以下に本発明の実施の形態を説明するが� ��これら実施の形態は例示的に示されるもの� ��、本発明の技術思想から逸脱しない限り種� ��の変形が可能なことはいうまでもない。

 本発明方法の一例を図1~図3を用いて説明� ��る。図1(a)及び図3において、符号10は版母材 で、アルミニウム、鉄又は炭素繊維強化樹脂 (CFRP)等からなる中空ロールが用いられる(図2� ��ステップ100)。該中空ロール10の表面には銅� ��っき処理によって銅めっき層12が形成され� �(図2のステップ102)。

 該銅めっき層12の表面には多数の微小な� �部(グラビアセル)14が形成される(図2のステ� �プ104)。グラビアセル14の形成方法としては� �エッチング法(銅表面に感光液を塗布して直� ��焼き付けた後、エッチングしてグラビアセ� ��14を形成する)や電子彫刻法(デジタル信号に よりダイヤモンド彫刻針を機械的に作動させ 銅表面にグラビアセル14を彫刻する)等の公知 の方法を用いることができるが、エッチング 法が好適である。

 次に、グラビアセル14を形成した銅めっ� �層12(グラビアセル14を含む)の表面に下地金� �めっき層15を形成する(図2のステップ106)。該 下地金属めっき層15は、ニッケルめっき層、� ��バルトめっき層、又は鉄めっき層である。� ��ニッケルめっき層、コバルトめっき層及び� ��めっき層はそれぞれ公知のめっき方法によ� ��形成することができる。

 次に、前記下地金属めっき層15の表面に� �属層16を形成する(図2のステップ108)。さらに 、この金属層16の表面に当該金属の炭化金属� ��、好ましくは炭化金属傾斜層18を形成する(� ��2のステップ110)。金属層16及び炭化金属層、 好ましくは炭化金属傾斜層18の形成方法とし� ��は、PVD法、例えば、スパッタリング法、真� ��蒸着法(エレクトロンビーム法)、イオンプ� �ーティング法、MBE(分子線エピタキシー法)、 レーザーアブレーション法、イオンアシスト 成膜法等を適用できるが、スパッタリング法 が好適である。

 ここで、スパッタリング法は、薄膜にし� ��い材料(ターゲット材料)にイオンをぶつけ� �と材料がはね飛ばされるが、このはね飛ば� �れた材料を基板上に堆積させ薄膜を作製す� �方法であり、ターゲット材料の制約が少な� �、薄膜を大面積に再現性よく作製できるな� �の特徴がある。

 真空蒸着法(エレクトロンビーム法)は、� �膜にしたい材料に電子ビームを照射し加熱� �発させ、この蒸発させた材料を基板上に付� �(堆積)させ、薄膜を作製する方法であり、成 膜速度が速く基板へのダメージが少ない等の 特徴がある。

 イオンプレーティング法は、薄膜にした� ��材料を蒸発させた後、高周波(RF)(RFイオンプ レーティング法)又はアーク(アークイオンプ� ��ーティング法)によりイオン化させた基板上 に堆積させ薄膜を作製する方法であり、成膜 速度が速い、付着強度が大きい等の特徴があ る。

 分子線エピタキシー法は、超高真空中で� ��料物質を蒸発させ、加熱した基板上へ供給� ��薄膜を形成する方法である。

 レーザーアブレーション法は、ターゲッ� ��に高密度化したレーザーパルスを入射する� ��とによりイオンを放出させ、対向の基板上� ��薄膜を形成する方法である。

 イオンアシスト成膜法は、真空容器内に� ��発源とイオン源とを設置し、イオンを補助� ��に利用して成膜する方法である。

 前記金属層16を構成する金属としては、� �ングステン,珪素,チタン,クロム,タンタル,及 びジルコニウム等を用いることができる。

 前記炭化金属層、好ましくは炭化金属傾� ��層18における金属は前記金属層16と同一の金 属を用いる。炭化金属傾斜層18における炭素� ��組成比は金属層16側から後述するダイヤモ� �ドライクカーボン(DLC)被膜20方向に対して炭� ��の比率が徐々に増大するように設定する。� ��まり、炭素の組成比は0%から徐々に(階段状� ��しくは無階段状に)比率を増し、最後はほぼ 100%となるように成膜を行う。

 この場合、炭化金属層、好ましくは炭化� ��属傾斜層18中の炭素の組成比の調整方法は� �知の方法を用いればよいが、例えば、スパ� �タリング法(固体金属ターゲットを用い、不� ��性ガス、例えば、アルゴンガス雰囲気で炭� ��水素ガス、例えば、メタンガス、エタンガ� ��、プロパンガス、ブタンガス、アセチレン� ��ス等の注入量を階段状又は無階段状に徐々� ��増大する)によって、炭化金属層18中の炭素� ��割合が金属層16の側からダイヤモンドライ� �カーボン(DLC)被膜20方向に対して階段状又は� ��階段状に徐々に増大するように炭素及び金� ��の両者の組成割合を変化させた炭化金属層� ��即ち炭化金属傾斜層18を形成することがで� �る。

 このように炭化金属層18の炭素の割合を� �整することによって金属層16及びダイヤモン ドライクカーボン(DLC)被膜20の双方に対する� �化金属層18の密着度を向上させることができ る。また、炭化水素ガスの注入量を一定とす れば、炭素及び金属の組成割合を一定とした 炭化金属層とすることができ、炭化金属傾斜 層と同様の作用を行わせることができる。

 続いて、前記炭化金属層、好ましくは炭� ��金属傾斜層18の表面にダイヤモンドライク� �ーボン(DLC)被膜20を被覆形成する(図2のステ� �プ112)。ダイヤモンドライクカーボン(DLC)被� �20の形成方法としては、PVD法を適用する。PVD 法としては、スパッタリング法、真空蒸着法 (エレクトロンビーム法)、イオンプレーティ� ��グ法、MBE(分子線エピタキシー法)、レーザ� �アブレーション法、イオンアシスト成膜法� �を挙げることができるが、スパッタリング� �が好適である。

 前記銅めっき層12の厚さが50~200μm、前記� �ラビアセル14の深度が5~150μm、前記下地金属� ��っき層15の厚さが0.1~5μm、前記金属層16の厚� ��が0.1~1μm、前記炭化金属層18の厚さが0.1~1μm� ��及び前記ダイヤモンドライクカーボン被膜2 0の厚さが0.1~10μmであるのが好ましい。

 上記したダイヤモンドライクカーボン(DLC )被膜20により前記炭化金属層18の表面を被覆� ��、このダイヤモンドライクカーボン(DLC)被� �20を表面強化被覆層として作用させることに よって、毒性がなくかつ公害発生の心配も皆 無となるとともに耐刷力に優れたグラビア製 版ロール10a(図3)を得ることができる。

 図1~3に示した本発明の一つの実施の形態� ��は、版母材10と、該版母材10の表面に設けら れかつ表面に多数のグラビアセル14が形成さ� ��た銅めっき層12と、該グラビアセル14が形成 された銅めっき層12の表面に設けられた下地� ��属めっき層15と、該下地金属めっき層15の表 面に設けられた金属層16と、該金属層16の表� �に設けられた当該金属の炭化金属層18と、該 炭化金属層18の表面を被覆するダイヤモンド� ��イクカーボン被膜20とを有するグラビア製� �ロール10aについて説明したが、図4~6に示し� �ように上記した金属層16と炭化金属層18の形� ��を省略する構成とすることも可能である。� ��4~6において、図1~3における部材及び工程に� ��いては同一の符号を用いて図示した。図4~6� ��実施の形態においては、図1~3の実施の形態� ��おいて金属層16と炭化金属層18の形成を省略 しただけで他の構成は同一であるので重複を 避けるため再度の説明は省略する。