헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 【기술분야】

관련 출원 (들)과의 상호 인용

본 출원은 2017년 5월 12일자 한국 특허 출원 제 10-2017— 0059411호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 신규한 구조의 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

[발명의 배경이 되는 기술】

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트， 빠른 웅답 시간을 가지며， 휘도， 구동 전압 및 웅답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성돤 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층， 전자 수송층， 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이， 음극에서는 전자가 유기물 층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 액시톤 (exci t on)이 형성되며， 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 【선행기술문헌】

【특허문헌： I

(특허문헌 0001) 한국특허 공개번호 제 10-2000-0051826호

【발명의 내용】

【해결하고자 하는 과제】

본 발명은 신규한 구조의 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. 【과제의 해결 수단】

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서，

X ¹ ， X ² , X ⁴ 및 X ⁵ 는 각각 독립적으로 CR ² , 0， S 또는 NR ³ 이고，

X ³ 은 CR¾ ² , 0 또는 S이고，

단 , X ¹ 내지 X ⁵ 는 모두 CR ² 은 아니고，

R ¹ 내지 R ³ 는 각각 독립적으로 수소， 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 알킬기， 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이고，

A ¹ 내지 A ⁴ 는 각각 인접한 두 개의 5각 고리와 융합된 벤젠 고리이다. 또한， 본 발명은 게 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 게 2 전극 사이에 구비된 . 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

【발명의 효과】

상술한 화학삭 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며， 유기 발광 소자의 효율， 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입， 정공 수송， 정공 주입 및 수송, 발광， 전자 수송， 또는 전자 주입 재료로 사용될 수 있다. 【도면의 간단한 설명】

도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2) , 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

도 2는 기판 ( 1)ᅳ 양극 (2)， 정공 주입층 (5)， 정공 수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자 수송층 (8) 및 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】

이하， 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 R ^a 로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있고， R ^a 는 중수소， 할로겐， 시아노기， 니트로기， 아미노기， 탄소수 1 내지 40의 알킬기， 탄소수 1 내지 40의 할로알킬기， 치환 또는 비치환된 0， N , Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기， 치환 또는 비치환돤 0, N , Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 탄소수 1 내지 40의 헤테로할로알킬기， 혹은 탄소수 2 내지 40의 알케닐기일 수 있다. ^' 본 명세서에서 할로겐은 불소， 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다. 본 명세서에서 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 탄소수 1 내지 40의 직쇄 알킬기; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기; 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기; 탄소수 3 내지 40의 분지쇄 또는 고리형 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 또는 고리형 알킬기; 또는 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 1 내지 40의 알킬기는 메틸기， 에틸기, n-프로필기， i so—프로필기， n-부틸기， i so-부틸기， t-부틸기， n-펜틸기, i so-펜틸기， neo-펜틸기 또는 사이클로핵실기 등일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 알킬기의 1개 이상의 탄소가 각각 독립적으로 0, N, Si 또는 S로 치환된 것일 수 있다. 예컨대, 직쇄 알킬기의 예로 n-부틸기의 1번 탄소가 0로 치환된 헤테로알킬기는 nᅳ 프로폭시기이고， N으로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로필아미노기이며， Si로 치환된 헤테로알킬기는 n-프로필실릴기이고， S로 치환된 헤테로알킬기는 n- 프로필티오기이다. 그리고, 분지쇄 알킬기의 예로 neo-펜틸기의 1번 탄소가 0로 치환된 헤테로알킬기는 _t -부록시기이고， N으로 치환된 헤테로알킬기는 t- 부틸아미노기이며， Si로 치환된 헤테로알킬기는 t-부틸실릴기이고, S로 치환된 헤테로알킬기는 t-부틸티오기이다. 또¾， 고리형 알킬기의 예로 사이클로핵실기의 2번 탄소가 0로 치환된 헤테로알킬기는 2- 테트라히드로피라닐 (2-tetrahydropyranyl )기이고， N으로 치환된 헤테로알킬기는 2-피페리디닐기이며， Si로 치환된 헤테로알킬기는 1-실라-사이클로핵실( 1- 1 &- cyc lohexyl )기이고， S로 치환된 헤테로알킬기는 2-테트라히드로티오피라닐 (2- tetrahydrothiopyranyl )기이다. 구체적으로， 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 히드록시알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알콕시기; 탄소수 2 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알콕시알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 아미노알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬아미노기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬아미노알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 ^' 실릴알킬 (옥시)기 ; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬 (옥시)실릴기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬 (옥시)실릴알킬 (옥시)기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 머캅토알킬기; 탄소수 1 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬티오기; 혹은 탄소수 2 내지 40의 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알킬티오알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 1 내지 40의 헤테로알킬기는 히드록시메틸기, 메록시기， 에특시기， n-프로폭시기， i so-프로폭시기, t_부특시기， 사이클로핵록시기， 메록시메틸기， i so—프로폭시메틸기, 사이클로핵특시메틸기， 2- 테트라히드로피라닐 (2-tetrahydropyranyl )기， 아미노메틸기， 메틸아미노기, n- 프로필아미노기， t-부틸아미노기， 메틸아미노프로필기， 2-피페리디닐기， n- 프로필실릴기, 트리메틸실릴기， 디메틸메특시실릴기, t-부틸실릴기， 1-실라- 사이클로핵실 ( 1-s i la— cyclohexyl )기, n-프로필티오기， t-부틸티오기 또는 2- 테트라히드로티오피라닐 (2-tetrahydrothi opyranyl )기 등을 들 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알케닐기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 탄소수 2 내지 40의 직쇄 알케닐기; 탄소수 2 내지 20의 직쇄 알케닐기; 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 40의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알케닐기; 탄소수 5 내지 40의 고리형 알케닐기; 탄소수 5 내지 20의 고리형 알케닐기; 또는 탄소수 5 내지 10의 고리형 알케닐기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 2 내지 40의 알케닐기는 에테닐기， 프로페닐기, 부테닐기， 펜테닐기 또는 사이클로핵세닐기 등일 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다.. 구체적으로, 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 탄소수 6 내지 30의 단환식 또는 다환식 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환식 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 6 내지 60의 아릴기는 단환식 아릴기로서 페닐기， 바이페닐기 또는 터페닐기 등일 수 있고, 다환식 아릴기로서 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기 또는 플루오레닐기 등일 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우， 등이 될 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 화학식 1에서, A ¹ 내지 A ⁴ 는 각각 인접한 두 개의 5각 고리와 융합된 벤젠 고리이다. 상기 화학식 1에서 다섯 개의 5각 고리는 X ¹ 내지 X ⁵ 가 모두 위로 향하도록 기재되어 있지만， 이러한 기재에 의해 다섯 개의 5각 고리의 배치가 한정되는 것은 아니다.

구체적으로， 상기 화학식 1로 ^ᅵ 표시되는 화합물은 하기 화학식

5로 표시되는 화합물로 구성된 군에서 선택될 수 있다.

[화학식 2] [화학식 3]

상기 화학식 2 내지 5에서, X ¹ 내지 X ⁵ 는 화학식 1의 정의와 동일하다. 상기 화학식 1에서 X ¹ 내지 X ⁵ 중 하나 이상이 CR ² 인 경우 R ¹ 및 R ² 는 각각 독립적.으로 메틸기， 에틸기， 프로필기 또는 부틸기일 수 있다. 보다 구체적으로， 상기 R ¹ 및 R ² 는 메틸기일 수 있다. 상기 화학식 1에서 X ¹ 내지 X ⁵ 중 하나 이상이 NR ³ 인 경우 R ³ 는 메틸기， 에틸기， 프로필기， 페닐기， 나프틸기， 바이페닐기， 터페닐기， 페난트릴기 또는 트리페닐레닐기일 수 있다. 보다 구체적으로， 상기 R ³ 는 에틸기 또는 페닐기일 수 있다. 상기 화학식 1에서 X ¹ 은 X ⁵ 와 동일하고， X ² 는 X ⁴ 와 동일할 수 있다.

그리고， X ² 는 X ⁴ 는 R ³ 일 수 있다. - 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다.

ssi7Soo/8iozaM/x3d Liimz ai OAV

^' 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.

.M. A

구체적으로， 스즈키 (Suzuki) 반옹을 통해, 출발물질 (starting material; S.M.)로부터 화합물 A를 합성할 수 있다. 이어서, Cul를 사용하여 분자 내 아미노화 반웅 (intramolecular amination)에 의해 화합물 A로부터 화합물 B를 합성할 수 있다. 그리고， 화합물 B의 아민의 수소를 원하는 치환기로 치환하여 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다. 비제한적인 예로, Buchwald 반응을 통해화합물 B로부터 화학식 C를 합성할 수 있다. 상기 쉐조 방법은 후술한 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. 또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유가물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2충 이상의 유기물 층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물.층으로서 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 전자 수송층， 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물 층을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물 층은 정공 주입층， 정공 수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공 주입층， 정공 수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고， .상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물 층은 전자 수송층， 전자 주입층， 또는 전자 수송과 주입을 동시에 하는 층을 포함할수 있고, 상기 전자 수송층， 전자 주입충, 또는 전자 수송과 주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 아상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 ² 에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2) , 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 (1)， 양극 (2)， 정공 주입층 (5)， 정공 수송층 (6)， 발광층 (7) , 전자 수송층 (8) 및 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 주입층， 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물 층을 포함하는 경우， 상기 유기물 층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극， 유기물 층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sput ter ing)이나 전자빔 증발법 (e— beam evaporat ion)과 같은 PVD (physical Vapor Depos i t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 도전성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후， 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물 층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 0V0 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 충으로 형성될 수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅， 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 를 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 일례로， 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 제 2 전극은 음극이거나, 또는 상기 게 1 전극은 음극이고， 상기 게 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듬， 크롬， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( IT0) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물; ΖηΟ:Α1 또는 SN0 ₂ : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3—메틸티오펜) , 폴리 [3 , 4- (에틸렌- 1 , 2-디옥시)티오펜] (PED0T) , 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물 층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘， 칼슴, 나트륨， 칼륨， 티타늄， 인듐, 이트륨, 리튬， 가돌리늄， 알루미늄, 은， 주석 및 납과 같은 금속. 또는 이들의 합금； LiF/Al 또는 Li0 ₂ /Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로， 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며， 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO highest occupi ed molecul ar orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물， 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8- 히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq ₃ ) ; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴 (dimer i zed styryl ) 화합물; BAlq ; 10-히드록시벤조 퀴놀린 -금속 화합물; 벤족사졸， 벤즈티아졸 및 벤즈아미다졸 계열의 화합물; 폴리 (p一 페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자; 스피로 (spi ro) 화합물; 폴리플루오렌， 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도편트 재료를 포함할수 있다. 상기 호스트 재료는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층에 사용하면， 유기 전자 소자의 구동전압을 하강시키고 효율을 향상시켜 소비 전력을 현저하게 개선할 수 있다 상기 호스트 재료는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 본 발명이 속한 기술분야에 알려진 다른 호스트 재료를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체， 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체， 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체， 다벤조퓨란 유도체， 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물, 붕소 착체， 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서， 아릴아미노기를 갖는 피렌， 안트라센， 크리센， 페리플란텐 등이 있으몌 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로， 아릴기， 실릴기， 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다 . 구체적으로 스티릴아민， 스티릴디아민 , 스티릴트리아민 스티릴테트라아민 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체， 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다ᅳ 상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까 ^ 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받이 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하디 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq ₃ 를 포함한 착물; 유기 라디킬 화합물; 히드록시플라본 -금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니디 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질괴 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슴， 바륨 칼슘， 이테르븀 및 사마륨이고， 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다. 상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 총으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과， 발광층 또는 발굉 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층으로의 이동을 방지하고， 또한， 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8—하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스 (8—하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)아연， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토)클로로갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토) (0—크레졸라토)갈륨， 비스 (2- 메틸— 8-퀴놀리나토) ( 1-나프를라토)알루미늄, 비스 ( 2-메틸—8-퀴놀리나토.) ( 2- 나프를라토)갈륨 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형， 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. - 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.

1) 화합물 A의 제조

화합물 S.M.1 (20 g, 56.2 誦 ol), 화합물 S.M.2 (33.7 g, 124 顏 ol), K ₂ C0 ₃ (23.3 g, 169 瞧 ol), Pd(PPh ₃ ) ₄ (1.95 g, 1.7 腿 ol), THF (400 mL), H ₂ 0 (100 mL)를 흔합하고 24 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반웅물을 상온으로 넁각하고 물층을 제거한 후 유기층을 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 A (17.2 g, 47% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =652).

2) 화합물 β의 제조

화합물 A (17.2 g, 26.4 隱 ol), Cul (5.0 g, 26.4 mmol), Cs ₂ C0 ₃ (17.2 g, 52.8 匪 ol), DMF (500 mL)를 흔합하고 24 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반응물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 B (5.5 g, 36% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =579).

3) 화합물 1의 제조

화합물 B (5.5 g, 9.5 隱 ol), 브로모벤젠 (3.0 g, 19.0 mmol), 소듐- 터셔리 -부특사이드 (NaOt-Bu, 5.0 g, 51.9 誦 ol) 및 Pd[P(t_Bu) ₃ ] ₂ (186 mg, 2 mol%)를 를루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반응물을 상은으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 1 (4.3 g, 63% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =731).

Molecular Wcicht; 7S'.? okxii r Wc h 65·.ί> I MoJ ciiJar Weight: 6S2.K7 화합물 B 화합물 C 화합물 2

1) 화합물 C의 제조

화합물 B (15 g, 25.9 瞧 ol), 브로포벤젠 (4.1 g, 25.9 隱 ol), 소듐- 터셔리-부록사이드: (NaOt-Bu, 5.0 g, 51.9 隱 ol) 및 Pd[P(t— Bu) ₃ ] ₂ (186 mg, 2 -mol%)를 를루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반웅물을 상은으로 냉각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 C (4.8 g, 28% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =655).

2) 화합물 2의 제조

화합물 C (4.8 g, 7.3 讓 ol), 디에틸설페이트 (2.3 g, 14.7 mmol) Cs ₂ C0 ₃ (4.8 g, 14.7 隱 ol), DMF (50 mL) 흔합물을 80 ^° C에서 48 시간 동안 교반하였다. 반웅 완료 후， 반응물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 2 (3.3 g, 65% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =683).

S.M,2

1) 화합물 D의 제조

화합물 S.M.1 (20 g, 56.2 睡 ol), 화합물 S.M.2 (33.7 g, 1 隱 ol),

K2CO3 (23.3 g, 169 讓 ol), Pd(PPh ₃ ) ₄ (1.95 g, 1.7 瞧 ol), THF (400 mL), H ₂ 0 (100 mL)를흔합하고 24시간동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반응물을 상온으로 넁각하고 물층을 제거한후 유기층을 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 D (18,7 g, 51% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =652).

2) 화합물 E의 제조

화합물 D (18.7 g, 28.7 mmol), Cul (5.5 g, 28.7匪 ol), Cs ₂ C0 ₃ (18.7 g, 57.4 隱 ol), DMF (500 mL)를 흔합하고 24 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반응 완료 후， 반웅물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 E (7.8 g, 48% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =579).

3) 화합물 3의 제조

화합물 E (7.8 g, 13.5 隱 ol), 브로모벤젠 (4.2 g, 27.0 mmol), 소듐— 터셔리 -부록사이드 (Na0t-Bu, 5.0 g, 51.9 瞧 ol) 및 Pd[P(t_Bu) ₃ ] ₂ (186 mg, 2 mol%)를 틀루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반응 완료 후， 반응물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 3 (6.4 g, 65% yield)를 얻었다 (MS: [M+H]+=731).

화합물 E 화합읗 F 화합물 4

1) 화합물 F의 제조

화합물 E (15 g, 25.9 隱 ol), 브로모벤젠 (4.1 g, 25.9 薩 ol), 소듐- 터셔리—부록사이드 (NaOt-Bu, 5.0 g, 51.9 誦 ol) 및 Pd[P(t_Bu) ₃ ] ₂ (186 mg, 2 mol%)를 를루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반응 완료 후, 반웅물을 상온으로 냉각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 F (5.3 g, 31% yield)를 얻었다 (MS: [M+H]+=655).

2) 화합물 4의 제조

화합물 E (5.3 g, 8.1 隱 ol), 디에틸설페이트 (2.5 g, 16.2 隱 ol), Cs ₂ C0 ₃ (5.3 g, 16.2 画 ol), DMF (50 mL) 흔합물을 80°C에서 48 시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후， 반웅물을 상온으로 넁각하고 농축하였다.

농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 4 (3.7 g, 67% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =683). 합성예 5: 해테로 고리 화합물의 합성 Molecular Weight: 3S2.10

Molecular Weight: 552.63

1) 화합물 G의 제조

화합물 S.M.I (20 g, 52.3 隱 ol), 화합물 S.M.2 (28.4 g, 115 隱 ol), K2CO3 (23.3 g, 169 mmol), Pd(PPh ₃ ) ₄ (1.95 g, 1.7 瞧 ol), THF (400 mL), H ₂ 0 (100 mL)를 흔합하고 24시간 동안 교반 및 환류하였다. 반응 완료 후， 반웅물을 상온으로 넁각하고 물층을 제거한 후 유기층을 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 G (15.1 g, 46% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =625).

2) 화합물 H의 제조

화합물 G (15.1 g, 24.1 醒 ol), Cul (5.5 g, 28.7 mmol), Cs ₂ C0 ₃ (18.7 g, 57.4 匪 ol), DMF (500 mL)를 흔합하고 24 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， 반웅물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 H (5.1 g, 38% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =552).

3) 화합물 5의 제조

화합물 H (5.1 gᅳ 9.2 誦 ol), 브로모벤젠 (4.2 g, 27.0 讓 ol), 소듬ᅳ터셔리— 부특사이드 (Na0t-Bu, 5.0 g, 51.9 隱 ol) 및 Pd[P(tᅳ Bu) ₃ ]2 (186 mg, 2 mol¾ 를 - 를루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반응 완료 후， 반응물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent : THF/Hex)로 정제하여 화합물 5 (3.8 g, 59% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =704). 합성예 6: 해테로 고리 화합물의 합성

Br _s Br

Molecular Weight: 27 i .53

1) 화합물 J의 제조

화합물 S.M.I (20 g, 53.8 醒 ol), 화합물 S.M.2 (32.2 g, 118 誦 ol), K ₂ C0 ₃ ( 23.3 g, 169 匪 ol), Pd(PPh ₃ ) ₄ (1.95 g, 1.7 mmol), THF (400 mL), H ₂ 0 (100 mL)를 흔합하고 24시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후, 반응물을 상온으로 냉각하고 물층을 제거한후 유기층을 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 J (14.0 g, 39% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =667).

2) 화합물 K의 제조

화합물 J (14.0 g, 21.0 讓 ol), Cul (5.0 g, 26.4 mmol), Cs ₂ C0 ₃ (17.2 g, 52.8 隱 ol), DMF (500 mL)를 흔합하고 24 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후, 반웅물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 K (5.2 g, 42% yield)를 얻었다 (MS: [M+H]+=592). 3) 화합물 6의 제조

화합물 K (5.2 g, 8.8 匪 ol), 브로모벤젠 (4.1 g, 26.3 mmol), 소듐- 터셔리ᅳ부록사이드 (NaOt-Bu, 5.0 g, 51.9 mmol) 및 Pd[P(t-Bu) ₃ ] ₂ (186 mg, 2 mol%)를 를루엔 (200 mL)에 현탁시켰다. 얻어진 흔합물을 약 6 시간 동안 교반 및 환류하였다. 반웅 완료 후， _. 반웅물을 상온으로 넁각하고 농축하였다. 농축잔류물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피 (eluent: THF/Hex)로 정제하여 화합물 6 (3.9 g, 60% yield)를 얻었다 (MS: [M+H] ⁺ =746). 실시예 1: 유기 발광 소자의 제조

ITO (indium tin oxide)가 1000 A의 두께로 코팅된 유리 기판 (corning

7059 glass)을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다, 이 때， 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터 (Filter)를 이용하여 2 차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ΠΌ를 30 분간 세척한 후 증류수로 2 회 ^' 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤， 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.

이렇게 준비된 ΠΌ 전극 위에 핵사니트릴 핵사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazat ri phenyl ene; HAT)을 500 A의 두께로 열 진공 중착하여 정공 주입층을 형성하고， 4，4'-비스 -(1—나프틸)-1^- 페닐아미노]비페닐 (NPB)을 400 A의 두께로 열 진공 증착하여. 정공 수송층을 형성하고， 합성예 1에서 제조한 화합물 ^' 1과 트리스 (2-페닐피리딘)이리듐 (Ir(ppy) ₃ )을 10:1 중량비로 흔합하여 210 A의 두께로 열 진공 증착하여 발광층을 형성하고， 하기에 나타낸 ET-A를. 300 A의 두께로 열 진공 증착하여

HAT NPB ET-A

상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12 A두께로 리튬 플루라이드 (LiF)와 2,000 A두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.7 A/sec를 유지하였고， 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 A/sec, 알루미늄은 2 A/sec의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 2 X W ¹ 내지 5 X 10— ⁸ torr를 유지하여 유기 발광 소자를 제작하였다.

상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때， 3200 ni t에 해당하는 녹색 발광이 관측되었다. 실시예 2 : 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 상기 합성예 2에서 제조한 화합물 2를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때， 3200 ni t에 해당하는 녹색 발광이 관측되었다. 실시예 3 : 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 상기 합성예 3에서 제조한 화합물 3을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때， 3200 ni t에 해당하는 녹색 발광이 관측되었다. 실시예 4: 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 상기 합성예 4에서 제조한 화합물 4를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때, 3200 nit에 해당하는 녹색 발광이 관측되었다. 비교예 1 : 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 4，4'— Ν,Ν' -디카바졸-디페닐 (CBP)를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때, 3200 ni t에 해당하 녹색 발광이 관측되었다.

GH-A 비교예 2 : 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 하기 구조의 화합물 P를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때， 3200 ni t에 해당하는 녹색 발

화합물 P 비교예 3 : 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신, 하기 구조의 화합물 Q를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때， 3200 ni t에 해당하는 녹색 발광이 관측되

화합물 Q 비교예 4: 유기 발광 소자의 제조

상기 실시예 1에서 화합물 1 대신， 하기 구조의 화합물 R을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 상기와 같이 제작된 소자에 6 V의 순방향 전계를 가하였을 때, 3200 ni t에 해당하는 녹색 발광이 관측되었다.

화합물 R 시험예: 유기 발광 소자의 성능 평가

상기 실시예 및 비교예에서 제작된 유기 발광 소자에 전류 ( 10 mA/cm ² ) 인가하였을 때 전압 및 효율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.

【표 1】

상기 표 1의 결과로부터, 발명의 일 구현예에 따른 신규한 구조의 헤테로 고리 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 우수한 효율, 구동전압， 안정성 등을 나타내는 것이 확인된다. 특히， 발명의 일 구현예에 따른 신규한 구조의 헤테로 고리 화합물을 유기 전자 소자 등에 적용하면 구동전압을 하강시키고, 효율 상승을 유도하여 소비전력을 개선시킬 수 있다.

【부호의 설명】

1 : 기판 2： 양극 3 : 발광층 4 : 음극 5 : 정공 주입층

6： 정공 수송층 7 : 발광층 8 : 전자 수송층