Die Erfindung betrifft ein Gehäuse mit einer Abschirmung für elektromagnetische Strahlung.

Gehäuse für elektrische oder elektronische Geräte sind bereits im Stand der Technik hinlänglich bekannt. Derartige Geräte müssen anwendungsspezifisch EMV-Anforderungen (EMV: elektromagnetische Verträglichkeit) erfüllen. Für den Fall, dass in dem Gehäuse elektronische Bauelemente aufgenommen werden sollen, die bei Betrieb elektromagnetische Strahlung abgeben, kann das Gehäuse als Abschirmeinrichtung verwendet werden, so dass die von dem elektrischen oder elektronischen Gerät nach außen emittierte, elektromagnetische Strahlung reduziert wird. Die Abschirmeinrichtung bewirkt zudem einen EMV-Schutz des elektrischen oder elektronischen Geräts gegen elektromagnetische Strahlung, die von außen auf das Gerät einwirkt. Derartige Gehäuse finden insbesondere im Automotive-Bereich Anwendung.

Gehäuse mit Abschirmeigenschaften für elektromagnetische Strahlung können beispielsweise aus Metall gefertigt sein. Problematisch an metallischen Gehäusen ist, dass diese schwer und teuer sind. Darüber hinaus schränken metallische Gehäuse die Design-Flexibilität ein.

Ausgehend hiervon ist es Aufgabe der Erfindung, ein Gehäuse anzugeben, das zum einen Abschirmeigenschaften für elektromagnetische Strahlung aufweist, zum anderen aber geringes Gewicht hat, kostengünstig herstellbar ist und hohe Flexibilität beim Gehäusedesign bietet.

Die Aufgabe wird durch ein Gehäuse mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst. Eine Anordnung aus einem Gehäuse und einer Leiterplatte ist Gegenstand des nebengeordneten Patentanspruchs 8. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstand der Unteransprüche.

Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Gehäuse für ein elektrisches oder elektronisches Gerät umfassend zumindest einen ersten und einen zweiten Gehäuseteil offenbart. Die Gehäusewandung zumindest des ersten Gehäuseteils ist aus einem Kunststoff gebildet, der elektrisch nichtleitend ist. Auf der Innenseite der Gehäusewandung zumindest des ersten Gehäuseteils ist eine Metallisierung vorgesehen, die eine gitteröder wabenförmige Struktur aufweist und aus einer Vielzahl von in Längsrichtung und Querrichtung verlaufenden, sich kreuzenden Metallisierungsbereichen gebildet wird. Beispielsweise sind die Längsachsen eines ersten Teils der Metallisierungsbereiche parallel zueinander ausgerichtet, so dass die Metallisierungsbereiche in eine erste Raumrichtung verlaufen und beabstandet zueinander angeordnet sind. Die Längsachsen eines zweiten Teils der Metallisierungsbereiche sind beispielsweise ebenfalls parallel zueinander ausgerichtet, so dass die Metallisierungsbereiche in eine zweite Raumrichtung verlaufen und beabstandet zueinander angeordnet sind. Die zweite Raumrichtung verläuft quer insbesondere senkrecht zur ersten Raumrichtung. Dadurch weist die Metallisierung Bereiche auf, an denen keine Metallisierung vorgesehen ist. Diese Bereiche werden auch als Maschen bezeichnet. Die Maschen können eine rechteckförmige, quadratische, polygone oder aber auch runde bzw. ovale Form aufweisen. Die Metallisierung ist durch ein Laser-Direkt-Strukturierungs-Verfahren aufgebracht.

Das Gehäuse hat den technischen Vorteil, dass ein Kunststoffgehäuse bereitgestellt wird, das eine hohe Abschirmwirkung hinsichtlich aus dem Gehäuse emittierter Strahlung aber auch in das Gehäuseinnere einfallender elektromagnetischer Strahlung aufweist, eine hohe Designflexibilität bietet und darüber hinaus aufgrund der Verwendung von Kunststoff als statisch tragendes Gehäusematerial einfach und kostengünstig herstellbar ist.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das erste Gehäuseteil wannenartig ausgebildet, wobei sich die Metallisierung von einem Bodenabschnitt über einen Seitenwandabschnitt bis auf einen um laufenden Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch erstreckt, der parallel oder im Wesentlichen parallel zum Bodenabschnitt verläuft. Durch diesen Verlauf der Metallisierung wird zum einen eine umfassende Abschirmwirkung des Gehäuseteils nach oben und zu den Seiten hin erreicht, zum anderen kann durch Auflage einer Leiterplatte auf dem Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch die Metallisierung elektrisch mit dem Massepotential der Leiterplatte kontaktiert werden kann, ohne eine separate Masseverbindung herstellen zu müssen.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist der Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch mehrere Verschraubungsöffnungen auf und ist dazu ausgebildet, eine Auflagefläche für das zweite Gehäuseteil und/oder eine in dem Gehäuse anzuordnende Leiterplatte zu bilden. Durch die Auflage der Leiterplatte auf dem Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch und die Verschraubung des zweiten Gehäuseteils mit dem ersten Gehäuseteil wird die Leiterplatte zwischen den Gehäuseteilen verklemmt und dadurch fixiert.

Vorzugsweise reicht die Metallisierung des ersten Gehäuseteils bis in die Verschraubungsöffnungen hinein, um über die Schrauben, die in die Verschraubungsöffnungen einschraubbar sind, einen elektrischen Kontakt zwischen dem ersten und zweiten Gehäuseteil herstellen zu können. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn auch das zweite Gehäuseteil eine Metallisierung aufweist oder aus Metall gebildet ist. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das erste Gehäuseteil in mehrere Teilbereiche untergliedert. Die Metallisierung weist in den Teilbereichen unterschiedliche Maschenweiten und/oder unterschiedliche Metallisierungsdicken auf. Die Maschenweite ist insbesondere an die Frequenz der Bauelemente angepasst, die in dem jeweiligen Teilbereich des Gehäuses vorgesehen sind. So kann beispielsweise in einem ersten Gehäuseteil, in dem Bauteile vorgesehen sind, die eine niedrigfrequente Strahlung emittieren bzw. für niederfrequente Strahlung störanfällig sind, die Maschenweite größer gewählt werden als in einem Teilbereich des Gehäuses, in dem Bauteile vorgesehen sind, die eine hochfrequente Strahlung emittieren bzw. für hochfrequente Strahlung störanfällig sind. Die Metallisierungsdicke kann derart gewählt sein, dass die Schichtdicke der Metallisierung in Teilbereichen, in denen Bauelemente mit hoher Frequenz bzw. für hochfrequente Strahlung störanfällige Bauelemente vorgesehen sind, geringer ist als in Bereichen mit Bauelementen, die mit einer geringeren Frequenz betrieben werden bzw. die für niederfrequente Strahlung störanfällig sind.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel sind die Teilbereiche durch zumindest einen Wandungsabschnitt voneinander getrennt, wobei der Wandungsabschnitt zumindest partiell die Metallisierung aufweist. Dadurch kann erreicht werden, dass die jeweiligen Teilbereiche des Gehäuses auch gegeneinander gegen ein Eindringen von elektromagnetischer Strahlung aus dem jeweils anderen Teilbereich abgeschirmt sind.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die gitterförmige Struktur quadratische, rechteckförmige, polygone, runde oder oval ausgebildete Maschen auf. Die Maschenform kann an den jeweiligen Anwendungsbereich und die jeweilige Gehäuseform angepasst sein. Auch eine Mischung unterschiedlicher Maschenformen ist grundsätzlich möglich. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Maschenweite der gitterförmigen Struktur derart gewählt, dass die Öffnungsweite einer Masche kleiner oder gleich X/10 ist, wobei X die Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung ist, die von einem in dem Gehäuse aufzunehmenden elektronischen Bauelement emittiert wird bzw. die zu einer Störung des elektronischen Bauelements durch Strahlung von außen führen kann. Durch diese Größendimensionierung ist es möglich, eine gute Abschirmwirkung des Gehäuses nach außen hin zu erreichen und gleichzeitig im Vergleich zu einer vollflächigen Metallisierung eine Materialeinsparung zu erzielen.

Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung eine Anordnung aus einem Gehäuse und einer Leiterplatte, die zumindest ein elektronisches Bauelement aufweist. Das Gehäuse umfasst einen ersten und einen zweiten Gehäuseteil, wobei die Leiterplatte in einem Bereich zwischen dem ersten und zweiten Gehäuseteil aufgenommen ist. Die Gehäusewandung zumindest des ersten Gehäuseteils ist aus einem Kunststoff gebildet, der elektrisch nichtleitend ist. Auf der Innenseite der Gehäusewandung zumindest des ersten Gehäuseteils ist eine Metallisierung vorgesehen, die eine gitter- oder wabenförmige Struktur aufweist und aus einer Vielzahl von in Längsrichtung und Querrichtung verlaufenden, sich kreuzenden Metallisierungsbereichen gebildet ist. Die Metallisierung ist durch ein Laser-Direkt-Strukturierungs-Verfahren aufgebracht.

Die Anordnung hat den technischen Vorteil, dass eine Leiterplatte elektrisch geschirmt in dem Kunststoffgehäuse aufgenommen werden kann, wobei das Kunststoffgehäuse eine hohe Abschirmwirkung hinsichtlich aus dem Gehäuse emittierter Strahlung aber auch in das Gehäuseinnere einfallender elektromagnetischer Strahlung aufweist. Das Gehäuse bietet darüber hinaus eine hohe Designflexibilität und ist aufgrund der Verwendung von Kunststoff als statisch tragendes Gehäusematerial einfach und kostengünstig herstellbar.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung ist die Leiterplatte zwischen dem ersten und zweiten Gehäuseteil eingespannt gehalten. Dadurch kann einerseits eine mechanische Fixierung der Leiterplatte im Gehäuse erzielt werden, zum anderen eine elektrische Kontaktierung der Metallisierung des Gehäuseteils mit der Leiterplatte, um eine elektrostatische Aufladung der Metallisierung zu verhindern.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung erstreckt sich die Metallisierung des ersten Gehäuseteils von einem Bodenabschnitt über einen Seitenwandabschnitt bis auf einen umlaufenden Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch, der parallel oder im Wesentlichen parallel zum Bodenabschnitt verläuft. Durch diesen Verlauf der Metallisierung wird erreicht, dass durch Auflage der Leiterplatte auf dem Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch die Metallisierung elektrisch mit dem Massepotential der Leiterplatte kontaktiert werden kann, ohne eine separate Masseverbindung herstellen zu müssen.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung liegt die Leiterplatte randseitig auf dem Gehäuseabsatz oder Gehäuseflansch des ersten Gehäuseteils auf. Vorzugsweise liegt die Leiterplatte randseitig um laufend auf. Dadurch kann eine vorteilhafte Halterung der Leiterplatte im Gehäuse erreicht werden.

Vorzugsweise ist die Leiterplatte zudem auch durch zumindest einen Wandungsbereich, der sich von dem Bodenabschnitt des Gehäuses nach oben erstreckt, zusätzlich abgestützt.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung weist die Leiterplatte auf der dem Gehäuseabsatz zugewandten Seite zumindest abschnittsweise eine Metallisierung auf, die eine Verbindung zu Masse bildet. Durch die randseitige Auflage der Leiterplatte auf dem Gehäuseabsatz des ersten Gehäuseteils ist die Metallisierung des ersten Gehäuseteils mit der Metallisierung der Leiterplatte elektrisch verbunden. Dadurch lässt sich die Metallisierung des ersten Gehäuseteils über die Metallisierung der Leiterplatte auf technisch einfache Weise mit dem Massepotential der Leiterplatte koppeln.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung erstreckt sich die Metallisierung der Leiterplatte gitterartig oder vollflächig oder im Wesentlichen vollflächig über die Leiterplatte und ist dazu ausgebildet, eine Abschirmung gegen das Austreten von elektromagnetischer Strahlung durch die Leiterplatte hindurch aus dem Gehäuse zu bilden. In anderen Worten bildet der erste Gehäuseteil zusammen mit der Leiterplatte eine umfangsseitig vollständig oder im Wesentlichen vollständig geschlossene Abschirmung, die das Austreten von elektromagnetischer Strahlung verhindert.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung ist das zumindest eine elektronische Bauelement auf der Seite der Leiterplatte angeordnet, die dem die gitterartige Metallisierung aufweisenden ersten Gehäuseteil zugewandt ist. Durch diese Anordnung des Bauelements kann durch eine Metallisierung der Leiterplatte eine Abschirmung erreicht werden, die eine Abschirmwirkung beim zweiten Gehäuseteil hinfällig macht. Jedoch kann zur Erhöhung der Abschirmwirkung das zweite Gehäuseteil zusätzlich eine gitter- oder wabenförmige Metallisierung aufweisen oder aus einem Metall gebildet sein.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung weist die gitter- oder wabenförmige Struktur quadratische, rechteckförmige, polygone, runde oder oval ausgebildete Maschen auf. Die Maschenweite der gitter- oder wabenförmigen Struktur ist derart gewählt, dass die Öffnungsweite einer Masche kleiner oder gleich X/10 ist, wobei X die Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung ist, die von dem in dem Gehäuse aufzunehmenden elektronischen Bauelement emittiert wird bzw. die zu einer Störung des elektronischen Bauelements durch Strahlung von außen führen kann. Durch diese Größendimensionierung ist es möglich, eine gute Abschirmwirkung des Gehäuses nach außen hin zu erreichen und gleichzeitig im Vergleich zu einer vollflächigen Metallisierung eine Materialeinsparung zu erzielen.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anordnung ist das erste Gehäuseteil in mehrere Teilbereiche untergliedert. Die Metallisierung weist in den Teilbereichen unterschiedliche Maschenweiten und/oder unterschiedliche Metallisierungsdicken auf. Die Maschenweite ist insbesondere an die Bauelemente angepasst, die in dem jeweiligen Teilbereich des Gehäuses vorgesehen sind. So kann beispielsweise in einem ersten Gehäuseteil, in dem Bauteile vorgesehen sind, die eine niedrigfrequente Strahlung emittieren bzw. für niederfrequente Strahlung störanfällig sind, die Maschenweite größer gewählt werden als in einem Teilbereich des Gehäuses, in dem Bauteile vorgesehen sind, die eine hochfrequente Strahlung emittieren bzw. für hochfrequente Strahlung störanfällig sind. Die Metallisierungsdicke kann derart gewählt sein, dass die Schichtdicke der Metallisierung in Teilbereichen, in denen Bauelemente mit hoher Frequenz bzw. für hochfrequente Strahlung störanfällige Bauelemente vorgesehen sind, geringer ist als in Bereichen mit Bauelementen, die mit einer geringeren Frequenz betrieben werden bzw. die für niederfrequente Strahlung störanfällig sind.

Die Ausdrücke „näherungsweise“, „im Wesentlichen“ oder „etwa“ bedeuten im Sinne der Erfindung Abweichungen vom jeweils exakten Wert um +/- 10%, bevorzugt um +/- 5% und/oder Abweichungen in Form von für die Funktion unbedeutenden Änderungen. Weiterbildungen, Vorteile und Anwendungsmöghchkeiten der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus den Figuren. Dabei sind alle beschriebenen und/oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination grundsätzlich Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Ansprüchen oder deren Rückbeziehung. Auch wird der Inhalt der Ansprüche zu einem Bestandteil der Beschreibung gemacht.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 beispielhaft eine perspektivische Darstellung eines elektrischen oder elektronischen Geräts ;

Fig. 2 beispielhaft das elektrische oder elektronische Gerät in einer Explosionsdarstellung;

Fig. 3 beispielhaft der in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen A1 gekennzeichnete erste Ausschnitt in einer Detailansicht;

Fig. 4 beispielhaft der in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen A2 gekennzeichnete zweite Ausschnitt in einer Detailansicht;

Fig. 5 beispielhaft eine Schnittdarstellung durch das elektronische Gerät zur Veranschaulichung der Sandwich-Struktur;

Fig. 6 beispielhaft eine Schnittdarstellung durch eine erste Ausführungsform des elektronischen Geräts mit Kennzeichnung des geschirmten Bereichs durch das strichliert gezeichnete Rechteck; und Fig. 7 beispielhaft eine Schnittdarstellung durch eine zweite Ausführungsform des elektronischen Geräts mit Kennzeichnung des geschirmten Bereichs durch das strichliert gezeichnete Rechteck.

Figur 1 zeigt beispielhaft ein Gehäuse 1 eines elektronischen Geräts. Das elektronische Gerät kann beispielsweise eine Steuereinheit eines Fahrzeugs sein. Das Gehäuse umfasst einen ersten und einen zweiten Gehäuseteil 2, 3 die mittels Verschraubungen lösbar miteinander verbindbar sind. Die Gehäusewandung zumindest des ersten Gehäuseteils 2 ist aus einem elektrisch nichtleitenden Kunststoff gebildet. Das bedeutet insbesondere, dass die Wandung des ersten Gehäuseteils 2, abgesehen von einer Metallisierung an der Oberfläche, aus Kunststoff besteht.

Das Gehäuse 1 ist zur Aufnahme von elektronischen Bauelementen vorgesehen, mittels denen die Funktionalität des elektronischen Geräts bewirkt wird. Zudem können an dem Gehäuse, wie in Fig. 1 gezeigt, Durchlässe für Schnittstellen bzw. elektrische Anschlüsse vorgesehen sein, an die beispielsweise elektrische Leitungen anschließbar sind.

Fig. 2 zeigt das elektronische Gerät in einer Explosionsdarstellung, wobei die Darstellung in Fig. 2 eine Überkopf-Darstellung ist, d.h. das in Fig. 1 gezeigte erste Gehäuseteil 2, das im Einbauzustand des Geräts ein oberes Gehäuseteil bildet, ist in Fig. 2 unten dargestellt.

In dem Gehäuse 1 ist zumindest eine Leiterplatte 6 vorgesehen, die zwischen dem ersten und zweiten Gehäuseteil 2, 3 eingespannt gehalten wird. Die Leiterplatte 6 weist eine Vielzahl von elektronischen Bauelementen auf, um die gewünschte Funktionalität des elektronischen Geräts zu erreichen. Bekanntermaßen wird durch elektronische Bauelemente während deren Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert. Um zu verhindern, dass das Gerät nach außen hin elektromagnetische Strahlung über einem Sollschwellwert abgibt, weist das Gehäuse 1 eine elektromagnetische Abschirmeinrichtung auf.

Die Abschirmeinrichtung wird durch eine Metallisierung 4 gebildet, die auf der Innenseite zumindest des ersten Gehäuseteils 2 vorgesehen ist. Die Metallisierung 4 ist nicht vollflächig auf der Innenseite des ersten Gehäuseteils 2 aufgebracht, sondern weist eine gitter- oder wabenartige Struktur auf. In anderen Worten besteht die Metallisierung aus einer Vielzahl von sich kreuzenden Metallisierungsbereichen 4.1 , die beispielsweise in zwei unterschiedliche Raumrichtungen verlaufen. Die Metallisierungsbereiche 4.1 sind derart beabstandet zueinander angeordnet, dass zwischen benachbarten Metallisierungsbereichen 4.1 Öffnungen bzw. Maschen bestehen, in denen keine Metallisierung vorgesehen ist. Die Maschen können eine quadratische, rechteckförmige, polygone oder aber auch runde bzw. ovale Querschnittsform haben.

Die Metallisierung ist mittels eines Laser-Direkt-Strukturierungsverfahrens (LDS-Verfahren) auf die Innenwand des ersten Gehäuseteils 2 aufgebracht. Das Laser-Direkt-Strukturierungsverfahren nutzt beispielsweise einen thermoplastischen Kunststoff, der mit einer (nichtleitenden) laseraktivierbaren Metall-Verbindung als Kunststoff-Additiv dotiert ist. Das erste Gehäuseteil wird beispielsweise in einem Spritzgussverfahren hergestellt. Anschließend wird die Innenseite des ersten Gehäuseteils 2 mit einem Laserstrahl behandelt, wobei der Laser auf diejenigen Bereiche einwirkt, auf denen nachfolgend eine Metallisierung aufgebracht werden soll. Beim Auftreffen des Laserstrahls auf diesen Kunststoff können oberflächlich die Kunststoffmatrix in flüchtige Spaltprodukte zersetzt und aus dem Kunststoff-Additiv Metallkeime abgespalten werden, die oberflächennah zu liegen kommen. Diese Metallpartikel katalysieren beispielsweise die nachfolgende chemischreduktive Kupfermetallisierung.

Wie in Fig. 2 und den Ausschnittdarstellungen gemäß Fig. 3 und Fig. 4 zu erkennen, ist das erste Gehäuseteil 2 wannenartig ausgebildet. Es weist einen Bodenabschnitt 2.1 , einen vom Bodenabschnitt 2.1 abstehenden, umlaufenden Seitenwandabschnitt 2.2 und einen Gehäuseabsatz 2.3 auf. Der Gehäuseabsatz 2.3 ist beispielsweise stufenartig ausgebildet und bildet eine horizontale, parallel zum Bodenabschnitt 2.1 verlaufende Auflagefläche, insbesondere eine umlaufende Auflagefläche für die Leiterplatte 6, so dass der Rand der Leiterplatte 6 auf dem Gehäuseabsatz 2.3 aufliegt.

Die gitter- oder wabenartige Metallisierung erstreckt sich von dem Bodenabschnitt 2.1 über die Seitenwandabschnitte 2.2 bis zu dem Gehäuseabsatz 2.3.

Vorzugsweise weist die Leiterplatte 6 zumindest randseitig in dem Bereich, der gegenüber dem Gehäuseabsatz 2.3 zur Anlage gelangt, ebenfalls eine Metallisierung 6.1 auf. Diese Metallisierung 6.1 ist mit einem Masseanschluss des elektrischen bzw. elektronischen Geräts verbunden. Dadurch wird erreicht, dass beim Aufliegen der Leiterplatte 6 auf dem Gehäuseabsatz 2.3 eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Metallisierung 4 des ersten Gehäuseteils 2 und der Metallisierung 6.1 der Leiterplatte 6 hergestellt wird und damit auch die Metallisierung 4 des ersten Gehäuseteils 2 mit den Masseanschluss verbunden ist. Dadurch kann vermieden werden, dass sich die Metallisierung 4 elektrisch auflädt.

Die Maschenweite der Metallisierung 4 ist vorzugsweise an die Frequenz der elektromagnetischen Strahlung angepasst, die von dem elektronischen Bauteil emittiert wird. Unter Maschenweite wird dabei insbesondere die größte gradlinig gemessene Öffnungsweite verstanden. Diese ist bei einer rechteckigen oder quadratischen Öffnung in der Metallisierung 4 die diagonal gemessene Öffnungsweite. Die Maschenweite ist dabei derart gewählt, dass diese maximal ein Zehntel der Wellenlänge X der elektromagnetischen Welle ist (d.h. 1/10*X), die von dem elektronischen Bauteil emittiert wird.

Für den Fall, dass auf der Leiterplatte 6 mehrere unterschiedliche Schaltungsteile vorgesehen sind, die mit unterschiedlichen Frequenzen arbeiten (beispielsweise ein Niederfrequenz-Schaltungsteil und ein Hochfrequenz-Schaltungsteil) und damit verschiedene Wellenlängen emittieren, kann die Metallisierung 4 in Teilbereichen 2a, 2b des Gehäuses 1 unterschiedliche Maschenweiten aufweisen. Die Maschenweiten sind dann jeweils an die Frequenz des Schaltungsteils angepasst, die in dem jeweiligen Teilbereich 2a, 2b des Gehäuses 1 aufgenommen ist.

Die Teilbereiche 2a, 2b des Gehäuses 1 können durch einen oder mehrere Wandungsabschnitte 7 voreinander getrennt sein. Der zumindest eine Wandungsabschnitt 7 steht winklig von dem Bodenabschnitt 2.1 ab und bildet damit eine wandartige Erhebung, mittels der die Teilbereiche 2a, 2b gegeneinander abgegrenzt werden. Der Wandungsabschnitt weist vorzugsweise ebenfalls die Metallisierung auf und verhindert damit dass sich elektromagnetische Wellen zwischen den Teilbereichen 2a, 2b des Gehäuses 1 ungedämpft ausbreiten können.

Figuren 5 und 6 zeigen beispielhaft und schematisch einen Schnitt durch das Gehäuse der Fig. 2 in einem zusammengesetzten Zustand.

Wie in den Figuren erkennbar ist, wird die Leiterplatte 6 zwischen den Gehäuseteilen 2, 3, die beispielsweise miteinander verschraubt sind, eingespannt gehalten. Die elektromagnetische Abschirmung A des Gehäuses 1 kann entweder durch das erste Gehäuseteil 2 zusammen mit der Leiterplatte 6 selbst erzielt werden, d.h. das zweite Gehäuseteil 3 weist keine Abschirmung für elektromagnetische Strahlung auf, oder aber die Abschirmung A wird durch die Kombination von erstem und zweiten Gehäuseteil 2, 3 erreicht, die beide zur Abschirmung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet sind.

In Fig. 6 ist mittels der gestrichelten Linie angedeutet, welcher Gehäusebereich mit der Abschirmung A versehen ist. Vorzugsweise ist die Leiterplatte 6 einseitig mit elektronischen Bauelementen bestückt, und zwar derart, dass diese im zusammengesetzten Zustand des elektrischen bzw. elektronischen Geräts dem ersten Gehäuseteil 2 zugewandt sind.

Um die elektromagnetische Abstrahlung, die diese elektronischen Bauelemente hervorrufen, abzuschirmen, weist in dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6 die Leiterplatte 6 eine durchgehende oder im wesentlichen durchgehende Abschirmschicht auf. Durch diese Abschirmschicht wird die Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung in Richtung des zweiten Gehäuseteils 3 verhindert. In diesem Fall kann das zweite Gehäuseteil 3 ohne Abschirmwirkung gebildet sein, beispielsweise als reines Kunststoffgehäuseteil ohne innenseitiger Metallisierungsschicht. Alternativ kann das zweite Gehäuseteil 3 aus einem Metall gebildet sein. Dadurch kann die Abstrahlung von elektromagnetischer Strahlung weiter reduziert werden.

Die Abschirmschicht der Leiterplatte 6 ist vorzugsweise mit dem Masseanschluss der elektronischen Schaltung gekoppelt, die auf der Leiterplatte 6 vorgesehen ist. Dadurch kann sich auf der Abschirmschicht durch die elektromagnetische Strahlung kein Potential aufbauen. Wie zuvor ausgeführt, kann die Abschirmschicht der Leiterplatte 6 mit der Metallisierung 4 des ersten Gehäuseteils 2 elektrisch verbunden sein, so dass die Metallisierung 4 über die Abschirmschicht der Leiterplatte 6 mit dem Masseanschluss gekoppelt ist. In dem Ausführungsbeispiel der Fig. 7 wird - im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel der Fig. 6 - nicht die Leiterplatte 6 als Abschirmebene verwendet, sondern das Gehäuse 1 insgesamt, d.h. der erste und zweite Gehäuseteil 2, 3 sind als elektromagnetische Strahlung abschirmende Gehäuseteile ausgebildet. Vorzugsweise sind das erste und zweite Gehäuseteil 2, 3 als Kunststoffgehäuseteile ausgebildet und weisen an der Innenseite eine gitter- oder wabenförmige Metallisierung auf, die die Abschirmwirkung erzeugt.

Vorzugsweise ist die Metallisierung des ersten Gehäuseteils 2 derart ausgebildet, dass die Metallisierung 4 in die Verschraubungsöffnungen 5 des ersten Gehäuseteils 2 hineinreicht. Die Verschraubungsöffnungen 5 sind beispielsweise mit einem Innengewinde versehen und das Innengewinde weist zumindest abschnittsweise eine Metallisierung auf. Dadurch kann über die Schrauben, mittels denen die Gehäuseteile 2, 3 verschraubt sind, eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Gehäuseteil 2, 3 hergestellt werden.

Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, dass zahlreiche Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne dass dadurch der durch die Patentansprüche definierte Schutzbereich verlassen wird.

Bezugszeichenhste

1 Gehäuse

2 erster Gehäuseteil

2a, b Teilbereich

2.1 Bodenabschnitt

2.2 Seitenwandabschnitt

2.3 Gehäuseabsatz

3 zweiter Gehäuseteil

4 Metallisierung

4.1 Metallisierungsbereiche

5 Verschraubungsöffnung

6 Leiterplatte

6.1 Metallisierung

7 Wandungsabschnitt

A Abschirmung