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Title:
HONEYCOMB STRUCTURE AND EXHAUST GAS TREATING APPARATUS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/099454
Kind Code:
A1
Abstract:
A columnar honeycomb structure having first and second end faces substantially parallel to each other and a peripheral surface linking the end faces with each other, characterized in that the peripheral configurations of the first end face and second end face are in similarity relationship, and that when D1 refers to the maximum width (mm) of the first end face, D2 to the maximum width (mm) of the second end face and L to the distance (mm) between the first end face and the second end face, the taper ratio, P, defined by the formula: Taper ratio P (%) = (D1-D2)/(2L)x100 (1) satisfies the relationship: 0

Inventors:
OSHIMI YUKIO (JP)
Application Number:
PCT/JP2007/052361
Publication Date:
August 21, 2008
Filing Date:
February 09, 2007
Export Citation:
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Assignee:
IBIDEN CO LTD (JP)
OSHIMI YUKIO (JP)
International Classes:
B01D39/20; B28B11/00; B01D53/86; B01J35/04; C04B41/85; F01N3/28
Domestic Patent References:
WO2006095835A12006-09-14
Foreign References:
JP2002106337A2002-04-10
JP2007014886A2007-01-25
Attorney, Agent or Firm:
ITOH, Tadahiko (Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-Chom, Shibuya-Ku Tokyo 32, JP)
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Claims:
 実質的に相互に平行な第1および第2の端面と、両方の端面をつなぐ外周面とを有する柱状のハニカム構造体であって、
 前記第1の端面と第2の端面の外周形状は、相似形状であり、
 前記第1の端面の最大幅をD1(mm)、前記第2の端面の最大幅をD2(mm)とし、前記第1の端面と第2の端面の間の距離をL(mm)としたとき、以下の式(1)
   テーパ率P(%)=(D1-D2)/(2L)×100   式(1)
で表されるテーパ率Pが、0<P≦4%を満たすことを特徴とするハニカム構造体。
 前記外周面の輪郭線は、直線状、曲線状または直線と曲線の組み合わせ形状であり、
 前記第1の端面と平行な面の断面積は、前記第1の端面から第2の端面に向かって、単調に減少することを特徴とする請求項1に記載のハニカム構造体。
 第1および第2の端面は、いずれも円形状であることを特徴とする請求項1または2に記載のハニカム構造体。
 前記外周面は、コート層が設置された表面であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載のハニカム構造体。
 前記コート層は、前記第1の端面から第2の端面まで、厚さが実質的に一定であることを特徴とする請求項4に記載のハニカム構造体。
 前記コート層は、前記第1の端面から第2の端面に向かって、厚さが減少することを特徴とする請求項4に記載のハニカム構造体。
 当該ハニカム構造体は、隔壁を介して、前記第1の端面から第2の端面まで貫通する複数の貫通セルを有し、
 前記複数の貫通セルの少なくとも一部は、前記第1の端面と平行な面の断面積が、前記第1の端面から第2の端面に向かって減少することを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載のハニカム構造体。
 前記貫通セルは、前記第1の端面から見たとき、少なくとも2種類の形状を有することを特徴とする請求項7に記載のハニカム構造体。
 前記貫通セルは、いずれか一方の端部が封止されていることを特徴とする請求項7または8に記載のハニカム構造体。
 前記隔壁には、触媒が設置されていることを特徴とする請求項7または8に記載のハニカム構造体。
 前記隔壁の厚さは、0.1mm~0.6mmの範囲であることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一項に記載のハニカム構造体。
 複数の柱状のハニカムユニットと該ハニカムユニット同士を接合する接着層とを有することを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載のハニカム構造体。
 排気ガスの導入部および排出部を有し、前記導入部と排出部の間に設置されたハニカム構造体を備える排気ガス処理装置であって、
 前記ハニカム構造体は、前記請求項のいずれか一項に記載のハニカム構造体であり、前記第1の端面が、前記排気ガスの導入部に対向するように設置されることを特徴とする排気ガス処理装置。
Description:
ハニカム構造体および排気ガス 理装置

 本発明は、ハニカム構造体およびそのよ なハニカム構造体を備える排気ガス処理装 に関する。

 従来より、車両または建設機械等の内燃 関用の各種排気ガス処理装置が提案され、 用化されている。一般的な排気ガス処理装 は、エンジンの排ガスマニホールドに連結 れた排気管の途上に、例えば金属等で構成 れたケーシングを設け、その中にハニカム 造体を配置した構造となっている。ハニカ 構造体は、排気ガス中に含まれるパティキ レートを捕獲して、排気ガスを浄化するフ ルタ(DPF:ディーゼルパティキュレートフィ タ)として、あるいは、排気ガス中の有害ガ 成分等を触媒反応によって浄化する触媒担 体として機能する。

 例えば、ハニカム構造体がDPFとして使用さ る場合、ハニカム構造体には、多孔質なセ 壁を隔てて長手方向に延伸する複数の柱状 ルが構成される。それぞれのセルは、いず か一方の端部が封止材で封止されているた 、ハニカム構造体内に導入された排気ガス 、必然的にセル壁を通過してからハニカム 造体外部へ排出される。従って、排気ガス このセル壁を通過する際に、排気ガス中の ティキュレート等を捕獲することができる また、ハニカム構造体が触媒担持体として 用される場合、ハニカム構造体のセル壁の 手方向の表面には、触媒担持層および触媒 設置され、この触媒により、排気ガスに含 れるCO、HCおよびNOx等の有害ガスが浄化され る。なお通常、ハニカム構造体とケーシング の間には、両者の当接によるハニカム構造体 の破損を防止するため、例えば無機繊維マッ ト等で構成された保持シール材が設置される (特許文献1)。

特開2005-125182号公報

 近年、排気ガスの高温高圧化が進む傾向 あり、排気ガス処理装置の使用時に、高温 よって生じる様々な影響(例えば、熱応力、 熱サイクル等)のため、ハニカム構造体が破 する危険性が高まっている。特に、一度フ ルタとして使用されたハニカム構造体は、 獲されたパティキュレートを除去する再生 理(フィルタを再利用可能にする復元処理)時 に、排気ガスの排出側において、温度が著し く上昇する傾向にあり、熱応力によって、ハ ニカム構造体がこの箇所で破損する危険性が 極めて高くなるという問題がある。

 本発明は、このような問題に鑑みなされ ものであり、高温下で使用しても前述のよ な破損の生じにくいハニカム構造体を提供 ることを課題とする。

 本発明では、実質的に相互に平行な第1およ び第2の端面と、両方の端面をつなぐ外周面 を有する柱状のハニカム構造体であって、
 前記第1の端面と第2の端面の外周形状は、 似形状であり、
 前記第1の端面の最大幅をD1(mm)、前記第2の 面の最大幅をD2(mm)とし、前記第1の端面と第2 の端面の間の距離をL(mm)としたとき、以下の (1)
   テーパ率P(%)=(D1-D2)/(2L)×100   式(1)
で表されるテーパ率Pが、0<P≦4%を満たすこ とを特徴とするハニカム構造体が提供される 。

 ここで、前記外周面の輪郭線は、直線状、 線状または直線と曲線の組み合わせ形状で り、
 前記第1の端面と平行な面の断面積は、前記 第1の端面から第2の端面に向かって、単調に 少しても良い。

 また、当該ハニカム構造体の第1および第 2の端面は、いずれも円形状あっても良い。

 また、当該ハニカム構造体の前記外周面 、コート層が設置された表面であっても良 。

 また、前記コート層は、前記第1の端面か ら第2の端面まで、厚さが実質的に一定であ ても良い。あるいは、前記コート層は、前 第1の端面から第2の端面に向かって、厚さが 減少しても良い。

 さらに、当該ハニカム構造体は、隔壁を介 て、前記第1の端面から第2の端面まで貫通 る複数の貫通セルを有し、
 前記複数の貫通セルの少なくとも一部は、 記第1の端面と平行な面の断面積が、前記第 1の端面から第2の端面に向かって減少しても い。

 また、前記貫通セルは、前記第1の端面か ら見たとき、少なくとも2種類の形状を有し も良い。

 また、前記貫通セルは、いずれか一方の 部が封止されていても良い。あるいは、前 隔壁には、触媒が設置されていても良い。

 特に、前記隔壁の厚さは、0.1mm~0.6mmの範 であっても良い。

 また、本発明によるハニカム構造体は、 数の柱状のハニカムユニットと該ハニカム ニット同士を接合する接着層とを有しても い。

 さらに、本発明では、排気ガスの導入部お び排出部を有し、前記導入部と排出部の間 設置されたハニカム構造体を備える排気ガ 処理装置であって、
 前記ハニカム構造体は、前述のハニカム構 体であり、前記第1の端面が、前記排気ガス の導入部に対向するように設置されることを 特徴とする排気ガス処理装置が提供される。

 本発明では、ハニカム構造体の外周形状 前述のように構成したため、高温下で使用 ても破損の生じにくいハニカム構造体を提 することが可能となる。

本発明の一体型ハニカム構造体の一例 模式的に示した斜視図である。 図1のハニカム構造体のA-A線での断面図 である。 本発明の別の一体型ハニカム構造体の 心軸(X軸)に平行な断面を模式的に示した図 ある。 本発明のさらに別の一体型ハニカム構 体の中心軸(X軸)に平行な断面を模式的に示 た図である。 本発明のハニカム構造体の側面図の一 である。 本発明の別のハニカム構造体の側面図 一例である。 本発明のハニカム構造体が設置された 気ガス処理装置の一例を模式的に示した断 図である。 一般的なハニカム構造体の再生処理の の入口側および出口側における温度変化を すグラフである。 本発明の接合型ハニカム構造体の一例 模式的に示した斜視図である。 本発明の接合型ハニカム構造体を構成 する多孔質ハニカムユニットの一例を模式的 に示した斜視図である。 2種類の断面形状のセルを有する一体 ハニカム構造体を示す図である。 2種類の断面形状のセルを有する多孔 ハニカムユニットを、一方の端面の側から た図である。 2種類の断面形状のセルを有する別の 孔質ハニカムユニットを、一方の端面の側 ら見た図である。

符号の説明

 11,21 セル
 12,22 封止材
 13,23 セル壁
 70    排気ガス処理装置
 71    ケーシング
 72    保持シール材
 74    導入管
 75    排出管
 100,101,200 ハニカム構造体
 120,121,220 コート層
 150,151 一体型セラミックブロック
 159,259 セラミックブロックの第1の端面
 160,161,260 ハニカム構造体の第1の端面
 169,269 セラミックブロックの第2の端面
 170,171,270 ハニカム構造体の第2の端面
 210   接着層
 230,231,232 多孔質ハニカムユニット
 250   セラミックブロック。

 以下、図面により本発明の形態を説明す 。なお、以下の記載においては、排気ガス のパティキュレートを捕集するディーゼル ティキュレートフィルタ(DPF)として使用さ るハニカム構造体を例に、本発明を説明す 。ただし、本発明のハニカム構造体は、後 のように、触媒担持体に使用することも可 であることは、当業者には明らかであろう

 図1には、本発明によるハニカム構造体の 一例を模式的に示す。また図2には、図1のハ カム構造体のA-A断面図を示す。

 図1に示すように、本発明のハニカム構造 体100は、2つの端面(以下、第1の端面160および 第2の端面170と称する)と、両端面をつなぐ外 面とを有する。また、本発明のハニカム構 体100は、一体型セラミックブロック150と、 の一体型セラミックブロック150の2つの端面 (以下、一体型セラミックブロックの第1の端 159および第2の端面169と称する)を除く外周 (側面)の少なくとも一部に設置されたコート 層120とを有する。従って、ハニカム構造体100 の外周面は、一体型セラミックブロック150の 側面および/またはコート層120で構成される また、ハニカム構造体100の第1の端面160は、 体型セラミックブロックの第1の端面159と、 これと同じ側のコート層120の端面とで構成さ れる。同様に、ハニカム構造体100の第2の端 170は、一体型セラミックブロックの第2の端 169と、これと同じ側のコート層120の端面と 構成される。ただし、本発明のハニカム構 体100において、コート層120は、省略しても い。

 図1、図2に示すように、一体型セラミッ ブロック150には、第1の端面159から第2の端面 169に向かって延伸する多数のセル11が並設さ ており、セル11同士を隔てるセル壁13がフィ ルタとして機能するようになっている。すな わち、一体型セラミックブロック150に形成さ れたセル11は、図2に示すように、一体型セラ ミックブロックの第1の端面159または第2の端 169のいずれかに相当する側が、封止材12に り目封じされており、一つのセル11に流入し た排気ガスは、必ずそのセル11を隔てるいず かのセル壁13を通過した後、他のセル11から 排出されるようになっている。

 ここで本発明では、ハニカム構造体100の外 形状がテーパ化されており、ハニカム構造 100の第1の端面160と第2の端面170は、相似形 あるが、寸法が異なっており、テーパ率Pが0 <P≦4%であることに特徴がある。ここでテ パ率P(%)とは、ハニカム構造体100の第1の端面 の最大幅をD1(mm)、第2の端面の最大幅をD2(mm) し、第1の端面と第2の端面の間の距離(すな ち、ハニカム構造体100の全長またはX方向の さ)をL(mm)としたとき、
   P(%)=(D1-D2)/(2L)×100   式(1)
で表される。なお、本願において、「テーパ (形状)」または「テーパ化」と言う用語は、 ニカム構造体100の第1の端面160と平行な面の 断面積が、第1の端面160から第2の端面170に向 って、単調に減少する形状またはそのよう 形状に加工されることを意味する。この場 、ハニカム構造体100の第1の端面160と第2の 面170をつなぐ外周面の輪郭線は、直線状で っても曲線状であっても良いことに留意す 必要がある。

 また、ハニカム構造体100の第1および第2 端面の最大幅D1、D2を測定する方法は、特に 定されないが、高精度で測定を行う場合に 、レーザー寸法測定器のようなレーザー投 器とレーザー受光器とを有する型式の測定 を用いることが好ましい(例えば、キーエン ス社製、LS-5120またはLS-5500等)。レーザー寸法 測定器を使用する場合、例えば、ハニカム構 造体の第1の端面(または第2の端面)が、投光 と、これに対向するように配置された受光 を結ぶ直線上に配置されるように、ハニカ 構造体が設置される。次に、投光器側から ニカム構造体の第1の端面に向かって、これ 平行にレーザーを照射し、反対側の受光器 レーザーを受光する。この操作を、ハニカ 構造体を中心軸の周りに360゜回転させなが 実施することで、ハニカム構造体100の第1の 端面の最大幅D1(または第2の端部の最大幅D2) 測定することができる。

 図1の例では、ハニカム構造体100の第1の 面160と第2の端面170は、いずれも円形であり 外周面の輪郭線は直線状である。また、テ パ率Pは2%であり、第1の端面160と第2の端面17 0の半径差は、3mmとなっている(ハニカム構造 の全長Lは、150mmである)。

 特に、本発明では、以下のいずれかの方法 よって、ハニカム構造体100をこのようなテ パ形状にすることが好ましい:
 1)一体型セラミックブロック150の中心軸(図2 のX軸)に垂直な面の断面積を、第1の端面159か ら第2の端面169に沿って、連続的に減少させ こと、または
 2)コート層120の厚さを、ハニカム構造体100 第1の端面160から第2の端面170に沿って、連続 的に減少させること。

 なお、1)の場合、一般には、コート層120 厚さは、ハニカム構造体100の第1の端面160か 第2の端面170に沿って、一定とすることが望 ましい。ただし、特定の場合には、コート層 120の厚さは、ハニカム構造体100の第1の端面16 0から第2の端面170に沿って、連続的に変化(減 少または増大)しても良い。一方、2)の場合、 一般には、一体型セラミックブロック150の中 心軸(図2のX軸)に垂直な面の断面積は、実質 に一定とすることが望ましい。ただし、特 の場合には、一体型セラミックブロック150 中心軸(図2のX軸)に垂直な面の断面積が、第1 の端面159から第2の端面169に沿って、連続的 変化(減少または増大)しても良い。すなわち 、本発明において重要なことは、最終的に得 られるハニカム構造体100の外形であって、前 述の特徴が成立する限り、ハニカム構造体を 構成する各部材(一体型セラミックブロック15 0およびコート層120)の形状は、重要ではない

 ここで、1)の場合、すなわち図1および2の ようなテーパ形状を有する一体型セラミック ブロック150を形成する方法としては、例えば 次のような方法が挙げられる:図1、2のような テーパ形状を有する一体型セラミックブロッ クを、押出成形により製作する。この際に、 成形体の押出成型時の速度を漸増または漸減 させることにより、テーパ形状を有する一体 化セラミックブロックを簡単に製作すること ができる。すなわち、押出速度を速めること で、中心軸に対して垂直な面の断面積を低下 させることができ、逆に押出速度を低下させ ることで、中心軸に対して垂直な面の断面積 を増加させることができる。また、成形体の 乾燥工程において、中心軸に対する乾燥速度 を変化させることにより、テーパ形状を有す る一体化セラミックブロックを製作すること も可能である。

 一方、2)の場合、すなわち、ハニカム構 体100の中心軸(X軸)に対して、コート層120の さを変化させる場合は、例えば、図3に示す うに、中心軸(X軸)に沿って実質的に平行な 面を有する一体型セラミックブロック150を 作し、この側面に、第1の端面160から第2の 面170に向かって、厚さが減少するようにコ ト層120を設置する。なお、前述のように、 の場合、一体型セラミックブロック150は、 ずしも中心軸に沿って実質的に平行な輪郭 を有する必要はないことに留意する必要が る。例えば、図4に示すように、一体型セラ ックブロック150の形状は、第1の端面159から 第2の端面169に向かって、中心軸(X軸)に対し 垂直な面の断面積が、逆に増大するような 状であっても良い。この場合、外周部のコ ト層120は、ハニカム構造体100の両端面およ 全長Lが前述の関係を充足するように、厚さ 調整される。

 なお、前述の例では、ハニカム構造体100 外周面が、第1の端面160から第2の端面170に かって、直線的に減少するテーパ形状とな ている場合を例に説明したが、ハニカム構 体100の外周部の形状は、これに限られるも ではない。例えば、ハニカム構造体100の外 面は、図5、図6に示すように、その輪郭線が 、第1の端面160から第2の端面170に向かって、 直線的(すなわち曲線状)に変化する形状で っても良い。なお、図5、図6のような形状は 、コート層120の厚さおよび一体型セラミック ブロック150の外周形状のいずれか一方、また は両方を組み合わせて調整することにより、 定形することができる。

 このような本発明によるハニカム構造体 、例えば、車両の排気ガス処理装置に用い ことができる。

 図7には、本発明によるハニカム構造体100 が装着された排気ガス処理装置70の一例を模 的に示す。図において、ハニカム構造体100 、セル11の一方の端部が封止されたDPFとし 使用されている。なお図の例では、一体型 ラミックブロック150にコート層120は、設置 れていない。

 図7に示すように、排気ガス処理装置70は 主としてハニカム構造体100、ハニカム構造 100を収容する金属製ケーシング71、および ニカム構造体100とケーシング71との間に配設 され、ハニカム構造体100を適切な位置に保持 する保持シール材72で構成される。また、排 ガス処理装置70の一方の端部(導入部)には、 エンジン等の内燃機関から排出された排気ガ スを導入するための導入管74が接続されてお 、排気ガス処理装置70の他方の端部(排出部) には、排気ガスを排出するための排出管75が 続されている。図において矢印は、排気ガ の流れを示している。

 ここで、本発明では、ハニカム構造体100 第1の端面160が、排気ガス処理装置70の排気 ス導入側となるようにして、ケーシング71 に設置されている。従って、エンジン等の 燃機関から排出された排気ガスは、導入管74 を通って、ケーシング71内に導入され、導入 74と面するハニカム構造体の第1の端面160の が開放されたセル11から、ハニカム構造体10 0に流入される。ハニカム構造体100に流入し 排気ガスは、セル壁13を通過し、このセル壁 13でパティキュレートが捕集されて浄化され 後、ハニカム構造体の第2の端面170の側が開 放されたセル11を通って、排気ガス処理装置 ら排出され、最終的に、排出管75を通って 部へ排出される。ちなみに、ハニカム構造 100が触媒担持体として使用される場合は、 気ガスが触媒担持体のセル壁11を通過する際 に、CO、HCおよびNOx等、排気ガス中の有害な 分が除去され、排気ガスが浄化される。

 このような排気ガス処理装置70では、温 が高温となる排気ガスの排出側の寸法、す わち、ハニカム構造体100の第2の端面170の寸 が小さくなるように構成されている。従っ 、第2の端面近傍の温度が高温となり、熱膨 張が生じても、この箇所では、従来のテーパ 形状を有さないハニカム構造体に比べて、ケ ーシングまたは保持シール材側からの圧縮応 力を抑制することができる。従って、高温下 で使用しても破損の生じにくいハニカム構造 体を提供することが可能になる。

 図8は、一般的な(すなわち、外周面がテ パ形状を有さない)ハニカム構造体を有する 気ガス処理装置を再生処理した際の、ハニ ム構造体の温度変化を示したものである。 において、細い曲線は、ハニカム構造体の 口側近傍(入口端面から長手方向に13mm入っ 面の略中央部)の温度変化に対応し、太い曲 は、ハニカム構造体の出口側近傍(出口端面 から長手方向に13mm入った面の略中央部)の温 変化に対応している。この図のように、ハ カム構造体の再生処理時には、ハニカム構 体の出口側の温度が900℃を超え、極めて高 となる場合がある。しかしながら、本発明 よるハニカム構造体では、このような再生 理の際にも、出口側近傍で破損が生じにく という特徴を有する。

 なお、以上の説明では、一体成形によっ 製作された一体型セラミックブロック150を いて構成されるハニカム構造体100を例に、 発明の特徴を説明した。しかしながら、本 明は、これとは別の型式の、例えば接着材 らなる接着層210を介して、複数の多孔質ハ カムユニット230を接合することにより構成 れるハニカム構造体200にも適用することが 能である。

 図9には、そのように構成されたハニカム 構造体の一例を示す。なお以下、前述の図1 よび図2に示すハニカム構造体を「一体型ハ カム構造体」と称し、図9のような、接着層 210を介して複数の多孔質ハニカムユニット230 を接合することにより構成される型式のハニ カム構造体を「接合型ハニカム構造体」と称 する。

 図9に示すように、接合型ハニカム構造体 200は、互いに実質的に平行な第1の端部260と 2の端部270とを有する。また、接合型ハニカ 構造体200は、セラミックブロック250と、該 ラミックブロック250の両端面を除く外周部 設置されたコート層220とを有する。セラミ クブロック250は、ハニカム構造体200の前記 1および第2の端面260、270に対応する位置に それぞれ、第1の端部259および第2の端部269を 有する。また、セラミックブロック250は、柱 状の多孔質ハニカムユニット230を、接着層210 を介して複数個(図9の例では、縦横4列ずつの 16個)接合させた後、外周部を所定の寸法に切 断することにより構成される。図10に示すよ に、多孔質ハニカムユニット230は、中心軸( X軸)に沿って並設された多数のセル21を有し セル21同士を隔てるセル壁23がフィルタとし 機能する。そのため、前述の一体型セラミ クブロック150と同様に、セル21は、いずれ 一方の端部が封止材22により目封じされてい る。

 ここで、接合型ハニカム構造体200の外周面 テーパ化する方法としては、前述の一体型 ニカム構造体200の1)および2)場合と同様の方 法が利用できる。すなわち、
1')セラミックブロック250の第1の端面259と平 な面の断面積を、第1の端面2599から第2の端 269に沿って、連続的に減少させること、ま は
2')コート層220の厚さを、ハニカム構造体200の 第1の端面260から第2の端面270に沿って、連続 に減少させること、
により、テーパ形状を有する接合型ハニカム 構造体を得ることができる。

 なお、図9の例では、接合型ハニカム構造 体200は、2')の方法、すなわち外周面のコート 層220の膜厚を、第1の端面260から第2の端面270 向かって直線的に減少させることにより、 合型ハニカム構造体200の外周面がテーパ化 れている。

 一方、1')のセラミックブロック250を製作 る場合、例えば、予め外周面の少なくとも 部にテーパ形状を有する多孔質ハニカムユ ットを組み合わせて、側面がテーパ形状を するセラミックブロック250を構成する。例 ば、セラミックブロックの中心付近の多孔 ハニカムユニットを、図10に示すようなテ パを有さない外周形状とし、セラミックブ ックの外端部近傍の多孔質ハニカムユニッ を、所定のテーパを有する外周形状とする とにより、組み立て後のセラミックブロッ の外周面をテーパ化することができる。

 前述の一体型セラミックブロック150、お びセラミックブロック250を構成する多孔質 ニカムユニット230(以下、これらをまとめて 「セラミック構成材」という)は、例えば、 化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、 化チタン等の窒化物セラミック、炭化珪素 炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タン ル、炭化タングステン等の炭化物セラミッ 、アルミナ、ジルコニア、コージュエライ 、ムライト、シリカ、チタン酸アルミニウ 等の酸化物セラミック等で構成される。ま 「セラミック構成材」は、金属シリコンと 化珪素との複合材等、2種類以上の材料で構 されても良い。金属シリコンと炭化珪素と 複合材を用いる場合には、金属シリコンを 体の0~45重量%となるように添加することが ましい。

 多孔質ハニカムユニットの場合、上記セ ミック材料の中では、耐熱性が高く、機械 特性に優れ、さらに熱伝導性が良い炭化珪 質セラミックが望ましい。機械的特性と多 質性によるフィルタ性能とを併せ持つこと より、フィルタとして好適に使用すること できるからである。なお、炭化珪素質セラ ックとは、炭化珪素が60重量%以上含まれる 料をいう。一体型セラミックブロックの場 には、熱衝撃性が高く、熱膨張係数が小さ コージェライト、チタン酸アルミニウムが ましい。

 「セラミック構成材」のセル壁13、23と封 止材12、22は、実質的に同一の材料で構成さ 、実質的に同一の気孔率を有することが望 しい。これにより、両者の密着強度を高め ことができるとともに、セル壁13、23の熱膨 率と封止材12、22の熱膨張率との間の整合を 図ることができ、製造時や使用時の応力によ って、封止材12、22とセル壁13、23との間にク ックまたは隙間が生じることを防止するこ ができる。

 封止材12、13のセル長手方向の長さは、特 に限定されないが、例えば、1~20mmであること が望ましく、3~10mmであることがより望ましい 。

 セル壁13、23の厚さは特に限定されないが 、強度の点から望ましい下限は、0.1~0.2mmであ り、圧力損失の点から望ましい上限は、0.6mm ある。なお、セル壁13、23の厚さは、セルの 長手方向に沿って、必ずしも一定である必要 はない。例えば、図2に示した側面形状を有 る一体型セラミックブロック150において、 なくとも一部のセル壁13(特に外周に近い側 セル壁)の厚さは、図2とは異なり、第1の端 160から第2の端面170に向かって徐々に減少し も良い。同様に、多孔質ハニカムユニット ついても、該多孔質ハニカムユニットが、 周テーパ形状を有する場合、少なくとも一 のセル壁23(特に外周に近い側のセル壁)の厚 さは、セラミックブロック250の第1の端面259 ら第2の端面269に向かって徐々に減少しても い。

 なお本発明の接合型ハニカム構造体200に いて、接着層210とコート層220とは、同じ材 であっても異なる材料であっても良い。ま 、これらの層は、緻密質でも多孔質であっ も良いが、シール性を重視する場合は、緻 質であることが好ましい。接着層210および ート層220を構成する材料は、特に限られな が、例えば、無機バインダと有機バインダ 無機繊維および/または無機粒子とからなる ものを使用することができる。

 上記無機バインダとしては、例えば、シ カゾル、アルミナ等を使用することができ これらは単独で使用しても、2種類以上のも のを混合して使用しても良い。上記無機バイ ンダの中では、シリカゾルが望ましい。

 上記有機バインダとしては、例えば、ポ ビニルアルコール、メチルセルロース、エ ルセルロース、カルボキシルメチルセルロ ス等を使用することができ、これらは単独 使用しても、2種類以上のものを混合して使 用しても良い。上記有機バインダの中では、 カルボキシルメチルセルロースが望ましい。

 上記無機繊維としては、例えば、シリカ- アルミナ、ムライト、アルミナ、シリカ等の セラミックファイバーを使用することができ る。これらは、単独で使用しても、2種類以 のものを混合して使用しても良い。上記無 繊維の中では、シリカ-アルミナファイバー 望ましい。

 上記無機粒子としては、例えば、炭化物 窒化物等を使用することができ、具体的に 、炭化珪素、窒化珪素、窒化ヒ素等からな 無機粉末またはウィスカー等を使用するこ ができる。これらは、単独で使用しても、2 種類以上のものを混合して使用しても良い。 上記無機粒子の中では、熱伝導性に優れる炭 化珪素が望ましい。

 なお、通常の場合、接着層210およびコー 層220は、前記成分を含むペースト液を原料 して調製し、これを所定の箇所に設置後、 燥させることにより形成される。原料とな ペースト液には、必要に応じて、酸化物系 ラミックを成分とする微小中空球体である ルーンや、球状アクリル粒子、グラファイ 等の造孔剤を添加しても良い。

 本発明のハニカム構造体100、200において 第1の端面160、260(または第2の端面170、270)と 平行な面の断面形状は、前述の第1および第2 両端面の関係ならびにテーパ率Pの範囲が充 足されれば、いかなる形状であっても良い。 例えば、ハニカム構造体の断面形状は、図1 図9に示すような円形の他、楕円形または多 形であっても良い。多角形状の場合は、各 点部が面取りされていても良い。

 また、ハニカム構造体の第1の端面の側か ら見たときのセル11、21の形状は、いかなる 状であっても良く、例えば、正方形、長方 、三角形、六角形または八角形である。さ に、各セルの前記形状は、全て同一の形状 ある必要はなく、相互に異なる形状であっ も良い。

 図11には、第1および第2の端面161、171を有す る、図1とは別の一体型ハニカム構造体101の 例を示す。また、図12および図13には、接合 ハニカム構造体を構成する、図9とは別の多 孔質ハニカムユニットを、一方の端面の側か ら見た図を示す。図11の例では、一体型セラ ックブロック151は、2種類のセル、すなわち 八角形と四角形の断面形状のセル11a、11bを備 えている。また、四角形セル11bは、ハニカム 構造体101の第1の端面161の側で封止されてお 、八角形セル11aは、ハニカム構造体101の第2 端面171の側で封止されている。同様に、図1 2の多孔質ハニカムユニット231は、断面形状 八角形と四角形のセル21a、21bを有し、図13の 多孔質ハニカムユニット232は、断面形状がさ らに別の八角形と四角形のセル21c、21dを有す る。これらのセル構成配置では、セル壁の厚 さは、軸方向に垂直な断面で見た場合、全て のセル11、21が等しいセル断面寸法を有する ニカム構造体(例えば、図1および図9)のセル に比べて、相対的に壁量が低下する傾向に る。従って、特に、ハニカム構造体の第2の 端面の側では、圧縮強度がより低下する。し かしながら、本発明では、前述の効果により 、このようなハニカム構造体の場合にも、出 口側の端部での使用時の破損が抑制されると いう特徴が得られる。
(一体型ハニカム構造体の製作方法)
 次に、一体型ハニカム構造体100を例に、本 明のハニカム構造体の製造方法を説明する

 まず、前述のセラミック材料を主成分と る原料ペーストを用いて押出成形を行い、 柱状の(すなわち、外周面が中心軸方向に沿 って実質的に平行な)一体型セラミックブロ クの成形体を製作する。

 前記原料ペーストは、これに限定される のではないが、例えば製造後の一体型セラ ックブロックの気孔率が40~75%となるものが ましく、例えば前述のようなセラミックか なる粉末に、バインダおよび分散溶媒等を えたものであっても良い。セラミック粉末 粒径は、特に限定されないが、後工程で収 の少ないものが好ましく、例えば0.3~50μmの 均粒径を有する粉末100重量部と、0.1~1.0μmの 平均粒径を有する粉末5~65重量部とを組み合 せたものが好ましい。

 前記バインダとしては、これに限られる のではないが、例えばメチルセルロース、 ルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエ ルセルロース、ポリエチレングリコール等 使用することができる。前記バインダの配 量は、通常、セラミック粉末100重量部に対 て、1~10重量部であることが望ましい。

 前記分散溶媒としては、これに限られる のではないが、例えばベンゼン等の有機溶 、メタノール等のアルコール、水等が使用 れる。分散溶媒は、原料ペーストの粘度が 定範囲内となるように適量配合される。

 これらのセラミック粉末、バインダおよ 分散溶媒は、アトライター等で混合し、ニ ダー等で十分に混練した後、押出成形され 。

 また前記原料ペーストには、必要に応じ 、成形助剤を添加しても良い。成形助剤と ては、これに限られるものではないが、例 ばエチレングリコール、デキストリン、脂 酸、脂肪酸石けん、ポリビニルアルコール が使用される。また前記原料ペーストには 必要に応じて、酸化物系セラミックを成分 する微小中空球体であるバルーンや、球状 クリル粒子、グラファイト等の造孔剤を添 しても良い。

 次に、押出成形された成形体を、マイク 乾燥機、熱風乾燥機、誘電乾燥機、減圧乾 機、真空乾燥機、凍結乾燥機等を用いて乾 させて、乾燥体とする。次に、乾燥体の両 面において、所定のセルの端部に、封止材 ーストを充填し、各セルのいずれか一方の 部を目封じする。

 前記封止材ペーストとしては、これに限 されるものではないが、後工程を経て形成 れる封止材の気孔率が30~75%となるものが好 しく、例えば、前述の原料ペーストと同様 ものを使用しても良い。

 次に、前記封止材ペーストが充填された 燥体に対して、所定の条件で脱脂処理(例え ば200~500℃)および焼成(例えば1400~2300℃)処理 行うことにより、中心軸に沿って平行な側 を有する一体型セラミックブロックを製造 ることができる。前記乾燥体の脱脂および 成の条件は、従来のハニカム構造体を製造 る際に使用されるものを適用することがで る。

 次に、一体型セラミックブロックの側面 、前記原料ペースト、前記封止材ペースト たは他の原料ペーストを塗布して、乾燥、 着させることにより、コート層を形成する

 コート層が乾燥固化した後、ハニカム構 体の外周面がテーパ形状を有するように、 のコート層を研磨する。このような工程を て、前述の特徴的形状を有する一体型ハニ ム構造体を製造することができる。

 なお、以上の製造方法は一例であって、他 方法によって一体型ハニカム構造体を製造 ることも可能であることは、当業者には明 かである。例えば、前述のように、一体型 ラミックブロックを、側面が中心軸に沿っ テーパ形状を有するように製作してから、 定の厚さでコート層を設置し、テーパ形状 有するハニカム構造体を製作しても良い。 た、上記製造方法において、一体型セラミ クブロックの各セルの端部の封止処理と、 体型セラミックブロックの成形体の焼成処 の順番を逆にしても良い。
(接合型ハニカム構造体の製作方法)
 接合型ハニカム構造体200の場合も、同様の 程で製作することが可能である。

 まず前述のセラミック材料を主成分とす 原料ペーストを用いて押出成形を行い、例 ば四角柱状のハニカムユニット成形体を製 する。

 次に、押出成形されたハニカムユニット 形体を、マイクロ乾燥機、熱風乾燥機、誘 乾燥機、減圧乾燥機、真空乾燥機、凍結乾 機等を用いて乾燥させてハニカムユニット 燥体とする。次に、ハニカムユニット乾燥 の所定のセルの端部に、封止材ペーストを 定量充填し、各セルのいずれか一方の端部 目封じする。

 次に、前記封止材ペーストが充填された ニカムユニット乾燥体に対して、所定の条 で脱脂処理(例えば200~500℃)および焼成(例え ば1400~2300℃)処理を行うことにより、例えば 角柱状の多孔質ハニカムユニットを製造す ことができる。

 次に、多孔質ハニカムユニットの側面に 後に接着層となる接着層用ペーストを均一 厚さで塗布した後、この接着層用ペースト 介して、順次他の多孔質ハニカムユニット 積層する。この工程を繰り返し、所望の寸 の(例えば、多孔質ハニカムユニットが縦横 4個ずつ配列された)セラミックブロックを製 する。なお前記接着層用ペーストには、前 の原料ペーストまたは封止材ペーストを使 しても良い。

 次にこのセラミックブロックを加熱して 接着層用ペーストを乾燥、固定化させて、 着層を形成させるとともに、各多孔質ハニ ムユニット同士を固着させる。

 次にダイヤモンドカッター等を用いて、 ラミックブロックを、例えば円柱状に切断 工し、側面が軸方向に沿って平行な円柱状 セラミックブロックを製作する。

 さらに、このセラミックブロック250の側 に、前記接着材ペーストまたは他のコート 層用の原料ペーストを塗布して、乾燥、固 させることにより、コート層を形成する。

 コート層が乾燥固化した後、ハニカム構 体の外周形状がテーパ形状となるように、 のコート層を研磨する。このような工程を て、前述の特徴的形状を有する接合型ハニ ム構造体を製造することができる。

 なお、接合型ハニカム構造体の場合、前述 ように、各種外周形状の多孔質ハニカムユ ットを組み合わせて、テーパ形状を有する ラミックブロックを製作することも可能で る。また、複数の異なる形状のハニカムユ ット成形体から多孔質ハニカムユニットを 製した後、接着層ペーストを介してこれら 積層して、セラミックブロックとしても良 。この場合、側面の切断加工を省略するこ ができる。
(触媒担持体の製作方法)
 なお、前述の記載では、ハニカム構造体100 200をDPFとして使用する場合を例として示し が、ハニカム構造体は、排気ガスに含まれ CO、HCおよびNOx等を浄化するための触媒担持 体として使用することも可能である。そこで 、以下、本発明のハニカム構造体を用いて、 触媒担持体を製作する方法について説明する 。

 本発明のハニカム構造体を触媒担持体と て使用する場合、前述のセル端部の封止処 に代えて、セル壁への貴金属等の触媒の設 処理が行われる。

 まず最初に、セル壁に触媒担持層が設置さ る。触媒担持層としては、例えば、アルミ 、チタニア、ジルコニア、シリカ、セリア の酸化物セラミックが挙げられる。また、 ル壁にアルミナ触媒担持層を形成する方法 しては、例えば、ハニカム構造体をアルミ 粉末を含む溶液中に浸漬させて、引き上げ 後、これを加熱する方法がある。その後、 らにCe(NO 3 ) 3 等の溶液中にハニカム構造体を浸漬させて、 触媒担持層中に希土類元素を含浸させても良 い。

 次に、触媒担持層に触媒が設置される。触 材料は、特に限定されないが、例えば白金 パラジウム、ロジウム等の貴金属が挙げら る。またアルカリ金属、アルカリ土類金属 希土類元素、遷移金属等を含んだ化合物を 持させても良い。白金触媒を設置する方法 しては、例えば、触媒担持層が設置された セラミック構成材」をジニトロジアンミン 金硝酸溶液([Pt(NH 3 ) 2 (NO 2 ) 2 ]HNO 3 )等に含浸させて、加熱する方法等が利用さ る。

 なお一体型ハニカム構造体100の場合は、 体型セラミックブロック150が製作されてか 、上記工程により触媒が設置される。一方 接合型ハニカム構造体200の場合、触媒の設 は、多孔質ハニカムユニット230が製作され 後であれば、どの段階で実施されても良い とに注意する必要がある。

 以下、実施例により本発明の効果を詳し 説明する。

[接合型ハニカム構造体の製作]
 まず、γアルミナ粒子(平均粒径2μm)40重量% シリカ-アルミナ繊維(平均繊維径10μm、平均 維長100μm、アスペクト比10)10重量%、シリカ ル(固体濃度30重量%)50重量%を混合し、得ら た混合物100重量部に対して有機バインダと てメチルセルロース6重量部、可塑剤及び潤 剤を少量加えて更に混合・混練して混合組 物を得た。次に、この混合組成物を押出成 機により押出成形を行い、生の成形体を得 。

 次に、マイクロ波乾燥機及び熱風乾燥機を いて生の成形体を十分乾燥させ、400℃で2時 間保持して脱脂した。その後、800℃で2時間 持して焼成を行い、セル断面形状が略正方 で、セル密度が93個/cm 2 (600cpsi)、壁厚が0.2mmの、四角柱状(34.3mm×34.3mm 150mm)のハニカムユニットを得た。

 次に、γアルミナ粒子(平均粒径2μm)29重量 %、シリカ-アルミナ繊維(平均繊維径10μm、平 繊維長100μm)7重量%、シリカゾル(固体濃度30 量%)34重量%、カルボキシメチルセルロース5 量%及び水25重量%を混合して、封止材ペース トを調製した。ハニカムユニットの所定のセ ルの端部に、この封止材ペーストを所定量充 填し、各セルのいずれか一方の端部を目封じ した。

 次に、前述の封止材ペーストと同組成の 着層用ペーストを用いて、ハニカムユニッ 同士を接合させた。接着層の厚さは、約1mm した。このようにして、縦横にハニカムユ ットが4列ずつ接合されたセラミックブロッ クを作製した。

 次に、ダイヤモンドカッターを用いて、 のセラミックブロックが円柱形状となるよ に切断した。得られたセラミックブロック 第1および第2の端面は、直径が約141mmの円で あった。

 次に、外周面にコート層を形成するため、 述の接着層用ペーストをコート層用ペース として使用し、これを前記セラミックブロ クの側面(すなわち切断面)に塗布した。こ で、ペーストは、第1の端面(厚さ約2.0mm)から 、第2の端面(厚さ約0.5mm)まで、厚さが徐々に 少するように塗布した。次に、これを120℃ 乾燥後、700℃で2時間保持し、接着層および 外周コート層の脱脂を行い、外周テーパ形状 (ハニカム構造体の第1の端面の直径143mm、第2 端面の直径142mm、長さ150mm)を有するハニカ 構造体を得た。このハニカム構造体のテー 率Pは、約1%であった。
[再生試験]
 前述のように製作したハニカム構造体を用 て排気ガス処理装置を構成し、再生試験を った。排気ガス処理装置は、ハニカム構造 の外周に無機繊維マット(厚さ6mm)を巻き回 、これを金属ケーシング(内径150mm×長さ190mm) 内に設置して構成した。なお、ハニカム構造 体は、第1の端面が排気ガス処理装置の入口 に相当するようにして、装置内に装着した

 再生試験は、エンジン(2リットル直噴エ ジン)の排気管の流入側に排気ガス処理装置 設置して、以下のように行った。まず、エ ジンを回転数2000rpm、トルク100Nmの条件で、9 時間運転させ、ハニカム構造体に約18.8g/Lの ートを捕集させた。次に、ハニカム構造体 捕獲されたスートを燃焼させるため、エン ンの運転をポストインジェクション方式に り替え、ポストインジェクション開始から1 後にハニカム構造体の入口温度が約600℃と るように運転した。スートを燃焼させた後 、エンジンを停止して、排気ガス処理装置 らハニカム構造体を回収し、ハニカム構造 の破損状況を確認した。

 試験後に、ハニカム構造体の第2の端面近 傍には、破損は生じていなかった。

 実施例1の場合と同様の方法により、接合 型ハニカム構造体を製作し、排気ガス処理装 置を構成した。ただし、この実施例2では、 ート層用ペーストは、第1の端面(厚さ5.0mm)か ら、第2の端面(厚さ0.5mm)まで、厚さが徐々に 少するように塗布した。従って、最終的に られたハニカム構造体のテーパ率Pは、3%で った。

 実施例1の場合と同様の方法により、この ハニカム構造体を装着した排気ガス処理装置 を用いて再生試験を行った。試験後に、ハニ カム構造体の第2の端面近傍には、破損は生 ていなかった。

 実施例1の場合と同様の方法により、接合 型ハニカム構造体を製作し、排気ガス処理装 置を構成した。ただし、この実施例3では、 ート層用ペーストは、第1の端面(厚さ6.5mm)か ら、第2の端面(厚さ0.5mm)まで、厚さが徐々に 少するように塗布した。従って、最終的に られたハニカム構造体のテーパ率Pは、4%で った。

 実施例1の場合と同様の方法により、この ハニカム構造体を装着した排気ガス処理装置 を用いて再生試験を行った。試験後に、ハニ カム構造体の第2の端面近傍には、破損は生 ていなかった。

比較例1

 実施例1の場合と同様の方法により、接合 型ハニカム構造体を製作し、排気ガス処理装 置を構成した。ただし、この比較例1では、 ート層用ペーストを、第1の端面(厚さ0.5mm)か ら第2の端面(厚さ0.5mm)まで、厚さが実質的に 定となるように塗布した。従って、最終的 得られたハニカム構造体のテーパ率Pは、0 ある。

 実施例1の場合と同様の方法により、この ハニカム構造体を装着した排気ガス処理装置 を用いて再生試験を行った。試験後に、ハニ カム構造体の出口側端面近傍に、破損が生じ ていることが確認された。