Die Erfindung betrifft eine elektrische Einrichtung mit einer Halbleiterschaltung, die für eine Hochspannung ausgelegt und in einem Gehäuse angeordnet ist.

Eine solche Einrichtung ist aus dem Stand der Technik, insbe ^¬ sondere aus der Hochspannungstechnik, bekannt. Beispielsweise weisen Umrichter zum Umwandeln von Wechselspannung in Gleich- Spannung oder umgekehrt Umrichterventile auf, die eine Mehr ^¬ zahl von Leistungshalbleitern umfassen. Die Leistungshalbleiter sind Halbleiterschalter, die für die Hochspannung ausgelegt sind, also für Spannungsdifferenzen oberhalb von 1 kV. Die Leistungshalbleiter sind üblicherweise in einem oder meh- reren Gehäusen untergebracht.

Aus der EP 0 299 275 Bl ist beispielsweise ein Stromrichter bekannt, dessen Stromrichterventile Thyristoren umfassen, die in Gehäusen in Form von Modulen angeordnet sind. Die Module sind zu Ventiltürmen zusammengefasst , die in einer Ventilhal ^¬ le montiert sind. Die Ventilhalle befindt sich auf Erdpoten ^¬ zial. Im Betrieb des Stromrichters sind die Thyristoren der Halbleiterschaltung demgegenüber auf unterschiedlichen Hochspannungspotenzialen, so dass die Halbleiterschaltung bezie- hungsweise deren Teile, gegenüber dem Gehäuse bzw. der

Gehäusewandung des Moduls elektrisch isoliert werden müssen. Dies geschieht üblicherweise durch Bereitstellung von genü ^¬ gend Abstand zwischen der Halbleiterschaltung beziehungsweise deren Teil und der Gehäusewandung. Dies führt bei hohen Span- nungen, die an der Halbleiterschaltung anliegen, zu notwendigerweise großen Abmessungen des Gehäuses. Üblicherweise be ^¬ tragen die Breite und die Länge des Gehäuses bis zu mehreren Metern. Die Zugänglichkeit zur Durchführung von Installati- ons- und Wartungsarbeiten an der Halbleiterschaltung ist da- durch stark erschwert. Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine artgemäße elektrische Einrichtung vorzuschlagen, die eine Möglichkeit einer einfacheren Wartung bietet. Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass das Gehäuse mehrere Gehäuseteile umfasst, die voneinander elektrisch isoliert sind, wobei den Gehäuseteilen unterschiedliche elektrische Potenziale zuweisbar sind. Im Betrieb der erfindungsgemäßen elektrischen Einrichtung können unterschiedliche Gehäuseteile insbesondere jeweils auf ein unterschiedliches, zuvor vorgegebenes elektrisches Poten ^¬ zial gebracht werden. Dabei kann das jeweilige elektrische Potenzial eines Gehäuseteils an das elektrische Potenzial von in räumlicher Anordnung nächstliegenden Komponenten der Halbleiterschaltung angepasst werden.

Auf diese Weise können vorteilhaft flexible Spannungsdiffe ^¬ renzen zwischen der Halbleiterschaltung und dem Gehäuse er- reicht werden. Insbesondere muss beispielsweise eine auf höchstem Spannungsniveau liegende Komponente der Halbleiter ^¬ schaltung beziehungsweise einem Halbleiterschaltungsteil nicht mehr gegenüber einem gesamten auf Erdpotenzial bezie ^¬ hungsweise auf dem niedrigsten Potenzial des Halbleiterschal- tungsteils liegenden Gehäuse, sondern gegenüber einem auf einem vorgegebenen, höheren (Teil-) Potenzial liegenden

Gehäuseteil isoliert werden.

Die isolierenden Luftstrecken zwischen der Halbleiterschal- tung und dem Gehäuse können vorteilhaft reduziert werden.

Dies senkt den Wartungsaufwand durch verbesserten Zugang zu der Halbleiterschaltung erheblich.

Geeigneterweise liegt wenigstens ein Gehäuseteil in Betrieb auf einem Hochspannungspotenzial. Dies erlaubt es, bei einer Halbleiterschaltung, an der in Betrieb eine Hochspannung anliegt, die Isolationsabstände besonders gering zu halten. Be ^¬ steht beispielsweise die Halbleiterschaltung aus mehreren Komponenten, wovon eine Komponente auf einem Hochspannungspo ^¬ tenzial liegt, so ist das Gehäuseteil, das räumlich dieser Komponente am nächsten liegt, diesem Hochspannungspotenzial zuzuweisen .

Bei Halbleiterschaltungen, die an ihren Anschlussklemmen besonders hohe Spannungsdifferenzen aufweisen, beispielsweise von mehr als 10 kV, wird als vorteilhaft angesehen, wenn be ^¬ nachbarte Gehäuseteile in Betrieb jeweils einen Potenzialun- terschied zwischen 1 kV und 200 kV oder gar darüber hinaus aufweisen. Auf diese Weise kann eine Abstufung der Spannungs ^¬ niveaus der Gehäuseteile erreicht werden, die eine Anpassung an die an der Halbleiterschaltung anliegende Spannung ermöglicht. Durch eine geeignete Zuweisung der Potenziale zu den Gehäuseteilen entsprechend ihrer räumlichen Anordnung gegenüber der Halbleiterschaltung bzw. deren Komponenten kann eine besonders kompakte Bauform des Gehäuses erreicht werden.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist das Gehäuse ein Modulrahmen, an dem die Halbleiterschaltung montiert ist. Demnach weist das Gehäuse nicht notwendigerweise eine die Halbleiterschaltung vollständig umschließende Bauform auf. Vielmehr kann es von Vorteil sein, wenn das Gehäuse als Mo ^¬ dulrahmen ausgebildet ist. Der Modulrahmen umrahmt die Halb- leiterschaltung und bietet eine geeignete Aufhängevorrichtung, an der die Halbleiterschaltung befestigt werden kann. Der Modulrahmen umgreift die Halbleiterschaltung seitlich, er muss jedoch keine vollständige Bedeckung der Halbleiterschal ^¬ tung von oben und/oder von unten bereitstellen. Durch die An- Ordnung der Halbleiterschaltung ist sowohl eine gute Kühlwirkung als auch eine besonders gute Zugänglichkeit der Halblei ^¬ terschaltung gewährleistet.

Bevorzugt umfasst der Modulrahmen mehrere Rahmensegmente, die mittels Isolatorbauteilen voneinander getrennt sind. Die

Gehäuseteile in Form von Rahmensegmenten können beispielsweise plattenförmig sein. Zur Isolation der Rahmensegmente untereinander sind jeweils zwischen zwei Rahmensegmenten, denen unterschiedliche Potenziale zugewiesen werden sollen, die Isolatorbauteile vorgesehen. Die Isolatorbauteile sind zweck ^¬ mäßigerweise an den Rahmensegmenten montiert und umfassen elektrisch isolierende Abstandshalter. Auf diese Weise ist eine besonders einfache und wirkungsvolle Aufteilung der Po ^¬ tenziale am Gehäuse ermöglicht.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weist der Modulrahmen eine C-Form auf. Demnach ist der Modulrahmen zumindest in einer räumlichen Ebene derart ausgestaltet, dass er dem Buchstaben C ähnelt. Dazu weist der Modulrahmen in dieser Ebene eine einseitige Einbuchtung auf, die dreiseitig zumindest teilweise begrenzt ist. Ein besonderer Vorteil die ^¬ ser Ausführungsform ergibt sich beispielsweise, wenn zwei der elektrischen Einrichtungen einander gegenüber angeordnet sind, wobei die Einbuchtungen der C-förmigen Modulrahmen der beiden Einrichtungen einander zugewandt sind. Damit ist zwischen den beiden Einrichtungen ein Freiraum gebildet. Dieser Freiraum kann vorteilhaft dazu genutzt werden, einen zusätz- liehen Zugang für Wartungsarbeiten an den Halbleiterschaltungen zu ermöglichen. Beispielsweise kann eine Hebebühne vorge ^¬ sehen sein, die in dem Freiraum angeordnet ist und einer entsprechneden Zugänglichkeit bei Wartungsarbeiten dient. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Halbleiterschaltung eine Reihenschaltung von Leistungshalbleitern auf. Eine solche Reihenschaltung hat üblicherweise zur Folge, dass im Betrieb der elektrischen Einrichtung zwischen den Anschlussklemmen der Reihenschaltung eine Span- nungsdifferenz anliegt. Diese Spannungsdifferenz kann bei

Hochspannungsanwendungen im Bereich von über 10 kV oder gar über 200 kV liegen. Dies hat zur Folge, dass ein erster Leis ^¬ tungshalbleiter in der Reihenschaltung auf einem niedrigen Potenzial liegen kann, beispielsweise auf Erdpotenzial, wo- hingegen ein letzter Leistungshalbleiter in der Reihenschaltung auf einem Hochspannungspotenzial, beispielsweise von weit über 100 kV liegen kann. In diesem Fall ist die Aufteilung der Potenziale am Gehäuse besonders wirkungsvoll. Den Gehäuseteilen können abgestufte Spannungs- bzw. Potenzialniveaus zugewiesen werden, so dass kompakte Abmessungen der einzelnen Gehäuseteile realisierbar sind. Der Leistungshalb ^¬ leiter auf höchstem Potenzial muss dann nicht für die gesamte Potenzialdifferenz zwischen Erdpotenzial und Hochspannungspo ^¬ tenzial gegenüber einem Gehäuse auf Erdpotenzial isoliert werden .

Eine besonders günstige Anwendbarkeit der Erfindung ergibt sich, wenn die Halbleiterschaltung Thyristoren umfasst. Beispielsweise kann wenigstens einer der Leistungshalbleiter der Reihenschaltung ein Thyristor sein. Thyristoren werden oft in Hochspannungsumrichtern eingesetzt, weil diese Halbleiterschalter eine besonders hohe Sperrfähigkeit aufweisen können. Die Sperrfähigkeit der Thyristoren bzw. der anderen Leistungshalbleiter in einer vorteilhaften Anwendung der Erfindung kann beispielsweise zwischen 1 kV und 8 kV oder mehr betragen . Vorteilhaft ist jedem Thyristor in der Reihenschaltung eine RC-Beschaltung und/oder eine Ventildrossel zugeordnet. Die RC-Beschaltung umfasst ein Widerstandselement und einen Kon ^¬ densator, die geeigneterweise parallel zum Thyristor angeord ^¬ net sind. Die RC-Beschaltung ist mit jedem Thyristor im Ge- häuse angeordnet.

Die Erfindung betrifft ferner einen Umrichter mit einer elektrischen Einrichtung mit einer Halbleiterschaltung zwischen einem Wechselspannungsanschluss und einem Gleichspan- nungsanschluss , die für eine Hochspannung ausgelegt und in einem Gehäuse angeordnet ist.

Ein solcher Umrichter ist beispielsweise aus der bereits ge ^¬ nannten EP 0 299 275 Bl bekannt. Der bekannte Umrichter um- fasst Thyristormodule, die in Form von Ventiltürmen in einer Ventilhalle montiert sind. Jedes Thyristormodul umfasst eine Mehrzahl von Thyristoren, die eine Reihenschaltung ausbilden. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen artgemäßen Umrichter vorzuschlagen, der eine möglichst einfache Wartung bietet . Die Aufgabe wird bei einem artgemäßen Umrichter dadurch gelöst, dass das Gehäuse mehrere Gehäuseteile umfasst, die von ^¬ einander elektrisch isoliert sind, wobei den Gehäuseteilen unterschiedliche elektrische Potenziale zuweisbar sind. Beispielsweise kann eine Reihenschaltung von Leistungshalb ^¬ leitern zumindest teilweise in einem Modulgehäuse unterge ^¬ bracht sein, das mehrere im Betrieb des Umrichters auf unter ^¬ schiedlichen elektrischen Potenzialen liegende Gehäuseteile umfasst .

Die Vorteile des erfindungsgemäßen Umrichters ergeben sich aus den zuvor beschriebenen Vorteilen der erfindungsgemäßen elektrischen Einrichtung. Alle zuvor beschriebenen Varianten und Ausführungsformen der erfindungsgemäßen elektrischen Einrichtung können selbstverständlich allein oder in Kombination miteinander im erfindungsgemäßen Umrichter eingesetzt werden. Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen elektrischen Einrichtung und des erfindungsgemäßen Umrichters weiter erläutert. Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Umrichters in einer schematischen Darstellung;

Figur 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen elektrischen Einrichtung in einer schematischen Draufsicht.

Im Einzelnen ist in Figur 1 ein Umrichter 1 dargestellt. Der Umrichter 1 weist eine Wechselspannungsseite mit einem Wech- selspannungsanschluss 2 zum Anschluss an ein dreiphasiges Wechselspannungsnetz auf. Ferner weist der Umrichter 1 eine Gleichspannungsseite mit einem Gleichspannungsanschluss 3 zum Anschluss an eine Gleichspannungsleitung auf. Der Umrichter 1 umfasst drei Phasenzweige, die auch als Ventilzweige 41-46 bezeichnet werden. Jeder der Ventilzweige 41-46 weist eine

Reihenschaltung von Thyristormodulen 6 auf. Eine unterbrochene Linie 17 in jedem Ventilzweig 41-46 verdeutlicht, dass im Allgemeinen dort mehr als die drei explizit dargestellten Thyristormodule angeordnet sein können.

Jedes Thyristormodul 6 ist eine elektrische Einrichtung mit einer Reihenschaltung mehrerer Thyristoren, die zusammen mit einer zugehörigen Thyristorbeschaltung und Ventildrosseln in einem Gehäuse angeordnet sind.

Auf den Aufbau des Thyristormoduls 6 wird in der folgenden Figur 2 näher eingegangen.

Figur 2 zeigt eine elektrische Einrichtung in Form eines Thy- ristormoduls 6. Das Thyristormodul 6 umfasst eine Halbleiter ^¬ schaltung 7, die einen ersten Thyristorbaustein 71, einen zweiten Thyristorbaustein 74 und eine obere und eine untere Ventildrossel 72 bzw. 73 umfasst. Der erste und zweite Thy ^¬ ristorbaustein 71 bzw. 74 umfassen jeweils eine Reihenschal- tung von Thyristoren und eine zugehörige Thyristorbeschal ^¬ tung .

Die Halbleiterschaltung 7 ist in einem Gehäuse in Form eines Modulrahmens 8 angeordnet. Der Modulrahmen 8 weist mehrere Rahmensegmente 81-86 auf. Die Rahmensegmente 81-86 sind der ^¬ art um die Halbleiterschaltung 7 angeordnet, dass sie eine C- Form mit einer Einbuchtung 9 in der Zeichenebene der Figur 2 bilden. In dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Modulrahmen 8 sechs Rahmensegmente 81-86. Im All- gemeinen kann deren Anzahl und Größe beliebig variieren und an die jeweilige Anwendung und die Ausgestaltung der Halbleiterschaltung 7 angepasst sein. Die Rahmensegmente 81-86 sind voneinander mittels Isolierbau ^¬ teilen in Form von isolierenden Abstandshaltern 10-15 elektrisch isoliert. Aufgrund der Isolierung können den Rahmenseg ^¬ menten 81-86 jeweils unterschiedliche elektrische Potenziale zugewiesen werden. Damit kann jedes Rahmensegment 81-86 im

Betrieb des Thyristormoduls 6 ein eigenes, vordefiniertes Po ^¬ tenzialniveau aufweisen.

Sind beispielsweise die Ventildrossel 73 mit einem auf einem negativen Potenzial liegenden Pol und die Ventildrossel 72 mit einem auf demgegenüber positiveren Potenzial liegenden Pol verbunden, so kann dem Rahmensegment 81 ein höheres Po ^¬ tenzial als dem Rahmensegment 85 zugewiesen werden. Auf diese Weise können die Isolationsabstände zwischen der oberen Ven- tildrossel 72 bzw. zumindest einem Teil des ersten Thyristor ^¬ bausteins 71 und dem Rahmensegment 81 verhältnismäßig gering gewählt sein. Ebenso können die Isolationsabstände zwischen der unteren Ventildrossel 73 bzw. zumindest einem Teil des zweiten Thyristorbausteins 74 und dem Rahmensegment 85 ver- hältnismäßig gering gewählt sein.

In dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist gegenüber dem Thyristormodul 6 ein weiteres Thyristormodul 61 angeordnet. Das Thyristormodul 6 und das weitere Thyristormo- dul 61 sind gleichartig aufgebaut, so dass auf den Aufbau des weiteren Thyristormoduls 61 nicht näher eingegangen werden muss. Die Einbuchtung 9 des Thyristormoduls 6 und eine Ein ^¬ buchtung 91 des weiteren Thyristormoduls 61 sind einander zu ^¬ gewandt. In dem durch die beiden Einbuchtungen 9, 91 gebilde- ten Freiraum ist eine Hebebühne 16 angeordnet. Die Hebebühne 16 kann senkrecht zur Zeichenebene der Figur 2 bewegt werden. Somit können mittels der Hebebühne 16 sowohl die Thyristormo ^¬ dule 6 und 61 als auch räumlich über diesen angeordnete, gra ^¬ fisch nicht dargestellte Thyristormodule erreicht werden. Die Zugänglichkeit der Thyristormodule bzw. der Halbleiterschal ^¬ tungen zu Installations- und Wartungszwecken ist auf diese Weise stark verbessert.