elektronischen Struktur

Verschiedene Ausführungsformen betreffen eine elektronische Struktur sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen elektronischen Struktur.

Elektronische Strukturen, welche eine leitfähige

Schichtstruktur aufweisen sind bekannt. Eine leitfähige

Schichtstruktur dient beispielsweise als Kathodenkontakt in transparenten OLED (organische Licht-emittierende Diode) Bauteilen. Für eine derartige Anwendung benötigt man

üblicherweise zwei transparente Elektroden beispielsweise eine transparente ITO ( Indiumzinnoxid) -Anode zur

Lochinjektion und einer transparenten Ag ( Silber) -Kathode zur Elektroneninjektion. Es ist bekannt, die Ag-Kathode

beispielsweise mittels PVD (physical vapor deposition) als

Ag-Film auf organische Elektron-Transport-Schichten thermisch aufzudampfen .

Das Wachstum von dünnen Metallfilmen kann gemäß N. Kaiser et al., Applied Optics, Vol. 41, Issue 16, pp . 3053-3060 (2002), über die Ausbildung von Keimen sowie über das

Wachstumsverhalten charakterisiert werden. Hierbei werden in Abhängigkeit der interatomaren Wechselwirkungen zwischen Oberflächenatomen auf der Grenzfläche einer mit einem

Metallfilm zu beschichtenden Oberflächenspezies und so genannten Adatomen, den sukzessiv angelagerten Atomen des Metallfilms auf den Oberflächenatomen der zu beschichtenden Oberfläche in erster Näherung zwischen drei Wachstumsmodellen unterschieden : Gemäß dem Frank-van-der-Merwe-Modell (Schichtwachstum) wachsen neue Schichten homogen Monolage für Monolage auf einer Oberfläche auf. Die interatomare

Wechselwirkung zwischen Oberflächenatomen und Adatomen ist größer als die Wechselwirkung zwischen benachbarten Adatomen. Eine Oberfläche, die diese Bedingung erfüllt, ist ein guter so genannter Adhäsionsvermittler für ein gegebenes Adatom.

Gemäß dem Volmer-Weber-Modell (Inselwachstum) wachsen die Adatome inselartig auf. Die interatomare

Wechselwirkung zwischen benachbarten Adatomen ist größer als zwischen Adatomen und Oberflächenatomen.

Gemäß dem Stranski-Krastanow-Modell (Schichtwachstum und Inselwachstum) ist die interatomare Wechselwirkung zwischen den Oberflächenatomen und den Adatomen und damit die Adhäsion auf der ersten Monolage der Adatome zunächst höher als auf der reinen Oberfläche. Dadurch bildet sich anfänglich mindestens eine vollständig geschlossene Monolage. Ab einer kritischen Schichtdicke erfolgt ein inselartiges Wachstum in die Höhe, da die interatomare Wechselwirkung zwischen den benachbarten Adatomen mit der Schichtdicke des Metallfilms zunimmt.

Die drei Wachstumsmodelle können in erster Näherung

thermodynamisch über das Zusammenspiel zwischen Kontaktwinkel und Oberflächenenergien mittels der so genannten Young- Gleichung beschrieben werden.

Hierbei steht γ _Β für die Oberflächenenergie der zu

beschichtenden Oberflächenspezies, γ _Α steht für die

Oberflächenenergie des aufzutragenden Metallfilms, γ* für die Grenzflächenenergie zwischen der zu beschichtenden Oberfläche und der Metallfilmoberfläche und φ bezeichnet den

Kontaktwinkel zwischen γ _Α und γ* .

Für das Frank-van-der-Merwe-Modell gilt für jede Lage φ = 0 und somit

Für das Volmer-Weber-Modell gilt für jede Lage

(homoepitaktische Systeme) φ > 0 und somit

Für das Stransky-Krastanow-Modell gilt zunächst φ = 0 und damit und schließlich ab einer kritischen Lage, wenn mit

zunehmender Schichtdicke auch die Grenzflächenenergie γ* zunimmt, φ > 0 und damit Es ist bekannt, dass Metallfilme in heteroepitaktischen

Systemen grundsätzlich inselartig gemäß dem Volmer-Weber- Modell auf Oberflächen aufwachsen.

Derartige Inseln der Adatome auf der Oberfläche sind zunächst transparent für Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich sowie im Infrarotbereich. Ab Erreichen der so genannten

Perkolations-Schichtdicke, somit der Schichtdicke, bei welcher die Inseln derart gewachsen sind, dass sie einander berühren, bilden die Metallfilme kontinuierliche

Schichtstrukturen. Dieser Prozess wird auch als Koaleszenz bezeichnet. Die Schichtstrukturen der Metallfilme sind zunächst für Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich transparent und reflektieren im Infrarotbereich. Mit

zunehmender Schichtdicke wird jedoch auch die Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich reflektiert, die Transparenz des Metallfilms nimmt daher mit zunehmender Schichtdicke deutlich ab.

Bestehen zwischen den benachbarten Adatomen ausgeprägte interatomare Wechselwirkungen, wird das Inselwachstum noch zusätzlich durch intrinsische thermische Diffusion

begünstigt. Derartige thermische Diffusionsprozesse können mittels der Arrheniusgleichung beschrieben werden.

D = Do * exp ^[ - ^AE/kT] (4)

Hierbei steht D für den Diffusionskoeffizienten bei einer gegebenen Temperatur T (in Kelvin) , Do steht für den so genannten präexponentiellen Faktor, k steht für die

Boltzmannkonstante und ΔΕ steht für die für den

Diffusionsprozess nötige Aktivierungsenergie.

Für eine ausreichend niedrige Temperatur gilt ΔΕ > kT, und damit ist die Aktivierungsenergie für den Diffusionsprozess (ΔΕ) größer als die thermische Energie der Oberfläche (kT) , dies erschwert die Diffusion und die Adatome haften an ihren Adsorptionsplätzen auf der Oberfläche.

Gilt jedoch ΔΕ < kT, und ist damit die Aktivierungsenergie für den Diffusionsprozess (ΔΕ) kleiner als die thermische Energie der Oberfläche (kT) , so können sich die Adatome relativ frei auf der Oberfläche bewegen, man spricht in diesem Fall von erhöhter Diffusionsmobilität. In diesem Fall ist die Wahrscheinlichkeit einer Kollision zweier Adatome höher als für den Fall, dass ΔΕ > kT ist. Kollidieren zwei Adatome miteinander, so kann ein Dimer entstehen, welches als stabiler Nukleationskeim zurückbleibt, derartige Nuklide sind Keime zur Inselbildung und begünstigen somit das Inselwachstum zusätzlich.

Als nachteilig an den bekannten elektronischen Strukturen, welche eine leitfähige Schichtstruktur aufweisen, ist dabei der Umstand anzusehen, dass beispielsweise für organische Leuchtdioden (OLEDs) geeignete organische Schichten oftmals schlechte Adhäsionsvermittler für dünne Metallfilme,

beispielsweise für dünne Ag-Kathodenfilme sind. Hierdurch wird das von Metallen gezeigte Inselwachstum zusätzlich begünstigt. Ein derartiges Inselwachstum limitiert die laterale Leitfähigkeit der Ag- Kathodenfilme und verhindert eine effiziente homogene Elektroneninjektion. Dies wiederum kann sich nachteilig auf die Bauteilperformance, insbesondere die Effizienz beispielsweise einer OLED, auswirken. Erst mit zunehmender Schichtdicke vereinigen sich die Inseln

(Koaleszenz) und ab der so genannten Perkolations- Schichtdicke erhöht sich die laterale Leitfähigkeit. Nimmt jedoch die Schichtdicke zu, werden Absorptions- und

Reflexionsprozesse für den sichtbaren Wellenlängenbereich zunehmend begünstigt und die Transparenz beispielsweise einer OLED nimmt deutlich ab.

Dies kann auf eine relativ hohe interatomare Wechselwirkung zwischen zwei benachbarten Adatomen, beispielsweise Silber (Ag) , und im Vergleich dazu geringeren interatomaren

Wechselwirkungen zwischen einem Adatom und einem

Oberflächenatom, beispielsweise einer organischen Verbindung, zurückgeführt werden. Für eine ausgeprägte interatomare

Wechselwirkung zwischen einem Adatom und einem

Oberflächenatom ist anschaulich eine relativ hohe

Oberflächenenergie γ _Β der Oberflächenspezies vorgesehen. Die Oberflächenenergie γ _Β der Atome der Oberflächenspezies wächst materialspezifisch mit der Bindungsenergie der jeweiligen Atome. Die Bindungsenergie der Atome ist proportional zur jeweiligen spezifischen Sublimationstemperatur. Insbesondere OLED-taugliche organische Oberflächen zeichnen sich in der Regel jedoch gerade durch relativ niedrige

Sublimationstemperaturen und dementsprechend relativ niedrige molekulare Bindungsenergien aus und damit durch niedrige Oberflächenenergien Y _B .

Verschiedene herkömmliche elektronische Strukturen weisen eine transparente leitfähige Schichtstruktur auf. So werden so genannte gestackte Elektrodenkonzepte beschrieben im

System Gold (Au) - Aluminium (AI) . So beschreibt die US 7 796 320 B2 gestackte Elektroden, beispielsweise der

Zusammensetzung Al/Au, Au/Al/Au, Al/Cu, Cu/Al/Cu, Cu/Ag, Ag/Cu, Au/Ag, Ag/Au, Ca/Ag, Ag/Ca und Cr/Au. Von den in der US 7 796 320 B2 beschriebenen Zusammensetzungen wird der Drei-Schicht-Aufbau Au/Al/Au als Stackverbindung mit den besten Transmissionseigenschaften beschrieben. Problematisch an dem in der US 7 796 320 B2 beschriebenen Aufbau der

Schichtenstruktur ist jedoch die hohe Komplexität der Drei- Schicht-Struktur der gestackten Elektrode und der damit verbundene hohe Produktionsaufwand.

C. J. Lee et al . , R., Appl . Phys . Lett. 89 (2006), 123501 beschreibt beispielsweise ein top-emittierendes OLED-Bauteil, bei welchem eine Schicht Barium (Ba) mit einer Schichtdicke von lOnm auf einer 5nm dicken 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) -Schicht thermisch abgeschieden wurden. Problematisch ist jedoch, dass Barium (Ba) ein auf Feuchte und Sauerstoff sehr empfindlich reagierendes

Elektrodenmaterial ist, wodurch die Einsetzbarkeit und

Lebensdauer beispielsweise eines entsprechenden OLED-Bauteils deutlich verringert wird.

In R. B. Pode et al . , Appl. Phys. Lett. 84 (2004), 4614-4616 wurden Doppelschicht-Metallkathoden für top-emittierende OLED-Bauteile untersucht. Hierbei wurden thermisch

aufgedampftes Calcium (Ca) , Magnesium (Mg) , oder Lithiumfluorid (LiF) jeweils in Kombination mit Silber (Ag) und Aluminium (AI) untersucht. Für Schichten von lOnm Calcium und lOnm Silber wurde eine hohe Transmission bei einem relativ geringen Flächenwiderstand berichtet. Jedoch ist Calcium ein auf Feuchte und Sauerstoff sehr empfindlich reagierendes Elektrodenmaterial, wodurch die Einsetzbarkeit und Lebensdauer eines elektronischen Bauteils, beispielsweise eines entsprechenden OLED-Bauteils , deutlich verringert wird.

S.Y. Kim et al . , Thin Solid Films 517 (2009), 2035-2038 beschreiben semitransparente Kathoden mit der Schichtfolge Strontium (Sr) (mit einer Schichtdicke von 8 nm bis 10 nm) / Ag (10 nm) , welche thermisch aufgedampft wurden. Dabei wurde Sr als so genannter Benetzungsvermittler zur Verbesserung der Wachstumseigenschaften des Ag-Films verwendet. Auch hier wurde eine relativ hohe Transmission bei einem relativ geringen Flächenwiderstand erreicht. Allerdings wird die Perkolations-Schicht erst bei relativ hohen Schichtdicken des Ag Filmes erreicht, wobei sogar bei einer Schichtdicke von 20 nm Silber (Ag) der Film nicht vollständig geschlossen oder auch kohärent ist. Bei dieser Ag-Schichtdicke werden

Absorptions- und Reflexionsprozesse für den sichtbaren

Wellenlängenbereich jedoch bereits deutlich begünstigt und die Transparenz beispielsweise einer OLED nimmt deutlich ab. Somit ist Sr als Benetzungsvermittler insbesondere für transparente elektronische Anwendungen nicht geeignet.

Weiter wurden in G. Gu, V. Bulovic et al . , Appl . Phys . Lett. 68 (1996) 2606-2608; P.E. Burrows et al . , J. Appl. Phys. 87 (2000), 3080; L.S. Hung et al . , Thin Solid Films 410 (2002), 101) thermisch aufgedampfte, semitransparente Metallfilme niedriger Austrittsarbeiten beschrieben, auf welche

schließlich mittels Sputtertechniken transparente leitfähige Oxide (wie z.B. ITO) aufgebracht wurden. Eine Sputter- Auftragung von Elektrodenschichten kann ohne weitere

Pufferschichten jedoch zu Schädigungen der darunter liegenden Schichten führen, und erfordert damit zusätzliche aufwendige Produktionsschritte und erhöht somit den Produktionsaufwand deutlich . Die US 6794061 B2 beschreibt auf eine

Benetzungsvermittlerschicht aufgedampfte Magnesium (Mg) - Kathoden. Es zeigt sich, dass Mg-Kathoden schlechte

Adhäsionseigenschaften auf organischen Schichten haben. Durch AI: Mg- bzw. Ag:Mg Legierungen konnte die Benetzung verbessert werden und homogenere Schichten abgeschieden werden. Jedoch haben reine Mg-Kathoden den Vorzug niedriger

Austrittsarbeiten (~3.7eV) die durch die Legierungen nicht mehr erreicht werden. Als Benetzungsvermittler wurden alle Metalle oder Metallverbindungen der Hauptgruppen 1 bis 15 des Periodensystems mit Atomzahlen größer oder gleich 19

berücksichtigt. Jedoch ist Magnesium (Mg) ein auf Sauerstoff sehr empfindlich reagierendes Elektrodenmaterial und zudem sehr leicht entzündlich. Hierdurch ist die Einsetzbarkeit und Lebensdauer einer elektronischen Struktur, beispielsweise eines OLED-Bauteils deutlich verringert und die Herstellung deutlich aufwendiger.

Germanium (Ge) als Benetzungsvermittler wurde beschrieben für Silberatome auf anorganischen Silikat- oder Si02-Oberflächen in Weiqiang Chen et al . , OPTICS EXPRESS 18 (2010), 5124;

sowie in Logeeswaran VJ et al . , NANOLETTERS 9 (2009), 178- 182. So wird eine homogene Beschichtung ohne ausgeprägte Inselbildung der Silberatome gemäß Weiqiang Chen et al .

dadurch erzielt, dass die Bindungsenergie zwischen Ag-Ge höher ist als für Ag-Ag (Ag-Ge ΔΗ = 174.5121 kJ/mol und Ag-Ag ΔΗ = 162.912.9 kJ/mol). Höhere Bindungsenergien verringern Oberflächendiffusionsprozesse und somit inselartiges Volmer- Weber-Wachstum. So wird von Logeeswaran VJ et al . berichtet, dass die Aktivierungsenergie für eine Oberflächendiffusion von Ag-Atomen auf Ge-Oberflächen 0.45 eV beträgt, während diese auf Si02-Oberflächen lediglich 0.32 eV beträgt. Somit wird von Logeeswaran VJ et al . gezeigt, dass ein wenige

Monolagen dicker Germaniumfilm auf der Si02 ^_ Oberflache großflächig geschlossenes Frank-van der Merwe Wachstum dünner Ag-Filme begünstigt. Die Untersuchungen beschränken sich jedoch ausschließlich auf anorganische Si02 ^_ Oberflächen . S1O2 ist als Isolator jedoch ungeeignet als leitende

Oberflächenspezies in elektronischen Strukturen, insbesondere als Elektrodenoberflächenspezies für elektrisch leitende Strukturen und damit nicht für eine Anwendung in einem elektrisch aktiven Bereich geeignet. Zudem gelten für

unempfindliche anorganische Si02 ^_ Oberflächen keine

organischen Oberflächen entsprechende eingeschränkte

Produktionsbedingungen für die Filmabscheidung . Für OLED-Anwendungen wurde bisher die transparente Ge/Ag Schichtfolge mit einem durch die Germanium-Keimbildung großflächig geschlossenen Ag-Film nur als Anodenkonzept ebenfalls auf Borsilikatglas Oberflächen beschrieben (P.

Melpignano, C. Cioarec, R. Clergereaux, N. Gherardi, C.

Villeneuve, L. Datas, Organic Electronics 11 (2010), 1111- 1119) . Dabei wurde auf Borsilikatglas ein 5 nm dicker

Germanium-Nukleationsfilm und schließlich ein 25 nm dicker semi-transparenter Ag-Film als Anode thermisch aufgedampft. Auf dieser Anode wurde schließlich eine blaue OLED in Bottom- Emission abgeschieden. Die beschriebene Elektrode ist jedoch lediglich semi-transparent und wiederum auf einer S1O ₂ - bzw. Borsilikatglasoberfläche abgeschieden, welche wiederum als Isolator ungeeignet ist als Oberfläche in aktiven Bereichen elektronischer Strukturen.

Typische Metallfilme, beispielsweise Silberfilme (im

Folgenden auch Ag-Filme genannt) , elektronischer Strukturen nach dem Stand der Technik, welche auf eine Oberfläche aufgebracht wurden, sind daher erst bei größeren

Schichtdicken vollständig geschlossen. Eine zunehmende

Schichtdicke limitiert jedoch signifikant die Transparenz der elektronischen Struktur. Andere Vorschläge sind sehr

aufwendig in der Herstellung und durch komplizierte

Schichtaufbauten gekennzeichnet oder haben aufgrund

nachteiliger Materialeigenschaften nur eine sehr begrenzte Lebensdauer und/oder Einsetzbarkeit und/oder

Bauteilperformance in elektronischen Strukturen.

Eine denkbare Erhöhung der Depositionsrate beispielsweise des zur Auftragung verwendeten PVD-Prozesses zur Abscheidung des jeweiligen Metallfilms auf der jeweiligen Oberfläche, welche es ermöglicht, bereits in den ersten Monolagen eine Vielzahl an Nukleationskeimen auf der Oberfläche zu erzeugen, ist jedoch unter Berücksichtigung üblicher Produktionsbedingungen nur in einem sehr geringen, nicht ausreichenden Maße möglich.

Auch die Verringerung der Temperatur der Substratoberfläche, um die Diffusionsprozesse auf der Substratoberfläche zu reduzieren, ist unter Berücksichtigung üblicher

Produktionsbedingungen nur in sehr eingeschränktem Maße und somit nicht ausreichend möglich.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine

elektronische Struktur bereitgestellt, bei welcher auf einfache Weise eine transparente, leitfähige Schichtstruktur mit niedrigem Flächenwiderstand erreicht wird.

Weiterhin wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine elektronische Struktur bereitgestellt, bei welcher die

Homogenität eines Metallfilms der Schichtstruktur der

elektronischen Struktur auf einfache Weise verbessert werden kann .

Um bei inselartigem Volmer-Weber-Wachstum eines gegebenen Metalls einen dünnen, geschlossenen, homogenen und

transparenten Metallfilm zu erreichen, ist eine Verringerung der Perkolations-Schichtdicke des jeweiligen Metallfilms bereits in den ersten Monolagen des Metallfilms vorgesehen. Dies wird in verschiedenen Ausführungsformen dadurch

erreicht, dass die Zahl der Inseln pro Einheitsfläche

maximiert wird, indem die Oberflächenenergie γ _Β der

Oberfläche beispielsweise durch eine Plasmabehandlung bzw. durch die Einführung eines so genannten Benetzungsvermittlers oder auch als so genannte Benetzungs-Zwischenschicht

(Benetzungsinterlayer oder auch als Hafterhöhungsschicht (adhesion promoting layer) , Keimschicht (seed layer) ,

Benetzungsschicht (wetting layer) bezeichnet) erhöht wird.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine

elektronische Struktur bereitgestellt, aufweisend mindestens eine organische Schicht und mindestens eine auf die

organische Schicht aufgewachsene Metall-Aufwachsschicht und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht, wobei mindestens eine Metall-Aufwachsschicht Germanium enthält. Anschaulich kann die Schichtenstruktur der elektronischen

Struktur bestehend aus mindestens einer organischen Schicht und mindestens einer auf die organische Schicht

aufgewachsenen Metall-Aufwachsschicht , welche Germanium enthält und mindestens einer auf der Metall-Aufwachschicht aufgewachsenen Metallschicht in verschiedenen

Ausführungsformen, beispielsweise bei einem optisch

transparenten lichtemittierenden Bauelement eingesetzt werden, anders ausgedrückt beispielsweise bei einem Top- und/oder Bottom-Emitter, beispielsweise bei einer

transparenten organischen Leuchtdiode, wobei die

elektronische Struktur in verschiedenen Ausführungsformen die Transparenz des lichtemittierenden Bauelements deutlich verbessern kann. Dies kann in verschiedenen Ausführungsformen erreicht werden. Die Germanium enthaltende Metall-Aufwachsschicht dient in verschiedenen Ausführungsformen als Benetzungsvermittler für die auf die organische Schicht abzuscheidende Metallschicht und ermöglicht eine Perkolation der Metallschicht bereits in den ersten Monolagen. Hierdurch wird in verschiedenen

Ausführungsformen ein transparenter, homogener und leitender Metallfilm mit niedrigem Flächenwiderstand erreicht.

Mit anderen Worten wird in verschiedenen Ausführungsformen eine transparente, leitfähige Schichtfolge für transparente Elektronikanwendungen bereitgestellt. Anschaulich wird hierbei beispielsweise ein wenige Nanometer dünner Ag- Kathodenfilm (Metallfilm) auf einer Ladungsträger

transportierenden / injizierenden organischen Schicht auf einem so genannten Germanium-Interlayer (Metall- Aufwachsschicht ) als Benetzungsvermittler abgeschieden.

Hierdurch wird mit anderen Worten beispielsweise eine

elektronische Struktur mit einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einem Ge/Ag-Kathodenfilm

bereitgestellt. Der Ge-/Ag-Kathodenfilm ist dabei zu

verstehen als ein auf einem Germanium-Interlayer

aufgewachsener Ag-Film. Der in verschiedenen

Ausführungsformen vorgesehene dünne Ge-/Ag-Kathodenfilm weist beispielsweise eine homogen geschlossene Ag- Kathodenfilmoberfläche auf und zeigt eine hohe Transparenz für den sichtbaren Wellenlängenbereich. Der Ge/Ag- Kathodenfilm hat einen niedrigen Flächenwiderstand. Diese transparente Schichtkombination kann beispielsweise als Kathodenkontakt in transparenten organischen Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diode, OLED) -Bauteilen Anwendung finden. Für eine derartige Anwendung können in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise zwei transparente

Elektroden, z.B. eine transparente ITO-Anode zur

Lochinjektion und eine transparente Ag-Kathode zur

Elektroneninjektion bereitgestellt werden. In einer Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht eine reine Germanium-Aufwachsschicht sein (in anderen Worten kann die Metall-Aufwachsschicht aus 100 % reinem Germanium

bestehen) . In dieser Ausgestaltung kann die Germanium- Aufwachsschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 3 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 1 nm.

In einer Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht ein metallisches MehrstoffSystem sein, beispielsweise eine

Legierung. Diese Legierung kann beispielsweise eine Legierung des Systems Germanium-Silber sein; hierbei kann die Legierung eine Zusammensetzung mit einem Stoffmengenanteil von Silber in einem Bereich von ungefähr 0,1 % und ungefähr 99.999 % aufweisen. Die Legierung kann beispielsweise auch eine

Legierung des Systems Germanium-Gold sein und hierbei kann die Legierung eine Zusammensetzung mit einem

Stoffmengenanteil von Gold in einem Bereich von ungefähr 0,1 % und ungefähr 99.999 % aufweisen. Die Legierung kann beispielsweise auch eine Legierung des Systems Germanium- Kupfer sein. Hierbei kann die Legierung beispielsweise eine Zusammensetzung mit einem Stoffmengenanteil von Kupfer in einem Bereich von ungefähr 0,1% und ungefähr 99.999%

aufweisen .

Eine solche MehrstoffSystemschicht gemäß verschiedenen

Ausführungsforman hat aufgrund der absolut und im Vergleich zu 100% Germanium-Aufwachsschichten möglichen sehr geringen Germaniumanteile das Potential, die Absorption durch das Germanium zu minimieren. Im Rahmen von Mehrfachdurchläufen des Lichtes innerhalb der optischen Kavität eines

optoelektronischen Bauelements, beispielsweise einer OLED, kann es von Bedeutung sein, wie sich die nicht

transmittierten Lichtanteile auf Absorption und Reflektion aufteilen. Reflektierte Anteile können nach einem weiteren Kavitätsdurchlauf transmittiert werden, während absorbierte Anteile für die Transmission und somit externe Emission verloren sind. Entsprechend kann geringe Absorption von höchster Bedeutung im Vergleich zu Transmission und

Reflektion sein. Speziell für Bauteile, die nicht transparent ausgeführt werden sollen (z.B. für einen Top-Emitter bzw. für einen Bottom-Emitter) , können die MehrstoffSystemelektroden daher von Vorteil sein beispielsweise auch dann, wenn sie geringere Absorption bei gleichzeitig etwas verringerter Transmission bieten.]

In noch einer Ausgestaltung kann alternativ die Metall- Aufwachsschicht der elektronischen Struktur Germaniumoxid enthalten oder beispielsweise aus Germaniumoxid bestehen.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die Metall- Aufwachsschicht Germanium sein oder daraus bestehen. Die elektronische Struktur kann beispielsweise eine Metall- Aufwachsschicht aufweisen, die als Monolage ausgebildet sein kann .

Die Metall-Aufwachsschicht kann beispielsweise eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm und ungefähr 10 nm.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die Metall- Aufwachsschicht eine Schichtdicke von 0,1 nm aufweisen.

In noch einer Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht eine Schichtdicke von 0,5 nm aufweisen. Für diese

Schichtdicken kann eine besonders gute Transparenz und ein besonders niedriger Flächenwiderstand erzielt werden. In noch einer Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht eine Schichtdicke von 3 nm aufweisen. In noch einer

Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht auch eine

Schichtdicke von 10 nm aufweisen.

Für diese Schichtdickenbereiche wurden ebenfalls gute

Ergebnisse hinsichtlich der Erhöhung der Transparenz der elektronischen Struktur erzielt. In noch einer Ausgestaltung kann die auf der Metall- Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht Silber enthalten. Beispielsweise kann die auf der Metall-Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht als Silberkathode ausgebildet sein. Die auf der Metall-Aufwachsschicht aufgewachsene

Metallschicht kann als transparenter Silberkathodenfilm (Ag- Kathodenfilm) ausgebildet sein.

In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische Struktur ferner eine zweite Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält.

In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische Struktur als transparentes elektronisches Bauteil eingerichtet sein. Beispielsweise kann die elektronische Struktur als

lichtemittierendes elektronisches Bauteil eingerichtet sein, beispielsweise als lichtemittierendes elektronisches

Halbleiterbauteil .

Anschaulich kann das lichtemittierende elektronische

Halbleiterbauteil in verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise als lichtemittierende Diode (LED) eingerichtet sein, beispielsweise als organische lichtemittierende Diode (OLED) . Die organische lichtemittierende Diode kann hierbei beispielsweise zumindest bereichsweise transparent

ausgebildet sein. Eine organische lichtemittierende Diode kann in verschiedenen Ausführungsformen zusätzlich oder alternativ einen transparenten Deckkontakt aufweisen. Hierbei kann der transparente Deckkontakt eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält, und eine auf die Metall- Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht aufweisen, welche Silber enthält. Die organische lichtemittierende Diode kann in einer weiteren Ausführungsform auch einen transparenten Mittenkontakt aufweisen. Der transparente Mittenkontakt kann hierbei beispielsweise eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält und eine auf die Metall- Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht aufweisen, welche Silber enthält.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode einen transparenten Deckkontakt aufweisen und einen transparenten Mittenkontakt.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode mit mindestens einer dielektrische Schicht eingerichtet sein, welche als Antireflexbeschichtung dienen kann.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode als top-emittierende organische lichtemittierende Diode eingerichtet sein. Diese kann

beispielsweise einen transparenten Deckkontakt aufweisen. Der Deckkontakt kann beispielsweise eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält und eine auf die Metall- Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht aufweisen, welche Silber enthält. Hierdurch kann zusätzlich eine geringere Blickwinkelabhängigkeit der top-emittierenden organischen lichtemittierenden Diode erreicht werden. Zusätzlich können in verschiedenen Ausführungsformen auf einfache Weise weißemittierende Top-Emitter ermöglicht werden. In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode einen transparenten Mittenkontakt aufweisen. Der transparente Mittenkontakt kann beispielsweise eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält und eine auf die Metall-Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht aufweisen, welche Silber enthält.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode als bottom-emittierende organische lichtemittierende Diode eingerichtet sein. Die organische lichtemittierende Diode kann beispielsweise einen

transparenten Mittenkontakt aufweisen. Der transparente

Mittenkontakt kann beispielsweise eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält und eine auf die Metall- Aufwachsschicht aufgewachsene Metallschicht aufweisen, welche Silber enthält.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode beispielsweise mit einer

Ladungsträgererzeugungsschicht (charge generation layer, CGL) eingerichtet sein. Die Ladungsträgererzeugungsschicht kann beispielsweise eine Metall-Aufwachsschicht aufweisen, welche Germanium enthält. Die auf die Metall-Aufwachsschicht

aufgewachsene Metallschicht kann beispielsweise Silber enthalten . In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode zumindest bereichsweise flexibel ausgebildet sein.

Die organische lichtemittierende Diode kann beispielsweise derart eingerichtet sein, dass sie weißes Licht emittiert.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische

lichtemittierende Diode zumindest bereichsweise als passive (nichtleuchtende) Anzeige ausgebildet sein. In einer weiteren Ausgestaltung kann die elektronische

Struktur als Leiterbahn eingerichtet sein. Eine derartige Leiterbahn kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die elektronische

Struktur als Elektrode eingerichtet sein. Eine derartige Elektrode kann beispielsweise zumindest bereichsweise

transparent ausgebildet sein. Die Elektrode kann hierbei beispielsweise eine Zwischenelektrode sein. Die

Zwischenelektrode kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die elektronische

Struktur als Transistor eingerichtet sein. Der Transistor kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die elektronische

Struktur als elektronische Schaltung eingerichtet sein. Die elektronische Schaltung kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

In einer weiteren Ausgestaltung kann die elektronische

Struktur als Solarzelle eingerichtet sein. Hierbei kann die Solarzelle beispielsweise als Halbleitersolarzelle

ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Halbleitersolarzelle eine II-VI-Halbleitersolarzelle sein, oder eine III-V-Halbleitersolarzelle oder eine I-III- VI-Halbleitersolarzelle .

Die Solarzelle kann beispielsweise als organische Solarzelle ausgebildet sein. In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Solarzelle als eine Siliziumsolarzelle ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische Struktur mindestens eine Aufwachsschicht für organische Materialien; und mindestens eine auf der Aufwachsschicht aufgewachsene organische Schicht aufweisen.

In noch einer Ausgestaltung kann die mindestens eine

Aufwachsschicht Germanium enthalten.

In noch einer Ausgestaltung kann die organische Schicht als Elektronentransportschicht ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein

elektronisches Bauelement bereitgestellt, aufweisend

mindestens eine elektronische Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das elektronische Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise als Display eingerichtet sein. Die Ausgestaltungen der elektronischen Struktur gelten, soweit sinnvoll, entsprechend für das elektronische Bauelement.

Ein lichtemittierendes Bauelement kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen als eine organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein.

Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden

Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Struktur bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bilden mindestens einer

organischen Schicht und ein Bilden mindestens einer auf die organische Schicht aufgewachsenen Metall-Aufwachsschicht und ein Bilden mindestens einer auf der Metall-Aufwachsschicht aufgewachsenen Metallschicht; wobei die mindestens eine

Metall-Aufwachsschicht Germanium enthält. Die Ausgestaltungen der elektronischen Struktur gelten, soweit sinnvoll, entsprechend für das Verfahren zum

Herstellen einer elektronischen Struktur.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird weiterhin ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Struktur bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bilden mindestens einer Aufwachsschicht für organische Materialien; und ein Bilden mindestens einer auf der Aufwachsschicht aufgewachsenen organischen Schicht, wobei die mindestens eine Aufwachsschicht Germanium enthält.

Die Ausgestaltungen der elektronischen Struktur gelten, soweit sinnvoll, entsprechend für das Verfahren zum

Herstellen einer elektronischen Struktur.

Weiterhin wird in verschiedenen Ausführungsformen weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann dabei aufweisen ein Bilden mindestens einer elektronischen Struktur gemäß einem der oben beschriebenen Art, wobei das elektronische Bauelement als Display gebildet wird.

Die Ausgestaltungen der elektronischen Struktur gelten, soweit sinnvoll, entsprechend für das Verfahren zum

Herstellen eines elektronischen Bauelements aufweisend die elektronische Struktur.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen Figur 1 REM-Aufnahmen von herkömmlichen Ag-Kathodenfilmen von elektronischen Strukturen mit verschiedenen

Schichtdicken, auf n-dotiertem organischen

Untergrund;

Figur 2 Diagramm der Transmission und des Flächenwiderstandes für verschiedene Schichtdicken von herkömmlichen Ag- Filmen auf n-dotiertem organischem Untergrund;

Figur 3 REM-Aufnahmen eines herkömmlichen Ag-Kathodenfilms einer elektronischen Struktur, aufgebracht Perylen als organischen Benetzungsvermittler ; Figur 4 REM-Aufnahmen eines Ag-Kathodenfilms einer

herkömmlichen elektronischen Struktur, aufgebracht auf eine ZnO-Schicht als Benetzungsvermittler

Figur 5 REM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als

Metall-Aufwachsschicht gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figur 6 REM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als

Metall-Aufwachsschicht auf n-dotiertem organischen Untergrund gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 7 AFM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als

Metall-Aufwachsschicht auf n-dotiertem organischen Untergrund gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 8 REM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall-Aufwachsschicht gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figur 9 ein Diagramm, in welchem die Transmission von Licht durch ein lichtemittierendes Referenz-Bauelement dargestellt ist abhängig von der Wellenlänge des emittierten Lichts gemäß verschiedener

Ausführungsbeispiele im Vergleich zu herkömmlichen Ausführungen;

Figur 10 Diagramm der Strom-Spannungs-Charakteristik von Ag- Kathodenfilmen von elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall-Aufwachsschicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. ;

Figur 11 eine Querschnittansicht einer elektronischen

Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 12 eine Querschnittansicht einer elektronischen

Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 13 eine Querschnittansicht einer elektronischen

Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 14 eine Querschnittansicht einer elektronischen

Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 15 eine Querschnittansicht einer elektronischen

Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und

Figur 16 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Struktur lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie lediglich zur

Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Die Schemazeichnungen in den Figuren dienen lediglich der Veranschaulichung des

erfinderischen Gedankens und sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Fig. 1 zeigt REM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit verschiedenen Schichtdicken nach dem Stand der Technik, auf n-dotiertem organischen

Untergrund. Zur Veranschaulichung einer Ausführung einer herkömmlichen elektronischen Struktur, welche einen dünnen Ag-Kathodenfilm aufweist, wurde eine organische

Elektroneninj ektions/transport-Schicht mit einer Schichtdicke von 90nm mittels PVD (physical vapour deposition) auf ein Glas thermisch aufgedampft. Anschließend wurde jeweils eine Ag-Kathode mit den Schichtdicken 9nm (erste REM-Aufnähme 1), llnm (zweite REM-Aufnähme 2) und 18nm (dritte REM-Aufnähme 3) ebenfalls mittels PVD thermisch aufgedampft. Typische

kommerziell erhältliche organische

Elektroneninj ektions/transport-Schichten sind beispielsweise 8-Hydroxyquinolinolato-lithium (Liq) , 2 , 2 ' , 2 ' ' - ( 1 , 3 , 5- Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H-benzimidazole) (TPBi) , 2- (4- Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, Butyl- PBD bzw. 2- (4-tert-Butylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1, 3, 4- oxadiazole (BCP) , 4, 7-Diphenyl-l, 10-phenanthroline (Bphen) , Bis (2-methyl-8-quinolinolato-Nl, 08) (1, 1 ^x -Biphenyl-4- olato) aluminium (BAlq) , 1, 3-Bis [2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4- oxadiazo-5-yl ] -benzene (Bpy-OXD) , 6, 6 ' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) - 1, 3, 4-oxadiazo-2-yl] -2, 2 ' -bipyridyl (BP-OXD-Bpy) , 3- (4- Biphenyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2, 4-triazole (TAZ) , 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2 , 4-triazole (NTAZ) , 2, 9-Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline (NBphen) , 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5- yl] -9, 9-dimethylfluorene (PbyFOXD) , 1, 3-Bis [2- (4-tert- butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene (OXD-7), Tris (2,4,6- trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl ) borane (3TPYMB) , l-methyl-2- (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4, 5f ]

[1, 10]phenanthroline (2-NPIP) , 2-phenyl-9, 10-di (naphthalen-2- yl ) -anthracene (PADN) , 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (HNBphen) , phenyl-dipyrenylphosphine oxide (POPy2), 3,3',5,5'-tetra[ (m-pyridyl ) -phen-3-yl ] biphenyl

(BP4mPy) , 1 , 3 , 5-tri [( 3-pyridyl ) -phen-3-yl ] benzene (TmPyBP) , 4, 4 ' -bis (4, 6-diphenyl-l, 3, 5-triazin-2-yl) biphenyl (BTB) .

Neben anorganischen Elektroneninj ektions-/transport-Schichten wie beispielsweise Lithiumfluorid (LiF) , Calcium (Ca) - oder Barium (Ba) , sind auch organische

Elektroneninjektionsschichten einsetzbar wie beispielsweise oben genannte n-dotierte organische Elektroneninj ektions- /transport-Schichten in Kombination mit Alkalimetallen wie beispielsweise Lithium (Li) oder Cäsium (Cs) oder aber in Kombination mit organischen Verbindungen wie beispielsweise BEDT-TTF. Weiterhin können die oben genannten organischen Elektroneninj ektions-/transport-Schichten in Kombination mit Salzen wie beispielsweise Cäsiumcarbonat (CS ₂ CO3) oder mit metallorganischen Verbindungen wie beispielsweise Cobaltocen (C0CP ₂ ) eingesetzt werden. Diese Materialien können in gleicher Weise in den im Folgenden beschriebenen

Ausführungsbeispielen verwendet werden.

Die untersuchten Ag-Schichten der oben genannten

Schichtdicken einer herkömmlichen elektronischen Struktur weisen keine geschlossenen Ag-Kathodenfilme auf, sondern perkolierte, inselartige Strukturen auf den organischen

Schichten. Der Ag-Kathodenfilm zeigt ein Volmer-Weber

Wachstum. Ein derartiges Inselwachstum des Ag-Kathodenfilms erhöht den Flächenwiderstand der Ag-Kathode und limitiert eine effiziente homogene Elektroneninjektion. Dies wiederum wirkt sich nachteilig auf die Leistung der elektronischen Struktur, insbesondere die Effizienz, beispielsweise einer transparenten OLED aus. Erst mit zunehmender Schichtdicke vereinigen sich die erkennbaren Inseln (Koaleszenz) . Nimmt jedoch die Schichtdicke zu, werden Absorptions- und

Reflexionsprozesse für den sichtbaren Wellenlängenbereich begünstigt und die Transparenz der OLED nimmt ab. Die

Abhängigkeit des Flächenwiderstandes und der Transmission als Funktion der Ag-Schichtdicke ist in einem Diagramm 4 in

Fig. 2 dargestellt, welche ein Diagramm der Transmission gegen den/ und des Flächenwiderstandes für verschiedene

Schichtdicken von herkömmlichen Ag-Filmen auf n-dotiertem organischem Untergrund zeigt. Fig 3 zeigt REM-Aufnahmen (erste REM-Aufnähme 5, zweite REM- Aufnähme 6, und dritte REM-Aufnähme 7) eines Ag-Kathodenfilms einer herkömmlichen elektronischen Struktur, wobei

aufgebrachtes Perylen auf seine Eigenschaften als organische Oberfläche für Metallfilme untersucht wurde. Perylen ist eine weitere Verbindung, die im Bereich der OLEDs als typische organische Elektroneninj ektions-/transport-Schicht verwendet wird .

Die REM-Aufnahmen zeigen jedoch keine signifikante

Verbesserung gegenüber anderen OLED typischen organischen Elektroneninj ektions-/transport-Schichten . Der Ag- Kathodenfilm weist bei einer Schichtdicke von 11 nm auf einer 3nm dicken Perylen-Oberfläche perkolierte Strukturen auf. Der Ag-Kathodenfilm ist jedoch erkennbar nicht homogen

geschlossen und zeigt isolierende Grabenverläufe. Wie oben beschrieben, wird homogen geschlossenes Schichtwachstum der Adatome durch höhere Oberflächenenergien des Substrats begünstigt. Typische, herkömmliche organischen

Elektroneninj ektions-/transport-Schichten beispielsweise für OLEDs weisen schlechte BenetZungseigenschaften beispielsweise für Ag-Kathodenfilme auf. Die Oberflächenenergie des

organischen Substrats ist zu niedrig, um geschlossene

transparente Ag-Kathodenfilme zu ermöglichen. Als Faustregel gilt: Die Oberflächenenergie des aufgedampften Filmes wächst mit der Bindungsenergie der Materialspezies des Films, wobei die Bindungsenergie mit deren Sublimationstemperatur zunimmt. Insbesondere OLED taugliche organische Materialien,

beispielsweise organischen Elektroneninj ektions-/transport- Schichten, zeichnen sich in der Regel und gerade auch im Vergleich zu Metallen durch relativ niedrige Bindungsenergien aus. Diese organischen Materialien sind dadurch bei

niedrigeren Sublimationstemperaturen verdampfbar, weisen jedoch nur niedrige Oberflächenenergien auf, welche nicht geeignet sind, auf diese organischen Materialien aufgebrachte Metallfilme homogen zu adsorbieren. Die

Sublimationstemperatur beispielsweise von Perylen beträgt ca. 400°C bei einem Druck von 3 x 10 ^~7 mbar. Die Transparenz bei 550nm Wellenlänge beträgt lediglich ca. 46 %. Der Ag- Kathodenfilm hat einen hohen Flächenwiderstand von

15,0 Ohm/Squ. In Fig. 9 sind entsprechende

Transmissionsmessungen (in einem Transmissionsdiagramm 90) und Absorptionsmessungen (in einem Absorptionsdiagramm 91) dargestellt. Perylen ist somit als Substrat bzw. als

Benetzungsvermittler für beispielsweise Ag-Adatome,

insbesondere zur Anwendung in transparenten Schichten für OLEDs, nicht geeignet. Somit kann auch durch Verwendung einer Perlyenschicht keine elektronische Struktur bereitgestellt werden, bei welcher auf einfache Weise eine transparente, leitfähige, homogene Schichtstruktur mit niedrigem

Flächenwiderstand erreicht wird.

Fig 4 zeigt REM-Aufnahmen (erste REM-Aufnähme 40, zweite REM- Aufnähme 41, und dritte REM-Aufnähme 42) eines Ag- Kathodenfilms einer herkömmlichen elektronischen Struktur, aufgebracht auf eine ZnO-Schicht als Benetzungsvermittler . Im Gegensatz zu Perylen hat ZnO eine höhere

Sublimationstemperatur von ca. 1700°C bei 3 x 10 ^~6 bar. Die REM-Aufnahmen zeigen deutlich ein homogeneres

Benetzungsverhalten der Ag-Kathodenfilme im Vergleich zu den untersuchten herkömmlichen organischen Untergründen. Trotz ausgeprägter Perkolation des Ag-Films für ZnO als

Benetzungsvermittler ist der Ag-Kathodenfilm jedoch nicht vollständig homogen geschlossen. Löcher im Ag-Kathodenfilm sind als dunkle Stellen im unteren rechten Bild (dritte REM- Aufnahme 42) gut zu erkennen. Die als Benetzungsvermittler untersuchte ZnO Schichtdicke beträgt hierbei zu

Vergleichszwecken - wie in Fig. 2 - 3nm. Die Transparenz bei λ = 550nm Wellenlänge liegt bei ca. 53% und der

Flächenwiderstand der Ag-Kathode beträgt 7,0 Ohm/Squ. In Fig. 9 sind wiederum entsprechende Transmissions- und Absorptionsmessungen abgebildet. Somit kann auch durch die Verwendung von ZnO als Benetzungsvermittler, insbesondere für transparente Anwendungen wie beispielsweise für OLEDs, keine elektronische Struktur bereitgestellt werden kann, bei welcher auf einfache Weise eine transparente, geschlossene, homogene, leitfähige Schichtstruktur mit niedrigem

Flächenwiderstand erreicht wird.

Fig. 5 zeigt REM-Aufnahmen (erste REM-Aufnähme 50, zweite REM-Aufnahme 51, dritte REM-Aufnahme 52, und vierte REM- Aufnahme 53) von Ag-Kathodenfilmen von elektronischen

Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall-Aufwachsschicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, wobei die

elektronische Struktur mindestens eine Metall-Aufwachsschicht und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht

aufgewachsene Metallschicht aufweist, wobei die mindestens eine Metall-Aufwachsschicht Germanium enthält.

Der Aufbau der elektronischen Struktur besteht aus einem organischen n-dotieren Untergrund, mit anderen Worten einer organischen Elektroneninj ektions-/-transport-Schicht wobei beispielsweise die oben in Fig.l genannten Verbindungen und Materialien verwendet werden können, einer Metall- Aufwachsschicht bestehend aus 0,5 nm Ge bzw. 3 nm Ge sowie einem Ag-Kathodenfilm mit einer Schichtdicke von 11 nm. Die

REM-Aufnahmen der elektronischen Struktur sind in der unteren Reihe der Fig. 5 gezeigt, siehe dritte REM-Aufnahme 52 und vierte REM-Aufnahme 53. Zusätzlich sind in der oberen Reihe der Fig. 5 zum Vergleich REM-Aufnahmen von elektronischen Strukturen nach dem Stand der Technik ohne Metall- Aufwachsschicht gezeigt, siehe erste REM-Aufnahme 50 und zweite REM-Aufnahme 51. Die REM-Aufnahmen in der linken

Spalte der Fig. 5 sind im Maßstab 5,00 ym. Die REM-Aufnahmen in der rechten Spalte der Fig. 5 sind im Maßstab 1,00 ym. Der Ag-Kathodenfilm wächst im Volmer-Weber Modus auf, ist jedoch sowohl für eine Metall-Aufwachsschicht aus Germanium der Schichtdicke 0,5 nm sowie der Schichtdicke 3 nm vollständig homogen geschlossen und zeigt keine Defektstrukturen.

Durch die Bereitstellung einer Metall-Aufwachsschicht aus Germanium als Benetzungsvermittler kann somit, beispielsweise für transparente Anwendungen wie beispielsweise für OLEDs, eine elektronische Struktur bereitgestellt werden, bei welcher auf einfache Weise eine transparente, geschlossene, homogene, leitfähige Schichtstruktur mit niedrigem

Flächenwiderstand erreicht wird.

Ein besonders gutes Benetzungsverhalten der getesteten Ag- Kathodenfilme wurde für wenige Monolagen dünne Ge Schichten beobachtet .

Die Ergebnisse der Transmissionsmessungen für Transmission bei λ = 550 nm sowie die jeweiligen Flächenwiderstände von herkömmlichen elektronischen Strukturen ohne

Benetzungsvermittlungsschicht bzw. mit

Benetzungsvermittlungsschicht aus Perylen sowie eine

elektronische Struktur gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen mit einer Metall-Aufwachsschicht aus Germanium mit einer Schichtdicke von 0,5 nm elektronische Struktur mit einer Metall-Aufwachsschicht aus Germanium gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einer Schichtdicke von 3 nm sind in der folgenden Tabelle dargestellt.

0 + 11 nm 0 + 0,5 0 + 3 nm 0 + 3 nm Ag nm Ge + Ge + 11 Perylen +

11 nm Ag nm Ag 11 nm Ag

Transmission 51% 53% 53% 46% gemessen bei λ

550 nm

Flächenwiderstand 5,9 5,1 5,0 15,0 in [Ohm/Squ] Fig. 6 zeigt REM-Aufnahmen (erste REM-Aufnähme 60, zweite REM-Aufnähme 61, dritte REM-Aufnähme 62, und vierte REM- Aufnahme 63) von Ag-Kathodenfilmen von elektronischen

Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall-Aufwachsschicht auf einer n-dotierten organischen Schicht (oder auch Untergrund) gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.

Beispielsweise kann hierbei die bisher gewählte Schichtdicke des Benetzungsvermittlers für Germanium von 3 nm (vierte REM- Aufnahme 63) auf lediglich 0,5 nm (erste REM-Aufnahme 60) reduziert werden, ohne dass sich Defektstrukturen im Ag- Kathodenfilm ausbilden.

Homogenes und geschlossenes Wachstum des Ag-Kathodenfilmes wird auch über AFM-Aufnahmen in der Fig. 7 bestätigt. Hierzu zeigt Fig. 7 AFM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall- Aufwachsschicht auf n-dotiertem organischen Untergrund gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. In Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiele weisen Germanium als Metall- Aufwachsschichten mit einer Schichtdicke von 0,5 nm (erste AFM-Aufnahme 70), 1 nm (zweite AFM-Aufnahme 71), 2 nm (dritte AFM-Aufnahme 72) und 3 nm (vierte AFM-Aufnahme 73) auf. Die elektronischen Strukturen weisen ein n-dotiertes organisches Substrat auf, auf welches die jeweilige Metall- Aufwachsschicht aufgebracht ist. Der Ag-Kathodenfilm hat eine Schichtdicke von 11 nm und ist auf die Metall-Aufwachsschicht aufgewachsen. In den AFM-Aufnahmen ist der Rauhigkeitswert der Oberflächen der Ag-Kathodenfilme zu erkennen. Dieser korreliert nicht mit der Ge-Schichtdicke (0,5 nm, 1 nm, 2 nm, 3 nm) und weist lediglich einen Wert von 0.6-0.7 nm RMS für alle Schichtdicken der Metall-Aufwachsschichten auf. Die Transparenz bei λ = 550nm Wellenlänge liegt bei ca. 53% und der Flächenwiderstand der Ag-Kathodenfilme beträgt

5,0 Ohm/Squ. Es ist zu beobachten, dass Transparenz und

Flächenwiderstand im untersuchten Bereich kaum von der Germanium-Schichtdicke im Bereich zwischen 0,5 nm und 3 nm beeinflusst werden. In Fig. 9 sind entsprechende

Transmissions- und Absorptionsmessungen im Vergleich mit anderen Ausführungsbeispielen, auch mit herkömmlichen

Ausführungsformen, dargestellt.

Fig. 8 zeigt REM-Aufnahmen von Ag-Kathodenfilmen von

elektronischen Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall- Aufwachsschicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die Metall-Aufwachschicht hat eine Schichtdicke von lnm, die auf die Metall-Aufwachsschicht aufgewachsenen Ag- Kathodenfilme haben die Schichtdicken 5 nm (erste REM- Aufnahme 80), 7 nm (zweite REM-Aufnahme 81), 9 nm (dritte REM-Aufnahme 82), 11 nm (vierte REM-Aufnahme 83). Die REM- Aufnahmen zeigen, dass die abgebildeten Ag-Kathodenfilme bereits im Bereich zwischen 5 nm und 7nm Schichtdicke des Ag- Kathodenfilms perkoliert sind und der Ag-Kathodenfilm mit der Schichtdicke von 11 nm vollständig geschlossen ist. Fig. 9 zeigt Diagramme 90, 91, in welchen die Transmission und Absorption von Licht durch lichtemittierende Referenz- Bauelemente dargestellt ist in abhängig von der Wellenlänge des emittierten Lichts gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen im Vergleich zu herkömmlichen

Ausführungsformen, 90 nm organische Schicht, 11 nm

Silberschicht und 90 nm organische Schicht, 3 nm

Perylenschicht , 11 nm Silberschicht. Die Kennlinien der lichtemittierende Referenz-Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, 90 nm organische Schicht 112, 0,5 nm Metall-Aufwachsschicht 114 aus Germanium, 11 nm Metallschicht 116 aus Silber, und 90 nm organische Schicht 112, 0,5 nm Metall-Aufwachsschicht 114 aus Germanium, 11 nm Metallschicht 116 aus Silber zeigen im Bereich von ungefähr λ = 500 nm und λ = 800 nm eine deutlich höhere Transmission bzw. eine deutlich niedrigere Absorption als herkömmliche Referenz- Bauelemente. Besonders gute Werte zeigt die Kennlinie der Metall-Aufwachsschicht 114 mit der Schichtdicke 0,5 nm aus Germanium. Die Kennlinie des Referenz-Bauelements mit einer 3 nm Perylen-Schicht zeigt die niedrigsten Werte für

Transmission und die höchsten Absorptionswerte im Bereich von ungefähr λ = 500 nm und λ = 800 nm.

Fig. 10 zeigt ein Diagramm 95 der Strom-Spannungs- Charakteristik von Ag-Kathodenfilmen von elektronischen

Strukturen mit Germanium (Ge) als Metall-Aufwachsschicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.

Die Strom-Spannungs-Charakteristik ist dargestellt für elektronische Strukturen, wobei das Substrat bzw. die

organische Elektroneninj ektions/-transport Schicht ITO ist mit einer Schichtdicke von 90 nm. Die Schichtdicken der

Metall-Aufwachsschichten aus Germanium sind 0,5 nm und 3 nm. Die Ag-Kathodenfilme haben eine Schichtdicke von 11 nm. Zum Vergleich sind die Strom-Spannungs-Charakteristiken von zwei herkömmlichen elektronischen Strukturen aufgetragen. Eine herkömmliche elektronische Struktur hat keine Metall- Aufwachsschicht , die zweite herkömmliche elektronische

Struktur hat als Benetzungsvermittler eine Perylen- Zwischenschicht mit einer Schichtdicke von 3 nm zwischen dem Substrat und dem Ag-Kathodenfilm. Die Strom-Spannungs- Charakteristik zeigt, dass die Ladungsträgerinjektion eines solchen Stack-Aufbaus einer elektronischen Struktur,

signifikant durch die dünne Metall-Aufwachsschicht aus

Germanium verbessert werden kann gegenüber den herkömmlichen elektronischen Strukturen. Die signifikante Verbesserung der Ladungsinjektion wird durch die mittels der Metall- Aufwachsschicht aus Germanium homogene und geschlossene Ag- Oberfläche des aufgewachsenen Ag-Kathodenfilms und einer dadurch höheren und gleichmäßigeren lokalen Stromdichte erreicht . Ohne die Metall-Aufwachsschicht können inhomogene Graben ^¬ bzw. Inselstrukturen anschaulich den Schichtwiderstand erhöhen und können so auf Grund eines zusätzlichen

Serienwiderstandes zu einer reduzierten Stromdichte bei vorgegebener Spannung im Vergleich zu einem Bauelement mit der Aufwachsschicht führen. Nimmt jedoch die Schichtdicke der Metall-Aufwachsschicht aus Germanium zu (hier gezeigt für 5 nm und 10 nm Germanium) , so kann die Stromdichte wieder abnehmen. Dieses gegenläufige Verhalten kann beispielsweise einerseits auf eine Zunahme des seriellen Widerstandes der Metall-Aufwachsschicht aus Germanium mit zunehmender

Schichtdicke bzw. andererseits durch ein anderes

Injektionsverhalten der Ladungsträger durch die

Aufwachsschicht zurückgeführt werden. Bei einer sehr dünnen Aufwachsschicht kann die Injektion zum Beispiel durch den sogenannten Tunneleffekt vom Silber in die angrenzende organische Schicht erfolgen, wohingegen die

Tunnelwahrscheinlichkeit mit zunehmender Schichtdicke

abnimmt. Die optimale Bauteilkonfiguration ergibt sich aus der Optimierung von Aufwachsverhalten der darauffolgenden Schicht zur Minimierung des Schichtwiderstandes und der optimalen Injektion in die angrenzende organische Schicht.

Fig. 11 zeigt eine Querschnittansicht einer elektronischen Struktur 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die elektronische Struktur 100 kann beispielsweise eine

transparente Elektrode oder Leiterbahn sein, beispielsweise für organische Photovoltaikanwendungen wie beispielsweise organischen Solarmodulen. Die elektronische Struktur 100 kann beispielsweise ein transparenter integrierter Schaltkreis sein .

Die elektronische Struktur 100 kann auch als transparentes TFT Display ausgebildet sein oder auch als transparenter Speicher Chip, auch "See Through Electronic Memory" genannt. Die elektronische Struktur 100 kann auch als so genannte Top ^¬ emittierende - oder auch deckglasseitig emittierende - organische Leuchtdiode (OLED) ausgebildet sein. Die

elektronische Struktur 100 kann beispielsweise auch als beidseitig emittierende (transparente) OLED ausgebildet sein. Die OLED kann hierbei auch ansteuerbar sein.

Eine weitere Ausführungsform einer elektronischen Struktur 100 kann auch eine gestapelte OLED mit einer so genannten Ladungsträgererzeugungsschicht (Charge-Generation-Layer, CGL) sein .

Die elektronische Struktur 100 kann zur Veranschaulichung verschiedener Ausführungsbeispiele in Fig. 11 beispielsweise als lichtemittierendes Bauelement 100 ausgebildet sein in Form einer organischen Leuchtdiode (OLED) 100.

Die elektronische Struktur 100, im Folgenden organische

Leuchtdiode 100, kann ein Substrat 102 aufweisen. Das

Substrat 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise

lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann das Substrat 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat 102 eine

Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder

Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,

Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Substrat 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Das Substrat 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.

Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,

beispielsweise für das von der organischen Leuchtdiode 100 erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer

Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem

Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine

Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte

Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann. Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist

(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des

Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.

Somit ist „transparent" in verschiedenen

Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen.

Für den Fall, dass beispielsweise eine lichtemittierende, monochrome oder im Emissionsspektrum begrenzte elektronische Struktur 100, beispielsweise die organische Leuchtdiode 100, bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten

monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische

Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen

Ausführungsbeispielen bzw. allgemein die elektronische

Struktur) als ein so genannter Top- und Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine

transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.

Auf oder über dem Substrat 102 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,

Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie

Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die

Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von

ungefähr 40 nm. Auf oder über der optionalen Barriereschicht 104 oder auch auf dem Substrat 102 kann optional eine

Planarisierungsschicht 106 angeordnet sein. Die

Planarisierungsschicht 106 kann beispielsweise in

Abhängigkeit vom jeweiligen Substrat 102 auch mehrschichtig ausgebildet sein. Auf oder über der optionalen Barriereschicht 104 oder auch auf dem Substrat 102 oder der Planarisierungsschicht 106 kann ein elektrisch aktiver Bereich 108 der organischen

Leuchtdiode 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive

Bereich 108 kann als der Bereich des lichtemittierenden

Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb der organischen Leuchtdiode 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine organische Schicht 112 sowie eine auf diese organische Schicht 112 oder auch organische funktionelle Schichtenstruktur 112

aufgewachsene Metall-Aufwachsschicht 114 und mindestens eine auf der Metall-Aufwachsschicht 114 aufgewachsene

Metallschicht 116, wobei die mindestens eine Metall- Aufwachsschicht 114 Germanium enthält, aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. Die Metallschicht 116 kann hierbei beispielsweise eine zweite Elektrode 116 sein.

So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Substrat 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zri2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder

Iri4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.

Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer

stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste

Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie

Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser

Materialien . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste

Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine

Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . Hierbei kann eine weitere Metall-Aufwachsschicht 114, welche Germanium enthält oder aus Germanium besteht, als

Benetzungsvermittler auf die erste ITO-Schicht aufgebracht sein, um die homogene Abscheidung beispielsweise von Ag als Schicht des Schichtenstapels der ersten Elektrode 110 in der Schichtenfolge zu verbessern.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste

Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus

Kohlenstoff-Nanoröhren ; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch

leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste

Elektrode 110 und das Substrat 102 transluzent oder

transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,

beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 108 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 7 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 108 eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 7 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 14 nm bis ungefähr 18 nm.

Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis

ungefähr 150 nm.

Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen-Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 108 beispielsweise eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,

beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von

ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als

löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als

Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.

Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 110 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein . Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 108 der

organische Leuchtdiode 100 eine organische

elektrolumineszente Schichtenstruktur 114 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder wird. Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 114 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 120 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 122 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 122) vorgesehen sein.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem

lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118

eingesetzt werden können, schließen organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete

Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind. Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 der

organischen Leuchtdiode 100 können beispielsweise so

ausgewählt sein, dass die organische Leuchtdiode 100

Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien

aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau

phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün

phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot

phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten

Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die

organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive

Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.

Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als

Elektronentransportschicht 122 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED 100 eine effektive

Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 120 können

beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als

elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode

110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die

Emitterschicht 118 kann auf oder über der

Lochtransportschicht 120 aufgebracht, beispielsweise

abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann Elektronentransportschicht 122 auf oder über der

Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 (also

beispielsweise die Summe der Dicken von

Lochtransportschicht (en) 120 und Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 122) eine Schichtdicke

aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von

mehreren direkt übereinander angeordneten organischen

Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED

beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 110 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente

Schichtenstruktur 110 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.

Die organische Leuchtdiode 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise

angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) 122 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz der organischen Leuchtdiode 100 weiter zu verbessern.

Auf oder über der organischen elektrolumineszenten

Schichtenstruktur 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen

Funktionsschichten

Die Metall-Aufwachsschicht 114, welche Germanium enthält, kann in verschiedenen Ausführungsbeispiel ein metallisches MehrstoffSystem sein. Das metallische MehrstoffSystem kann beispielsweise eine Legierung sein. Legierungen können beispielsweise Legierungen des Systems Germanium-Silber sein. Legierungen des Germanium-Silber-Systems können

Zusammensetzungen mit einem Stoffmengenanteil von Silber in einem Bereich von ungefähr 0,1 % und ungefähr 99.999 % enthalten. Die Legierung kann einen Stoffmengenanteil von 0,1 % Silber aufweisen. Legierungen können Legierungen des

Systems Germanium-Gold sein. Legierungen des Germanium-Gold - Systems können Zusammensetzungen mit einem Stoffmengenanteil von Gold in einem Bereich von ungefähr 0,1 % und ungefähr 99.999 % aufweisen. Die kann Legierung einen

Stoffmengenanteil von 0,1 % Gold enthalten. Legierungen können beispielsweise Legierungen des Systems Germanium- Kupfer sein. Legierungen des Germanium-Kuper-Systems können Zusammensetzungen mit einem Stoffmengenanteil von Kupfer in einem Bereich von ungefähr 0,1% und ungefähr 99.999 %

aufweisen. Die Legierung kann einen Stoffmengenanteil von 0,1 % Kupfer enthalten.

In einer Ausgestaltung kann die Metall-Aufwachsschicht 114 eine reine Germanium-Aufwachsschicht 114 sein (in anderen Worten kann die Metall-Aufwachsschicht 114 aus 100 ~6 reinem Germanium bestehen) . In dieser Ausgestaltung kann die

Germanium-Aufwachsschicht 114 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von

ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 3 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis

ungefähr 1 nm.

In verschiedenen Ausführungsformen kann die Metall- Aufwachsschicht 114 Germaniumoxid enthalten oder aus

Germaniumoxid (GeC>2) bestehen.

Die Metall-Aufwachsschicht 114 kann als Monolage ausgebildet sein. Die Metall-Aufwachsschicht kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm und ungefähr 10 nm. Die Schichtdicken von Metall-Aufwachsschichten 114 können in verschiedenen Ausführungsbeispielen beispielsweise eine

Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke von ungefähr 0,5 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke von ungefähr 3 nm aufweisen.

Die Schichtdicke der Metall-Aufwachsschicht 114 kann

beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm

aufweisen.

Auf die Metall-Aufwachsschicht 114 kann die zweite Elektrode 116 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 116) aufgewachsen oder auch aufgebracht sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite

Elektrode 116 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in

verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite

Elektrode 116 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 112) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise 11 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. Die zweite Elektrode 116 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 116 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 116 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte

lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparente lichtemittierende

Struktur 100) eingerichtet sein.

Die Metallschicht 116, beispielsweise die zweite Elektrode 116 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode .

Die Metallschicht 116 kann Silber (Ag) enthalten. In

verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Metallschicht 116 als Silberkathode 116 ausgebildet sein, mit anderen

Worten als Silberkathodenfilm 116 (oder auch Ag- Kathodenfilm 116) .

Die Silberkathode 116 bzw. der Ag-Kathodenfilm 116 kann beispielsweise als transparenter Ag-kathodenfilm 116

ausgebildet sein.

Die Metallschicht 116 kann in verschiedenen Ausführungsformen als Schichtstruktur ausgebildet sein, welche mindestens eine weitere Metall-Aufwachsschicht 114 aufweist, welche Germanium enthält. Die weitere Metall-Aufwachsschicht 114 kann als weitere Benetzungsvermittlungsschicht das Aufwachsen einer weiteren Metallschicht 116 optimieren. In verschiedenen

Ausführungsformen kann die Metallschicht 116 beispielsweise einen Schichtaufbau mit der Schichtfolge Ge/Ag/Ge, oder beispielsweise Ge/Ag/Ge/Ag, aufweisen.

Die Metallschicht 116 der organischen Leuchtdiode 100 kann in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise als

transparenter Deckkontakt ausgebildet sein. Die Metallschicht 116 kann beispielsweise als Schichtstruktur ausgebildet sein, welche eine Metall-Aufwachsschicht 114 aufweist, welche Germanium enthält und eine auf die Metall- Aufwachsschicht 114 aufgewachsene weitere Metallschicht 116 aufweist, welche Silber enthält. Hierdurch kann zusätzlich eine geringere Blickwinkelabhängigkeit erreicht werden.

Die Metallschicht 116 der organischen Leuchtiode 100 kann in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise als

transparenter Mittenkontakt ausgebildet sein. Die

Metallschicht 116 kann beispielsweise als Schichtstruktur ausgebildet sein, welche eine Metall-Aufwachsschicht 114 aufweist, welche Germanium enthält und eine auf die Metall- Aufwachsschicht 114 aufgewachsene weitere Metallschicht 116 aufweist, welche Silber enthält.

Die organische Leuchtdiode 100 kann in verschiedenen

Ausführungsformen, beispielsweise als beidseitig emittierende organische Leuchtdiode 100, eine erste Metallschicht 116 aufweisen, ausgebildet als transparenter Deckkontakt und eine weitere Metallschicht 116 aufweisen, ausgebildet als

transparenter Mittenkontakt.

Die zweite Elektrode 116, bzw. Metallschicht 116, kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential) , bereitgestellt von der

Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,0 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 12 V. Die organische Leuchtdiode 100 kann in verschiedenen

Ausführungsformen beispielsweise als top-emittierende, oder auch deckglasseitig emittierende, beispielsweise als

beidseitig emittierende, beispielsweise als bottom- emittierende organische Leuchtdiode 100 eingerichtet sein.

Die Top-emittierende organische Leuchtdiode 100 kann

beispielsweise eine erste Elektrode 110 aufweisen, welche eine Schichtdicke im Bereich einer semi-transparenten oder nicht transparenten Schicht aufweist.

Die organische Diode 100 kann in verschiedenen

Ausführungsformen optional eine Antireflexbeschichtung 124 aufweisen, beispielsweise ausgebildet als dielektrische

Schicht, welche zur Entspiegelung dient. Die

Antireflexbeschichtung 124 kann beispielsweise auch

mehrschichtig ausgebildet sein.

Auf oder über der Metallschicht 116, oder zweiten Elektrode 116, und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 108 kann optional noch eine Verkapselung 126, beispielsweise in Form einer Barrieredünnschicht/Dünnschichtverkapselung 126 gebildet werden oder sein. Unter einer „Barrieredünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 126 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrieredünnschicht 126 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie

Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrieredünnschicht 126 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als

Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrieredünnschicht 126 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die

Barrieredünnschicht 126 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Barrieredünnschicht 126 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrieredünnschicht 126 können

beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen

Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer

Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen

Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines

plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less

Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.

Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.

Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer

Barrieredünnschicht 126, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrieredünnschicht 126, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrieredünnschicht 120 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .

Die Barrieredünnschicht 126 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer

Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrieredünnschicht

126 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen

Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der

Barrieredünnschicht 126 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der

Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.

Die Barrieredünnschicht 126 oder die einzelnen Teilschichten der Barrieredünnschicht 126 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrieredünnschicht 126 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrieredünnschicht 126) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen .

Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrieredünnschicht 126 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der

Barrieredünnschicht 126 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid

Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium- dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen

derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrieredünnschicht 126 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrieredünnschicht 126 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 1.8.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Verkapselung 126 eine niedrigbrechende Zwischenschicht oder niedrigbrechende Zwischenschichtstruktur 128 (beispielsweise mit einer oder mehreren Schichten aus demselben oder

unterschiedlichen Materialien) angeordnet sein, die dazu dient, bei einer elektronischen Struktur 100 die

Gesamttransparenz derselben zu erhöhen.

Die Zwischenschicht oder Zwischenschichtstruktur 128 kann mindestens eine Schicht aufweisen, die (bei einer

vorgegebenen Wellenlänge (beispielsweise bei einer

vorgegebenen Wellenlänge in einem Wellenlängenbereich von 380 nm bis 780 nm) ) einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex einer Abdeckung (bei der vorgegebenen Wellenlänge) des lichtemittierenden Bauelements 100. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschicht oder die mindestens eine Schicht der

Zwischenschichtstruktur oder die gesamte

Zwischenschichtstruktur 128 einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex einer Abdeckung der organischen Leuchtdiode 100. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Verkapselung 126 oder über der niedrigbrechenden

Zwischenschicht 128 optional eine Planarisierungs -oder

Pufferschicht 130 angeordnet sein. Die Planarisierungs -oder Pufferschicht 130 kann beispielsweise mehrschichtig

ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Verkapselung 126 oder auf oder über der niedrigbrechenden optionalen Zwischenschicht 128 oder auf oder über der

optionalen Planarisierungs- oder Pufferschicht 130 eine optionale Kratzschutzschicht 132 angeordnet sein. Die

Kratzschutzschicht 132 kann beispielsweise ein Deckglas sein, beispielsweise eine Deckfolie sein, beispielsweise ein Lack sein.

Auf der Kratzschutzschicht 132 kann optional ein Streufilm 134 angeordnet sein. Der Streufilm 134 kann beispielsweise ein refraktiv streuendes Material sein, beispielsweise für "transluzente" beidseitig emittierende OLED 100.

Die OLED 100 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen farbabstimmbar sein. Beispielsweise kann die farbabstimmbare OLED 100 ein Bottom-Emitter, ein Top-Emitter oder eine beidseitig emittierende transparent OLED sein. Die

transparente OLED kann beispielsweise einen transparenten Mittenkontakt aufweisen, welcher eine Metall-Aufwachsschich 114 aus Germanium und eine Metallschicht 116 aus Silber enthält .

Top-emittierende OLED 100 können einen transparenten

Deckkontakt aufweisen, welcher eine Metall-Aufwachsschicht 114 aus Germanium und eine Metallschicht 116 aus Silber enthält. Hierdurch kann zusätzlich eine geringere

Blickwinkelabhängigkeit erreicht werden. Zusätzlich können werden durch die Erfindung auf einfache Weise weiß ^¬ emittierende Top-Emitter ermöglicht werden.

Die elektronische Struktur 100, beispielsweise die organische Leuchtdiode 100, kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen zumindest bereichsweise flexibel ausgebildet sein.

Die organische Leuchtdiode 100 kann beispielsweise in

verschiedenen Ausführungsbeispielen zumindest bereichsweise als passive (nichtleuchtende) Anzeige ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen als Leiterbahn eingerichtet sein. Die Leiterbahn kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen als Elektrode eingerichtet sein. Die Elektrode kann beispielsweise zumindest bereichsweise

transparent ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen in verschiedenen Ausführungsbeispielen als Zwischenelektrode eingerichtet sein. Die

Zwischenelektrode kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen beispielsweise als Transistor

eingerichtet sein. Der Transistor kann beispielsweise

zumindest bereichsweise transparent ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen beispielsweise als elektronische

Schaltung eingerichtet sein. Die elektronische Schaltung kann beispielsweise zumindest bereichsweise transparent

ausgebildet sein.

Die elektronische Struktur 100 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen beispielsweise als Solarzelle

eingerichtet sein. Die organische Schicht 112 kann

beispielsweise als Solarzelleneinheit eingerichtet sein. Die Solarzelle kann beispielsweise als Halbleitersolarzelle ausgebildet sein. Die Halbleitersolarzelle kann

beispielsweise eine II-VI-Halbleitersolarzelle sein. Die Halbleitersolarzelle kann beispielsweise eine III-V- Halbleitersolarzelle sein. Die Halbleitersolarzelle kann beispielsweise eine I-III-VI-Halbleitersolarzelle sein. Die Solarzelle kann beispielsweise in verschiedenen

Ausführungsbeispielen als organische Solarzelle ausgebildet sein. Die Solarzelle kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen beispielsweise als Siliziumsolarzelle ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektronische Struktur 100 beispielsweise als transparenter Ge/Ag-Kontakt ausgebildet sein, somit als Kontakt, welcher aus einer

Metall-Aufwachsschicht 114 aus Germanium und einer auf der Metall-Aufwachschicht 114 aufgewachsenen Metallschicht 116 aus Silber ausgebildet ist. Der Ge/Ag-Kontakt ist zumindest bereichsweise metall-aufwachsschichtseitig auf einer

organischen Schicht 112 aufgewachsenen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können beispielsweise ein Kontakt oder beide Kontakte als transparente GeAg-Kontakte ausgebildet sein. Die transparenten Ge/Ag-Kontakte können beispielsweise als transparente Zuleitung für transparente OLED dienen. Es ist auch möglich, dass nur die Ge/Ag-Kontakte, somit nur die Zuleitungen transparent ausgebildet sind, die Elektroden der OLED selbst können beispielsweise semitransparent oder auch intransparent sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein elektronisches Bauelement aus mindestens einer elektronischen Struktur 100 ausgebildet sein. Das Bauelement kann

beispielsweise als lichtemittierendes Bauelement,

beispielsweise als Display eingerichtet sein. Das

elektronische Bauelement kann beispielsweise eine PET-Folie aufweisen. Die elektronische Struktur 100 kann beispielsweise zumindest bereichsweise auf der PET-Folie angeordnet sein. In den folgenden Figuren wird auf die Beschreibung in Fig. 11 Bezug genommen und lediglich zusätzliche oder alternative, somit hiervon abweichende Merkmale der folgenden Figuren beschrieben um Wiederholungen zu vermeiden. Fig. 12 zeigt eine Querschnittansicht einer elektronischen Struktur 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektronische Struktur 100 eine weitere Metall-Aufwachsschicht 202

aufweisen, welche auf das Substrat 102 aufgewachsen ist und welche beispielsweise Germanium sein kann, beispielsweise Germaniumoxid sein kann, beispielsweise eine

Germaniumlegierung sein kann, beispielsweise des Systems Germanium-Silber, beispielsweise des Systems Germanium-Gold, beispielsweise des Systems Germanium-Kupfer. Die erste

Elektrode 110 ist auf die Metall-Aufwachsschicht 202

aufgewachsen. Die erste Elektrode 110 kann wie in Fig. 11 beschrieben beispielsweise eine transparente ITO, IMI, ITO- Ag-ITO, sog AZO-Elektrode sein oder beispielsweise Silber. Die organische Schicht 112 wurde in Fig. 11 bereits

beschrieben und kann beispielsweise eine Elektronen- bzw.

Lochtransportschicht oderbeispielsweise eine Absorberschicht sein, auf diese aufgewachsen folgt wie in Fig. 11 beschrieben die Metall-Aufwachsschicht 114, beispielsweise aus Germanium, und die auf diese aufgewachsene Metallschicht 116,

beispielsweise ein Ag-Kathodenfilm. Fig. 13 zeigt eine Querschnittansicht einer elektronischen Struktur 300 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die elektronische Struktur 300 kann beispielsweise eine

gestapelte (gestackte) Struktur sein. Die elektronische

Struktur 100 kann beispielsweise eine erste OLED-Einheit 302 aufweisen, welche aus der organischen Schicht bzw.

organischen Schichtenstruktur 112 gebildet ist. Die

organische Schichtenstruktur 112 kann hierbei beispielsweise ausgebildet sein aus einer Mehrzahl von Schichten und kann beispielsweise Elektronen- bzw. Lochtransportschichten, beispielsweise Absorberschichten, beispielsweise eine oder mehrere Ladungsträgererzeugungsschichten (Charge generation layer (GCL) ) aufweisen, zum vertikalen Stapeln von OLEDs oder Solarzelleneinheiten. Die Metall-Aufwachsschicht 114 kann wie oben beschrieben beispielsweise aus Germanium bestehen und die Metallschicht 116 kann beispielsweise ein Deckkontakt, beispielsweise ein transparenter Ag-Kathodenfilm sein. Die Metallschicht 116 kann beispielsweise ein mehrschichtiger Kathodenfilm sein, beispielsweise mit einer Schichtenfolge Ag-Ge-Ag und somit eine weitere Metall-Aufwachsschicht 114 und eine weitere Metallschicht 116 aufweisen. Auf der ersten OLED-Einheit 302 kann eine zweite OLED-Einheit 304 angeordnet sein, welche entsprechend der ersten OLED-Einheit 302

aufgebaut sein kann. Es können beispielsweise weitere OLED- Einheiten gestackt werden.

Fig. 14 zeigt eine Querschnittansicht einer elektronischen Struktur 400 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die elektronische Struktur 400 ist beispielsweise eine OLED mit transparenten Ge/Ag-Kontakten, welche die typischerweise verwendeten intransparenten metallischen Zuleitungen ersetzt.

Die OLED 400 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine transparente OLED sein, welche transparente Ge/Ag-Kontakte 402 aufweist. Die Ge/Ag-Kontakte 402 sind Kontakte, welche aus einer Metall-Aufwachsschicht 114 aus Germanium und einer auf der Metall-Aufwachschicht 114 aufgewachsenen Metallschicht 116 aus Silber ausgebildet sind. Der Ge/Ag- Kontakt ist zumindest bereichsweise metall- aufwachsschichtseitig auf einer organischen Schicht 112 aufgewachsen. Die Kontakte sind leitend mit einem

emittierenden Bereich 404 verbunden, welcher durch die Ge/Ag- Kontakte 402 angeregt wird. Der Leuchtbereich 404 kann beispielsweise in Fig. 11 beschriebene Emitterschichten enthalten. Der Leuchtbereich 404 kann transparent ausgebildet sein. Der Leuchtbereich 404 sowie die Ge/Ag-Kontakte 402 sind beispielsweise zumindest bereichsweise auf oder unter einem Substrat 406, beispielsweise einem laminierten Glas,

beispielsweise einer flexiblen Folie, angeordnet. Transparente Ge/Ag-Kontakte 402 können in verschiedenen

Ausführungsbeispielen beispielsweise auf einem starren

Substrat 406, beispielsweise auf einem flexiblen Substrat 406 angeordnet sein, beispielsweise für top-emittierende

OLED 400.

Fig. 15 zeigt eine Querschnittansicht einer elektronischen Struktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Auf dem Substrat 102 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine erste OLED-Einheit 302 angeordnet sein. Auf dieser OLED- ersten Einheit 302 kann eine Ladungsträgererzeugungsschicht- Einheit (charge-generation-layer-Einheit (CGL-Einheit ) ) 502 angeordnet sein.

Die Ladungsträgererzeugungsschicht-Einheit 502 dient

beispielsweise dazu, beispielsweise eine Mehrzahl von

Solarzelleneinheiten oder beispielsweise OLEDs vertikal zu Stapeln. Somit wird ein gestackter Aufbau ermöglicht. Die Ladungsträgererzeugungsschicht-Einheit 502 ist beispielsweise aufgebaut aus einer, beispielsweise organischen, n-leitenden Schicht 504, einer Metall-Aufwachsschicht 506, welche

beispielsweise Germanium enthalten kann oder beispielsweise aus Germanium besteht, einer auf der Metall-Aufwachsschicht 506 aufgewachsenen dünnen Metallschicht 508, beispielsweise Silber, wobei die Metallschicht 508 eine Schichtdicke in einem Bereich von beispielsweise ungefähr 1 nm und ungefähr 5 nm haben kann, und einer p-leitenden Schicht 510. Auf der p-leitende Schicht 510 kann eine zweite OLED-Einheit 304 angeordnet sein. Auf der zweiten OLED-Einheit 304 können beispielsweise weitere OLED-Einheiten und/oder weitere

Ladungsträgererzeugungsschicht-Einheiten 502 angeordnet sein, oder beispielsweise eine Deckelektrode 116. Die Deckelektrode 116 kann beispielsweise ein Ge/Ag-Kontakt sein. Auf der

Deckelektrode 116 kann optional eine Antireflexbeschichtung 124 angeordnet sein. Optional können eine

Dünnfilmverkapselung 126 und/oder eine Kratzschutzschicht 132 angeordnet sein.

Fig. 16 zeigt ein Ablaufdiagramm 600, in dem ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Struktur 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist. In 602 wird ein elektrisch aktiver Bereich 108 gebildet, wobei eine erste Elektrode 110, eine organische Schicht oder organische funktionelle Schichtenstruktur 112, eine Metall- Aufwachsschicht 114 und eine Metallschicht 116,

beispielsweise eine zweite Elektrode, gebildet werden und wobei die Metall-Aufwachsschicht 114 auf die organische

Schicht 112 aufgewachsen ist und die Metallschicht 116 auf die Metall-Aufwachsschicht 114 aufgewachsen ist. Ferner kann in 604 eine Schichtenstruktur mit mindestens einer Schicht über dem elektrisch aktiven Bereich gebildet werden, gefolgt von einem Bilden einer Abdeckung über der Schichtenstruktur in 606.

Die verschiedenen Schichten, beispielsweise die

Zwischenschicht 122 oder Zwischenschichtstruktur 122, die Elektroden 108, 112 sowie die anderen Schichten des

elektrisch aktiven Bereichs 108 wie beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, beispielsweise die Lochtransportschicht (en) oder

Elektronentransportschicht (en) können mittels verschiedener Prozesse aufgebracht werden, beispielsweise abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens

(chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes

Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines

Tauchabscheideverfahrens; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens; Rakelns; oder Sprühens. Die Metall-Aufwachsschicht 114 und die Metallschicht 116 können mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens , beispielsweise thermisches Verdampfen, abgeschieden werden.

Als CVD-Verfahren kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein plasmaünterstütztes chemisches Abscheideverfahren aus der Gasphase (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD) eingesetzt werden. Dabei kann in einem Volumen über und/oder um das Element, auf das die aufzubringende Schicht

aufgebracht werden soll, herum ein Plasma erzeugt, wobei dem Volumen zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zugeführt werden, die in dem Plasma ionisiert und zur

Reaktion miteinander angeregt werden. Durch die Erzeugung des Plasmas kann es möglich sein, dass die Temperatur, auf welche die Oberfläche des Elements aufzuheizen ist, um eine

Erzeugung beispielsweise der dielektrischen Schicht zu ermöglichen, im Vergleich zu einem plasmalosen CVD-Verfahren erniedrigt werden kann. Das kann beispielsweise von Vorteil sein, wenn das Element, beispielsweise das zu bildende lichtemittierende elektronische Bauelement, bei einer Temperatur oberhalb einer Maximaltemperatur geschädigt werden würde. Die Maximaltemperatur kann beispielsweise bei einem zu bildenden lichtemittierenden elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen etwa 120 °C betragen, so dass die Temperatur, bei der beispielsweise die optionale dielektrische Schicht aufgebracht wird, kleiner oder gleich 120 °C und beispielsweise kleiner oder gleich 80 °C sein kann . Weiterhin kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Antireflexbeschichtung 124 gebildet werden.

Weiterhin kann es vorgesehen sein, nach dem Bilden des elektrisch aktiven Bereichs und vor Bilden der Abdeckung die optische Transparenz der den elektrisch aktiven Bereich 108 aufweisenden Struktur zu messen. Die Zwischenschicht oder Zwischenschichtstruktur kann dann gebildet werden abhängig von der gemessenen optischen Transparenz, so dass eine gewünschte optische Zieltransparenz der den elektrisch aktiven Bereich aufweisenden Struktur und der Zwischenschicht oder Zwischenschichtstruktur erzielt wird (so können/kann beispielsweise die Schichtdicke und/oder eine Materialwahl der Zwischenschicht oder Zwischenschichtstruktur angepasst werden) .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine solche niedrigbrechende Schicht im laufenden Prozessfluss als zusätzliche Schicht auf der Verkapselung, beispielsweise der Dünnfilmverkapselung, eingeführt werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können optional

Planarisierung- oder Pufferschichten 130,

Kratzschutzschicht (en) 134 und/ oder Streufilm (e) 134 gebildet werden.