本発明のEL素子は、一対の電極と、一対� �電極間に配置され、少なくとも発光層を含� �エレクトロルミネッセンス層(EL層)と、を備� ��るエレクトロルミネッセンス素子(EL素子)で あって、前記発光層は、少なくとも1種の保� �材料によりその表面が保護された量子ドッ� �を含有しており、該保護材料の少なくとも1� ��が、90℃以上のガラス転位温度及び融点を� �することを特徴とする。

 本発明のEL素子は、発光材料として、量� �ドットを用いる。量子ドットの発光により� �られる光の波長は、量子サイズ効果により� �その結晶の微粒子のサイズに依存すること� �ら、微粒子のサイズの制御により種々の波� �の光を得ることできる。一方で、量子ドッ� �が凝集することによって、結晶構造が変化� �、発光色の変化或いは消光が生じるおそれ� �ある。また、量子ドットを含有する発光層� �おける量子ドットの凝集は、発光層の相分� �等を引き起こし、発光ムラを生じさせる他� �発光層における電子、正孔の移動性の変化� �励起子の生成効率の低下によって、発光効� �の低下を招く。

 そこで、本発明では、発光材料として含� ��される量子ドットの表面を、ガラス転位温� ��及び融点が90℃以上の保護材料(以下、耐熱� ��保護材料ということがある。)により保護す ることによって、90℃以上のような高温条件� ��における該保護材料の軟化を抑制し、保護� ��料の軟化に起因する量子ドットの凝集の防� ��を可能とした。つまり、従来のガラス転位� ��度や融点が低い保護材料で保護された量子� ��ットを用いたEL素子においては、保護材料� �軟化し、量子ドットの移動性が高まる結果� �量子ドットの凝集が生じていたような高温� �件でも、本発明のEL素子では、量子ドットの 凝集が生じにくく、その分散状態を保持する ことができる。

 従って、本発明のEL素子によれば、量子� �ットの凝集に起因する量子ドットの発光色� �変化、消光を防止することが可能である。� �らには、量子ドットの凝集による発光層の� �分離に起因する発光ムラ、発光層における� �子、正孔の移動性の変化、及び、励起子の� �成効率の低下による発光効率低下などを防� �することが可能である。すなわち、本発明� �EL素子は、長期間にわたってその発光特性を 維持することが可能であり、耐久性に優れて いる。

 量子ドットとしては、半導体のナノメート� ��サイズの微粒子(半導体ナノ結晶)であり、� �子閉じ込め効果(量子サイズ効果)を生じる発 光材料であれば特に限定されない。具体的に は、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、S rTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、C dTe、HgS、HgSe及びHgTeのようなII-VI族半導体化� �物、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaAs、GaP、GaN、GaSb、I nN、InAs、InP、InSb、TiN、TiP、TiAs及びTiSbのよう なIII-V族半導体化合物、Si、Ge及びPbのようなI V族半導体等を含有する半導体結晶の他、InGaP のような3元素以上を含んだ半導体化合物が� �げられる。或いは、上記半導体化合物に、Eu ³⁺ 、Tb ³⁺ 、Ag ⁺ 、Cu ⁺ のような希土類金属のカチオン又は遷移金属 のカチオンをドープしてなる半導体結晶を用 いることができる。
 中でも、作製の容易性、可視域での発光を� ��られる粒径の制御性、蛍光量子収率の観点� ��ら、CdS,CdSe,CdTe、InGaP等の半導体結晶が好適� ��ある。

 量子ドットは、1種の半導体化合物からな るものであっても、2種以上の半導体化合物� �らなるものであってもよく、例えば、半導� �化合物からなるコアと、該コアと異なる半� �体化合物からなるシェルとを有するコアシ� �ル型構造を有していてもよい。コアシェル� �の量子ドットとしては、励起子が、コアに� �じ込められるように、シェルを構成する半� �体化合物として、コアを形成する半導体化� �物よりもバンドギャップの高い材料を用い� �ことで、量子ドットの発光効率を高めるこ� �ができる。このようなバンドギャップの大� �関係を有するコアシェル構造(コア/シェル)� �しては、例えば、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、C dTe/CdS等が挙げられる。

 量子ドットのサイズは、所望の波長の光� ��得られるように、量子ドットを構成する材� ��によって、適宜調節すればよい。量子ドッ� ��は粒径が小さくなるに従い、エネルギーバ� ��ドギャップが大きくなる。すなわち、結晶� ��イズが小さくなるにつれて、量子ドットの� ��光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へ� ��シフトする。そのため、量子ドットのサイ� ��を変化させることにより、紫外領域、可視� ��域、赤外領域のスペクトルの波長領域にわ� ��って、その発光波長を調節することができ� ��。

 一般的には、量子ドットの粒径(直径)は0.5~2 0nmの範囲であることが好ましく、特に1~10nmの 範囲であることが好ましい。尚、量子ドット のサイズ分布が狭いほど、より鮮明な発光色 を得ることができる。
 また、量子ドットの形状は特に限定されず� ��球状、棒状、円盤状、その他の形状であっ� ��もよい。量子ドットの粒径は、量子ドット� ��球状でない場合、同体積を有する真球状で� ��ると仮定したときの値とすることができる� ��

 量子ドットの粒径、形状、分散状態等の� ��報については、透過型電子顕微鏡(TEM)によ� �得ることができる。また、量子ドットの結� �構造、また粒径については、X線結晶回折(XRD )により知ることができる。さらには、UV-Vis� �収スペクトルによって、量子ドットの粒径� �表面に関する情報を得ることもできる。

 本発明において、量子ドットは、その表面� ��保護材料が付着し、保護材料により保護さ� ��た状態で発光層に含有される。この保護材� ��としてガラス転位温度及び融点が90℃以上� �ある化合物を用いる点が本発明の大きな特� �である。
 ここで、量子ドット表面が保護材料で保護� ��れているとは、量子ドットの表面に保護材� ��が付着した状態である。そして、量子ドッ� ��表面に保護材料が付着しているとは、保護� ��料が量子ドットの表面に配位結合している� ��、量子ドット表面と保護材料間に相互作用( 引力)が生じ、量子ドットの表面に保護材料� �存在している状態を含む。尚、量子ドット� �表面は、保護材料によって完全に被覆され� �いなくてもよく、量子ドットの表面の一部� �露出していてもよい。
 量子ドットの表面に保護材料が付着してい� ��ことは、表面分析方法のひとつであるX線光 電子分析(XPS)を用いて、保護材料に含有され� ��元素が含まれていることを調べることによ� ��確認することができる。

 量子ドットは、ガラス転位温度及び融点� ��90℃以上の保護材料(以下、単に耐熱性保護� ��料ということがある)が少なくとも1種、そ� �表面に付着していれば、ガラス転位温度及� �融点が90℃以上の耐熱性保護材料が2種以上� �着していてもよいし、耐熱性保護材料以外� �保護材料が付着していてもよい。

 耐熱性保護材料は、ガラス転位温度及び融� ��が90℃以上であり、量子ドットの表面に付� �してその凝集を抑制することができれば、� �に限定されないが、量子ドットの凝集をよ� �確実に抑制可能であることから、ガラス転� �温度及び融点が110℃以上、さらに、130℃以� �であることが好ましい。一方、溶媒への溶� �性の観点から、耐熱性保護材料のガラス転� �温度及び融点は、一般には200℃以下である� �とが好ましい。
 保護材料のガラス転位温度及び融点は、例� ��ば、以下のような方法によりにより知るこ� ��ができる。すなわち、試料の温度をゆっく� ��と上昇又は下降させながら、熱分析装置に� ��厚さ方向の熱膨張量を測定するTMA法や、試� ��の温度をゆっくりと上昇又は下降させなが� ��、示差走査熱量計にて発熱量や吸熱量を測� ��するDSC法、試料の温度をゆっくりと上昇又� ��下降させながら、粘弾性測定装置にて試験� ��の動的粘弾性及び損失正接を測定するDMA法( 引張り法)等が挙げられる。

 耐熱性保護材料としては、例えば、1分子 中に親水基を1残基以上、及び、疎水基を有� �る有機化合物が挙げられる。このように1分� ��中に親水基と疎水基が共存する有機化合物( 以下、親水基含有保護材料ということがある )は、親水基が量子ドットを構成する金属と� �親和性を有しており、親水基によって、量� �ドットの表面に付着することができる。該� �水基含有保護材料としては、疎水基の片末� �又は両末端に親水基が結合している有機化� �物が好ましい。

 親水基含有保護材料において、親水基と� ��ては、量子ドット表面に付着可能な官能基� ��あれば特に限定されず、例えば、カルボキ� ��ル基、アミノ基、水酸基、チオール基、ア� ��デヒド基、スルホン酸基、アミド基、スル� ��ンアミド基、リン酸基、ホスフィン基、ホ� ��フィンオキシド基などを挙げることができ� ��。中でも、量子ドットとの親和性が高いこ� ��から、親水基は、カルボキシル基、アミノ� ��、水酸基又はホスフィンオキシド基から選� ��れる1種であることが好ましい。

 親水基含有保護材料のガラス転移温度及び� ��点は、主に、分子量が大きく、主たる成分� ��ある疎水基により左右されると考えられる� ��従って、親水基含有保護材料の疎水基とし� ��、該親水基含有保護材料のガラス転移温度� ��び融点を90℃以上とするような構造を選択� �ることによって、ガラス転移温度及び融点� �90℃以上の耐熱性保護材料を得ることが可能 であると考えられる。
 このような耐熱性を有する疎水基としては� ��例えば、剛直な分子構造を有するもの、立� ��障害を有するもの、多量体等の分子数の大� ��なもの等が挙げられ、具体的には、芳香族� ��を含有する基及びその多量体等が挙げられ� ��。より具体的には、置換基を有していても� ��いフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、� ��ロール基等の芳香族基を含有(これら芳香環 が連結、縮合等する構造も含む)する基等が� �げられる。
 発光層における導電性の確保という観点か� ��は、保護材料は、電荷輸送性を有するもの� ��好ましい。以下、電荷輸送性を有する疎水� ��について、例示する。電荷輸送性を有する� ��水基としては、有機EL素子の発光層におい� �、いわゆるホスト材料として使用可能な化� �物及びその誘導体の残基を挙げることがで� �る。

 具体的には、例えば、テトラフェニルブ� ��ジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体� ��アリールアミン誘導体、オキサジアゾール� ��導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリ� ��ベンゼン誘導体、ジスチリルピラジン誘導� ��、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール� ��導体、カルバゾール誘導体、アントラセン� ��導体、ジナフチルアントラセン誘導体、フ� ��ニルアントラセン誘導体、チオフェン環化� ��物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、� ��リレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、� ��リフマニルアミン誘導体、クマリン誘導体� ��オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダ� ��マー、フェナントロリン類、ベンズイミダ� ��ール誘導体等の残基を挙げることができる� ��また、これらにフルオレン基やスピロ基を� ��入した化合物の残基も用いることができる� ��

 より具体的には、例えば、トリフェニルア� ��ン誘導体としては、4,4’,4’’-トリス[2-ナ� ��チル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン( 2-TNATA:Tg=110℃、融点110℃以上)、4,4’,4’’-ト リ(N-カルバゾールイル)トリフェニルアミン(T CTA:Tg=151℃、融点151℃以上)等が挙げられる。� ��リールアミン誘導体としては、ビス(N-(1-ナ� ��チル-N-フェニル)ベンジジン)(α-NPD:Tg=95℃、� ��点95℃以上)等が挙げられる。
 オキサジアゾール誘導体としては、1,3-ビス [2-(2,2’‐ビピリジン‐6‐イル)‐1,3,4‐オキ� ��ジアゾ‐5‐イル]ベンゼン(Bpy-OXD:Tg=102℃、� �点102℃以上)等が挙げられる。ジナフチルア� ��トラセン誘導体としては、3‐tert‐ブチル� �9,10‐ジ(ナフト‐2-イル)アントラセン(TBADN:Tg =130℃、融点130℃以上)等が挙げられる。

 ジスチリルアリーレン誘導体としては、2,2� ��,7,7’-テトラキス(2,2’-ジフェニルビニル)� �ピロ-9,9’‐ビフルオレン(spiro‐DPVBi:Tg=130℃� ��融点130℃以上)等が挙げられる。
 カルバゾール誘導体としては、4,4’-ビス(9- カルバゾールイル)-2,2’-ジメチル-ビフェニ� �(CDBP:Tg=111℃、融点111℃以上)、1,3‐ビス(カル バゾール‐9‐イル)ベンゼン(MCP:Tg=90℃以上、 融点90℃以上)、4,4’‐ビス(カルバゾール‐9� ��イル)‐9,9‐ジメチル‐フルオレン(DMFL-CBP:Tg =131℃、融点131℃以上)、4,4’‐ビス(カルバゾ ール‐9‐イル)‐9,9‐ジ‐トルイル‐フルオ� ��ン(DPFL-CBP:Tg=158℃、融点158℃以上)、2,7‐ビ� �(9‐カルバゾールイル)‐9,9‐スピロビフル� �レン(Spiro-2CBP:Tg=174℃、融点174℃以上)等が挙� ��られる。

 ベンズイミダゾール誘導体としては、2,2� ��,2’’‐(1,3,5‐ベンゼントリイル)-トリス(1� ��フェニル‐1‐H‐ベンズイミダゾール)(TPBi:T g=122℃以上、融点122℃以上)が挙げられる。

 また、以下のような金属錯体の残基も上記� ��水基とすることができる。例えば、アルミ� ��ウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノー� ��ベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛� ��体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチ� ��亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロ� ��ウム錯体、イリジウム金属錯体、プラチナ� ��属錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be、Ir、Pt等 、またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配 位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、 フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾ ール、キノリン構造等を有する金属錯体等を 挙げることができる。
 具体的には、アルミニウムキノリノール錯� ��として、トリス(8-キノリノール)アルミニウ ム錯体(Alq ₃ :Tg=約183℃、融点183℃以上)、ビス(2-メチル-8-� ��ノリラト)(p-フェニルフェノラート)アルミ� �ウム錯体(BAlq:Tg=90℃以上、融点90℃以上)等を 挙げることができる。

 さらには、以下のような高分子化合物の� ��基もまた、上記疎水基とすることができる� ��例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導� ��、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニ� ��ン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチ� ��ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ� ��ルオレノン誘導体、ポリフルオレン誘導体� ��ポリキノキサリン誘導体、ポリジアルキル� ��ルオレン誘導体、およびそれらの共重合体� ��を挙げることができる。また、疎水基とし� ��上記列挙した各化合物を高分子化したもの� ��挙げられる。

 中でも、上記疎水基として、4,4’,4’’-� ��リス[2-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェ� ��ルアミン、4,4’,4’’-トリ[N-カルバゾール� ��ル]トリフェニルアミン、ビス(N-(1-ナフチル -N-フェニル)ベンジジン)、1,3-ビス[2-(2,2’‐� �ピリジン‐6‐イル)‐1,3,4‐オキサジアゾ‐5 ‐イル]ベンゼン、3‐tert‐ブチル‐9,10‐ジ(� ��フト‐2-イル)アントラセン、2,2’,7,7’-テ� �ラキス(2,2’-ジフェニルビニル)スピロ-9,9’� ��ビフルオレン、1,3‐ビス(カルバゾール‐9� �イル)ベンゼン、4,4’-ビス(9-カルバゾールイ ル)-2,2’-ジメチル-ビフェニル、4,4’‐ビス(� ��ルバゾール‐9‐イル)‐9,9‐ジメチル‐フ� �オレン、4,4’‐ビス(カルバゾール‐9‐イル )‐9,9‐ジ‐トルイル‐フルオレン、2,7‐ビ� �(9‐カルバゾールイル)‐9,9‐スピロビフル� �レン、2,2’,2’’‐(1,3,5‐ベンゼントリイル )-トリス(1‐フェニル‐1‐H‐ベンズイミダゾ ール)、トリス(8-キノリノール)アルミニウム� ��体、ビス(2-メチル-8-キノリラト)(p-フェニル フェノラート)アルミニウム錯体及びこれら� �誘導体から選ばれる少なくとも1種の残基を� ��する親水基含有保護材料が好ましい。

 また、本発明においては、1分子中に親水基 を1残基以上及び疎水基を有し、該疎水基と� �て以下のような有機化合物の残基を有する� �護材料が、量子ドット表面に付着していて� �よい。
 すなわち、下記に挙げるような蛍光発光又� ��燐光発光する、いわゆるドーパントの残基� ��疎水基として有する有機化合物が量子ドッ� ��の表面に付着していてもよい。例えば、蛍� ��発光を示すものとして、ペリレン誘導体、� ��マリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリ� ��ン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィ� ��ン誘導体、スチリル色素、テトラセン誘導� ��、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェ� ��キサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾ� ��ル誘導体、フルオレン誘導体等の残基を挙� ��ることができる。具体的には、2,5,8,11‐テ� �ラ‐tert‐ブチルペリレン(TBPe)、クマリン6、 ナイルレッド、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブ� �ジエン(TPB)等の残基を挙げることができる。

 さらに、燐光系のドーパントである、白金� ��イリジウムなどの重金属イオンを中心に有� ��、燐光を示す有機金属錯体の残基を疎水基� ��して有する有機化合物も保護材料として使� ��することができる。具体的には、Ir(ppy) ₃ 、(ppy) ₂ Ir(acac)、Ir(BQ) ₃ 、(BQ) ₂ Ir(acac)、Ir(THP) ₃ 、(THP) ₂ Ir(acac)、Ir(BO) ₃ 、(BO) ₂ (acac)、Ir(BT) ₃ 、(BT) ₂ Ir(acac)、Ir(BTP) ₃ 、(BTP) ₂ Ir(acac)、FIr ₆ 、PtOEP等の残基を挙げることができる。
 上記ドーパントの残基のうち、90℃以上のTg 及び融点を有するものは、上記耐熱性保護材 料の疎水基としても利用可能である。

 耐熱性保護材料の量子ドット表面への付� ��量は、保護材料による所望の効果が得られ� ��ば特に限定されるものでなく、量子ドット� ��保護材料の種類によって異なるが、通常、� ��子ドットの保護材料として上記耐熱性保護� ��料のみを用いる場合には、耐熱性保護材料� ��量子ドットの表面を最密充填している状態� ��好ましい。耐熱性保護材料と共にその他の� ��護材料を用いる場合には、これら保護材料� ��体で量子ドットの表面を最密充填すること� ��好ましい。

 上記保護材料で保護された量子ドットの製� ��方法は、特に限定されないが、保護材料の� ��子ドット表面への導入容易性、量子ドット� ��粒径の制御性、製造工程の簡便性等の観点� ��ら、液相にて量子ドットの結晶を成長させ� ��液相法が好適である。液相法としては、例� ��ば、共沈法、逆ミセル法、ホットソープ法� ��を挙げることができ、特にホットソープ法� ��好適である。
 ホットソープ法とは、目的とする量子ドッ� ��の前駆体の少なくとも1種を高温に加熱した 分散剤中で熱分解させる結果、開始する反応 により結晶の核生成と結晶成長とを進行させ る方法である。この結晶の核生成及び結晶成 長の過程の反応速度を制御する目的で、目的 とする量子ドットの構成元素に配位力のある 分散剤が液相媒体を構成する必須成分として 使用される。ホットソープ法は、粒径分布の 狭く、且つ、溶液中における分散性に優れた 量子ドットを得ることができる。

 以下、ホットソープ法による量子ドットの� ��造方法について詳しく説明する。
 量子ドット前駆体としては、上述したよう� ��半導体化合物を含む量子ドットを形成する� ��とが可能なものであれば特に限定されない� ��例えば、上記したようなII-VI族半導体化合� �、III-V族半導体化合物を含有する量子ドット を得るためには、該半導体化合物を構成する 原子の供給源となる化合物、例えば、(1)II族� ��び/又はIII族を含有する無機化合物、有機金 属化合物或いは元素金属と、(2)VI族及び/又は V族を含有し、上記II族及び/又はIII族を含有� �る化合物或いは金属元素(1)と反応して上記� �導体化合物を形成できる化合物とを組み合� �せて用いたり、或いは、II族及び/又はIII族� �VI族及び/又はV族とを共に含有する化合物を� ��いることができる。

 具体的には、化合物(2)として、ビス(トリメ チルシリル)セレニド[(TMS) ₂ Se];(トリ-n-オクチルホスフィン)セレニド[TOPSe ]やトリ-n-ブチルホスフィン)セレニド[TBPSe]等 のトリアルキルホスフィンセレニド;(トリ-n-� ��クチルホスフィン)テルリド[TOPTe]やヘキサ� �ロピルホスホラストリアミドテルリド[HPPTTe] 等のトリアルキルホスフィンテルリド;ビス(� ��リメチルシリル)テルリド[(TMS) ₂ Te];ビス(トリメチルシリル)スルフィド[(TMS ₂ S);(トリ-n-オクチルホスフィン)スルフィド[TOP S]等のトリアルキルホスフィンスルフィド;ハ ロゲン化アンモニウム(例えば、NH ₄ Clなど)等のアンモニウム塩;トリス(トリメチ� ��シリル)ホスフィド[(TMS) ₃ P];トリス(トリメチルシリル)アルセニド[(TMS) ₃ As];トリス(トリメチルシリル)アンチモニド[(T MS) ₃ Sb)等が挙げられる。

 上記のような量子ドット前駆体は、上記� ��散剤を含有する液相に溶解可能であること� ��好ましい。このような液相を構成する溶媒� ��しては、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタ� ��、イソオクタン、ノナン、デカン等のアル� ��ン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナ� ��タレン等の芳香族炭化水素、ジフェニルエ� ��テル、ジ(n-オクチル)エーテル等のエーテル 、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロ エタン、モノクロロベンゼン、ジクロロベン ゼン等のハロゲン系炭化水素、n-ヘキシルア� ��ン、n-オクチルアミン、トリ(n-ヘキシル)ア� ��ン、トリ(n-オクチル)アミン等のアミン類、 あるいは後述する分散剤に用いられる化合物 等が挙げられる。これらの中でも、n-ヘキサ� ��、n-ヘプタン、n-オクタン、イソオクタン等 のアルカン類、あるいはトリブチルホスフィ ン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチル ホスフィン等のトリアルキルホスフィン類、 エーテル類が好ましく用いられる。

 分散剤としては、高温液相において量子� ��ットの微結晶に配位して安定化する物質で� ��れば特に限定されるものではないが、例え� ��トリブチルホスフィン、トリヘキシルホス� ��ィン、トリオクチルホスフィン等のトリア� ��キルホスフィン類、トリブチルホスフィン� ��キシド、トリヘキシルホスフィンオキシド� ��トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)、ト� ��デシルホスフィンオキシド等の有機リン化� ��物、オクチルアミン、デシルアミン、ドデ� ��ルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデ� ��ルアミン、オクタデシルアミン等のω-アミ� ��アルカン類、トリ(n-ヘキシル)アミン、トリ (n-オクチル)アミン等の第3級アミン類、ピリ� ��ン、ルチジン、コリジン、キノリン類の含� ��素芳香族化合物等の有機窒素化合物、ジブ� ��ルスルフィド等のジアルキルスルフィド類� ��ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキ� ��ド等のジアルキルスルホキシド類、チオフ� ��ン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化� ��物、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイ� ��酸等の高級脂肪酸、1-アダマンタンカルボ� �酸等が挙げられる。

 これらの中でも、トリブチルホスフィン、� ��リオクチルホスフィン等のトリアルキルホ� ��フィン類、トリブチルホスフィンオキシド� ��トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)等の� ��リアルキルホスフィンオキシド類、ドデシ� ��アミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシ� ��アミン等の炭素数12以上のω-アミノアルカ� �類等の分子構造中に窒素原子又はリン原子� �含む化合物が好ましく用いられる。
 より好ましいものとしては、トリブチルホ� ��フィン、トリオクチルホスフィン等のトリ� ��ルキルホスフィン類、トリブチルホスフィ� ��オキシドやトリオクチルホスフィンオキシ� ��等のトリアルキルホスフィンオキシド類等� ��炭素-リン単結合を有する化合物が挙げられ る。特に、トリオクチルホスフィンオキシド 等のトリアルキルホスフィンオキシド類は好 適に用いられる。
 これらの分散剤は、単独で用いても、必要� ��応じ複数種を混合して使用してもよい。

 さらに、上記分散剤は、適当な有機溶剤( 例えばトルエン、キシレン、ナフタレン等の 芳香族炭化水素、オクタン、デカン、ドデカ ン、オクタデカン等の長鎖アルカン類、ジフ ェニルエーテル、ジ(n-オクチル)エーテル、� �トラヒドロフラン等のエーテル類、ハロゲ� �系炭化水素等)で希釈して使用してもよい。

 分散剤を含有する液相の加熱温度としては� ��上記分散剤および量子ドット前駆体が溶解� ��る温度であれば特に限定されるものではな� ��、圧力条件等によっても異なるものである� ��、通常は150℃以上とする。また、この加熱� ��度は比較的高い方が好ましい。高温に設定� ��ることにより分散剤に注入された量子ドッ� ��前駆体が一斉に分解することで、多数の核� ��一気に生成するために、比較的粒径の小さ� ��量子ドットが得られやすくなり、量子ドッ� ��の粒径制御が容易になるからである。
 また、この加熱した分散剤への量子ドット� ��駆体の注入方法としては、特に限定されな� ��。

 上記量子ドット前駆体を加熱した分散剤� ��注入した後、量子ドットを形成する際の反� ��温度としては、上記分散剤および量子ドッ� ��前駆体が溶融または有機溶媒に溶解する温� ��であり、かつ、結晶成長が起こる温度であ� ��ば特に限定されるものではなく、圧力条件� ��によっても異なるものであるが、通常は150� ��以上とする。

 尚、コアシェル型の量子ドットを得る方法� ��しては、上記ホットソープ法により、まず� ��コアとなる半導体化合物微粒子を調製し、� ��半導体化合物微粒子からなるコアの表面に� ��ホットソープ法によりシェルを形成する方� ��が挙げられる。
 具体的には、分散剤を加熱し、この加熱し� ��分散剤にコア部を形成する半導体化合物微� ��子、及びシェル部の半導体化合物の前駆体� ��注入することによって、コア部がシェル部� ��被覆されたコアシェル型量子ドットを得る� ��とができる。ホットソープ法において使用� ��きる分散剤、溶媒は、上記と同様にするこ� ��ができる。

 コア部を形成する半導体微粒子及びシェル� ��の前駆体の分散剤への注入は、同時に注入� ��ても、コア部微粒子を先に注入してもよい� ��、コア部微粒子を注入した後に、シェル部� ��駆体を徐々に注入することが好ましい。シ� ��ル部前駆体を先に注入したり、一度に大量� ��注入したりすると、シェル部前駆体による� ��生成が起こり、シェル部のみから構成され� ��微粒子が形成される可能性があるからであ� ��。
 上記コア部微粒子及びシェル部前駆体を加� ��した分散剤に注入した後の、コア部をシェ� ��部で被覆する際の反応温度としては、上記� ��散剤及びシェル部前駆体が溶融又は有機溶� ��に溶解する温度であり、且つ、シェル部の� ��成材料の結晶成長が起こる温度であれば特� ��限定されるものではなく、圧力条件等によ� ��ても異なるものであるが、通常は100℃以上� ��する。
 尚、ホットソープ工程は、通常、アルゴン� ��ス、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下で� ��われる。

 ホットソープ法により得られた量子ドッ� ��は、通常、上記分散剤と分離する。分離方� ��としては、例えば遠心分離、浮上分離、泡� ��分離等の沈降分離法、ケークろ過、清澄ろ� ��等のろ過法、圧搾法が挙げられる。

 以上のようにして、得られた量子ドット� ��、その表面に上記ホットソープ法において� ��用した上記分散剤の一部が付着した状態で� ��る。該分散剤として、90℃以上のガラス転� �温度及び融点を有するものを用いた場合、� �分散剤が耐熱性保護材料として機能するた� �、該分散剤が付着した量子ドットはそのま� �使用することができる。

 しかしながら、該分散剤のガラス転位温度� ��び/又は融点が90℃未満である場合には、該� ��散剤を、ガラス転位温度及び融点が90℃以� �の耐熱性保護材料で置換することによって� �本発明のEL素子において使用可能な耐熱性保 護材料で保護された量子ドットを得ることが できる。
 耐熱性保護材料による置換方法としては、� ��に限定されず、例えば、多量の耐熱性保護� ��料と、量子ドットを、不活性ガス雰囲気下� ��、溶媒中、混合しながら加熱することで、� ��子ドットの表面に付着していた分散剤を、� ��量に存在する耐熱性保護材料に置換するこ� ��ができる。置換したい耐熱性保護材料の添� ��量は、特に限定されないが、通常は量子ド� ��トに対して重量比で5倍以上であればよい。 また、加熱時間は通常1~48時間である。

 量子ドットは、TOPO等の一般的な従来の保 護材料で保護されたものが市販品として入手 可能であり、このような市販品の保護材料を 、ガラス転移温度及び融点が90℃以上の耐熱� ��保護材料に置換することにより、耐熱性保� ��材料で保護された量子ドットを得ることも� ��きる。保護材料の置換方法は、上記したよ� ��な方法を採用することができる。

 ここまで、本発明のEL素子に使用される耐� �性保護材料で保護された量子ドットについ� �説明してきたが、以下、本発明のEL素子につ いて、図1~図2を用いて説明する。図1~図2は、 本発明のEL素子の一形態例を示す断面概略図� ��ある。
 図1及び図2において、EL素子1は、基板2上に� ��第一電極3と、発光層4を含むEL層6と、第一� �極3の対極である第二電極7がこの順に積層さ れた積層構造を有するものである。

 ここで、後にも述べるように、EL層6は、少� ��くとも発光層4を含めば、発光層4のみの単� �構造であっても、複数の層からなる積層構� �を有する(図1及び図2参照)ものであってもよ� ��。また、本発明のEL素子は、電極及びEL層以 外の層を備えていてもよい。
 以下、EL素子の各構成について説明する。

 (基板)
 基板2は、第一電極3以降の各層、すなわち� �図1及び図2においては、第一電極3、EL層6及� �第二電極7を支持するものである。基板は、� ��板2側から発光によって生じた光を取り出す 場合には透明性を有することが好ましいが、 第二電極7側から光を取り出す場合には、必� �しも透明性を有する必要はない。

 透明性を有する基板としては、例えば、� ��ーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アル� ��リガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケ� ��酸ガラス、シリカガラス等のガラス基板;フ ィルム状に成形が可能な樹脂基板;などを用� �ることができる。

 樹脂基板に用いられる樹脂としては、耐� ��剤性及び耐熱性の比較的高いものであるこ� ��が好ましい。具体的には、フッ素系樹脂、� ��リエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ� ��ル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ABS� ��脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエ� ��テル、ポリカーボネート、変性ポリフェニ� ��ンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレー� ��、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサル� ��ォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポ� ��フェニレンスルフィド、液晶性ポリエステ� ��、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチ� ��ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレ� ��ト、ポリミクロイキシレンジメチレンテレ� ��タレート、ポリオキシメチレン、ポリエー� ��ルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン� ��ポリアクリレート、アクリロニトリル-スチ レン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラ ミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキ シ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非 晶質ポリオレフィン等が挙げられる。また、 これらの共重合体を用いることもできる。さ らに必要に応じて、水分や酸素等のガスを遮 断するガスバリア性を有する基板を用いても よい。

 基板2の厚みとしては、基板2を構成する� �料やEL素子の用途により、それぞれ適切に選 択されることが好ましいが、0.005mm~5mm程度で� ��る。

 (電極)
 基板上に設けられる一対の電極(第一電極3� �び第二電極7)は、基板2側に設けられる電極(� ��一電極)が陽極であっても陰極であってもよ いが、一般に、EL素子を作製する際には、陽� ��側から積層する方が安定してEL素子を作製� �ることができるため、基板2側に形成される� ��一電極3が陽極であることが好ましい。
 第一電極及び第二電極のうち、光の取出し� ��側となる電極は透明である必要がある。一� ��、光の取出し面と反対側の電極は、透明で� ��ってもなくてもよい。
 また、第一電極及び第二電極は抵抗が小さ� ��ことが好ましく、一般には導電性材料であ� ��金属材料が用いられるが、有機化合物又は� ��機化合物を用いてもよい。

 陽極に用いられる材料としては、正孔が� ��入しやすいように仕事関数の大きい導電性� ��料を用いることが好ましい。例えば、Au、Ta 、W、Pt、Ni、Pd、Cr、Cu、Mo、アルカリ金属、� �ルカリ土類金属等の金属;これらの金属の酸� ��物;AlLi、AlCa、AlMg等のAl合金、MgAg等のMg合金� ��Ni合金、Cr合金、アルカリ金属の合金、アル カリ土類金属の合金等の合金;酸化インジウ� �錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛( ZnO)、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ド� ��プされたポリチオフェン、ポリアニリン、� ��リアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘� ��体、ポリシラン誘導体等の導電性高分子;α- Si、α-SiC;などが挙げられる。これらの導電性 材料は、単独で用いても、2種類以上を組み� �わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場� ��には、各材料からなる層を積層してもよい� ��

 陰極に用いられる材料としては、電子が� ��入しやすいように仕事関数の小さい導電性� ��料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等 のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアル ミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカ� �金属類およびアルカリ土類金属類の合金な� �が挙げられる。

 第一電極及び第二電極の成膜方法として� ��、一般的な電極の形成方法を用いることが� ��き、例えば真空蒸着法、スパッタリング法� ��EB蒸着法、イオンプレーティング法等の物� �的蒸着(PVD)法、あるいは、化学的蒸着(CVD)法� ��どを挙げることができる。また、第一電極� ��び第二電極のパターニング方法としては、� ��望のパターンに精度よく形成することがで� ��る方法であれば特に限定されるものではな� ��が、具体的にはフォトリソグラフィー法等� ��挙げることができる。

 (EL層)
 EL層は、少なくとも発光層を含むものであ� �。
 EL層6は、発光層4(量子ドット含有層)単独で� ��成され得るが、電子や正孔の注入性、輸送� ��を向上させる目的で、発光層に加えて、正� ��注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸� ��層等の種々の層を積層した積層構造とする� ��ともできる。これらEL層を構成する各層は� �一層で複数の機能を併せ持つ層とすること� �できる。例えば、正孔輸送層と正孔注入層� �機能を併せ持つ正孔注入輸送層や、電子輸� �層と電子注入層の機能を併せ持つ電子注入� �送層とすることができる。或いは、発光層� �電子輸送層の機能を付与したり、発光層に� �孔輸送層の機能を付与することもできる。

 その他、EL層内に形成される層としては� �キャリアブロック層のような正孔又は電子� �突き抜けを防止し、さらに励起子の拡散を� �止して発光層内に励起子を閉じ込めること� �より、再結合効率を高めるための層等を挙� �ることができる。

 EL層の具体的な積層構造としては、特に� �定されず、発光層と上記したような各層と� �適宜積層することができる。例えば、陽極� �から順に、正孔輸送層5/発光層4(図1(a)参照)� �正孔輸送層5/発光層4/電子注入層8(図2参照)、 正孔注入層/正孔輸送層/発光層、正孔注入層/ 正孔輸送層/発光層/電子輸送層、正孔注入層/ 正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送 層、が積層したような積層構造が挙げられる 。

 以下に、発光層、正孔注入層、正孔輸送層� ��電子輸送層、電子注入層の各層について説� ��する。
 (1)発光層
 発光層4は、特定の保護材料(耐熱性保護材� �)4bで保護された量子ドット4aを含有し、電子 と正孔との再結合の場を提供して発光する機 能を有するものである(図1(b))。発光層におい て、電子と正孔が再結合する位置は特に限定 されず、量子ドットであってもよいし、量子 ドットの保護材料であってもよいし、量子ド ット及び保護材料以外の発光層構成材料(バ� �ンダー成分等)であってもよい。

 発光層としては、青色、緑色、黄色、橙� ��、赤色等の単色発光するものであってもよ� ��、複数色の混色により白色発光するもので� ��ってもよく、三原色の発光パターンが配列� ��れたものであってもよい。白色発光は、複� ��の発光体からの発光の重ねあわせにより得� ��ことができる。白色発光する発光層は、例� ��ば、所定のピーク波長を有する2種類の発光 体の2色発光の重ねあわせにより白色発光を� �るものであってもよく、所定のピーク波長� �有する3種類の発光体の3色発光の重ねあわせ により白色発光を得るものであってもよい。

 量子ドット及びその保護材料については既� ��したため、ここでは説明を省略する。
 本発明において、発光層に含有される発光� ��料としては、量子ドット以外の材料、例え� ��、有機EL素子において使用されているよう� �発光材料を、量子ドットと併用してもよい� �具体的には、以下のような、色素系発光材� �、金属錯体系発光材料、高分子系発光材料� �挙げることができる。

 色素系発光材料としては、シクロペンタ� ��エン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘� ��体、トリフェニルアミン誘導体、アリール� ��ミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピ� ��ゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン� ��導体、ジスチリルピラジン誘導体、ジスチ� ��ルアリーレン誘導体、シロール誘導体、カ� ��バゾール誘導体、チオフェン環化合物、ピ� ��ジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン� ��導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマ� ��ルアミン誘導体、クマリン誘導体、オキサ� ��アゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、� ��ェナントロリン類等を挙げることができる� ��

 具体的に、トリフェニルアミン誘導体とし� ��は、N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-N,N’-ビ� �-(フェニル)-ベンジジン(TPD)、4,4,4-トリス(3-� �チルフェニルフェニルアミノ)トリフェニル� ��ミン(MTDATA)、4,4’,4’’-トリス[2-ナフチル(� ��ェニル)アミノ]トリフェニルアミン(2-TNATA)� �4,4’,4’’-トリ(N-カルバゾールイル)トリフ� ��ニルアミン(TCTA)等が挙げられる。
 アリールアミン誘導体としては、ビス(N-(1-� ��フチル-N-フェニル)ベンジジン)(α-NPD)等が挙 げられる。オキサジアゾール誘導体としては 、(2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル )-1,3,4-オキサジアゾール)(PBD)、1,3-ビス[2-(2,2� �‐ビピリジン‐6‐イル)‐1,3,4‐オキサジア� ��‐5‐イル]ベンゼン(Bpy-OXD)等が挙げられる� �
 ジナフチルアントラセン誘導体としては、3 ‐tert‐ブチル‐9,10‐ジ(ナフト‐2-イル)アン トラセン(TBADN)、9,10-ジ-2-ナフチルアントラセ ン(DNA)等が挙げられる。

 ジスチリルアリーレン誘導体としては、2,2� ��,7,7’-テトラキス(2,2’-ジフェニルビニル)� �ピロ-9,9’‐ビフルオレン(spiro‐DPVBi)、1,4-ビ ス(2,2-ジフェニルビニル)ベンゼン(DPVBi)等が� �げられる。
 カルバゾール誘導体としては、4,4-N,N’-ジ� �ルバゾール-ビフェニル(CBP)、4,4’-ビス(9-カ� ��バゾールイル)-2,2’-ジメチル-ビフェニル(CD BP)、1,3‐ビス(カルバゾール‐9‐イル)ベンゼ ン(MCP)、4,4’‐ビス(カルバゾール‐9‐イル)� ��9,9‐ジメチル‐フルオレン(DMFL-CBP)、4,4’‐ ビス(カルバゾール‐9‐イル)‐9,9‐ジ‐トル イル‐フルオレン(DPFL-CBP)、2,7‐ビス(9‐カル バゾールイル)‐9,9‐スピロビフルオレン(Spir o-2CBP)等が挙げられる。
 フェナントロリン類としては、バソキュプ� ��イン(BCP)、バソフェナントロリン(BPhen)等が� ��げられる。ベンズイミダゾール誘導体とし� ��は、2,2’,2’’‐(1,3,5‐ベンゼントリイル)- トリス(1‐フェニル‐1‐H‐ベンズイミダゾ� �ル)(TPBi)が挙げられる。
 これらの材料は単独で用いてもよく2種以上 を併用してもよい。

 金属錯体系発光材料としては、アルミニ� ��ムキノリノール錯体、ベンゾキノリノール� ��リリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯� ��、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル� ��鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピ� ��ム錯体、イリジウム金属錯体、プラチナ金� ��錯体等、中心金属に、Al、Zn、Be、Ir、Pt等、 またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位 子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フ ェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾー ル、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙 げることができる。

 具体的には、トリス(8-キノリノール)アルミ ニウム錯体(Alq ₃ )、ビス(2-メチル-8-キノリラト)(p-フェニルフ� ��ノラート)アルミニウム錯体(BAlq)、トリ(ジ� �ンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピ� ��ム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリ� �ム錯体(Bebq)等を挙げることができる。これ� �の材料は単独で用いてもよく2種以上を併用� ��てもよい。

 高分子系発光材料としては、ポリパラフ� ��ニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘� ��体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラ� ��誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニ� ��カルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、� ��リフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘� ��体、ポリジアルキルフルオレン誘導体、お� ��びそれらの共重合体等を挙げることができ� ��。また、上記色素系発光材料および金属錯� ��系発光材料を高分子化したものも挙げられ� ��。

 上記したような色素系発光材料、金属錯体� ��発光材料及び高分子系発光材料(ホスト材料 )は、量子ドットを含有する発光層4において� ��バインダー成分4Cとして作用し、発光層と� �接する層から電子、正孔を受け取り、再結� �する場として機能する(図1(b))。
 本発明の主目的である、高温条件下におけ� ��量子ドットの凝集の抑制を、より確実に達� ��するためには、発光層を構成するバインダ� ��成分が、90℃以上、特に110℃以上、さらに� �130℃以上のガラス転位温度及び融点を有す� �ことが好ましい。このような高温条件下に� �いても軟化しにくいバインダー成分を用い� �ことによって、高温条件下における量子ド� �トの移動が抑制され、その結果、発光層に� �ける量子ドットの凝集を防止することがで� �る。

 90℃以上のガラス転位温度及び90℃以上の融 点を有するバインダー成分(ホスト材料)とし� ��は、例えば、4’,4’’-トリス[2-ナフチル(� �ェニル)アミノ]トリフェニルアミン(2-TNATA)、 4,4’,4’’-トリ[N-カルバゾールイル]トリフ� �ニルアミン(TCTA)、ビス(N-(1-ナフチル-N-フェ� �ル)ベンジジン)(α-NPD)、1,3-ビス[2-(2,2’‐ビ� �リジン‐6‐イル)‐1,3,4‐オキサジアゾ‐5‐ イル]ベンゼン(Bpy‐OXD)、3‐tert‐ブチル‐9,10 ‐ジ(ナフト‐2-イル)アントラセン(TBADN)、2,2� ��,7,7’-テトラキス(2,2’-ジフェニルビニル)� �ピロ-9,9’‐ビフルオレン(spiro‐DPVBi)、1,3‐� ��ス(カルバゾール‐9‐イル)ベンゼン(MCP)、4, 4’-ビス(9-カルバゾールイル)-2,2’-ジメチル- ビフェニル(CDBP)、4,4’‐ビス(カルバゾール� �9‐イル)‐9,9‐ジメチル‐フルオレン(DMFL-CBP )、4,4’‐ビス(カルバゾール‐9‐イル)‐9,9� �ジ‐トルイル‐フルオレン(DPFL-CBP)、2,2’,2� �’‐(1,3,5‐ベンゼントリイル)-トリス(1‐フ� ��ニル‐1‐H‐ベンズイミダゾール)(TPBi)、2,7� ��ビス(9‐カルバゾールイル)‐9,9‐スピロビ� ��ルオレン(Spiro-2CBP)、トリス(8-キノリノール) アルミニウム錯体(Alq ₃ )、及び、ビス(2-メチル-8-キノリラト)(p-フェ� ��ルフェノラート)アルミニウム錯体(BAlq)及び これらの誘導体から選ばれる少なくとも1種� �挙げられる。

 また、発光層は、上記のような発光材料� ��外にも、例えば、ポリカーボネート、ポリ� ��チレン、ポリアリレート、ポリエステル等� ��バインダー樹脂や、エポキシ樹脂、フェノ� ��ル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂� ��ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂等の熱又� ��光により硬化する硬化性樹脂等を、バイン� ��ー成分として含有していてもよい。これら� ��脂を発光層に含有させる場合、量子ドット� ��凝集抑制の観点から、90℃以上のガラス転� �温度及び90℃以上の融点を有するものを選択 することが好ましい。

 同様の観点から、さらに、発光層を構成� ��る材料の全てが、ガラス転位温度及び融点� ��90℃以上、特に110℃以上、さらには130℃以� �であることが好ましい。発光層全体を、90℃ 以上のような高温条件においても軟化しない 構成とすることによって、さらにより確実に 量子ドットの凝集を抑制することが可能であ るからである。

 発光層中には、発光効率の向上、発光波� ��を変化させる等の目的で、上記発光材料と� ��に、蛍光発光又は燐光発光するドーパント� ��添加されていてもよい。このようなドーパ� ��トとしては、例えば、ペリレン誘導体、ク� ��リン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリド� ��誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリ� ��誘導体、スチリル色素、テトラセン誘導体� ��ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノ� ��サゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾー� ��誘導体、フルオレン誘導体等を挙げること� ��できる。具体的には、2,5,8,11‐テトラ‐tert� ��ブチルペリレン(TBPe)、クマリン6、ナイルレ ッド、1,4-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ベンゼ� �(DPVBi)、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエン (TPB)等を挙げることができる。

 さらに、燐光系のドーパントとして、白金� ��イリジウムなどの重金属イオンを中心に有� ��、燐光を示す有機金属錯体を使用すること� ��できる。具体的には、Ir(ppy) ₃ 、(ppy) ₂ Ir(acac)、Ir(BQ) ₃ 、(BQ) ₂ Ir(acac)、Ir(THP) ₃ 、(THP) ₂ Ir(acac)、Ir(BO) ₃ 、(BO) ₂ (acac)、Ir(BT) ₃ 、(BT) ₂ Ir(acac)、Ir(BTP) ₃ 、(BTP) ₂ Ir(acac)、FIr ₆ 、PtOEP等を用いることができる。

 発光層の厚みとしては、電子と正孔との� ��結合の場を提供して発光する機能を発現す� ��ことができる厚みであれば特に限定されな� ��、例えば1nm~200nm程度とすることができる。

 発光層を形成する方法としては、EL素子に� �求される微細なパターンの形成が可能な方� �であれば特に限定されるものではない。例� �ば蒸着法、印刷法、インクジェット法、ス� �ンコート法、キャスティング法、ディッピ� �グ法、バーコート法、ブレードコート法、� �ールコート法、グラビアコート法、フレキ� �印刷法、スプレーコート法、もしくは自己� �織化法(交互吸着法、自己組織化単分子膜法) 等を挙げることができる。中でも、蒸着法、 スピンコート法、インクジェット法を用いる ことが好ましい。
 蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、ス� ��ッタリング法、イオンプレーティング法等� ��挙げられ、真空蒸着法の具体例としては、� ��抗加熱蒸着法、フラッシュ蒸着法、アーク� ��着法、レーザー蒸着法、高周波加熱蒸着法� ��電子ビーム蒸着法等が挙げられる。
 スピンコート法やインクジェット法等の塗� ��液の塗布により発光層を形成する場合、塗� ��液の溶媒としては、発光層の各構成材料を� ��解又は分散させることができれば特に限定� ��れず、例えば、トルエン、キシレン、シク� ��ヘキサノン、シクロヘキサノール、テトラ� ��ン、メシチレン、塩化メチレン、テトラヒ� ��ロフラン、ジクロロエタン、クロロホルム� ��を挙げることができる。

 EL素子を用いて、フルカラー表示若しくは� �ルチカラー表示のディスプレイを作製する� �には、異なる色を発光する発光層を微細な� �状に形成した上、所定の配列で並べる必要� �あることから、発光層のパターニングを要� �ることがある。発光層のパターニングは、� �なる発光色ごとに、マスキング法により塗� �分けや蒸着を行なうか、印刷法若しくはイ� �クジェット法によって行えばよい。
 配列した発光層間には隔壁を有していても� ��い。隔壁があると、インクジェット法等に� ��って発光層を形成する際に、蛍光体が隣接� ��た区域に広がらない利点が生じる。隔壁自� ��は、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹� ��等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、� ��よび無機材料等で形成できる。また、隔壁� ��形成する材料の表面エネルギー(濡れ性)を� �化させる処理が行なわれてもよい。

 (2)正孔注入層
 陽極と発光層の間、或いは、陽極と正孔輸� ��層の間には、正孔注入層が形成されていて� ��よい。正孔注入層の構成材料としては、発� ��層内への電子の注入を安定化させることが� ��きる正孔注入性材料であれば特に限定され� ��ものではない。正孔注入性材料としては、� ��えば、アリールアミン誘導体、ポルフィリ� ��誘導体、フタロシアニン誘導体、カルバゾ� ��ル誘導体、さらにはポリアニリン誘導体、� ��リチオフェン誘導体、ポリフェニレンビニ� ��ン誘導体等の導電性高分子などを挙げるこ� ��ができる。

 具体的には、アリールアミン誘導体とし� ��は、ビス(N-(1-ナフチル-N-フェニル)ベンジジ ン(α-NPD)等が挙げられ、トリフェニルアミン� ��導体としては、N,N’-ビス-(3-メチルフェニ� �)-N,N´-ビス-(フェニル)-ベンジジン(TPD)、コポ リ[3,3’-ヒドロキシ-テトラフェニルベンジジ ン/ジエチレングリコール]カーボネート(PC-TPD -DEG)、4,4,4-トリス(3-メチルフェニルフェニル� ��ミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げら� ��る。カルバゾール誘導体としては、ポリビ� ��ルカルバゾール(PVK)等が挙げられ、ポリチ� �フェン誘導体としてはポリ(3,4-エチレンジオ キシチオフェン)-ポリスチレンスルホン酸(PED OT-PSS)等が挙げられる。

 上記のポルフィリン誘導体およびアリール� ��ミン誘導体等は、ルイス酸や四フッ化テト� ��シアノキノジメタン(F4-TCNQ)、塩化鉄、バナ� ��ウムやモリブデンなど無機の酸化物などが� ��合されていてもよい。
 さらに、正孔注入層には、金属酸化物、炭� ��物などの無機材料を用いることもできる。� ��えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、� ��化ルテニウム、酸化アルミニウムおよび酸� ��チタン等の金属酸化物;アモルファスカーボ ン、C60、カーボンナノチューブ等の炭化物が 挙げられる。

 また、正孔注入層には、電極との結合基を� ��つ材料を用いることもできる。電極との結� ��基をもつ材料としては、リン酸化合物、カ� ��ボン酸化合物、スルホン酸化合物、シラン� ��ップリング剤等を挙げることができる。具� ��的には、4-(トリフルオロメチル)ベンゼンス ルホニルクロリド、4‐クロロフェニルホス� �ロジクロリダート、9-フルオレニルメチルク ロロホーメート等が挙げられる。
 正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能� ��十分に発揮される厚みであれば特に限定さ� ��るものではない。また、正孔注入層の形成� ��法としては、例えば蒸着法、印刷法、イン� ��ジェット法、スピンコート法、キャスティ� ��グ法、ディッピング法、バーコート法、ブ� ��ードコート法、ロールコート法、グラビア� ��ート法、フレキソ印刷法、スプレーコート� ��、もしくは自己組織化法(交互吸着法、自己 組織化単分子膜法)等を挙げることができる� �これに限定されない。中でも、蒸着法、ス� �ンコート法、もしくはインクジェット法を� �いることが好ましい。

 (3)正孔輸送層
 陽極と発光層の間、或いは、正孔輸送層と� ��光層の間には、正孔輸送層が形成されてい� ��もよい。正孔輸送層の構成材料としては、� ��光層内への電子の輸送を安定化させること� ��できる正孔輸送性材料であれば特に限定さ� ��るものではない。
 中でも、正孔輸送性材料は、正孔移動度が� ��いものであることが好ましい。さらに、正� ��輸送性材料は、陰極から移動してきた電子� ��突き抜けを防止することが可能なもの(電子 ブロック性材料)であることが好ましい。こ� �により、発光層内での正孔及び電子の再結� �効率を高めることができるからである。

 このような正孔輸送性材料としては、例� ��ば、アリールアミン誘導体、アントラセン� ��導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘� ��体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼ� ��誘導体、スピロ化合物等を挙げることがで� ��る。

 アリールアミン誘導体の具体例としては、� ��ス(N-(1-ナフチル-N-フェニル)-ベンジジン(α-N PD)等が挙げられ、トリフェニルアミン誘導体 の具体例としては、コポリ[3,3’-ヒドロキシ- テトラフェニルベンジジン/ジエチレングリ� �ール]カーボネート(PC-TPD-DEG)、N,N’-ビス-(3-� �チルフェニル)-N,N’-ビス-(フェニル)-ベンジ� ��ン(TPD)、4,4,4-トリス(3-メチルフェニルフェ� �ルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)等を挙� �ることができる。
 アントラセン誘導体の具体例としては、ポ� ��[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co- (9,10-アントラセン)]、9,10-ジ-2-ナフチルアン� �ラセン(DNA)等を挙げることができる。

 カルバゾール誘導体の具体例としては、ポ� ��ビニルカルバゾール(PVK)、4,4-N,N’-ジカルバ ゾール-ビフェニル(CBP)等を挙げることができ る。
 ジスチリルアリーレン誘導体の具体例とし� ��は、1,4-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ベンゼン (DPVBi)等を挙げることができる。
 チオフェン誘導体の具体例としては、ポリ[ (9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(� �チオフェン)]等を挙げることができる。

 フルオレン誘導体の具体例としては、ポリ[ (9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(4, 4’-(N-(4-sec-ブチルフェニル))ジフェニルアミ� ��)](TFB)等を挙げることができる。
 スピロ化合物の具体例としては、ポリ[(9,9-� ��オクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-alt-co-(9,9� ��-スピロ-ビフルオレン-2,7-ジイル)]等を挙げ� ��ことができる。
 これらの材料は単独で用いてもよく2種以上 を併用してもよい。

 (4)電子輸送層
 発光層と陰極の間、或いは、発光層と電子� ��入層の間には、電子輸送層が形成されてい� ��もよい。電子輸送層の構成材料としては、� ��極から注入された電子を発光層内へ輸送す� ��ことが可能な電子輸送性材料であれば特に� ��定されるものではない。中でも、電子輸送� ��材料は、電子移動度が高いものであること� ��好ましい。さらに、電子輸送性材料は、正� ��から移動してきた正孔の突き抜けを防止す� ��ことが可能なもの(正孔ブロック性材料)で� �ることが好ましい。これにより、発光層内� �の正孔および電子の再結合効率を高めるこ� �ができるからである。

 電子輸送性材料としては、例えば、オキサ� ��アゾール類、トリアゾール類、フェナント� ��リン類、シロール誘導体、シクロペンタジ� ��ン誘導体、アルミニウム錯体等を挙げるこ� ��ができる。具体的には、オキサジアゾール� ��導体としては(2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブ� ��ルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール)(PBD)等� �挙げられ、フェナントロリン類としてはバ� �キュプロイン(BCP)、バソフェナントロリン(BP hen)等が挙げられ、アルミニウム錯体として� �トリス(8-キノリノール)アルミニウム錯体(Alq ₃ )、ビス(2-メチル-8-キノリラト)(p-フェニルフ� ��ノラート)アルミニウム錯体(BAlq)等が挙げら れる。

 電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機� ��が十分に発揮される厚みであれば特に限定� ��れるものではない。また、電子輸送層の形� ��方法としては、蒸着法を用いることができ� ��。

 (5)電子注入層
 発光層と陰極の間、或いは、電子輸送層と� ��極の間には、電子注入層が形成されていて� ��よい。電子注入層の構成材料は、発光層内� ��の電子の注入を安定化させることができる� ��子注入性材料であれば特に限定されるもの� ��はない。

 例えば、アルミニウム、ストロンチウム� ��カルシウム、リチウム、セシウム、酸化マ� ��ネシウム、酸化アルミニウム、酸化ストロ� ��チウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、� ��ッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム� ��フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ� ��セシウム、ポリメチルメタクリレートポリ� ��チレンスルホン酸ナトリウム等のようなア� ��カリ金属又はアルカリ土類金属、アルカリ� ��属又はアルカリ土類金属の酸化物、アルカ� ��金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、ア� ��カリ金属の有機錯体等を挙げることができ� ��。中でも、アルカリ土類金属のフッ化物を� ��いることが好ましい。アルカリ土類金属の� ��ッ化物は、有機EL層の安定性および寿命を� �上させることができるからである。

 電子注入層の厚みとしては、電子注入機� ��が十分に発揮される厚みであれば特に限定� ��れるものではない。また、電子注入層の形� ��方法としては、蒸着法を用いることができ� ��。

 以上、EL層を構成する層として、発光層� �正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び� �子輸送層について説明したが、EL層はこれら 層以外の種々の機能を備えていてもよい。