ANZEIGEEINHEIT , ANZEIGEVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ANZEIGEEINHEIT

Es werden eine Anzeigeeinheit , eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigeeinheit angegeben . Die Anzeigeeinheit und die Anzeigevorrichtung sind insbesondere zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von für das menschliche Auge wahrnehmbarem Licht , eingerichtet .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Anzeigeeinheit anzugeben, die eine besonders hohe Strahlungsdurchlässigkeit aufweist .

Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Anzeigevorrichtung anzugeben, die eine besonders hohe Strahlungsdurchlässigkeit aufweist .

Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigeeinheit anzugeben, das eine vereinfachte Herstellung ermöglicht .

Diese Aufgaben werden durch Vorrichtungen und das Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst . Vorteilhafte Aus führungs formen und Weiterbildungen der Vorrichtungen und des Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Figuren hervor .

Die Anzeigeeinheit weist beispielsweise eine Kantenlänge von weniger als 20 mm, bevorzugt von weniger als 5 mm auf . Die Anzeigeeinheit ist folglich besonders geeignet für eine Integration in einer Anzeigevorrichtung umfassend eine Mehrzahl von Anzeigeeinheiten .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die Anzeigeeinheit eine erste Kontaktschicht und eine zweite Kontaktschicht . Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind zumindest teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material gebildet . Insbesondere umfassen die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht ein Metall . Die Kontaktschichten weisen eine Dicke von mindestens 0 , 1 gm und höchstens 50 gm auf . Als Dicke gilt hier und im Folgenden eine mittlere Erstreckung der Kontaktschichten quer, insbesondere senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Kontakt schicht en .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die Anzeigeeinheit eine Mehrzahl von Verbindungsbereichen . Die Verbindungsbereiche sind insbesondere mit einem elektrisch leitfähigen Material gebildet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die Anzeigeeinheit eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen . Die optoelektronischen Halbleiterbauelemente sind insbesondere zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von für das menschliche Auge wahrnehmbarem Licht , eingerichtet . Beispielsweise umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einem ersten Bereich einer ersten Leitfähigkeit , einem zweiten Bereich einer zweiten Leitfähigkeit und einem aktiven Bereich, der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist . Bevorzugt unterscheidet sich die erste Leitfähigkeit von der zweiten Leitfähigkeit . Beispielsweise sind der erste Bereich und der zweite Bereich mit einem dotierten Halbleitermaterial gebildet . Der aktive Bereich weist insbesondere einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur ( SQW, single quantum well ) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well ) zur Strahlungserzeugung oder zur Strahlungsdetektion auf . Bei den Halbleiterbauelementen handelt es sich beispielsweise um Lumines zenzdioden, insbesondere Leuchtoder Laserdioden . Beispielsweise ist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement eine pLED mit einer Kantenlänge im Bereich von pm oder eine miniLED mit einer Kantenlänge im Bereich um 100 pm .

Bevorzugt umfasst die Anzeigeeinheit ein optoelektronisches Halbleiterbauelement , das zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung im roten Spektralbereich eingerichtet ist , ein optoelektronisches Halbleiterbauelement , das zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung im grünen Spektralbereich eingerichtet ist , und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement , das zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung im blauen Spektralbereich eingerichtet ist . Vorteilhaft kann die Anzeigeeinheit somit ein RGB-Pixel bilden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit weist die erste Kontaktschicht eine Mehrzahl von Zeilenleitungen in einem Zeilenabstand zueinander auf . Die Zeilenleitungen sind bevorzugt mit einem Metall gebildet . Der Zeilenabstand entspricht hier und im Folgenden einem mittleren Abstand von zwei unmittelbar zueinander benachbarten Zeilenleitungen . Der Zeilenabstand beträgt insbesondere zwischen 50 pm und 500 pm, bevorzugt 150 pm . Bevorzugt sind zumindest manche der Zeilenleitungen elektrisch getrennt voneinander ausgebildet . Beispielsweise sind Zeilenleitungen ausschließlich im Bereich eines Verbindungbereichs elektrisch miteinander verbunden . Die Zeilenleitungen sind insbesondere nicht als Gitter ausgeführt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit weist die zweite Kontaktschicht eine Mehrzahl von Spaltenleitungen in einem Spaltenabstand zueinander auf . Die Spaltenleitungen sind bevorzugt mit einem Metall gebildet . Beispielsweise sind die Spaltenleitungen mit dem gleichen Material gebildet wie die Zeilenleitungen . Der Spaltenabstand entspricht hier und im Folgenden einem mittleren Abstand von zwei unmittelbar zueinander benachbarten Spaltenleitungen . Der Spaltenabstand beträgt insbesondere zwischen 50 pm und 500 pm, bevorzugt 150 pm . Bevorzugt sind die einzelnen Spaltenleitungen j eweils elektrisch getrennt voneinander ausgebildet . Beispielsweise sind Spaltenleitungen ausschließlich im Bereich eines Verbindungbereichs elektrisch miteinander verbunden . Die Spaltenleitungen sind insbesondere nicht als Gitter ausgeführt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht gestapelt angeordnet . Mit anderen Worten, die erste Kontaktschicht ist in einer Ebene oberhalb oder unterhalb der zweiten Kontaktschicht angeordnet . Mittels einer derartigen Anordnung der Kontaktschichten entsteht ein vorteilhaft kompakter Aufbau der Anzeigeeinheit . Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit verbinden die Verbindungsbereiche j eweils zumindest eine Zeilenleitung mit zumindest einer Spaltenleitung elektrisch leitend . Insbesondere wird in den Verbindungsbereichen j eweils eine direkte elektrische Verbindung zwischen zumindest einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung hergestellt . Mit anderen Worten, bevorzugt sind neben einem Verbindungsbereich keine weiteren Bauelemente zwischen einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung geschaltet . Beispielsweise überlappt ein Verbindungsbereich in Draufsicht auf die Anzeigeeinheit mit zumindest einer Spaltenleitung und/oder zumindest einer weiteren Zeilenleitung .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit weicht der Zeilenabstand um weniger als 50% von dem Spaltenabstand ab . Bevorzugt weicht der Zeilenabstand um weniger als 20% von dem Spaltenabstand ab . Besonders bevorzugt weicht der Zeilenabstand um weniger als 10% von dem Spaltenabstand ab . Als Abweichung gilt hier und im Folgenden eine relative Abweichung des Zeilenabstandes ( Z ) zu dem Spaltenabstand ( S ) gemäß der folgenden Formel : |~~| 0,5, bevorzugt |- -| < 0,2, besonders bevorzugt |-^-| < 0,l . Wenn der Zeilenabstand gleich dem Spaltenabstand ist , kann die Anzeigeeinheit besonders wenig störende Reflexionen für einen menschlichen Betrachter aufweisen . Insbesondere ist der Zeilenabstand gleich dem Spaltenabstand .

Die Anzeigeeinheit ist in ihrer lateralen Begrenzung durch Außenkanten begrenzt . Bevorzugt bilden die Außenkanten ein Rechteck, insbesondere ein Quadrat . Insbesondere sind die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen j eweils parallel zu einer Außenkante der Anzeigeeinheit ausgerichtet . Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die

Anzeigeeinheit :

- eine erste Kontaktschicht ,

- eine zweite Kontaktschicht ,

- eine Mehrzahl von Verbindungsbereichen, und

- eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, wobei

- die erste Kontaktschicht eine Mehrzahl von Zeilenleitungen in einem Zeilenabstand zueinander aufweist ,

- die zweite Kontaktschicht eine Mehrzahl von Spaltenleitungen in einem Spaltenabstand zueinander aufweist ,

- die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht gestapelt angeordnet sind,

- die Verbindungsbereiche j eweils zumindest eine Zeilenleitung mit zumindest einer Spaltenleitung elektrisch leitend verbinden, und

- der Zeilenabstand um weniger als 50% von dem Spaltenabstand abweicht .

Einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit liegen unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde : Die Herstellung von zumindest teilweise strahlungsdurchlässigen Anzeigeeinheiten eröf fnet neue Anwendungsbereiche . Die Strahlungsdurchlässigkeit von bekannten Anzeigeeinheiten kann eine unerwünschte Abhängigkeit von einem Betrachtungswinkel aufweisen . Beispielsweise kann sich eine Strahlungsdurchlässigkeit von Kontaktschichten einer Anzeigeeinheit bei Betrachtungswinkeln ungleich 0 ° deutlich verschlechtern und so einen unerwünschten Eindruck bei einem Betrachter hervorrufen . Die hier beschriebene Anzeigeeinheit macht unter anderem von der Idee Gebrauch, eine Mehrzahl von Zeilenleitungen in einer ersten Kontaktschicht und eine Mehrzahl von Spaltenleitungen in einer zweiten Kontaktschicht anzuordnen . Durch eine gestapelte Anordnung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht sowie die Verwendung einer Mehrzahl von Zeilenleitungen und Spaltenleitungen mit einem einheitlichen Zeilen- und Spaltenabstand kann eine besonders hohe Strahlungsdurchlässigkeit erzielt werden, die eine vorteilhaft niedrige Abhängigkeit von einem Betrachtungswinkel aufweist .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit umfassen die Verbindungsbereiche j eweils eine Mehrzahl von Verbindungselementen . Insbesondere verbindet j edes Verbindungselement eine Zeilenleitung mit einer Spaltenleitung elektrisch leitend miteinander . Durch eine erhöhte Anzahl an Verbindungselementen ist eine Stromtragfähigkeit eines Verbindungsbereichs besonders einfach skalierbar .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die Verbindungselemente j eweils an Kreuzungspunkten einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung angeordnet . Ein Kreuzungspunkt ergibt sich beispielsweise dort , wo ein Abstand zwischen einer Spaltenleitung und einer Zeilenleitung zueinander ein Minimum aufweist . In einer Draufsicht auf die Anzeigeeinheit unter einem Betrachtungswinkel von 0 ° erscheinen die Kreuzungspunkte insbesondere als Schnittpunkt einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung . Vorteilhaft sind Verbindungselemente an Kreuzungspunkten einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung für einen Betrachter besonders unauf fällig . Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die Verbindungselemente mit einem Metall gebildet . Beispielsweise sind die Verbindungselemente mit einem galvanisch abgeschiedenen Metall gebildet . Beispielsweise sind die Verbindungselemente mit Metall fäden gebildet . Vorteilhaft weisen Metall fäden eine besonders geringe Ausdehnung auf . So kann eine vorteilhaft hohe Strahlungsdurchlässigkeit erzielt werden . Alternativ sind die Verbindungselemente mit einer elektrisch leitfähigen Metallpaste , insbesondere einer Silberpaste gebildet . Vorteilhaft lässt sich eine Metallpaste besonders einfach verarbeiten .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die Verbindungsbereiche mit einem strahlungsdurchlässigen und elektrisch leitfähigen Material gebildet . Strahlungsdurchlässig meint hier und im Folgenden durchlässig für elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich . Als sichtbarer Spektralbereich gilt hier und im Folgenden eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich zwischen 380 nm und 780 nm . Beispielsweise sind die Verbindungsbereiche mit einem der folgenden Materialien gebildet : Poly-3 , 4-ethylendioxythiophen dotiert mit Polystyrolsul fonat ( PEDOT : PSS ) , Poly-3 , 4- ethylendioxythiophen dotiert mit Tosylat ( PEDOT : Tos ) , Kohlenstof f-Nanoröhren, Graphen Flocken ( englisch : graphene flakes ) , Metall-Nanodrähte , insbesondere Silber-Nanodrähte . Diese Materialen sind vorteilhaft strahlungsdurchlässig und weisen eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht an einem strahlungsdurchlässigen Substrat angeordnet . Bevorzugt ist das Substrat mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet . Das Substrat ist insbesondere mit einem der folgenden Materialien gebildet : Polyethylenterephthalat ( PET ) , Polyethylennaphthalat ( PEN) , Polyimide ( PI ) . Das Substrat weist beispielsweise eine Dicke zwischen 20 pm und 200 pm, bevorzugt zwischen 50 pm und 100 pm auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit ist die erste Kontaktschicht auf einer der zweiten Kontaktschicht gegenüberliegenden Seite des Substrats angeordnet .

Vorteilhaft ergibt sich so ein besonders einfacher Aufbau der Anzeigeeinheit , da das Substrat selbst als elektrischer I solator zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht angeordnet ist .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit sind die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht auf einer gemeinsamen Seite des Substrats angeordnet . Das Anordnen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht erfolgt somit von der gemeinsamen Seite aus . Beispielsweise ist dadurch eine vereinfachte Herstellung der Anzeigeeinheit ermöglicht .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit ist die erste Kontaktschicht an einem Substrat angeordnet und die zweite Kontaktschicht ist an einer Deckschicht angeordnet . Die Deckschicht ist insbesondere durchlässig für elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich . Bevorzugt ist die Deckschicht elektrisch isolierend ausgebildet . Beispielsweise ist die zweite Kontaktschicht in einem separaten Herstellungsschritt bereits auf der Deckschicht angeordnet . Die Deckschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen 20 pm und 200 pm, bevorzugt zwischen 50 pm und 100 pm auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit ist zwischen dem Substrat und der Deckschicht eine strahlungsdurchlässige Fügeschicht angeordnet . Beispielsweise ist die Fügeschicht mit einem der folgenden Materialien gebildet : Polyvinylbutyral ( PVB ) , Ethylen-Vinylacetat- Copolymer (EVA) , Photolack, Polymerf olie . Insbesondere ist die Fügeschicht mit einer gelochten Laminierf olie gebildet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit schneiden sich die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen unter einem Schnittwinkel von mindestens 45 ° . Bevorzugt schneiden sich die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen unter einem Schnittwinkel zwischen 89 ° und 90 ° , bevorzugt unter 90 ° . Ein möglichst großer Schnittwinkel ist vorteilhaft , damit die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht für einen Betrachter möglichst wenig wahrnehmbar sind .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit weisen die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen eine konstante Breite auf . Mit anderen Worten, die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen sind j eweils über ihre Länge gleich breit . Als Breite ist hier und im Folgenden eine laterale Ausdehnung der Zeilenleitung oder der Spaltenleitung quer zur Haupterstreckungsrichtung der j eweiligen Zeilenleitung oder Spaltenleitung zu verstehen . Bevorzugt entspricht die Breite der Zeilenleitungen der Breite der Spaltenleitungen . Beispielsweise weisen die Zeilenleitungen eine Breite von mindestens 2 pm und höchstens 20 pm auf . Beispielsweise weisen die Spaltenleitungen eine Breite von mindestens 2 pm und höchstens 20 pm auf . Bevorzugt weisen die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen eine Breite von 10 pm auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Anzeigeeinheit weisen die Zeilenleitungen und Spaltenleitungen Auf trennungen auf . Auf trennungen sind hier und im Folgenden als eine Unterbrechung in einer Zeilenleitung oder Spaltenleitung zu verstehen . Vorteilhaft weisen die Auf trennungen eine laterale Erstreckung von mindestens 10 pm auf . So kann eine ausreichende elektrische I solation zwischen den an die Auftrennung angrenzenden Enden der Zeilenleitung oder Spaltenleitung erreicht werden .

Insbesondere entspricht die laterale Ausdehnung der Auf trennungen höchstens der Häl fte des Zeilenabstandes oder des Spaltenabstandes . Eine möglichst kurze Auftrennung ist für einen menschlichen Betrachter vorteilhaft besonders wenig wahrnehmbar .

Es wird weiter ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigeeinheit angegeben . Die Anzeigeeinheit kann insbesondere mittels des hier beschriebenen Verfahrens hergestellt werden . Das heißt , sämtliche im Zusammenhang mit der Anzeigeeinheit of fenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren zur Herstellung einer Anzeigeeinheit of fenbart und umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Bereitstellen einer ersten Kontaktschicht auf einem Substrat . Insbesondere wird die erste Kontaktschicht auf dem ersten Substrat abgeschieden . Das erste Substrat ist bevorzugt strahlungsdurchlässig ausgeführt . Beispielsweise weist das erste Substrat eine ausreichende mechanische Stabilität auf , um mechanisch selbsttragend zu sein .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Bereitstellen einer zweiten Kontaktschicht . Die zweite Kontaktschicht wird beispielsweise auf der ersten Kontaktschicht angeordnet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Strukturieren der ersten Kontaktschicht in eine Mehrzahl von Zeilenleitungen in einem Zeilenabstand zueinander . Insbesondere erfolgt zur Herstellung der ersten Kontaktschicht zunächst eine voll flächige Abscheidung eines Materials , das anschließend zumindest teilweise wieder entfernt wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Strukturieren der zweiten Kontaktschicht in eine Mehrzahl von Spaltenleitungen in einem Spaltenabstand zueinander . Insbesondere erfolgt zur Herstellung der zweiten Kontaktschicht zunächst eine voll flächige Abscheidung eines Materials , das anschließend zumindest teilweise wieder entfernt wird .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer Mehrzahl von Verbindungsbereichen, die j eweils zumindest eine Zeilenleitung mit zumindest einer Spaltenleitung elektrisch leitend verbinden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren ein Anordnen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen an der Anzeigeeinheit . Bevorzugt werden die optoelektronischen Halbleiterbauelemente auf der ersten Kontaktschicht angeordnet . Insbesondere wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement j eweils an Stellen einer Zeilenleitung angeordnet , an der eine Auftrennung vorhanden ist . Bevorzugt überspannt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement eine Auftrennung in einer Zeilenleitung .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren die Schritte :

- Bereitstellen einer ersten Kontaktschicht auf einem Substrat ,

- Bereitstellen einer zweiten Kontaktschicht ,

- Strukturieren der ersten Kontaktschicht in eine Mehrzahl von Zeilenleitungen in einem Zeilenabstand zueinander,

- Strukturieren der zweiten Kontaktschicht in eine Mehrzahl von Spaltenleitungen in einem Spaltenabstand zueinander,

- Ausbilden einer Mehrzahl von Verbindungsbereichen, die j eweils zumindest eine Zeilenleitung mit zumindest einer Spaltenleitung elektrisch leitend verbinden,

- Anordnen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen an der Anzeigeeinheit .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die zweite Kontaktschicht auf einer der ersten Kontaktschicht gegenüberliegenden Seite des Substrats angeordnet . Insbesondere wirkt das Substrat somit als elektrischer I solator zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Verbindungsbereich in eine Ausnehmung in dem Substrat eingebracht . Der Verbindungsbereich wird insbesondere mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet . Die Ausnehmung erstreckt sich bevorzugt vollständig durch das Substrat . Beispielsweise ist die Ausnehmung vollständig mit dem Material des Verbindungsbereichs gefüllt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die erste Kontaktschicht auf einer dem Substrat abgewandten Seite der zweiten Kontaktschicht angeordnet . Mit anderen Worten, die erste Kontaktschicht wird auf der zweiten Kontaktschicht angeordnet . Insbesondere wird die erste Kontaktschicht unmittelbar auf der zweiten Kontaktschicht angeordnet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird die zweite Kontaktschicht auf einer zweiten strahlungsdurchlässigen Deckschicht angeordnet und strukturiert . Die Deckschicht ist insbesondere mit dem Material des Substrats gebildet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden das Substrat und die Deckschicht über eine Fügeschicht miteinander verbunden . In der Fügeschicht ist beispielsweise eine Mehrzahl von Ausnehmungen angeordnet . Insbesondere ist die Fügeschicht als eine gelochte Laminierf olie ausgebildet . Die Verbindungsbereiche werden beispielsweise in den Ausnehmungen der Fügeschicht ausgebildet .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen auf dem Substrat montiert bevor die zweite Kontaktschicht angeordnet wird . Mit anderen Worten, die optoelektronischen Bauelemente werden zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht angeordnet . Vorteilhaft sind die optoelektronischen Halbleiterbauelemente so besonders gut vor äußeren Einflüssen geschützt . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden Verbindungsbereiche auf dem Substrat montiert bevor die zweite Kontaktschicht angeordnet wird . Insbesondere sind die Verbindungsbereiche mit Kugeln einer leitfähigen Paste gebildet , die das Material der Fügeschicht verdrängen .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden erste und zweite Kontaktschicht mittels Nano-imprint und gegebenenfalls trockenchemisch strukturiert . Als Nano-imprint ist hier und im Folgenden ein Verfahren zu verstehen, bei dem eine Formschicht mit einem Stempel mechanisch strukturiert wird . Die Strukturen weisen insbesondere Größen von wenigen pm oder nm auf .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens werden erste und zweite Kontaktschichten galvanisch abgeschieden . Beispielsweise erfolgt zunächst eine Abscheidung einer Startschicht mittels Sputtern . Anschließend kann auf der Startschicht weiteres Material mittels Galvanik abgeschieden werden .

Es wird weiter eine Anzeigevorrichtung angegeben . Die Anzeigevorrichtung umfasst insbesondere eine Mehrzahl von hier beschriebenen Anzeigeeinheiten . Das heißt , sämtliche im Zusammenhang mit der Anzeigeeinheit of fenbarten Merkmale sind auch für die Anzeigevorrichtung of fenbart und umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst die Anzeigevorrichtung eine Mehrzahl von Anzeigeeinheiten . Bevorzugt bildet j ede Anzeigeeinheit ein RGB-Pixel aus . Insbesondere sind alle Anzeigeeinheiten individuell ansteuerbar . Die Anzeigevorrichtung umfasst insbesondere einen Rahmenkörper . Beispielsweise sind die Anzeigeeinheiten in dem Rahmenkörper angeordnet . Der Rahmenkörper umgibt die Anzeigeeinheiten bevorzugt vollständig . Der Rahmenkörper weist eine rechteckige Form mit parallel zueinander ausgerichteten gegenüberliegenden Außenseiten auf .

Die Zeilenleitungen oder die Spaltenleitungen der Anzeigeeinheiten sind insbesondere parallel zu einer Außenseite des Rahmenkörpers der Anzeigevorrichtung ausgerichtet .

Eine hier beschriebene Anzeigeeinheit eignet sich insbesondere zum Einsatz in transparenten Displays . Insbesondere für ein Automobil-Heck- , Front- , Seitenscheiben- Symbol , eine Automobil-Rückleuchte mit Transparenzoptik oder ein Werbedisplay in Glasscheiben von Einkaufs zentren .

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Anzeigeeinheit ergeben sich aus den folgenden, im Zusammenhang mit den in den Figuren dargestellten, Aus führungsbeispielen .

Es zeigen :

Figur 1 eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel ,

Figur 2 eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit gemäß einem zweiten Aus führungsbeispiel , Figur 3 eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem dritten Aus führungsbeispiel ,

Figuren 4A bis 4D schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß dem dritten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung,

Figur 5 eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit gemäß einem vierten Aus führungsbeispiel ,

Figur 6 eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem fünften Aus führungsbeispiel ,

Figuren 7A bis 7L schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß dem fünften Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung,

Figur 8 eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem sechsten Aus führungsbeispiel ,

Figuren 9A bis 9F schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß dem sechsten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung, Figur 10 eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem siebten Aus führungsbeispiel ,

Figuren 11A bis 11C schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem achten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung,

Figur 12 eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem neunten Aus führungsbeispiel , und

Figur 13 eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel .

Gleiche , gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugs zeichen versehen . Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten . Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein .

Figur 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit 1 gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel . Die Anzeigeeinheit 1 umfasst eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 und eine zweite Kontaktschicht 22 mit einer Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 . Die Zeilenleitungen 210 weisen über ihre Länge j eweils eine konstante Breite von 10 pm auf . Die Zeilenleitungen 210 sind in einem Zeilenabstand 210D von 150 pm zueinander angeordnet . Zumindest manche der Zeilenleitungen 210 sind elektrisch getrennt voneinander ausgebildet .

Die Spaltenleitungen 210 weisen über ihre Länge j eweils eine konstante Breite von 10 pm auf . Die Spaltenleitungen 220 sind in einem Spaltenabstand 220D von 150 pm zueinander angeordnet . Zumindest manche der Spaltenleitungen 220 sind elektrisch getrennt voneinander ausgebildet .

Die Zeilenleitungen 210 sind parallel zueinander angeordnet . Die Spaltenleitungen 220 sind parallel zueinander angeordnet . Die Zeilenleitungen 210 schneiden die Spaltenleitungen 220 unter einem Schnittwinkel a von 90 ° . Die Breite der Zeilenleitungen 210 entspricht der Breite der Spaltenleitungen 220 . Der Zeilenabstand 210D entspricht dem Spaltenabstand 220D . So ist vorteilhaft eine besonders hohe Strahlungsdurchlässigkeit der Anzeigeeinheit 1 erreichbar .

Ferner umfasst die Anzeigeeinheit 1 eine Mehrzahl von Verbindungsbereichen 30 und Auf trennungen 80 . Die Verbindungsbereiche 30 sind mit einem strahlungsdurchlässigen Material , insbesondere PEDOT : PSS gebildet . Die Verbindungsbereiche 30 verbinden j eweils zumindest eine Zeilenleitung 201 mit zumindest einer Spaltenleitung 220 elektrisch leitend miteinander . Insbesondere wird in den Verbindungsbereichen 30 j eweils eine direkte elektrische Verbindung zwischen zumindest einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 hergestellt . Mit anderen Worten, bevorzugt sind neben einem Verbindungsbereich 30 keine weiteren Bauelemente zwischen einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 geschaltet . Beispielsweise sind Zeilenleitungen 210 ausschließlich im Bereich eines Verbindungbereichs 30 elektrisch miteinander verbunden . Insbesondere sind Spaltenleitungen 220 ausschließlich im Bereich eines Verbindungbereichs 30 elektrisch miteinander verbunden .

Die Auf trennungen 80 sind j eweils als Unterbrechung in einer Zeilenleitung 210 oder einer Spaltenleitung 220 ausgeführt . Die Auf trennungen 80 weisen eine laterale Erstreckung von mindestens 10 pm auf . Insbesondere entspricht die laterale Ausdehnung der Auf trennungen 80 höchstens der Häl fte des Zeilenabstandes 210D oder des Spaltenabstandes 220D . Eine möglichst kurze Auftrennung 80 ist für einen menschlichen Betrachter vorteilhaft besonders wenig wahrnehmbar .

Mittels der Auf trennungen 80 und der Verbindungsbereiche 30 werden j eweils mehrere Zeilenleitungen 210 und Spaltenleitungen 220 derart miteinander verbunden, dass sie auf einem gemeinsamen elektrischen Potential liegen .

Figur 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit 1 gemäß einem zweiten Aus führungsbeispiel . Das in Figur 2 gezeigte zweite Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1 gezeigten ersten Aus führungsbeispiel . In dem zweiten Aus führungsbeispiel sind zur symbolischen Veranschaulichung erste Zeilenleitungsbündel 211 , zweite Zeilenleitungsbündel 212 , erste Spaltenleitungsbündel 221 und zweite Spaltenleitungsbündel 222 dargestellt . Jedes Zeilenleitungsbündel 211 , 212 umfasst eine Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 . Jedes Spaltenleitungsbündel 221 , 222 umfasst eine Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 . Die Zeilenleitungen 210 eines Zeilenleitungsbündels 211 , 212 sowie die Spaltenleitungen 220 innerhalb eines Spaltenleitungsbündels 221 , 222 liegen j eweils auf einem gemeinsamen elektrischen Potential . Alle Leitungen innerhalb eines Bündels 211 , 212 , 221 , 222 wirken als ein gemeinsamer elektrischer Leiter .

Mittels des ersten Zeilenleitungsbündels 211 und des ersten Spaltenleitungsbündels 221 erfolgt ein elektrischer Anschluss der gemeinsamen Anode der optoelektronischen Halbleiterbauelemente 40 . Das erste Zeilenleitungsbündel 211 umfasst 9 unmittelbar benachbarte Zeilenleitungen 210 . Mittels der zweiten Zeilenleitungsbündel 212 und der zweiten Spaltenleitungsbündel 222 erfolgt j eweils ein getrennter Anschluss einer Kathode eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 40 .

Die Anzeigeeinheit 1 weist eine rechteckige Form mit einer Kantenlänge XI von 3 mm auf .

Figur 3 zeigt eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit gemäß einem dritten Aus führungsbeispiel . Das in Figur 3 gezeigte zweite Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1 gezeigten ersten Aus führungsbeispiel . Die Zeilenleitungen 210 der ersten Kontaktschicht 21 sind auf einer ersten Seite eines strahlungsdurchlässigen Substrats 51 angeordnet . Die Spaltenleitungen 220 der zweiten Kontaktschicht 22 sind auf einer der ersten Kontaktschicht 21 gegenüberliegenden Seite des Substrats 51 angeordnet . Das Substrat 51 ist elektrisch isolierend . Das Substrat weist eine Dicke zwischen 20 pm und 200 pm, bevorzugt zwischen 50 pm und 100 pm auf . Die Zeilenleitungen 210 und die Spaltenleitungen 220 umfassen bevorzugt eine dunkle Beschichtung auf ihren dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 40 zugewandten und abgewandten Seite . Die dunkle Beschichtung ist beispielsweise mit Palladium gebildet . Mittels der dunklen Beschichtung können störende Reflexionen der Spaltenleitungen 210 und der Zeilenleitungen 220 für einen Betrachter vermindert werden . Das Palladium wird insbesondere galvanisch oder mittels physikalischer Gasphasenabscheidung ( englisch : physical vapour deposition, kurz PVD) auf den Zeilenleitungen 210 und den Spaltenleitungen 220 aufgebracht .

In dem Verbindungsbereich 30 erstreckt sich ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material vollständig durch das Substrat 51 hindurch . Der Verbindungsbereich 30 verbindet j eweils zumindest eine Zeilenleitung 210 mit zwei Spaltenleitungen 220 elektrisch leitend miteinander . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 ist so orientiert , dass eine Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements 40 in eine dem Substrat 51 abgewandte Richtung zeigt .

Figuren 4A bis 4D zeigen schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß dem dritten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung .

Figur 4A zeigt einen ersten Schritt des Verfahrens , in dem ein Substrat 51 bereitgestellt wird . Das Substrat 51 ist mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet , insbesondere PET . Das Substrat 51 ist mechanisch selbsttragend ausgeführt . Auf einer ersten Seite des Substrats 51 wird eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 angeordnet . Auf einer der ersten Kontaktschicht 21 gegenüberliegenden Seite des Substrats 51 wird eine zweite Kontaktschicht 22 mit einer Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 angeordnet . Beispielsweise werden die erste Kontaktschicht 21 und die zweite Kontaktschicht 22 mit einem galvanischen Verfahren auf dem Substrat 51 abgeschieden .

Zumindest eine Zeilenleitung 210 wird durch eine Auftrennung 80 stellenweise unterbrochen . Die Auftrennung 80 wird beispielsweise mit einem photolithographischen Verfahren, mittels Laserablation oder mittels Nano-imprint-Verf ahren hergestellt .

Figur 4B zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Ausnehmung 510 in das Substrat 51 eingebracht wird . Die Ausnehmung 510 erstreckt sich vollständig durch das Substrat 51 hindurch . Die Ausnehmung 510 wird beispielsweise mittels Laserabtrag, durch trockenchemisches Ätzen oder durch nasschemisches Ätzen in das Substrat 51 eingebacht .

Figur 4C zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem ein Material eines Verbindungsbereichs 30 in die Ausnehmung 510 eingebracht wird . Der Verbindungsbereich 30 ist mit PEDOT : PSS gebildet und strahlungsdurchlässig .

Figur 4D zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 auf der Zeilenleitung 210 angeordnet wird . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 überspannt die Auftrennung 80 in der Zeilenleitung 210 . Insbesondere erfolgt eine Montage des optoelektronischen Halbleiterbauelements 40 mittels Löten . Figur 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigeeinheit 1 gemäß einem vierten Aus führungsbeispiel . Das in Figur 5 gezeigte vierte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1 gezeigten ersten Aus führungsbeispiel . Im Unterscheid zu dem ersten Aus führungsbeispiel umfassen die Verbindungsbereiche 30 j eweils eine Mehrzahl von Verbindungselementen 301 . Jedes Verbindungselement 301 verbindet eine Zeilenleitung 210 mit einer Spaltenleitung 220 elektrisch leitend miteinander . Durch eine erhöhte Anzahl an Verbindungselementen 301 ist eine Stromtragfähigkeit eines Verbindungsbereichs 30 besonders einfach skalierbar .

Insbesondere wird durch j eweils ein Verbindungselement 301 eine direkte elektrische Verbindung zwischen einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 hergestellt . Mit anderen Worten, bevorzugt sind neben einem Verbindungselement 301 keine weiteren Bauelemente zwischen einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 geschaltet .

Zeilenleitungen 210 sind ausschließlich im Bereich des Verbindungbereichs 30 elektrisch miteinander verbunden . Spaltenleitungen 220 sind ausschließlich im Bereich des Verbindungbereichs 30 elektrisch miteinander verbunden .

Die Verbindungselemente 301 sind j eweils an Kreuzungspunkten einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 angeordnet . Ein Kreuzungspunkt ergibt sich dort , wo ein Abstand zwischen einer Spaltenleitung 210 und einer Zeilenleitung 220 zueinander ein Minimum aufweist . In einer Draufsicht auf die Anzeigeeinheit unter einem Betrachtungswinkel von 0 ° erscheinen die Kreuzungspunkte insbesondere als Schnittpunkt einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 . Die Verbindungselemente 301 sind an Kreuzungspunkten einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 für einen Betrachter besonders unauf fällig .

Die Verbindungselemente 301 sind mit einem Metall gebildet . Beispielsweise sind die Verbindungselemente 301 mit einem galvanisch abgeschiedenen Metall gebildet .

Figur 6 zeigt eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß einem fünften Aus führungsbeispiel . Die Anzeigeeinheit 1 umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 , ein strahlungsdurchlässiges Substrat 51 , eine erste Kontaktschicht 21 und eine zweite Kontaktschicht 22 . Die zweite Kontaktschicht 22 ist auf dem Substrat 51 angeordnet und umfasst eine Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 , die in einer ersten I solationsschicht 71 eingebettet sind . Die erste I solationsschicht 71 ist beispielsweise mit Polymer, insbesondere mit Acryl gebildet . Die erste Kontaktschicht 21 ist auf der zweiten Kontaktschicht 22 angeordnet und umfasst eine Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 .

Ferner umfasst die Anzeigeeinheit eine Mehrzahl von Verbindungselementen 301 , die in einer zweiten I solationsschicht 72 eingebettet sind . Die zweite I solationsschicht 72 ist beispielsweise mit Polymer, insbesondere mit Acryl gebildet . Bevorzugt ist die zweite I solationsschicht 72 mit dem gleichen Material gebildet wie die erste I solationsschicht 71 . Die Verbindungselemente 301 erstrecken sich von der zweiten Kontaktschicht 22 bis in die erste Kontaktschicht 21 . Die Kontaktschichten 21 , 22 weisen eine Dicke von mindestens 0 , 1 pm und höchstens 50 pm auf . Jedes Verbindungselement 301 verbindet eine Zeilenleitung 210 mit einer Spaltenleitung 220 elektrisch leitend miteinander . Die Verbindungselemente 301 sind j eweils an Kreuzungspunkten einer Zeilenleitung 210 und einer Spaltenleitung 220 angeordnet .

Die Verbindungselemente 301 sind mit einem Metall gebildet . Beispielsweise sind die Verbindungselemente 301 mit einem galvanisch abgeschiedenen Metall gebildet .

Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 ist auf der Zeilenleitung 210 angeordnet . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 überspannt die Auftrennung 80 in der Zeilenleitung 210 . Insbesondere erfolgt eine Montage des optoelektronischen Halbleiterbauelements 40 mittels Löten . In der Auftrennung 80 ist eine dritte I solationsschicht 73 angeordnet , die eine verbesserte elektrische I solation ermöglicht . Die dritte I solationsschicht 73 ist beispielsweise mit Polymer, insbesondere mit Acryl gebildet . Insbesondere ist die dritte I solationsschicht 73 mit dem gleichen Material gebildet wie die zweite I solationsschicht 72 .

Figuren 7A bis 7L zeigen schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß dem fünften Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung .

Figur 7A zeigt einen ersten Schritt des Verfahrens , in dem ein Substrat 51 bereitgestellt wird . Das Substrat 51 ist mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet , insbesondere PET . Das Substrat 51 ist mechanisch selbsttragend ausgeführt . Auf einer ersten Seite des Substrats 51 wird eine erste I solationsschicht 71 aufgebracht . Die erste I solationsschicht 71 ist mit einem Polymer, insbesondere Acryl gebildet . Die erste I solationsschicht 71 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt .

Figur 7B zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die erste I solationsschicht 71 mittels eines Nano-imprint- Verfahrens strukturiert wird . Eine Mehrzahl von Vertiefungen 710 werden in eine dem Substrat 51 abgewandte Seite der ersten I solationsschicht 71 eingebracht . Beispielsweise wird ein Stempel aus einem Polysiloxan verwendet , um die Vertiefungen 710 mechanisch in die erste I solationsschicht 71 einzubringen .

Figur 7C zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem ein Material von Spaltenleitungen 220 voll flächig auf der dem Substrat 51 abgewandten Seite der ersten I solationsschicht 71 abgeschieden wird . Beispielsweise erfolgen zunächst eine Abscheidung einer Startschicht mittels Sputtern und anschließend eine galvanische Abscheidung von Material . Bevorzugt erfolgt eine Abscheidung von Metall .

Figur 7D zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die dem Substrat 51 abgewandte Seite der ersten I solationsschicht 71 poliert und geschli f fen wird, um einen Teil des Materials der Spaltenleitungen 220 zu entfernen . Lediglich der Teil des Materials verbleibt , der sich in den Vertiefungen 710 befindet . Dadurch bildet sich eine zweite Kontaktschicht 22 mit voneinander getrennten Spaltenleitungen 220 aus . Die zweite Kontaktschicht 22 ist folglich in die strahlungsdurchlässige erste I solationsschicht 71 eingebettet .

Figur 7E zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine zweite I solationsschicht 72 auf die zweite Kontaktschicht 22 aufgebracht wird . Die zweite I solationsschicht 72 ist mit einem Polymer, insbesondere Acryl gebildet . Die zweite I solationsschicht 72 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt . Insbesondere ist das Material der zweiten I solationsschicht 72 identisch zu der ersten I solationsschicht 71 in der zweiten Kontaktschicht 22 .

Figur 7 F zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die zweite I solationsschicht 72 mittels eines Nano-imprint- Verfahrens strukturiert wird . Eine Mehrzahl von Vertiefungen 710 werden in eine dem Substrat 51 abgewandte Seite der zweiten I solationsschicht 72 eingebracht . Die Vertiefungen 710 sind lateral j eweils auf eine Spaltenleitung 220 ausgerichtet .

Dabei verbleibt eine dünne Schicht der zweiten I solationsschicht 72 auf der dem Substrat 51 abgewandten Seite der Spaltenleitungen 220 .

Figur 7G zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die Spaltenleitungen 220 j eweils mittels eines Ätzprozesses freigelegt werden . Die verbleibende dünne Schicht der zweiten I solationsschicht 72 wird folglich von der dem Substrat 51 abgewandten Seite der Spaltenleitungen 220 entfernt . Beispielweise erfolgt die Entfernung ganz flächig mit einem trockenchemischen Ätzverfahren . Figur 7H zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Mehrzahl von Verbindungselementen 301 in den Vertiefungen 710 angeordnet wird . Das Material der Verbindungselemente 301 wird voll flächig auf der dem Substrat 51 abgewandten Seite der zweiten Kontaktschicht 22 abgeschieden . Beispielsweise erfolgen zunächst eine Abscheidung einer Startschicht mittels Sputtern und anschließend eine galvanische Abscheidung von Material . Bevorzugt erfolgt eine Abscheidung von Metall .

Anschließend wird die dem Substrat 51 abgewandte Seite der zweiten Kontaktschicht 22 poliert und geschli f fen, um einen Teil des Materials der Verbindungselemente 301 zu entfernen . Lediglich der Teil des Materials verbleibt , der sich in den Vertiefungen 710 befindet . Dadurch bilden sich eine Mehrzahl von separaten Verbindungselementen 301 aus . Die Verbindungselemente 301 erstrecken sich insbesondere ausgehend von der zweiten Kontaktschicht 22 bis in die erste Kontaktschicht 21 . Die Verbindungselemente 301 sind in der zweiten I solationsschicht 72 eingebettet .

Figur 71 zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine dritte I solationsschicht 73 auf der zweiten I solationsschicht 72 aufgebracht wird . Die dritte I solationsschicht 73 ist mit einem Polymer, insbesondere Acryl gebildet . Die dritte I solationsschicht 73 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt . Insbesondere ist das Material der dritten I solationsschicht 73 identisch zu der zweiten I solationsschicht 72 .

Anschließend erfolgt eine Strukturierung der dritten

I solationsschicht 73 mit einem Nano-imprint-Verf ahren . Die Strukturierung erfolgt derart , dass zumindest eine Erhebung in der dritten I solationsschicht 73 ausgebildet wird .

Figur 7 J zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die dritte I solationsschicht 73 ganz flächig geätzt wird . Die dritte I solationsschicht 73 wird teilweise entfernt , so dass dem Substrat 51 abgewandte Flächen der Verbindungselemente 301 frei von der dritten I solationsschicht 73 sind und eine in dem vorherigen Schritt gebildete Erhebung in der dritten I solationsschicht 73 verbleibt .

Figur 7K zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 auf die zweite I solationsschicht 72 aufgebracht wird .

Die zweite Kontaktschicht wird analog zur zweiten Kontaktschicht zunächst voll flächig abgeschieden und durch Schlei fen und Polieren anschließend zumindest teilweise wieder entfernt . So ergibt sich eine Auftrennung der Zeilenleitung 210 an den Stellen, an denen die dritte I solationsschicht 73 noch vorhanden ist .

Figur 7L zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 auf der Zeilenleitung 210 angeordnet wird .

Alternativ können die in den Figuren 71 , 7 J und 7K gezeigten Schritte bereits gemeinsam mit dem in der Figur 7 F gezeigten Schritt ausgeführt werden . Insbesondere wird dazu eine Dicke der zweiten I solationsschicht 72 erhöht , sodass mit dem Nano- imprint Verfahren in der zweiten I solationsschicht 72 neben den Vertiefungen 710 für die Verbindungselemente 301 auch gleichzeitig eine Erhebung ausgebildet werden kann . Im gleichen Schritt können zudem weitere Vertiefungen 710 für eine erste Kontaktschicht 210 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 auf die zweite I solationsschicht 72 eingebracht werden . Vorteilhaft kann so das Verfahren zur Herstellung verkürzt werden .

Figur 8 zeigt eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß einem sechsten Aus führungsbeispiel . Die Anzeigeeinheit 1 umfasst ein Substrat 51 , auf dem eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 angeordnet sind . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 ist so orientiert , dass eine Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements 40 in eine dem Substrat 51 zugewandte Richtung zeigt . Die Abstrahlung erfolgt also durch das Substrat 51 hindurch .

Ferner umfasst die Anzeigeeinheit 1 eine Deckschicht 52 , auf der eine zweite Kontaktschicht 22 mit einer Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 angeordnet sind . Das Substrat 51 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt . Die Deckschicht 52 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt . Die Deckschicht 52 weist eine Dicke zwischen 20 pm und 200 pm, bevorzugt zwischen 50 pm und 100 pm auf .

Zwischen dem Substrat 51 und der Deckschicht 52 ist eine Fügeschicht 60 angeordnet , die mit einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist . Insbesondere ist die Fügeschicht 60 mit einem photosensitiven Material gebildet oder einem gelochtem PVB oder einem EVA gebildet . Die Fügeschicht 60 umfasst eine Mehrzahl von Ausnehmungen, die j eweils mit einem Verbindungselement 301 gefüllt sind . Die Verbindungselemente 301 sind beispielsweise mit einer Metallpaste , insbesondere einer Silberpaste gebildet .

Figuren 9A bis 9F zeigen schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß dem sechsten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung .

Figur 9A zeigt einen ersten Schritt des Verfahrens , in dem ein strahlungsdurchlässiges Substrat 51 bereitgestellt wird . Auf dem Substrat 51 ist eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 angeordnet . Zumindest eine Zeilenleitung 210 weist eine Unterbrechung in Form einer Auftrennung 80 auf .

Figur 9B zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 auf dem Substrat 51 angeordnet wird . Im Unterschied zu den vorhergehenden Aus führungsbeispielen ist das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 in dem sechsten Aus führungsbeispiel so auf dem Substrat 51 angeordnet , dass eine Hauptemissionsrichtung durch das Substrat 51 hindurch verläuft . Ferner ist das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 so angeordnet , dass es vollständig innerhalb der Auftrennung 80 angeordnet ist .

Figur 9C zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 über Anschlusselemente 90 mit den Enden der Zeilenleitung 210 elektrisch verbunden wird . Die Anschlusselemente 90 sind beispielsweise mit einer Metallpaste , insbesondere einer Silberpaste gebildet . Bevorzugt werden die Anschlusselemente 90 mit einem Druckprozess aufgebracht . Figur 9D zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Deckschicht 52 mit einer zweiten Kontaktschicht 22 bereitgestellt wird . Die zweite Kontaktschicht 22 ist mit einem analogen Verfahren zur ersten Kontaktschicht 21 hergestellt und umfasst eine Mehrzahl von Spaltenleitungen 220 .

Figur 9E zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Fügeschicht 60 auf dem Substrat 51 angeordnet wird . In der Fügeschicht 60 ist eine Mehrzahl von Ausnehmungen angeordnet . Die Fügeschicht 60 ist mit einem der folgenden Materialien gebildet : Polyvinylbutyral ( PVB ) , Ethylen- Vinylacetat-Copolymer (EVA) , Photolack, Polymerf olie . Insbesondere ist die Fügeschicht 60 mit einer gelochten Laminierf olie gebildet . Auf zumindest manchen Spaltenleitungen 220 wird ferner ein Material eines Verbindungselements 301 aufgebracht . Die Deckschicht 52 wird lateral zum Substrat 51 ausgerichtet . Die Ausrichtung der Deckschicht 52 erfolgt derart , dass die Spaltenleitungen 220 lateral auf die Ausnehmungen in der Fügeschicht 60 ausgerichtet sind .

Figur 9F zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem die Deckschicht 52 auf die Fügeschicht 60 aufgebracht wird . Das Material der Verbindungselemente 301 wird zumindest teilweise in die Ausnehmungen der Fügeschicht 60 gedrückt und erstreckt sich bis zu der ersten Kontaktschicht 21 . Die Verbindungselemente 301 werden folglich in den Ausnehmungen der Fügeschicht 60 ausgebildet .

Figur 10 zeigt eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß einem siebten Aus führungsbeispiel . Das in Figur 10 gezeigte siebte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 8 gezeigten sechsten Aus führungsbeispiel . Im Unterscheid zu dem sechsten Aus führungsbeispiel umfasst der Verbindungbereich 30 ein strahlungsdurchlässiges Material und das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 ist zur Emission durch die Deckschicht 52 eingerichtet .

Figuren 11A bis 11C zeigen schematische Schnittansichten einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß einem achten Aus führungsbeispiel in verschiedenen Stadien eines Verfahrens zu seiner Herstellung .

Figur 11A zeigt einen ersten Schritt des Verfahrens , in dem ein strahlungsdurchlässiges Substrat 51 bereitgestellt wird . Auf dem Substrat 51 ist eine erste Kontaktschicht 21 mit einer Mehrzahl von Zeilenleitungen 210 angeordnet . Zumindest eine Zeilenleitung 210 weist eine Unterbrechung in Form einer Auftrennung 80 auf . Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 40 ist auf dem Substrat 51 angeordnet . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 40 ist so auf dem Substrat 51 angeordnet , dass eine Hauptemissionsrichtung durch das Substrat 51 hindurch verläuft .

Ferner umfasst die Anzeigeeinheit 1 eine Mehrzahl von Verbindungselementen 301 , die auf der ersten Kontaktschicht 21 angeordnet sind . Die Verbindungselemente 301 sind mit einer Metallpaste , insbesondere einer Silberpaste gebildet . Alternativ sind die Verbindungselemente 301 mit einem strahlungsdurchlässigen leitfähigen Material gebildet , insbesondere PEDOT : PSS . Beispielsweise werden die Verbindungselemente 301 mittels Siebdruck, Schablonendruck, Mikrodispensen, Laser induced forward trans fer ( LI FT ) oder

Aerosol- Jetting auf der ersten Kontaktschicht 21 aufgebracht .

Figur 11B zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Fügeschicht 60 auf das Substrat 51 aufgebracht wird . Die Fügeschicht 60 überragt die Verbindungselemente 301 in vertikaler Richtung nicht . Mit anderen Worten, die Verbindungselemente 301 bleiben an ihrer dem Substrat 51 abgewandten Seite frei von dem Material der Fügeschicht 60 . Die Fügeschicht 60 wird beispielsweise mittels Drucken oder Dosieren auf das Substrat 51 aufgebracht .

Figur 11C zeigt einen weiteren Schritt des Verfahrens , in dem eine Deckschicht 52 auf der Fügeschicht 60 angeordnet wird . Die Deckschicht 52 umfasst eine zweite Kontaktschicht 22 mit einer Mehrzahl von Spaltenleitungen 22 . Die Deckschicht 52 ist derart lateral zu dem Substrat 51 ausgerichtet , dass j eweils ein Verbindungselement 301 auf eine ihm zugeordnete Spaltenleitung 220 tri f ft .

Figur 12 zeigt eine schematische Schnittansicht einer hier beschriebenen Anzeigeeinheit 1 gemäß einem neunten Aus führungsbeispiel . Das in Figur 12 gezeigte neunte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 8 gezeigten sechsten Aus führungsbeispiel . Im Unterscheid zu dem sechsten Aus führungsbeispiel umfasst das neunte Aus führungsbeispiel verschiedene Ausgestaltungen von Verbindungselementen 301 in einer Fügeschicht 60 . Die Grundidee basiert auf einer Integration von dünnen Metall fäden in der Fügeschicht 60 . Beispielsweise sind die Verbindungselemente 301 mit Kupfer- Silber- oder Goldfäden gebildet . Die Metall fäden können mittels Klebstof fes mit der ersten Kontaktschicht 21 und der zweiten Kontaktschicht 22 verbunden werden . Alternativ kann der Metall faden eine größere Länge aufweisen als die Dicke der Fügeschicht 60 und so durch eine Stauchung einen Kontakt zwischen den Kontaktschichten 21 , 22 herstellen . Der Metall faden kann optional an einem oder an beiden Enden geknickt werden, um einen besseren Kontakt zu den Kontaktschichten 21 , 22 zu erreichen .

Figur 13 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung 2 gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel . Die Anzeigevorrichtung 2 umfasst eine Mehrzahl von Anzeigeeinheiten 1 , die in einem Rahmenkörper 20 angeordnet sind . Die Anzeigeeinheiten 1 werden über gemeinsame erste und zweite Zeilenleitungsbündel 211 , 212 und zweite Spaltenleitungsbündel 221 , 222 elektrisch angesteuert .

Der Zeilenabstand 210D der Zeilenleitungen 210 aller Anzeigeeinheiten 1 der Anzeigevorrichtung 2 ist gleich . Der Spaltenabstand 220D der Spaltenleitungen 220 aller Anzeigeeinheiten 1 der Anzeigevorrichtung 2 ist gleich . Die Breite der Zeilenleitungen 210 und der Spaltenleitungen 220 ist in allen Anzeigeeinheiten 1 gleich . Der Zeilenabstand 210D weicht um weniger als 10% von dem Spaltenabstand 220D ab . Der Zeilenabstand 210D ist gleich dem Spaltenabstand 220D .

Der Rahmenkörper 20 umgibt die Anzeigeeinheiten 1 vollständig . In der Draufsicht weist der Rahmenkörper 20 eine rechteckige Form auf . Der Rahmenkörper 20 umfasst eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite . Ferner umfasst der Rahmenkörper eine linke und eine rechte Seite . Die Zeilenleitungen 210 sind parallel zur Unterseite und der Oberseite des Rahmenkörpers 20 ausgerichtet . Die Spaltenleitungen 220 sind parallel zur linken und rechten Seite des Rahmenkörpers 20 ausgerichtet .

So ergibt sich eine vorteilhaft besonders hohe Strahlungsdurchlässigkeit der Anzeigevorrichtung 2 für einen Betrachter .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Aus führungsbeispiele beschränkt . Vielmehr umfasst die Erfindung j edes neue Merkmal sowie j ede Kombination von Merkmalen, was insbesondere j ede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet , auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht expli zit in den Patentansprüchen oder Aus führungsbeispielen angegeben ist .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102022103970 . 6 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird .

Bezugs zeichenliste

1 Anzeigeeinheit

2 Anzeigevorrichtung

20 Rahmenelement

21 erste Kontaktschicht

22 zweite Kontaktschicht

30 Verbindungsbereich

40 optoelektronisches Halbleiterbauelement

210 Zeilenleitung

211 erstes Zeilenleitungsbündel

212 zweites Zeilenleitungsbündel

210D Zeilenabstand

220 Spaltenleitung

221 erstes Spaltenleitungsbündel

222 zweites Spaltenleitungsbündel

220D Spaltenabstand

301 Verbindungselement

51 Substrat

52 Deckschicht

60 Fügeschicht

510 Ausnehmung

71 erste I solationsschicht

72 zweite I solationsschicht

73 dritte I solationsschicht

710 Vertiefungen

80 Auftrennung

90 Anschlusselement a Schnittwinkel

XI Kantenlänge