造中に含む化合物とは、例えば、� ��化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、� ��ロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の� ��合物の総称であり、固体状態や液体への可� ��化状態や気体状態等の相の状態種、中性、� ��ニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、� ��に問わない。

 本発明に係る電解質に含まれる銀イオン� ��度は、0.2モル/kg≦[Ag]≦2.0モル/kgが好ましい 。銀イオン濃度が0.2モル/kgより少ないと希薄 な銀溶液となり駆動速度が遅延し、2モル/kg� �りも大きいと溶解性が劣化し、低温保存時� �析出が起きやすくなる傾向にあり不利であ� �。

 (一般式(2)または一般式(3)で表される化合物 )
 本発明においては、上記銀を化学構造中に� ��む化合物としては、下記一般式(2)または(3)� ��表される化合物が好ましい。

 一般式(2)
   R ₁ -SO ₃ -Ag
 一般式(3)
   R ₂ -CO ₂ -Ag
 式中、R ₁ 及びR ₂ は各々電子吸引性基を表し、ハメットの置換 基定数σ _m が+0.2以上の置換基を表す。より好ましくは� �ハメットの置換基定数σ _m が+0.3以上の置換基である。

 本発明におけるハメットの置換基定数σ _m では、置換安息香酸の酸解離平衡定数におけ る置換基の効果を数値で表したものを言う。

 本発明の条件を満たすR ₁ 及びR ₂ で表される置換基としては、例えば、CBr ₃ 、CCl ₃ 、CF ₃ 、CN、CHO、CONH ₂ 、C=CH、CH ₂ SO ₂ CF ₃ 、COCH ₃ 、CO ₂ CH ₃ 、C=O(NHCH ₃ )、C=S(NHCH ₃ )、CF(CF ₃ ) ₂ 、C(OH)(CF ₃ ) ₂ 、CH=CHCN、CH=CHCHO、CO ₂ C ₂ H ₅ 、CF ₂ CF ₂ CF ₂ CF ₃ 、CH=CHCOCH ₃ 、C ₆ Cl ₅ 、C ₆ CF ₅ 、OCF ₃ 、OCHF ₂ 、OSO ₂ CH ₃ 、OCF ₂ CHFCl、OCOCH ₃ 、OC ₆ H ₅ 、OSO ₂ C ₆ H ₅ 、POCl ₂ 、PCl ₂ 、POF ₂ 、PF ₂ 、PSCl ₂ 、P(Cl)N(CH ₃ ) ₂ 、PO(CH ₃ ) ₂ 、PO(OCH ₃ ) ₂ 、PO(C ₂ H ₅ ) ₂ 、OCF ₂ CF ₂ H、2-C ₅ H ₄ N、OSO ₂ CF ₃ 、C(CF ₃ ) ₃ 、ピロール、CH=C(CN) ₂ 、COOC ₆ H ₅ 、C(OC)(CF ₃ ) ₂ 等が挙げられる。

 一般式(2)で表される化合物の代表的な具� ��例を、以下に示す。

 上記例示した一般式(2)で表される化合物� ��うち、特に好ましい化合物は、例示化合物( 2-1)である。

 次に、一般式(3)で表される化合物の代表� ��な具体例を、以下に示す。

 上記例示した一般式(3)で表される化合物� ��うち、特に好ましい化合物は、例示化合物( 3-1)である。

 上記一般式(2)において、置換基R ₁ が前記一般式(4)または(5)で表されることが好 ましく、また、一般式(3)において、置換基R ₂ が前記一般式(4)または(5)で表されることが好 ましい。

 前記一般式(4)、(5)において、n=0以上の整数� ��表し、R ₃ ~R ₁₀ は、各々前
記一般式(2)、(3)におけるR ₁ 、R ₂ としての条件を満たす置換基である。なお、 *は結合位置を示す。

 一般式(4)で表される化合物の代表的な具� ��例を、以下に示す。

 上記例示した一般式(4)で表される化合物� ��うち、特に好ましい化合物は、例示化合物( 4-1)、(4-2)、(4-5)、(4-6)である。

 次に、一般式(5)で表される化合物の代表� ��な具体例を、以下に示す。

 上記例示した一般式(5)で表される化合物� ��うち、特に好ましい化合物は、例示化合物( 5-1)、(5-2)、(5-5)、(5-6)である。

 (一般式(6)で表される化合物)
 本発明に係る電解質においては、前記一般� ��(6)で表されるスピロアンモニウム化合物を� ��有することが好ましい。

 一般式(6)
   P ⁺ R ₁₁ R ₁₂ R ₁₃ R ₁₄ ・X ^-
 上記一般式(6)において、R ₁₁ 、R ₁₂ 、R ₁₃ 、R ₁₄ は各々アルキル基、アリール基、複素環基ま たはアラルキル基を表し、同一でも異なって いてもよい。X ^- はアニオンを表す。

 R ₁₁ ~R ₁₄ は、互いに独立して水素、飽和または不飽和 の炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~8のシク� �アルキル基、炭素数6~10のアリール基または� ��素数7~11のアラルキル基、R ₁₅ -X-(R ₁₆ -Y-) _n -(式中、R ₁₅ は炭素数4以下のアルキル基、R ₁₆ は炭素数4以下のアルキレン基、X及びYは酸素 原子または硫黄原子、nは0~10の整数を示す)を 表し、これらの基は置換基を有していてもよ い。

 上述の中でR ₁₁ ~R ₁₄ の具体的な例はとしては、メチル、エチル、 n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソ� �チル、sec-ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘ� �シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ� �などの直鎖または分枝を有するアルキル基� �シクロプロピル、シクロブチル、シクロペ� �チル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、� �クロオクチルなどのシクロアルキル基、無� �換あるいはハロゲン原子(例えば、F、Cl、Br� �I)、水酸基、低級アルコキシ基(例えば、メ� �キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等� �各基)、カルボキシル基、アセチル基、プロ� ��ノイル基、チオール基、低級アルキルチオ� ��(例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロピ ルチオ、ブチルチオ等の各基)、アミノ基、� �級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミ� �基などの置換基を1~3個有するフェニル、ナ� �チル、トルイル、キシリル等のアリール基� �ベンジルなどのアラルキル基などを挙げる� �とができる。

 また、R ₁₅ の具体的な例としては、メチル、エチル、n-� ��ロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブ� �ル、sec-ブチル、t-ブチルなどのアルキル基� �どが挙げられ、R ₁₆ としてはメチレン、エチレン、プロピレン、 ブチレンなどのアルキレン基などを挙げるこ とができる。

 X ^- で表されるアニオン種としては、アニオンで あれば如何なる化合物でもよい。具体例とし ては、(FSO ₂ ) ₂ N ^- 、(CF ₃ SO ₂ ) ₂ N ^- 、CH ₃ SO ₄ ^- 、Br ^- 、Cl ^- 、OH ^- 、NO ₃ ^- 、PF ₆ ^- 、BF ₄ ^- 、CH ₃ -Ph-SO ₃ ^- 、CF ₃ SO ₃ ^- 、C ₈ F ₁₇ SO ₃ ^- 、C ₄ H ₉ SO ₃ ^- 、CH ₃ OSO ₃ ^- 、C ₈ H ₁₇ SO ₃ ^- 、(CF ₃ SO ₂ ) ₃ C ^- 、HSCN ^- 、CH ₃ COO ^- 、C ₈ H ₁₇ COO ^- 、(CN) ₂ N ^- が挙げられる。

 (メルカプト系化合物、チオエーテル系化合 物)
 本発明に係る電解質では、上記説明した着� ��材料、ブチラール樹脂、有機溶媒と共に、� ��ルカプト系化合物またはチオエーテル系化� ��物を含有していることが好ましく、更には� ��メルカプト系化合物が、前記一般式(7)で表� ��れる化合物であること、あるいはチオエー� ��ル系化合物が、前記一般式(8)で表される化� ��物であることが好ましい。

 〈一般式(7)で表される化合物〉
 前記一般式(7)において、Mは水素原子、金属 原子または4級アンモニウムを表す。Zはイミ� ��ゾール環類を除く含窒素複素環を表す。nは 0~5の整数を表し、R ¹ は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア リール基、アルキルカルボンアミド基、アリ ールカルボンアミド基、アルキルスルホンア ミド基、アリールスルホンアミド基、アルコ キシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基 、アリールチオ基、アルキルカルバモイル基 、アリールカルバモイル基、カルバモイル基 、アルキルスルファモイル基、アリールスル ファモイル基、スルファモイル基、シアノ基 、アルキルスルホニル基、アリールスルホニ ル基、アルコキシカルボニル基、アリールオ キシカルボニル基、アルキルカルボニル基、 アリールカルボニル基、アシルオキシ基、カ ルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基 、アミノ基、ヒドロキシ基または複素環基を 表し、nが2以上の場合、それぞれのR ¹ は同じであってもよく、異なってもよく、お 互いに連結して縮合環を形成してもよい。

 一般式(7)のMで表される金属原子としては、 例えば、Li、Na、K、Mg、Ca、Zn、Ag等が挙げら� �、4級アンモニウムとしては、例えば、NH ₄ 、N(CH ₃ ) ₄ 、N(C ₄ H ₉ ) ₄ 、N(CH ₃ ) ₃ C ₁₂ H ₂₅ 、N(CH ₃ ) ₃ C ₁₆ H ₃₃ 、N(CH ₃ ) ₃ CH ₂ C ₆ H ₅ 等が挙げられる。

 一般式(7)のZで表される含窒素複素環とし ては、例えば、テトラゾール環、トリアゾー ル環、オキサジアゾール環、チアジアゾール 環、インドール環、オキサゾール環、ベンゾ オキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベン ゾセレナゾール環、ナフトオキサゾール環等 が挙げられる。

 一般式(7)のR ¹ で表されるハロゲン原子としては、例えば、 フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原 子等が挙げられ、アルキル基としては、例え ば、メチル、エチル、プロピル、i-プロピル� ��ブチル、t-ブチル、ペンチル、シクロペン� �ル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル� �ドデシル、ヒドロキシエチル、メトキシエ� �ル、トリフルオロメチル、ベンジル等の各� �が挙げられ、アリール基としては、例えば� �フェニル、ナフチル等の各基が挙げられ、� �ルキルカルボンアミド基としては、例えば� �アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブ� �ロイルアミノ等の各基が挙げられ、アリー� �カルボンアミド基としては、例えば、ベン� �イルアミノ等が挙げられ、アルキルスルホ� �アミド基としては、例えば、メタンスルホ� �ルアミノ基、エタンスルホニルアミノ基等� �挙げられ、アリールスルホンアミド基とし� �は、例えば、ベンゼンスルホニルアミノ基� �トルエンスルホニルアミノ基等が挙げられ� �アリールオキシ基としては、例えば、フェ� �キシ等が挙げられ、アルキルチオ基として� �、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ブチ� �チオ等の各基が挙げられ、アリールチオ基� �しては、例えば、フェニルチオ基、トリル� �オ基等が挙げられ、アルキルカルバモイル� �としては、例えば、メチルカルバモイル、� �メチルカルバモイル、エチルカルバモイル� �ジエチルカルバモイル、ジブチルカルバモ� �ル、ピペリジルカルバモイル、モルホリル� �ルバモイル等の各基が挙げられ、アリール� �ルバモイル基としては、例えば、フェニル� �ルバモイル、メチルフェニルカルバモイル� �エチルフェニルカルバモイル、ベンジルフ� �ニルカルバモイル等の各基が挙げられ、ア� �キルスルファモイル基としては、例えば、� �チルスルファモイル、ジメチルスルファモ� �ル、エチルスルファモイル、ジエチルスル� �ァモイル、ジブチルスルファモイル、ピペ� �ジルスルファモイル、モルホリルスルファ� �イル等の各基が挙げられ、アリールスルフ� �モイル基としては、例えば、フェニルスル� �ァモイル、メチルフェニルスルファモイル� �エチルフェニルスルファモイル、ベンジル� �ェニルスルファモイル等の各基が挙げられ� �アルキルスルホニル基としては、例えば、� �タンスルホニル基、エタンスルホニル基等� �挙げられ、アリールスルホニル基としては� �例えば、フェニルスルホニル、4-クロロフェ ニルスルホニル、p-トルエンスルホニル等の� ��基が挙げられ、アルコキシカルボニル基と� ��ては、例えば、メトキシカルボニル、エト� ��シカルボニル、ブトキシカルボニル等の各� ��が挙げられ、アリールオキシカルボニル基� ��しては、例えばフェノキシカルボニル等が� ��げられ、アルキルカルボニル基としては、� ��えば、アセチル、プロピオニル、ブチロイ� ��等の各基が挙げられ、アリールカルボニル� ��としては、例えば、ベンゾイル基、アルキ� ��ベンゾイル基等が挙げられ、アシルオキシ� ��としては、例えば、アセチルオキシ、プロ� ��オニルオキシ、ブチロイルオキシ等の各基� ��挙げられ、複素環基としては、例えば、オ� ��サゾール環、チアゾール環、トリアゾール� ��、セレナゾール環、テトラゾール環、オキ� ��ジアゾール環、チアジアゾール環、チアジ� ��環、トリアジン環、ベンズオキサゾール環� ��ベンズチアゾール環、インドレニン環、ベ� ��ズセレナゾール環、ナフトチアゾール環、� ��リアザインドリジン環、ジアザインドリジ� ��環、テトラアザインドリジン環基等が挙げ� ��れる。これらの置換基はさらに置換基を有� ��るものを含む。

 次に、一般式(7)で表される化合物の好ま� ��い具体例を示すが、本発明はこれらの化合� ��に限定されているわけではない。

 〈一般式(8)で表される化合物〉
 前記一般式(8)において、R ² 、R ³ は各々アルキル基、アリール基または複素環 基を表し、それぞれ同じであってもよく、異 なってもよく、お互いに連結して環を形成し てもよい。

 前記一般式(8)のR ² 、R ³ で表されるアルキル基としては、例えば、メ チル、エチル、プロピル、i-プロピル、ブチ� ��、t-ブチル、ペンチル、シクロペンチル、� �キシル、シクロヘキシル、オクチル、ドデ� �ル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、� �リフルオロメチル、ベンジル等の各基が挙� �られ、アリール基としては、例えば、フェ� �ル基、ナフチル基等が挙げられ、複素環基� �しては、例えば、オキサゾール環、イミダ� �ール環、チアゾール環、トリアゾール環、� �レナゾール環、テトラゾール環、オキサジ� �ゾール環、チアジアゾール環、チアジン環� �トリアジン環、ベンズオキサゾール環、ベ� �ズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、� �ンドレニン環、ベンズセレナゾール環、ナ� �トチアゾール環、トリアザインドリジン環� �ジアザインドリジン環、テトラアザインド� �ジン環基等が挙げられる。これらの置換基� �さらに置換基を有するものを含む。

 次に、一般式(8)で表される化合物の好ま� ��い具体例を示すが、本発明はこれらの化合� ��に限定されているわけではない

 (ハロゲンイオン、銀イオン濃度比)
 本発明の表示素子においては、電解質に含� ��れるハロゲンイオンまたはハロゲン原子の� ��ル濃度を[X](モル/kg)とし、前記電解質に含� �れる銀または銀を化学構造中に含む化合物� �銀の総モル濃度を[Ag](モル/kg)としたとき、� �式(1)で規定する条件を満たすことが好まし� �。

 式(1)
   0≦[X]/[Ag]≦0.01
 本発明でいうハロゲン原子とは、ヨウ素原� ��、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のこと� ��いう。[X]/[Ag]が0.01よりも大きい場合は、銀� ��酸化還元反応時に、X-→X ₂ が生じ、X ₂ は黒化銀と容易にクロス酸化して黒化銀を溶 解させ、メモリー性を低下させる要因の1つ� �なるので、ハロゲン原子のモル濃度は銀の� �ル濃度に対してできるだけ低い方が好まし� �。本発明においては、0≦[X]/[Ag]≦0.001がより 好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、 ハロゲン種については、メモリー性向上の観 点から、各ハロゲン種モル濃度総和が[I]<[B r]<[Cl]<[F]であることが好ましい。

 〔表示素子の構成〕
 本発明の表示素子においては、上記説明し� ��電解質の他、必要に応じて種々の構成層を� ��けることができる。例えば、対向電極上に� ��レクトロクロミック性を示す化合物を含有� ��た層を形成して、カラー表示が可能な素子� ��成を取ることもできる。

 本発明の表示素子において、表示部には� ��対応する1つの対向電極が設けられている。 表示部に近い対向電極(表示側電極)の1つであ る電極1には、ITO電極等の透明電極、他方の� �極2(非表示側電極)には銀電極等の金属電極� �設けられている。電極1と電極2との間には、 銀または銀を化学構造中に含む化合物を有す る電解質が担持されており、対向電極間に正 負両極性の電圧を印加することにより、電極 1と電極2上で銀の酸化還元反応が行なわれ、� ��元状態の黒い銀画像と、酸化状態の透明な� ��の状態を可逆的に切り替えることができる� ��

 (電子絶縁層)
 本発明の表示素子においては、電気絶縁層� ��設けることができる。

 本発明に適用可能な電子絶縁層は、イオ� ��電導性、電子絶縁性を合わせて有する層で� ��ればよく、例えば、極性基を有する高分子� ��塩をフィルム状にした固体電解質膜、電子� ��縁性の高い多孔質膜とその空隙に電解質を� ��持する擬固体電解質膜、空隙を有する高分� ��多孔質膜、含ケイ素化合物の様な比誘電率� ��低い無機材料の多孔質体、等が挙げられる� ��

 多孔質膜の形成方法としては、燒結法(融 着法)(高分子微粒子や無機粒子を、バインダ� ��等を添加して部分的に融着させ粒子間に生� ��た孔を利用する)、抽出法(溶剤に可溶な有� �物又は無機物類と溶剤に溶解しないバイン� �ー等で構成層を形成した後に、溶剤で有機� �又は無機物類を溶解させ細孔を得る)、高分� ��重合体等を加熱や脱気するなどして発泡さ� ��る発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分� ��類の混合物を相分離させる相転換法、各種� ��射線を輻射して細孔を形成させる放射線照� ��法等の公知の形成方法を用いることができ� ��。具体的には、特開平10-30181号、特開2003-107 626号、特公平7-95403号、特許第2635715号、同第2 849523号、同第2987474号、同第3066426号、同第3464 513号、同第3483644号、同第3535942号、同第3062203 号等に記載の電子絶縁層を挙げることができ る。

 (その他の添加剤)
 本発明の表示素子の構成層には、保護層、� ��ィルター層、ハレーション防止層、クロス� ��ーバー光カット層、バッキング層等の補助� ��を挙げることができ、これらの補助層中に� ��、各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光� ��素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、� ��ブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促� ��剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリン� ��カベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性� ��、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収� ��、イラジエーション防止染料、フィルター� ��吸収染料、防培剤、ポリマーラテックス、� ��金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要に� ��じて含有させることができる。

 上述したこれらの添加剤は、より詳しく� ��、リサーチ・ディスクロージャー(以下、RD� ��略す)第176巻Item/17643(1978年12月)、同184巻Item/1 8431(1979年8月)、同187巻Item/18716(1979年11月)及び� ��308巻Item/308119(1989年12月)に記載されている。

 これら三つのリサーチ・ディスクロージ� ��ーに示されている化合物種類と記載箇所を� ��下に掲載した。

  添加剤   RD17643    RD18716     RD308119
         頁  分類      頁  分類        頁    分類
 化学増感剤   23  III      648右上   � �  96     III
 増感色素    23  IV      648~649    996 ~8  IV
 減感色素    23  IV                  998    IV
 染料    25~26 VIII     649~650    1003    VIII
 現像促進剤   29  XXI      648右上
 カブリ抑制剤・安定剤
         24  IV      649右上      1 006~7 VI
 増白剤     24  V                  998    V
 硬膜剤     26  X      651左        1004~5 X
 界面活性剤 26~7  XI      650右      � �1005~6 XI
 帯電防止剤   27  XII      650右        1006~7 XIII
 可塑剤     27  XII      650右        1006   XII
 スベリ剤    27  XII
 マット剤    28  XVI      650右     � � 1008~9 XVI
 バインダー   26  XXII             � �  1003~4 IX
 支持体     28  XVII              � � 1009   XVII
 (基板)
 本発明で用いることのできる基板としては� ��例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等� ��ポリオレフィン類、ポリカーボネート類、� ��ルロースアセテート、ポリエチレンテレフ� ��レート、ポリエチレンジナフタレンジカル� ��キシラート、ポリエチレンナフタレート類� ��ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニル� ��セタール類、ポリスチレン等の合成プラス� ��ックフィルムも好ましく使用できる。また� ��シンジオタクチック構造ポリスチレン類も� ��ましい。これらは、例えば、特開昭62-117708� ��、特開平1-46912、同1-178505号の各公報に記載� ��れている方法により得ることができる。更� ��、ステンレス等の金属製基盤や、バライタ� ��、及びレジンコート紙等の紙支持体ならび� ��上記プラスチックフィルムに反射層を設け� ��支持体、特開昭62-253195号(29~31頁)に支持体と して記載されたものが挙げられる。RDNo.17643� �28頁、同No.18716の647頁右欄から648頁左欄及び� ��No.307105の879頁に記載されたものも好ましく� ��用できる。これらの支持体には、米国特許� ��4,141,735号のようにTg以下の熱処理を施すこ� �で、巻き癖をつきにくくしたものを用いる� �とができる。また、これらの支持体表面を� �持体と他の構成層との接着の向上を目的に� �面処理を行っても良い。本発明では、グロ� �放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、� �炎処理を表面処理として用いることができ� �。更に公知技術第5号(1991年3月22日アズテッ� �有限会社発行)の44~149頁に記載の支持体を用� ��ることもできる。更にRDNo.308119の1009頁やプ� ��ダクト・ライセシング・インデックス、第9 2巻P108の「Supports」の項に記載されているも� �が挙げられる。その他に、ガラス基板や、� �ラスを練りこんだエポキシ樹脂を用いるこ� �ができる。

 (電極)
 本発明の表示素子においては、対向電極の� ��なくとも1種が金属電極であることが好まし い。金属電極としては、例えば、白金、金、 パラジウム、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、 ニッケル、チタン、ビスマス、及びそれら合 金等、公知の金属種を用いることができる。

 本発明において、金属電極は、必要に応� ��て2層以上の複数層からなる構成を取っても よい。金属電極の最表面は、電極の耐久性の 観点から高分子膜中に含まれる金属よりもイ オン化傾向が小さい金属から形成されている ことが好ましい。

 電極の作製方法は、電解メッキ法、無電� ��メッキ法、置換メッキ法、蒸着法、印刷法� ��インクジェット法、スピンコート法、CVD法� ��の既存の方法を用いることができる。

 また、本発明の表示素子は、対向電極の� ��なくとも1種が透明電極であることが好まし い。透明電極としては、透明で電気を通じる ものであれば特に制限はない。例えば、Indium  Tin Oxide(ITO:インジウム錫酸化物)、Indium Zinc  Oxide(IZO:インジウム亜鉛酸化物)、フッ素ド� �プ酸化スズ(FTO)、酸化インジウム、酸化亜鉛 、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭 素、アルミニウム、シリコン、アモルファス シリコン、BSO(Bismuth Silicon Oxide)等が挙げら� �る。電極をこのように形成するには、例え� �、基板上にITO膜をスパッタリング法等でマ� �ク蒸着するか、ITO膜を全面形成した後、フ� �トリソグラフィ法でパターニングすればよ� �。表面抵抗値としては、100ω/□以下が好ま� �く、10ω/□以下がより好ましい。透明電極の 厚みは特に制限はないが、0.1~20μmであるのが 一般的である。

 (その他の構成要素)
 本発明の表示素子には、必要に応じて、シ� ��ル剤、柱状構造物、スペーサー粒子を用い� ��ことができる。

 シール剤は外に漏れないように封入する� ��めのものであり封止剤とも呼ばれ、エポキ� ��樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、� ��酸ビニル系樹脂、エン-チオール系樹脂、シ リコーン系樹脂、変性ポリマー樹脂等の、熱 硬化型、光硬化型、湿気硬化型、嫌気硬化型 等の硬化タイプを用いることができる。

 柱状構造物は、基板間の強い自己保持性( 強度)を付与し、例えば、格子配列等の所定� �パターンに一定の間隔で配列された、円柱� �体、四角柱状体、楕円柱状体、台形柱状体� �の柱状構造物を挙げることができる。また� �所定間隔で配置されたストライプ状のもの� �もよい。この柱状構造物はランダムな配列� �はなく、等間隔な配列、間隔が徐々に変化� �る配列、所定の配置パターンが一定の周期� �繰り返される配列等、基板の間隔を適切に� �持でき、且つ、画像表示を妨げないように� �慮された配列であることが好ましい。柱状� �造物は表示素子の表示領域に占める面積の� �合が1~40%であれば、表示素子として実用上十 分な強度が得られる。

 一対の基板間には、該基板間のギャップ� ��均一に保持するためのスペーサーが設けら� ��ていてもよい。このスペーサーとしては、� ��脂製または無機酸化物製の球体を例示でき� ��。また、表面に熱可塑性の樹脂がコーティ� ��グしてある固着スペーサーも好適に用いら� ��る。基板間のギャップを均一に保持するた� ��に柱状構造物のみを設けてもよいが、スペ� ��サー及び柱状構造物をいずれも設けてもよ� ��し、柱状構造物に代えて、スペーサーのみ� ��スペース保持部材として使用してもよい。� ��ペーサーの直径は柱状構造物を形成する場� ��はその高さ以下、好ましくは当該高さに等� ��い。柱状構造物を形成しない場合はスペー� ��ーの直径がセルギャップの厚みに相当する� ��

 (スクリーン印刷)
 本発明においては、シール剤、柱状構造物� ��電極パターン等をスクリーン印刷法で形成� ��ることもできる。スクリーン印刷法は、所� ��のパターンが形成されたスクリーンを基板� ��電極面上に被せ、スクリーン上に印刷材料( 柱状構造物形成のための組成物、例えば、光 硬化性樹脂など)を載せる。そして、スキー� �を所定の圧力、角度、速度で移動させる。� �れによって、印刷材料がスクリーンのパタ� �ンを介して該基板上に転写される。次に、� �写された材料を加熱硬化、乾燥させる。ス� �リーン印刷法で柱状構造物を形成する場合� �樹脂材料は光硬化性樹脂に限られず、例え� �、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化� �樹脂や熱可塑性樹脂も使用できる。熱可塑� �樹脂としては、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ� �化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、� �リメタクリル酸エステル樹脂、ポリアクリ� �酸エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ� �ミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ� �ン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、� �リアクリロニトリル樹脂、ポリビニールエ� �テル樹脂、ポリビニールケトン樹脂、ポリ� �ーテル樹脂、ポリビニールピロリドン樹脂� �飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート� �脂、塩素化ポリエーテル樹脂等が挙げられ� �。樹脂材料は樹脂を適当な溶剤に溶解する� �どしてペースト状にして用いることが望ま� �い。

 以上のようにして柱状構造物等を基板上� ��形成した後は、所望によりスペーサーを少� ��くとも一方の基板上に付与し、一対の基板� ��、電極形成面を対向させて重ね合わせ、空� ��ルを形成する。重ね合わせた一対の基板を� ��側から加圧しながら加熱することにより、� ��り合わせて、表示セルが得られる。表示素� ��とするには、基板間に電解質組成物を真空� ��入法等によって注入すればよい。あるいは� ��基板を貼り合わせる際に、一方の基板に電� ��質組成物を滴下しておき、基板の貼り合わ� ��と同時に液晶組成物を封入するようにして� ��よい。

 (表示素子の駆動方法)
 本発明の表示素子においては、析出過電圧� ��上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過� ��圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続さ� ��る駆動操作を行なうことが好ましい。この� ��動操作を行なうことにより、書き込みエネ� ��ギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画� ��としての書き込み速度を向上させることが� ��きる。一般に電気化学分野の電極反応にお� ��て過電圧が存在することは公知である。例� ��ば、過電圧については「電子移動の化学-電 気化学入門」(1996年 朝倉書店刊)の121ページ� ��詳しい解説がある。本発明の表示素子も電� ��と電解質中の銀との電極反応と見なすこと� ��できるので、銀溶解析出においても過電圧� ��存在することは容易に理解できる。過電圧� ��大きさは交換電流密度が支配するので、本� ��明のように黒化銀が生成した後に析出過電� ��以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続でき� ��ということは、黒化銀表面の方が余分な電� ��エネルギーが少なく容易に電子注入が行な� ��ると推定される。

 本発明の表示素子の駆動操作は、単純マ� ��リックス駆動であっても、アクティブマト� ��ック駆動であってもよい。本発明でいう単� ��マトリックス駆動とは、複数の正極を含む� ��極ラインと複数の負極を含む負極ラインと� ��対向する形で互いのラインが垂直方向に交� ��した回路に、順次電流を印加する駆動方法� ��ことを言う。単純マトリックス駆動を用い� ��ことにより、回路構成や駆動ICを簡略化で� �安価に製造できるメリットがある。アクテ� �ブマトリックス駆動は、走査線、データラ� �ン、電流供給ラインが碁盤目状に形成され� �各碁盤目に設けられたTFT回路により駆動さ� �る方式である。画素毎にスイッチングが行� �るので、階調やメモリー機能などのメリッ� �があり、例えば、特開2004-29327号の図5に記載 されている回路を用いることができる。

 (商品適用)
 本発明の表示素子は、電子書籍分野、IDカ� �ド関連分野、公共関連分野、交通関連分野� �放送関連分野、決済関連分野、流通物流関� �分野等の用いることができる。具体的には� �ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員� �ード、コンビニストアー用カード、デパー� �用カード、自動販売機用カード、ガソリン� �テーション用カード、地下鉄や鉄道用のカ� �ド、バスカード、キャッシュカード、クレ� �ットカード、ハイウェーカード、運転免許� �、病院の診察カード、電子カルテ、健康保� �証、住民基本台帳、パスポート、電子ブッ� �等が挙げられる。