以下、本発明に係る画像形成装置および� ��子写真感光体について、添付図面を参照し� ��つ具体的に説明する。

 図1に示した画像形成装置1は、画像形成� �式としてカールソン法を採用したものであ� �。画像形成装置1は、電子写真感光体2、帯電 器10、露光器11、現像器12、転写器13、定着器1 4、クリーニング器15、および除電器16を備え� ��いる。

 電子写真感光体2は、画像信号に基づいた 静電潜像が形成されるものであり、図外の回 転機構によって図1の矢印A方向に回転可能と� ��れている。この電子写真感光体2の詳細につ いては後述する。

 帯電器10は、後述する電子写真感光体2の� ��導電層26(図2参照)の種類に応じて、電子写� �感光体2の表面を一様に、正極性または負極� ��に帯電させるためのものである。この帯電� ��10は、電子写真感光体2を押圧するように密� ��して配置されており、たとえば金属ローラ� ��表面を導電性ゴムおよびPVDF(ポリフッ化ビ� �リデン)によって被覆した構成とされる。帯� ��器10による電子写真感光体2の帯電圧は、た� ��えば絶対値において200V以上1000V以下とされ� ��。

 帯電器10としては、コロナ放電を発生さ� �るためのコロントロンを用いることもでき� �。この場合の帯電器10は、たとえば電子写真 感光体2の軸方向の延びるように張設された� �電ワイヤを備えたものとされる。

 露光器11は、電子写真感光体2に静電潜像� ��形成するためのものであり、特定波長(たと えば650nm以上780nm以下)の光を出射可能とされ� ��いる。この露光器11によると、画像信号に� �じて電子写真感光体2の表面に光を照射して� ��照射部分の電位を減衰させることにより、� ��位コントラストとしての静電潜像が形成さ� ��る。露光器11としては、たとえば約680nmの波 長の光を出射可能なLED素子を600dpiの密度で配 列させたLEDヘッドを採用することができる。 もちろん、露光器11としては、レーザ光を出� ��可能なものを使用することもできる。

 また、LEDヘッド等の露光器11に代えて、� �ーザービームおよびポリゴンミラー等から� �る光学系、あるいは、原稿からの反射光を� �すレンズおよびミラー等からなる光学系を� �いることにより、複写機の構成の画像形成� �置とすることもできる。

 現像器12は、電子写真感光体2の静電潜像� ��現像してトナー像を形成するためのもので� ��る。この現像器12は、現像剤(トナー)を磁気 的に保持する磁気ローラ12A、電子写真感光体 2との隙間を制御するためのコロと呼ばれる� �輪(図示せず)などを備えている。

 現像剤は、電子写真感光体2の表面に形成 されるトナー像を構成するものであり、現像 器12において摩擦帯電させられるものである� ��現像剤としては、磁性キャリアと絶縁性ト� ��ーとから成る二成分系現像剤、あるいは磁� ��トナーから成る一成分系現像剤を使用する� ��とができる。

 磁気ローラ12Aは、電子写真感光体2の表面 に現像剤を搬送する役割を果すものである。

 現像器12においては、摩擦帯電したトナ� �が磁気ローラ12Aによって一定の穂長に調整� �れた磁気ブラシの形で電子写真感光体2の現� ��領域に搬送され、静電潜像との静電引力に� ��りトナーが感光体表面に付着して可視化さ� ��る。トナー像の帯電極性は、正規現像によ� ��画像形成が行われる場合には、電子写真感� ��体2の表面の帯電極性と逆極性とされ、反転 現像により画像形成が行われる場合には、電 子写真感光体2の表面の帯電極性と同極性と� �れる。

 なお、現像器12は、乾式現像方式を採用� �ているが、液体現像剤を用いた湿式現像方� �を採用してもよい。

 転写器13は、電子写真感光体2と転写器13� �の間の転写領域に供給された記録媒体Pに、� ��子写真感光体2のトナー像を転写するための ものである。この転写器13は、転写用チャー� ��ャ13Aおよび分離用チャージヤ13Bを備えてい� ��。転写器13では、転写用チャージャ13Aにお� �て記録媒体Pの背面(非記録面)がトナー像と� �逆極性に帯電され、この帯電電荷とトナー� �との静電引力によって、記録媒体P上にトナ� ��像が転写される。転写器13ではさらに、ト� �ー像の転写と同時的に、分離用チャージャ13 Bにおいて記録媒体Pの背面が交流帯電させら� ��、記録媒体Pが電子写真感光体2の表面から� �やかに分離させられる。

 なお、転写器13としては、電子写真感光� �2の回転に従動し、かつ電子写真感光体2とは 微小間隙(通常、0.5mm以下)を介して配置され� �転写ローラを用いることも可能である。こ� �場合の転写ローラは、たとえば直流電源に� �り、電子写真感光体2上のトナー像を記録媒� ��P上に引きつけるような転写電圧を印加する ように構成される。転写ローラを用いる場合 には、分離用チャージャ13Bのような転写分離 装置は省略してもよい。

 定着器14は、記録媒体Pに転写されたトナ� ��像を記録媒体Pに定着させるためのものであ り、一対の定着ローラ14A,14Bを備えている。� �着ローラ14A,14Bは、たとえば金属ローラ上に� ��ッ素樹脂等で表面被覆したものとされてい� ��。この定着器14では、一対の定着ローラ14A,1 4Bの間に記録媒体Pを通過させることにより、 熱あるいは圧力等によって記録媒体Pにトナ� �像を定着させることができる。

 クリーニング器15は、電子写真感光体2の� ��面に残存するトナーを除去するためのもの� ��あり、クリーニングブレード15Aを備えてい� ��。

 クリーニングブレード15Aは、電子写真感� ��体2の表面層27(図2参照)から、残留トナーを� ��きとる役割を果たすものである。クリーニ� ��グブレード15Aは、たとえばポリウレタン樹� ��を主成分としたゴム材料からなる。本実施� ��態に係るクリーニングブレード15Aは、表面� ��27(図2参照)に接する先端部の厚みが1.0mm以上 1.2mm以下とされている。本実施形態に係るク� ��ーニングブレード15Aは、ブレード線圧が14gf /cm(一般的には5gf/cm以上30gf/cm以下)とされてい る。本実施形態に係るクリーニングブレード 15Aは、硬度がJIS硬度で74度(好適範囲67度以上8 4度以下)とされている。

 除電器16は、電子写真感光体2の表面電荷� ��除去するためのものである。この除電器16� �、たとえばLED等の光源によって電子写真感� �体2の表面全体を一様に光照射することによ� ��、電子写真感光体2の表面電荷(残余の静電� �像)を除去するように構成されている。

 図2に示したように、電子写真感光体2は� �円筒状基体20および被覆層21を有している。

 円筒状基体20は、電子写真感光体2の骨格を� ��すものであり、少なくとも表面に導電性を� ��するものとされている。円筒状基体20は、� �体を導電性材料により形成してもよいし、� �縁性材料により形成した円筒体の表面に導� �性膜を形成したものであってもよい。円筒� �基体20のための導電性材料としては、たとえ ばAlあるいはSUS(ステンレス)、Zn、Cu、Fe、Ti、 Ni、Cr、Ta、Sn、Au、およびAgなどの金属材料、 それらの金属の合金材料を使用することがで きる。円筒状基体20のための絶縁材料として� ��、樹脂、ガラス、あるいはセラミックスな� ��を挙げることができる。導電性膜のための� ��料としては、先に例示した金属の他、ITO(Ind ium Tin Oxide)、SnO ₂ などの透明導電性材料を挙げることができる 。これらの透明導電性材料は、たとえば蒸着 などの公知の手法により、絶縁性を有する円 筒体の表面に被着させることができる。

 ただし、円筒状基体20は、全体をAl合金材 料(たとえばAl-Mn系合金、Al-Mg系合金、Al-Mg-Si� �合金)により形成するのが好ましい。そうす� ��ば、電子写真感光体2が軽量かつ低コストに 製造可能となる。

 このようなAl合金材料の円筒状基体20は、 たとえば鋳造、均質化処理、熱間押出加工、 および冷間抽伸加工し、必要に応じて軟化処 理を行なうことにより形成することができる 。

 被覆層21は、感光層22、耐圧層23およびa-Si ONB含有層24を含んでいる。

 感光層22は、電荷注入阻止層25、光導電層 26および表面層27を備えたものである。感光� �22の厚みは、15μm以上90μm以下に設定される� �が好ましい。感光層22の厚みを15μm以上90μm� �下の範囲に設定すると、例えば長波長光吸� �層を設けなくても記録画像に干渉縞が発生� �るのを適切に抑制できるのに加え、応力に� �因する膜剥がれが発生するのを適切に抑制� �きる。

 電荷注入阻止層25は、電子あるいは正孔� �円筒状基体20から光導電層26に注入されるの� ��抑制するためのものであり、たとえば厚み� ��1μm以上10μm以下に形成されている。電荷注� ��阻止層25は、光導電層26の材料に応じて種々 のものを用いることができるが、たとえば光 導電層26をa-Si系材料を用いて形成する場合で あれば、電荷注入阻止層25にもa-Si系材料など の無機物材料を使用するのが好ましい。そう することにより、後述する耐圧層23と光導電� ��26との密着性に優れた電子写真特性を得る� �とができる。

 a-Si系の電荷注入阻止層25を設ける場合は� ��a-Si系光導電層26と比べて、より多くの周期� ��表第13族元素(以下、「第13族元素」と略す)� ��るいは周期律表第15族元素(以下、「第15族� �素」と略す)を含有させて導電型を調整し、� ��た多くの炭素(C)、窒素(N)、あるいは酸素(O)� ��含有させて高抵抗化するとよい。

 電荷注入阻止層25は、全体を無機物とし� �形成する場合には、たとえばグロー放電分� �法、各種スパッタリング法、各種蒸着法、EC R法、光CVD法、触媒CVD法、あるいは反応性蒸� �法など公知の成膜手法により形成すること� �できる。

 なお、電荷注入阻止層25は、選択的なも� �であり、必ずしも必要なものではない。ま� �、電荷注入阻止層25に代えて、長波長光吸収 層を設けてもよい。この長波長光吸収層を設 けると、露光時に入射した長波長光(波長が0. 8μm以上の光をいう。)が円筒状基体20の外周� �で反射し、記録画像に干渉縞が発生するこ� �を抑制することが可能となる。

 光導電層26は、露光器11によるレーザ光など の光の照射によって電子が励起され、自由電 子あるいは正孔などのキャリアを発生させる ためのものであり、たとえば厚みが10μm以上8 0μm以下に形成されている。光導電層26は、た とえばa-Si系材料、a-Se、Se-Te、およびAs ₂ Se ₃ などのアモルファスセレン系(a-Se系)材料、あ るいはZnO、CdS、CdSeなどの周期律表第12族元素 と周期律表第16族元素との化合物などにより� ��成されている。a-Si系材料としては、a-Si、a- SiC、a-SiN、a-SiO、a-SiGe、a-SiCN、a-SiNO、a-SiCOお� �びa-SiCNOなどを使用することができる。特に� ��光導電層26をa-Siあるいはa-SiにC、N、Oなどの 元素を加えたa-Si系の合金材料により形成し� �場合には、優れた電子写真特性が安定して� �られるのに加え、表面層27をa-SiC(特にa-SiC:H)� ��より形成する場合における表面層27との整� �性が優れたものとなる。ここで、電子写真� �性とは、高い光感度特性、高速応答性、繰� �返し安定性、耐熱性、および耐久性などが� �げられる。

 光導電層26は、全体を無機物として形成� �る場合には、たとえばグロー放電分解法、� �種スパッタリング法、各種蒸着法、ECR法、� �CVD法、触媒CVD法、あるいは反応性蒸着法な� �公知の成膜手法により形成することができ� �。光導電層26の形成に当たっては、ダングリ ングボンド終端用に水素(H)あるいはハロゲン 元素(F、Cl)を、膜中に1原子%以上40原子%以下� �有させてもよい。また、光導電層26の形成に 当たっては、各層の電気的特性(暗導電率あ� �いは光導電率など)および光学的バンドギャ� ��プなどについて所望の特性を得るために、� ��13族元素あるいは第15族元素を0.1ppm以上20000p pm以下含有させ、あるいはC、N、O等の元素の� ��有量を0.01ppm以上100ppm以下の範囲で調整すれ ばよい。C、N、O等の元素については、層の厚 み方向に濃度勾配が生じるように含有させて もよく、その場合には、層全体の平均含有量 が上記範囲内にあればよい。

 また、第13族元素および第15族元素として は、共有結合性に優れて半導体特性を敏感に 変え得る点および優れた光感度が得られる点 で、ホウ素(B)およびリン(P)を用いるのが望ま しい。第13属元素および第15属元素をC、N、O� �の元素とともに含有させる場合には、第13族 元素は0.1ppm以上20000ppm以下であるのが好まし� ��、第15族元素は0.1ppm以上10000ppm以下であるの が好ましい。

 光導電層26にC、N、O等の元素を含有させ� �いか、あるいは微量(0.01ppm以上100ppm以下)含� �させる場合は、第13族元素の含有量は0.01ppm� �上200ppm以下、第15族元素の含有量は0.01ppm以� �100ppm以下であるのが好ましい。これらの元� �の含有率は層厚方向にわたって濃度勾配が� �ってもよく、その場合には層全体の平均含� �量が上記範囲内であればよい。

 光導電層26をa-Si系材料により形成する場� ��には、μc-Si(微結晶シリコン)を含有させて� �よく、その場合には、暗導電率および光導� �率を高めることができるので、光導電層26の 設計自由度が増すという利点がある。このよ うなμc-Siは、先に説明したのと同様の形成法 を採用し、その成膜条件を変えることによっ て形成することができる。たとえばグロー放 電分解法では、円筒状基体20の温度および高� ��波電力をa-Siの場合よりも高めに設定し、希 釈ガスとしての水素流量を増すことによって 形成できる。また、μc-Siを含む場合にも上記 と同様の不純物元素を添加させてもよい。

 光導電層26は、前述の無機物系材料を粒� �化し、それを樹脂に分散させた形態であっ� �もよい。また、光導電層26は、必ずしも無機 物材料を含んでいる必要はなく、たとえば有 機光導電物質を用いた光導電層として形成し てもよい。有機光導電物質としては、たとえ ばポリ-N-ビニルカルバゾールに代表される光 導電性ポリマー、2,5-ビス(p-ジエチルアミノ� �ェニル)-1,3,4-オキサジアゾールのような低分 子有機光導電性物質を用いることができる。 有機光導電性物質は、各種染料あるいは顔料 を組み合わせて使用することもできる。

 表面層27は、光導電層26の摩擦や磨耗を防 ぐためのものである。この表面層27は、たと� ��ばa-SiCなどのa-Si系材料に代表される無機物� ��料により、厚みが0.2μm以上1.5μm以下に形成� ��れている。表面層27の厚みを0.2μm以上にす� �ことで耐刷による画像キズおよび画像濃度� �ラの発生を抑制することが可能となる。表� �層27の厚みを1.5μm以下にすることで初期特性 (残留電位による画像不良等)を良好にするこ� ��が可能となる。表面層27の厚みは、好適に� �0.5μm以上1.0μm以下とされる。

 このような表面層27は、a-SiCに水素を含有さ せたa-SiC:Hにより形成するのが好ましい。a-SiC :Hは、元素比率を組成式a-Si _1-X C _X :Hと表した場合、たとえばX値が0.55以上0.93未� ��とされる。X値を0.55以上0.93未満の範囲内に� ��ることにより、表面層27として適切な硬度� �得ることが可能となり、表面層27ひいては電 子写真感光体2の耐久性を充分に確保するこ� �ができるようになる。好適には、X値は0.6以� ��0.7以下とされる。表面層27をa-SiC:Hにより形� ��する場合におけるH含有量は、1原子%以上70� �子%以下程度に設定するとよい。この範囲内� ��は、Si-H結合がSi-C結合に比して少なくなり� �表面層27の表面に光が照射されたときに生じ た電荷のトラップを抑えることができ、残留 電位を防止することができる点で好ましい。 本発明者らの知見によれば、このH含有量を� �45原子%以下とすると、より良好な結果が得� �れる。

 このようなa-SiC:Hの表面層27は、光導電層2 6をa-Si系材料により形成する場合と同様に、� ��とえばグロー放電分解法、各種スパッタリ� ��グ法、各種蒸着法、ECR法、光CVD法、触媒CVD� ��、あるいは反応性蒸着法など公知の成膜手� ��により形成することができる。

 表面層27はまた、有機光導電物質を用い� �光導電層26を形成する場合には、通常、有機 材料により形成される。この場合の有機材料 としては、硬化性樹脂を挙げることができる 。硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、フェ ノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂 、あるいはウレタン樹脂を使用することがで きる。

 耐圧層23は、被覆層21における耐電圧特性 を向上させるためのものであり、感光層22(本 実施形態では電荷注入阻止層25)とa-SiONB含有� �24との間に形成されている。この耐圧層23は� ��たとえばアモルファス窒化シリコン(以下、 単に「a-SiN」という)を含んでいる。耐圧層23� ��おける窒素原子数とシリコン原子数との合� ��に対する窒素原子数の比率(N/(Si+N))は、たと えば0.01以上0.55以下とされる。このような範� ��に前記比率を設定することにより、被覆層2 1における耐電圧特性を適切に確保すること� �できるとともに残留電位の発生を適切に抑� �することができる。好適には、耐圧層23にお ける前記比率(N/(Si+N))は、0.01以上0.35以下とさ れる。

 耐圧層23の厚みは、耐圧層23に求められる 耐電圧特性を適切に維持しつつ残留電位の発 生を抑制し、被覆層21の全体の厚みを低減す� ��観点から、たとえば0.5μm以上1.2μm以下とさ� ��る。

 耐圧層23はまた、第13族元素および窒素以 外の第15族元素を極力含んでいないのが好ま� ��く、実質的にa-SiNからなるのが好ましい。� �れは、良好な耐電圧特性を確実に確保する� �めである。もちろん、耐圧層23は、目的とす る耐電圧機能を確保できる限りにおいては、 a-SiN以外の材料により形成してもよい。このa -SiN以外の材料としては、a-SiC、a-SiO、a-SiCO、� ��よびa-SiONなどが挙げられる。

 このような耐圧層23は、光導電層26をa-Si� �材料により形成する場合と同様に、公知の� �膜手法により形成することができる。この� �知の成膜手法としては、たとえばグロー放� �分解法、各種スパッタリング法、各種蒸着� �、ECR法、光CVD法、触媒CVD法、および反応性� �着法などが挙げられる。

 また、耐圧層23における窒素原子とシリ� �ン原子との比率は、たとえば耐圧層23を形成 するときの窒素含有ガスとシリコン含有ガス との比率を適宜調整することにより選択する ことができる。耐圧層23の厚みは、たとえば� ��圧層23を形成するときの成膜時間、あるい� �円筒状基体20の温度を適宜調整することによ り選択することができる。

 a-SiONB含有層24は、導電性基体20と耐圧層23 との間の密着性を向上させるためのものであ り、導電性基体20と耐圧層23との間に形成さ� �ている。このa-SiONB含有層24は、a-SiONBを含ん� ��ものとして形成されている。a-SiONB含有層24� ��厚みは、1.05μm以下、好ましくは0.15μm以上1. 05μm以下とされている。a-SiONB含有層24の厚み� ��1.05μm以下とすれば、露光後における電子写 真感光体2の表面電位が必要以上に高くなる� �とを抑制することができるため、画像形成� �度の低下にともなう画像の劣化を抑制する� �とができる。一方、a-SiONB含有層24の厚みを0. 15μm以上とすれば、被覆層21が円筒状基体20か ら剥がれてしまうことを抑制することができ る。

 a-SiONB含有層24におけるN元素の含有量は、 たとえば原子数を基準として、Si元素の含有� ��を100としたときに0.630%以上とされ、好まし� ��は0.720%以上10.500%以下とされる。このような 範囲にN元素の含有量を設定すれば、N元素に� ��ってa-SiONB含有層24の絶縁性を適切に維持し� ��つ、膜剥がれの発生を抑制することができ� ��。

 a-SiONB含有層24におけるO元素の含有量は、 たとえば原子数を基準として、Si元素の含有� ��を100としたときに1.05%以上とされ、好まし� �は1.20%以上15.00%以下とされる。このような範 囲にO元素の含有量を設定すれば、a-SiONB含有� ��24によって円筒状基体20と耐圧層23との間の� ��着性を向上させることができるため、膜剥� ��れの発生を抑制することができる。

 a-SiONB含有層24におけるB元素の含有量は、 たとえば原子数を基準として、Si元素の含有� ��を100としたときに200ppm以上1000ppm以下とされ 、好ましくは350ppm以上700ppm以下とされる。こ のような範囲にB元素の含有量を設定すれば� �a-SiONB含有層24における耐電圧特性を適切に� �持しつつ、a-SiONB含有層24の電気的特性(たと� ��ば露光後や除電後の電位特性、あるいは暗� ��電位特性)を向上させることができる。

 a-SiONB含有層24におけるN元素、O元素、お� �びB元素の含有率は層厚方向にわたって濃度� ��配があってもよく、その場合には層全体の� ��均含有量が上記範囲内であればよい。

 a-SiONB含有層24は、実質的にa-SiONBからなる 層として形成してもよいし、Si元素、O元素、 N元素およびB元素以外の元素を含む層として� ��成してもよい。Si元素、O元素、N元素および B元素以外の元素としては、B元素およびN元素 以外の微量の第13族元素、あるいは第15族元� �などが挙げられる。ただし、Si元素、O元素� �N元素およびB元素以外の元素の含有量は、100 ppm以下に設定するのが好ましい。

 このようなa-SiONB含有層24は、光導電層26� �同様に、公知の成膜手法により形成するこ� �ができる。ここで、公知の成膜手法として� �、グロー放電分解法、各種スパッタリング� �、各種蒸着法、ECR法、光CVD法、触媒CVD法、� �るいは反応性蒸着法などが挙げられる。

 a-SiONB含有層24におけるSi原子、O原子、N原 子、およびB原子の比率および含有量は、た� �えば耐圧層23を形成するときの窒素含有ガス 、ホウ素含有ガス、およびシリコン含有ガス の比率を適宜調整することにより選択するこ とができる。a-SiONB含有層24の厚みは、たとえ ばa-SiONB含有層24を形成するときの成膜時間、 あるいは円筒状基体20の温度を適宜調整する� ��とにより選択することができる。

 a-SiONB含有層24は、たとえばグロー放電分� ��法により形成する場合には、反応室に円筒� ��基体20を収容した状態で原料ガスを供給す� �とともに、円筒状基体20に高周波電力を供給 することにより形成される。

 原料ガスとしては、たとえばSi元素を含むSi H ₄ などの珪素化合物、N元素およびO元素を含む� ��化窒素化合物、B元素を含むB ₂ H ₆ などのホウ素化合物を含有するものが使用さ れ、必要に応じてH ₂ またはHeなどの希釈ガスが含有されたものが� ��用される。原料ガスの組成は、形成すべきa -SiONB含有層24の組成に応じて適宜選択すれば� ��く、CH ₄ などのC元素を含むC化合物あるいはその他の� ��素が含有されたものであってもよい。

 円筒状基体20に供給する高周波電力は、� �とえば周波数が13.56Hzの高周波の場合に、50W� ��上、好ましくは150W以上400W以下に設定され� �。このような範囲の高周波電力を円筒状基� �20に供給してa-SiONB含有層24を形成すれば、電 気的特性に優れた電子写真感光体2を提供で� �るとともに、円筒状基体20からの被覆層21の� ��剥がれの発生を抑制することができる。こ� ��ような効果をより確実に得るためには、高� ��波電力1W当たりのSi化合物の流量を2.5sccm以� �13.3sccm以下に設定するのが好ましい。

 a-SiONB含有層24を形成するときの反応室の� ��力は、たとえば40.0Pa以上146.7Pa以下、好まし くは53.3Pa以上133.3Pa以下に設定される。この� �うな範囲に反応室の圧力を設定してa-SiONB含� ��層24を形成すれば、電気的特性に優れた電� �写真感光体2を提供できるとともに、膜剥が� ��の発生を抑制することができる。

 a-SiONB含有層24の成膜時間は、たとえば3分 以上に設定される。このような範囲に反応室 の圧力を設定してa-SiONB含有層24を形成すれば 、被覆層21の膜剥がれの発生を抑制すること� ��できる厚み、たとえば0.15μm以上の厚みにa-S iONB含有層24を形成することができる。ただし 、不要に成膜時間を長くすれば、a-SiONB含有� �24が厚み大きくなり過ぎて、露光後における 電子写真感光体2の表面電位が必要以上に高� �なり、画像濃度が低下してしまうおそれが� �る。したがって、a-SiONB含有層24の成膜時間� �、露光後における電位を適切な範囲すべく� �44分以下に設定するのが好ましい。

 電子写真感光体2では、円筒状基体20と感� ��層22との間に耐圧層23を備えているため、被 覆層21における耐電圧特性を適切に維持でき� ��。また、電子写真感光体2は、円筒状基体20� ��耐圧層23との間にa-SiONB含有層24を備えてい� �ため、円筒状基体20から被覆層21が剥がれる� ��を抑制することができる。

 一方、画像形成装置1では、電子写真感光 体2として、耐電圧特性を適切に維持しつつ� �膜剥がれの発生を抑制したものが使用され� �いるため、画像欠陥の発生を抑制し、高品� �な画像を形成することが可能となる。