TEL COMPOSAIT

DESCRIPTION

DOMAI E TECHNIQUE

L'invention se rapporte au domaine de l'électronique et de l'optoélectronique et concerne plus particulièrement ies composants lasers semiconducteurs hybrides.

Ainsi, l'invention a pour objet un composant îaser semiconducteur hybride et un procédé de fabrication d'un tel composant.

ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Afin de permettre une intégration de composants laser sur des supports semiconducteurs ou des systèmes photoniques qui ne sont pas adaptés, tels que des supports silicium ou les systèmes photoniques à base de silicium, il est connu d'utiliser des composants laser semiconducteur hybrides.

Afin d'exemplifier ce type de composants iaser semiconducteur hybrides, il est renvoyé aux travaux d'A. W. FANG et al. qui ont été publiés le 31 mars 2008 dans la revue scientifique Optics Express volume 16 numéro 7 pages 4413-4419 qui concernent un laser semiconducteur hybride basé sur un couplage optique adiabatique par transformation de modes entre un module d'émission et un guide d'onde, et aux travaux de B. BEN BAKIR et al. qui ont été publiés en 2011 dans la revue scientifique Optics Express volume 19 numéro 11 pages 4413-4419 qui concernent un laser semiconducteur hybride basé sur un couplage optique évanescent entre un module d'émission et un guide d'onde,

De tels composants comportent généralement :

un module d'émission comprenant une zone active réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs Hl-V, et conformée pour émettre un rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde donnée,

une couche optique comprenant au moins un guide d'onde couplé optiquement à la zone active, le guide d'onde formant avec la zone active u ne cavité optique résonnante à la longueur d'onde donnée.

Cette couche optique est généraiement fournie au moyen d'une couche semiconductrice sur isolant, telle qu'une couche de silicium sur isolant d'un substrat SOI (sigle anglais pour silicon on insulator, c'est-à-dire silicium sur isolant, généralement du SÎ02). Avec un tel substrat, la couche isolante repose sur un support en Silicium. Cette couche isolante du substrat SOI occasionne une isolation thermique entre la couche optique et le support silicium, ce qui est peu propice à l'évacuation de la chaleur produite par le module d'émission vers le substrat Silicium. Or les performances du module d'émission se dégradent fortement avec la température, et cessent de fonctionner à des températures supérieures à 70°C.

Ainsi, si ce type de composant autorise l'intégration de composants lasers sur des supports ou des systèmes photoniques non adaptés tels que des supports silicium, il présente l'inconvénient d'avoir une dissipation thermique insuffisante.

Afin de résoudre ce problème, M, SYSTA et ses coauteurs ont proposé, dans le cadre de leurs travaux présentés en 2011 à la conférence « Optical Fiber Communication Conférence and Exposition and t.he National Fiber Opttc Engineers Conférence », de prévoir des ponts de silicium amorphe entre le support silicium et le guide d'onde silicium (afin de connecter directement au travers de la couche isolante). De tels ponts peuvent être intégrés dans des ouvertures ménagées dans la couche optique et la couche isolante sans interaction avec le guide d'onde.

Si M SYSTAK et ses co-auteurs ont observé une amélioration vis-à-vis de la température de fonctionnement du module d'émission, cette amélioration reste insuffisante et le composant laser hybride présente encore des performances dégradées.

T. 6REAZZO et ses co-auteurs ont quant' à eux proposé dans le cadre de leurs travaux publiés en 2013 dans la revue scientifique « Optics Express », Volume 21 numéro 23 pages 28048-28053, d'intégrer le module d'émission dans une ouverture de la couche optique et de la couche isolante de telle manière à ce que le module optique soit en contact thermique direct avec Se support silicium. Dans une telle configuration, ia chaleur produite par le module d'émission lors du fonctionnement du laser hybride est évacuée par le support.

Si cette configuration proposée par T. GREAZZO et ses co-auteurs permet d'améliorer la température de fonctionnement, elle présente néanmoins un inconvénient majeur. En effet, le module d'émission étant placé dans une ouverture de ia couche optique et de la couche d'isolant, ie couplage entre ie guide d'onde, se trouvant dans la couche optique, et ie module d'émission est forcément un couplage bout à bout. Pour cette raison, une telle configuration n'est pas compatible avec d'autres types de couplage entre ie module d'émission et le guide d'onde, tels que les couplages par transformation de mode et les couplages évanescents.

Pour finir, on notera que les solutions proposées par M. SYSTAK et T. GREAZZO avec leurs coauteurs nécessitent que la couche optique soit elle-même supportée par un support semiconducteur. Or certain systèmes photoniques ne comportent pas de support semiconducteur et présentent une couche optique dont les composants et les interconnexions sont entièrement encapsulés dans un matériau isolant.

On notera que la société ST™ a également développée une solution dans ie but de préserver les performances les composants laser hybride du même type que ceux décrient par d'A. W. FANG et ses coauteurs. Cette solution consiste à intégrer sur une face du composant, celle qui entoure, avec ia couche optique., le module d'émission, un radiateur en regard du module d'émission. Selon cette solution, une interconnexion métallique entre le module d'émission et le radiateur permet de fournir un pont thermique entre eux.

Néanmoins, si une telle solution permet un abaissement de la température de fonctionnement du module, cet abaissement n'est néanmoins pas suffisant pour permettre un fonctionnement optimisé du composant. En effet, avec ia solution proposée par ST™ la face du composant comprenant ie radiateur présente également l'électronique de commande du composant ce qui limite ie dimensionnement du radiateur et donc ia capacité d'évacuation de chaleur de ce dernier,

l! n'existe donc pas de solution satisfaisante pour fournir un composant laser hybride présentant des performances préservées, ceci quel que soit le type de couplage optique entre le guide d'onde et ie module d'émission, en particulier pour les couplages optiques par transformation de modes et Ses couplages optiques évanescents. fi n'existe pas non plus de solution satisfaisante pour fournir un composant iaser hybride présentant des performances préservées dans le cas où la couche optique ne comporte pas de support semiconducteur, EXPOSÉ DE L'INVENTION

L'invention vise à résoudre ces inconvénients et a donc pour premier but de fournir un composant laser hybride présentant des performances préservées sans perturbation de fa connexion du composant à une électronique de commande, et dans lequel le couplage optique entre le module d'émission et le guide d'onde puisse être un couplage optique par transformation de modes ou évanescent.

L'invention a également pour but de fournir un composant laser hybride présentant des performances préservées ceci même dans le cas où la couche optique n'est pas en contact avec un support semiconducteur.

L'invention concerne à cet effet un composant iaser semiconducteur hybride comportant :

au moins un premier module d'émission comprenant une zone active réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs tli-V, et conformée pour émettre un rayonnement éiectromagnétique à une longueur d'onde donnée,

- une couche optique comprenant au moins un premier guide d'onde couplé optiquement à la zone active _. , le premier guide d'onde formant avec la zone active une cavité optique résonnante à la longueur d'onde donnée,

le composant laser semiconducteur hybride comportant en outre : - une couche sem (Conductrice dite de dissipation thermique, ladite couche semiconducÎrïce de dissipation thermique étant en contact, thermique avec le premier module d'émission sur une surface du premier module d'émission qui est opposée à fa couche optique, et

■· au moins une première interconnexion pour connecter l'au moins premier module d'émission, ladite première interconnexion traversant Sa couche optique. De cette manière, en fonctionnement du iaser semiconducteur hybride, la chaleur émise par le module d'émission peut être évacuée par la surface du premier module d'émission opposée a la couche optique, ceci sans aucune contrainte sur Ses autres surfaces du module d'émission. Ainsi, les surfaces du premier module d'émission qui sont soit en regard, soit transversales, de la couche optique, ne présentent aucune contrainte vis-à-vis de leur configuration et sont accessibles pour fournir le couplage optique entre le premier module d'émission et la couche optique.

Un tel composant laser autorise donc un couplage optique entre le guide d'onde et le premier module d'émission par la surface du module d'émission en regard de ia couche optique, ceci par un couplage évanescent ou par transformation de modes, tout en présentant des performances préservées, puisque Sa chaleur générée peut être évacuée par la couche semiconductrice de dissipation thermique.

De plus, cette dissipation thermique est fournie par une couche semiconductrice qui est distincte d'un éventuel support de la couche optique. Ce type de composant laser hybride est donc parfaitement compatible avec les systèmes photoniques ne comportant pas de support semiconducteur.

On notera également que l'utilisation d'au moins une interconnexion pour connecter le premier module d'émission qui traverse la couche optique permet un déport de l'électronique de commande à l'opposé de la couche de dissipation. Ainsi, i) est possible d'optimiser thermiquement les performances de fonctionnement du composant sans que cela n'interfère sur la connexion du composant à une électronique de commande.

Par « couche semiconductrice de dissipation thermique en contact thermique avec le premier module d'émission sur une surface du premier module d'émission qui est opposée à la couche optique », il doit être entendu ci-dessus et dans le reste de ce document que ia résistance thermique entre la surface du premier module d'émission et la couche semiconductrice est inférieure à 1.10 ^'7 m K.W ^"1 , préférentieiiement inférieure à 5,1Û ^~8 rr^. K.W ^'1 et encore plus avantageusement inférieure à 3.1Q ^"8 m ² .K.W ^" \ voire 2.10 ^"8 m^K.vV ^"1 . Ainsi, le contact thermique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique et ia surface du premier module qui est opposée à ia couche optique peut être obtenu par un contact direct entre ces dernières ou par l'intermédiaire d'une couche d'interface présentant une résistance thermique réduite.

Conformément à cette définition, avec un tel contact thermique, si on prend un premier module laser présentant une surface de contact de 1 mm par 5 μηη et une puissance de 0,1 W à dissiper, une résistance thermique de 1.1Q ^'7 m^K.W ^"1 correspond à une différence de température de 3,33°C entre Sa surface du module et la surface de ia couche de semiconductrice de dissipation thermique. Cette différence de température passe respectivement à 1,66 ^* 0 et Q,6S°C pour une résistance thermique de S.10 ^'8 m ² XW-et de 1.10 ^'7 m^ .W ¹

Le module d'émission peut comprendre. :

une première zone semiconductrice d'un premier type de conductivité,

- la zone active en contact avec ia première zone semiconductrice, une troisième zone semiconductrice d'un deuxième type de conductivité et étant en contact avec la zone active,

ie module d'émission étant polarisé au travers des première et troisième zones semiconductrices,

dans lequel la troisième zone semiconductrice est en contact avec la première Interconnexion, îe module d'émission étant en contact thermique avec ia couche semiconductrice de dissipation thermique au moyen de la première zone semiconductrice.

La couche semiconductrice de. dissipation thermique peut s'étendre de part et d'autre du module d'émission. La couche serniconductnce de dissipation thermique peut être en contact électrique avec la troisième zone serniconductnce et en comporte un contact métallique afin de permettre une polarisation du module d'émission.

ta troisième zone serniconductnce peut être en contact thermique avec ta couche serniconductnce de dissipation thermique au travers d'au moins une couche métallique à partir de iaqueile s'étend au moins une deuxième interconnexion traversant Sa couche optique, ladite couche métallique étant isolée électriquement de ia couche serniconductnce de dissipation thermique.

Le composant laser semiconducteur hybride peut comprendre en outre une deuxième interconnexion pour connecter l'au moins un premier moduie d'émission, la deuxième interconnexion étant en contact électrique avec la couche serniconductnce de dissipation thermique.

De cette manière la couche serniconductnce de dissipation thermique peut former un contact commun pour l'ensemble des modules d'émission, telle qu'une. masse et/ou un contact P des modules d'émission.

Le composant laser semiconducteur hybride peut comprendre en outre une deuxième interconnexion pour connecter Tau moins un premier module d'émission, ladite deuxième interconnexion traversant la couche optique, ladite deuxième interconnexion comprenant préférentîeilement :

- une première portion d'interconnexion s' étendant en direction de couche de dissipation thermique,

une portion de couche métallique s'étendant sensiblement parallèlement à la couche serniconductnce de dissipation thermique,, ladite portion étant en contact électrique avec la première portion d'interconnexion,

- une deuxième portion d'interconnexion s'étendant dans une direction opposée à la couche de dissipation thermique et traversant la couche opt que _; ladite deuxième portion d'interconnexion étant en contact électrique avec la portion de couche métallique. De cette manière, l'ensemble des contacts pour connecter le moduie d'émission peuvent être fourni sur une face du composant qui est opposée à fa couche semiconductrice de dissipation thermique.

Le composant laser semiconducteur hybride peut comprendre en outre ;

au moins un composant actif, tei qu'un modulateur optique, ledit composant actif étant logé dans la couche optique,

au moins une troisième interconnexion pour connecter le composant actif, ladite troisième interconnexion s'étendant entre le composant actif et une face du composant laser opposée à la couche semiconductrice de dissipation thermique.

Le composant peut comprendre en outre au moins une quatrième interconnexion dite traversante, ladite troisième interconnexion s'étendant entre une face du composant laser semiconducteur hybride qui est opposée à la couche semiconductrice de dissipation thermique et une face de la couche semiconductrice de dissipation thermique qui est opposée à la couche optique,

et ladite quatrième interconnexion peut présenter sur chacune de ladite face du composant laser semiconducteur hybride et de ladite face de la couche semiconductrice un plot de contact respectif,

De cette manière il est possible de fournir, à partir de cette au moins une quatrième interconnexion, une connexion externe pour une électronique de commande assemblée sur la face du composant qui est opposée à la couche semiconductrice de dissipation thermique.

la couche semiconductrice de dissipation thermique peut être une couche de silicium.

Une telle couche de dissipation thermique permet de bénéficier de la qualité cristal lographique et des possibilités de dopage importants permis par le silicium. Il ainsi possible de choisir Ses caractéristiques de la couche semiconductrice de dissipation thermique adaptées pour dissiper l'énergie thermique transmise par le premier moduie d'émission. te composant laser semiconducteur hybride peut comporter en outre au moins une première couche métallique n contact avec la couche semiconductrice de dissipation thermique sur une face de la couche semiconductrice de dissipation thermique qui est opposée au premier module d'émission.

Une telle première couche métallique permet de dissiper une partie de l'énergie thermique emmagasinée par la couche semiconductrice de dissipation thermique améliorant ainsi, de fait, la capacité de dissipation thermique de ladite couche semiconductrice. On notera, de plus, qu'une teile couche de métallique peut égaîement servir de contact de masse dans le cas où la couche semiconductrice de dissipation thermique est en contact électrique avec la surface du premier module d'émission.

Le composant laser semiconducteur hybride peut comprendre en outre au moins une deuxième couche métallique en contact électrique avec le premier module d'émission sur ia face du premier module d'émission qui est opposé à la couche optique, la deuxième couche métallique participant au contact thermique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique et le premier module d'émission.

Une telle deuxième couche métallique permet de fournir un faon contact thermique entre la surface de l'au moins module d'émission et ia couche semiconductrice de dissipation thermique. De pius, une telle deuxième couche métallique peut avantageusement permettre, lors du procédé de fabrication d'un tel procédé, un collage moléculaire de la couche semiconductrice de dissipation thermique comprenant ladite deuxième couche métallique sur une troisième couche métallique préalablement formée en contact avec la surface du premier module d'émission.

La couche semiconductrice de dissipation thermique peut être en contact électrique avec la deuxième couche métallique.

De cette manière, la couche de dissipation thermique peut également formée un contact de masse pour le premier module d'émission.

Il peut être prévu entre la deuxième couche métallique et ia couche semiconductrice de dissipation thermique au moins une couche d'isolation électrique conformée pour isolé électriquement ia deuxième couche métallique de ia couche semiconductrice de dissipation thermique, la couche d'isolation électrique participant au contact thermique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique et le premier module d'émission.

La couche semiconductrice de dissipation thermique étant isolée électriquement du premier module, il est possible d'utiliser une interconnexion individuelle pour fe premier moduie d'émission. Ainsi, dans le cas où ie composant laser semiconducteur hybride comporte au moins un moduie d'émission autre que le premier module d'émission, ie premier et l'autre module d'émission sont isolés l'un de l'autre et peuvent être alimenter indépendamment l'un de l'autre.

Le premier module d'émission peut être inclus dans une couche d'encapsuiation réalisée dans un matériau isolant, tel que Je nitrure de silicium ou le dioxyde de silicium.

Le composant laser semiconducteur hybride peut comprendre en outre au moins un deuxième module d'émission comprenant une zone active réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs Ill-V, et conformée pour émettre un rayonnement électromagnétique à une deuxième longueur d'onde donnée différente ou identique à la première longueur d'onde donnée,

la couche optique comprenant en outre au moins un deuxième guide d'onde couplé optiquement à ia zone active du deuxième module d'émission, ledit premier guide d'onde formant avec la zone active une cavité optique résonnante à Sa deuxième longueur d'onde donnée,

ia couche semiconductrice de dissipation thermique étant en contact thermique avec le deuxième module d'émission sur une surface du deuxième module d'émission qui est opposée à la couche optique.

Un tel composant bénéficie de la possibilité de l'invention selon laquelle l'invention est compatible avec les procédés de fabrication collective de la microélectronique et de l'optoélectronique.

L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un laser semiconducteur hybride, comportant les étapes suivantes :

fourniture d'une couche optique comportant au moins un premier guide d'onde, fourniture d'au moins un premier module d'émission comprenant une zone active réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, teis que des semiconducteurs iii-V, et conformée pour émettre un rayonnement électromagnétique à une première longueur d'onde donnée, la zone active (étant, couplée optiquement avec ie premier guide d'onde et formant avec le premier guide d'onde une cavité optique résonnante à la longueur d'onde donnée,.

fourniture d'une couché semiconductrice dite de de dissipation thermique, ladite couche senrtfconductrice de dissipation thermique étant en contact thermique avec le premier module d'émission sur une surface du premier module d'émission qui est opposée à ia couche optique.

il peut être prévu une étape de formation d'au moins une première interconnexion pour connecter Tau moins prernier module d'émission, ladite première interconnexion s'étendant en traversant ia couche optique.

Un tel procédé permet la formation d'un composant laser semiconducteur hybride selon l'invention et donc de bénéficier des avantages qui y sont liés.

L'étape de fourniture d'une couche semiconductrîce de dissipation thermique peut comprendre les sous-étapes suivantes ;

- formation d'au moins une deuxième couche métallique en contact thermique avec le premier module d'émission sur la surface du premier module d'émission qui est opposée à la couche optique,

- fourniture de ia couche semiconductrice de dissipation thermique,

- formation en contact thermique avec la couche semiconductrice de dissipation thermique d'une troisième couche métallique,

- collage moléculaire métallique de la deuxième couche métallique avec la troisième couche métallique de manière à mettre en contact thermique la surface du premier module d'émission qui est opposée à la couche optique et la couche semiconductrice de dissipation thermique en contact thermique.

Un tel procédé permet de fournir un composant laser hybride dont le contact thermique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique et ia surface de i'au moins module d'émission est optimisé puisqu'il est obtenu au moyen deux couches de métalliques.

Lors de l'étape de fourniture d'une couche semiconductrice de dissipation thermique il peut être prévu entre ia sous-étape de fourniture de la couche semiconductrice de dissipation thermique et ia sous-étape de formation de ia troisième couche métallique, la sous-étape suivante

formation d'au moins une moins une couche d'isolation électrique en contact thermique avec la couche semiconductrice de dissipation thermique,

ia couche d'isolation électrique étant conformée pour isoler électriquement la deuxième couche métallique de la couche semiconductrice de dissipation thermique, la couche d'isoiation électrique participant au contact thermique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique et le premier module d'émission.

Un tel procédé permet ia formation d'un composant laser semiconducteur hybride comportant un contact thermique et électrique entre la couche semiconductrice de dissipation thermique fourni notamment par ia couche d'isolation électrique selon l'invention et de bénéficier des avantages liés à un te! composant

Lors de l'étape de fourniture de la couche optique, la couche optique peut comporter au moins un deuxième guide d'onde,

lors de l'étape de fourniture de Tau moins un premier module d'émission ii peut être est également fourni un deuxième module d'émission, le deuxième module d'émission comprenant une zone active réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs i!!-V, et conformée pour émettre un rayonnement électromagnétique à une deuxième longueur d'onde donnée différente ou identique à ia première longueur d'onde donnée,

lors de l'étape de fourniture de ia couche semiconductrice de dissipation thermique, ladite couche semiconductrice de dissipation thermique étant également en contact thermique avec le deuxième module d'émission sur une surface du deuxième module d'émission qui est opposée à la couche optique. Un tel procédé permet de bénéficier des possibilités de fabrication collective offertes par la microéSectrique et l'optoélectronique et ainsi de fabriquer un composant comportant plusieurs modules d'émission et donc de lasers semiconducteurs hybrides. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS

La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :

la figure 1 est une coupe longitudinale schématique d'un composant laser semiconducteur hybride selon un premier mode de réalisation de l'invention,

les figures 2A à 2 illustrent ers vue en coupe longitudinale les principales étapes de fabrication d'un composant laser semiconducteur hybride te) qu'illustré sur la figure 1,

- les figures 3A à 30 illustren schématiquement en coupe longitudinale les étapes de fabrication spécifiques d'un composant laser semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention dans lequel le contact thermique entre un premier module d'émission et une couche de dissipation thermique est fourni au moyen de couches de cuivre faisant également office de contact électrique pour ledit premier module d'émission,

les figures 4A à 4M illustrent schématiquement en coupe longitudinale les principales étapes de fabrication d'un module d'émission selon un troisième mode de réalisation de l'invention dans lequel le premier module d'émission et le premier guide d'onde présente une configuration notamment adaptée pour un couplage optique par transformation de modes adiabatique,

la figure 5 illustre schématiquement en coupe longitudinale un composant laser semiconducteur hybride selon un quatrième mode de réalisation dans laquelle il est prévu un renvoi des interconnexions du module d'émission, la figure 6 illustre schématiquement en coupe longitudinale un composant îaser semiconducteur hybride selon un cinquième mode de réalisation qui se différencie d'un composant laser selon fe quatrième mode de réalisation en ce que la preïivère et ta deuxième interconnexion du module d'émission présente un renvoi sur un premier niveau d'interconnexion intermédiaire à une deuxième couche métallique du composant,

les figures 7 A et ?B illustrent schématiquement et en coupe longitudinale un composant laser semiconducteur hybride selon un sixième mode de réalisation qui se différencie d'un composant laser semiconducteur hybride selon le cinquième mode de réalisation en ce qu'il est prévu des via conducteurs traversant la couche de dissipation afin de permettre de contacter une électronique de commande au travers de la couche de dissipation.

On notera que l'ensemble des vues en coupe longitudinale des figures 1 à 4N, la coupe est réalisée selon une direction perpendiculaire à la direction de propagation de la lumière dans les guides d'onde et les cavités laser.

Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter ie passage d'une figure à l'autre.

Les différentes parties représentées sur les figures ne sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre Ses figures plus lisibles.

Les différentes possibilités {variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles,

EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 1 illustre schématiquement un composant laser semiconducteur hybride 1 selon l'invention dans ie cadre de son intégration dans un système photonique basé sur le silicium.

Un tel composant laser semiconducteur hybride 1 comporte : un premier et un deuxième module d'émission 110, 120 comprenant chacun une zone active 111,. 121 réalisée en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs lll-V, et conformée pour émettre un rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde donnée,

- une couche optique 200 comprenant un premier et un deuxième guide d'onde 210, 220 couplés optiquement à respectivement Sa zone active 111, 121 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120, chaque guide d'onde 210, 220 formant avec la zone active 111, 121 correspondante une cavité optique résonnante a ia longueur d'onde donnée,

- une couche semiconductrice de dissipation thermique 310 en contact thermique avec ies premier et deuxième modules d'émission 110, 120 sur une surface du premier et du deuxième module d'émission 110, 120 qui est opposée à la couche optique 200.

Pour fournir une masse commune au premier et au deuxième module d'émission 110, 120, le composant laser semiconducteur hybride 1 comporte également, en contact avec la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 sur une face opposée au premier et deuxième module d'émission 110, 120, une première couche métallique 321 de masse commune.

La première couche métallique 321 est réalisée dans un matériau métallique adapté pour fournir un contact ohmique avec la couche semiconductrice de dissipation thermique 310. Ainsi, la première couche métallique 32 î peut être une couche de tungstène W.

La couche semiconductrice de dissipation thermique 310 est une couche réalisée dans un matériau semiconducteur, tel que du silicium. Selon une possibilité préférée de l'invention et afin de contacter électriquement le contact de masse fourni par la première couche métallique 321 avec le premier et le deuxième module d'émission 110, 120, la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 peut présenter une résistivité en ohm. cm inférieure à 9 ohm. cm, voire 4 ohm.cm, jusqu'à 0,002 ohm. cm. Elle peut dont être dopée de type N (au moyen d'élément dopant donneur d'élection te! que l'antimoine Sb) ou P {au moyen d'élément dopant accepteur d'électron tel que le Bore B) La couche semiconductrîce de dissipation thermique présente préférentieiiement une épaisseur comprise entre 700 μηι et 50 μη , de manière encore plus avantageuse entre 500 μιη et 150 μνη, voire sensiblement égaie à 100 pm.

Afin d'assurer ie contact électrique et thermique entre la couche semiconductrîce de dissipation thermique 310 et le premier et deuxième moduie d'émission 110, 120, ie composant laser semiconducteur hybride 1 comporte également une deuxième, une troisième et une quatrième couche métallique 322, 323, 324.

Ainsi ia couche semiconductrîce de dissipation thermique 310 est en contact, sur une face qui est en regard du premier et du deuxième module d'émission 110, 120 avec la deuxième couche métallique. La deuxième couche métallique est réalisée dans un métal autorisant un coiiage moléculaire métallique. Dans un exemple de réalisation, la deuxième couche métallique peut être réalisée en tungstène W.

La deuxième couche métallique 322 est en contact, sur une face qui est opposée à fa couche semiconductrîce 310, avec la troisième couche métallique 323. Afin d'autoriser un collage moléculaire métallique, la troisième couche métallique 323 est réalisée dans le même métal que ia deuxième couche métallique 322. Ainsi selon l'exemple de réalisation, ia troisième couche métallique peut également être réalisée en tungstène W. On notera de même, que s'il est fait mention dans cette description d'une troisième et quatrième couche métaHique 323, 324, !e procédé de coiiage moléculaire utilisé dans le cadre de ce premier mode de réalisation permet de fournir une deuxième et troisième couche métallique 322, 323 qui se confondent en une seule couche métaHique que l'on pourrait qualifier de « deuxième couche métallique ». Néanmoins, afin de faciliter l'entendement et le lien entre le composant laser semiconducteur hybride 1 et son procédé de fabrication, il est fait mention ci-dessus et dans le reste de ce document d'une troisième et d'une quatrième couche métallique 323, 324.

La troisième couche métaHique 323 est en contact, sur une face qui est opposée à la deuxième couche métallique 322, avec ia quatrième couche métallique 324. La quatrième couche métallique est adaptée pour fournir un contact ohmique avec Se premier et le deuxième module d'émission 110, 120. Ainsi dans un exemple de réalisation dans lequel le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 sont des modules d'émission dont la première et la deuxième zones 112 et 122 sont réalisées en phosphore d'indium IrsP dopé F, la quatrième couche métallique 324 est une couche de contact métallique ohmique adaptée pour le phosphore d'indium InP dopé P , Ainsi, la quatrième couche métallique 324 peut être par exemple une couche de platine Pt La quatrième couche métallique 324 peut présenter une épaisseur comprise entre le S et 40 n m, préférentiellement entre 10 et 20 nm. De cette manière, l'épaisseur totale de la troisième et de la quatrième couche métallique 323, 324 peut être comprise entre 30 et 70 nm et être préférentiellement comprise entre 40 et 60 nm en étant avantageusement égale à 50 nm.

La quatrième couche métallique 324 est en contact avec le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 sur une de leur face qui est opposée à la couche optique 200.

Le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 sont tous deux inclus dans une couche d'encapsulation 100. La couche d'encapsulation 100 est réalisée dans un matériau isolant électrique, par exemple du nitrure de silicium Si ou du di oxyde de silicium SiQ ₂ . Une telle couche d'encapsulation 100 permet de passiver les flancs du premier et du deuxième module d'émission 110, 120, tout en leur permettant de présenter une surface sensiblement plane pour leur connexion. Ainsi le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 affleure de préférence sur chacune des faces de la couche d'encapsulation 100.

La quatrième couche métallique 324 est également en contact avec ia couché d'encapsulation 100.

Selon l'application pratique, le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 comportent chacun :

- une première zone 112, 122 réalisée en phosphore d'indium InP et dopée P, ladite première zone 111, 121 affleurant la couche d'encapsulation 100 en contact avec la quatrième couche métallique 324,

la zone active 111, 121, comporte soit une pluralité de puits quantiques conformés pour émettre un rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde donnée, lesdits puits quantiques étant formés par un empilement de couches semtconductrices en matériaux semiconducteurs â gap direct tels qu'un empilement de couches d'arséniure-phosphure de gailium-indium SnGaÂsP et de couche d'arsénîure de gaSiiu -indium-aluminium fnGaAIAs, ou soit, une pluralité de boîtes quantiques réalisées dans l'un parmi un arséniure- hosphure de gailium-indium InGaAsP et un arséniure de. gaflium-indium-alurninium InGaAlAs,

une troisième zone 113, 123 réalisée en phosphore d'indium inp et dopée H, ladite troisième zone 113, 123 affleurant fa couche d'encapsulation 100 en contact avec Sa couche optique 200 en fournissant un couplage optique entre les zones actives 111, 121 et les guides d ^' Onde 210, 220 correspondants.

Les matériaux de la première zone 112, 122, de la zone active 111, 121 et de la troisième zone 113, 123 indiqués ci-dessus ne sont donnés qu'à titre d'exemple et peuvent être substitués pas d'autres matériaux sans que l'on sorte du cadre de l'invention. Ainsi par exemple, chacun des premier et deuxième modules d'émission 110, 120 peut comporter une première zone 111, 121 réalisée en arséniure de gallium G a As et dopée P, une zone active 112, 122 formée de puis quantiques ou de boîtes quantiques en arséniure d'alu minium-gallium AIGaÂs, et une troisième zone 113, 123 réalisée en arséniure de gallium GaAs et dopée N.

Avec une telle configuration du premier et du deuxième module d'émission dans fa couche d'encapsulation, le couplage optique entre chacune des première et deuxième zones actives 111, 121 et le guide d'onde 210, 220 correspondant peut être un couplage du type évanescent ou adiabatîque

La couche d'encapsulation 100 est également en contact, sur la face opposée à fa quatrième couche métallique 324, avec la couche optique 200.

Selon l'exemple de réalisation illustré sur la figure 1, la couche optique 200 comprend :

fe premier et le deuxième guide d'onde 210, 220,,

un modulateur 230 constitué par un guide d'onde comprenant une jonction semiconductrice PN afin de permettre une modification de son indice effectif de réfraction, un sortie optique 240 iatéraie afin d'autoriser un couplage optique du type « par la tranche »,

une première, une deuxième, une troisième et une quatrième interconnexion 251, 252,253, 254 afin de connecter, pour fa première et la deuxième interconnexion 251, 252, le premier et Se deuxième module d'émission 110, 120 et, pour ia troisième et la quatrième interconnexion 253, 254 la première et !a deuxième zone semiconductrice 231, 232 de la jonction semiconductrice PU du modulateur 230

un matériau de remplissage 205 enfermant le premier et le deuxième =guïde d'onde 2.1.0, 220, le modulateur 230, la sortie optique 240 et les interconnexions 251, 252, 253, les interconnexions251, 252,, 253 affleurant le matériau de remplissage 205.

Bien entendu, en variante à la sortie optique. 240 latérale optique représentée sur la figure 1, il est également envisageable de prévoir une sortie optique surfacique au moyen d'un réseau de couplage surfacique. Une telle possibilité est connue de l'homme du métier et est décrite dans le cadre des figures 4A à 4L.

De la même façon et bien entendu, si seules quatre interconnexions 251, 252, 253, 254 sont représentées, un composant laser semiconducteur hybride 1 selon l'invention peut en comporter un nombre supérieur, ou inférieur, sans que l'on sorte du cadre de l'invention.

Une telle couche optique 200 forme un système pnotonsque à base de silicium et peut ainsi intégrer des composants optiques tels qu'un modulateur optique du type fvtach-Zehnder ou du type anneau résonnant. On notera que, plus précisément, le premier et le deuxième guide d'onde et Se modulateur sont compris dans une sous- couche de guidage 221 de la couche optique, le reste de ia c

Selon cet exemple de réalisation, Se premier et le deuxième guide d'onde 210, 220, et le modulateur 230 sont tous trois réalisés en silicium Si, Plus précisément, le premier et le deuxième guide d'onde 210, 220 sont réalisés dans un silicium pas ou peu dopé, c'est-à-d ire préférentieflement intrinsèque, et le modulateur 230 inclus une première et une deuxième zone semiconductrice 231, 232, l'une dopée N, l'autre dopée P, formant une jonction semiconductrice pour former un modulateur connu de l'homme de l'art (jonction semiconductrice PM formée dans un guide d'onde perpendiculairement à la direction de propagation de ia lumière).

le premier et Se deuxième guide d'onde 210, 220 sont tous deux- disposés a proximité de ia face de ia couche optique 200 qui est en contact avec !a couche d'eneapsulatson 100 ceci de manière à ce que Se premier et le deuxième guide d'onde 210, 220 soient coupiés optiquement à ia zone active 111, 121 respective du premier et du deuxième guide d'onde 210, 220. Un te! couplage optique entre les premier et deuxième guides d'onde 210, 220 et les zones actives du premier et du deuxième module d'émission 110, 120 permet de former une première et une deuxième cavité optique résonnante à fa longueur d'onde donnée. Ces première et deuxième cavités optiques résonnantes à ia longueur d'onde donnée forment respectivement une première et une deuxième cavité laser.

La première et la deuxième interconnexion 251, 2S2 s'étendent sur toute l'épaisseur de fa couche optique 200 afin de contacter les deuxièmes zones 113, 123 de respectivement le premier et le deuxième module d'émission 110, 120. De ia même façon les troisième et quatrième interconnexions 253 , 254 s'étendent sur une partie de l'épaisseur de ia couche optique 200 afin de contacter respectivement la deuxième et la première zone semiconductrice 232 du troisième guide d'onde afin de permettre une modulation de Y indic effectif de réfraction du guide d'onde du ^" modulateur 230,

Ainsi, avec une telle configuration du composant laser hybride 1, ^' le premier et le deuxième module d'émission 110, 120 sont tous deux en contact thermique et électrique par leur deuxième zone 113, 123 respective avec la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 ceci au moyen des deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324. Le premier et le deuxième modules d'émission 110, 120 présentent donc une masse commune fournie par la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 et sont polarisées respectivement par la première et ia deuxième interconnexion 251, 252, Le laser semiconducteur hybride î selon ia réalisation pratique de ce premier mode de réalisation peut être, en référence aux figures 2A à 2M, fabriqué par un procédé de fabrication comportantes étapes suivantes :

fourniture d'un substrat semiconducteur du type silicium sur isolant, ledit substrat comportant un premier support silicium 401 surmonté d'une couche de dloxyde de silicium 402 elle-même surmontée d'une couche de silicium 403 comme illustré sur la figure 2A,

formation dans la couche de silicium 403,, par gravure et implantation, du premier et deuxième et troisième guide d'onde 210, 220, du modulateur 230 et de la sortie optique 240, le reste de la couche silicium étant supprimé par la gravure, comme illustré sur ia figure 2B,

encapsuiation des premier, deuxième guides d'onde 210, 220, du modulateur 230 et de la sortie optique 240 par le matériau de remplissage 205 isolant, par exemple du dioxyde de silicium, suivi par une plana risation du matériau de remplissage, ceci de manière à former une première partie 405 de la couche optique 200 comprenan ia sous-couche de guidage 201, le premier et le deuxième guide d'onde 210, 220 étant à une distance dlde la face de ladite première partie 405 opposée au support silicium 401 qui est compatible avec un couplage optique du type évanescent ou adiabatique, comme illustré sur la figure 2C,

■· formation, en contact de la face de Sa première partie 405 qui est opposée au su pport silicium 401, d'un empilement de couches composé d'une première couche de phosphore d'indium 413 dopée , d'une couche active 411 comportant une pluralité de puits quantîques ou de boîtes quantsques et d'une deuxième couche de phosphore d'indium 412 dopée P, comme illustré sur la figure 2D,

- gravure de la deuxième couche de phosphore d'indium 412 et de ia couche active 411 afin de former respectivement les premières zones 112, 122 et les zones actives 111, 121 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120, le reste de ia deuxième couche de phosphore d'indium 412 et de la couche active 411 étant supprimé lors de cette gravure, comme illustré sur la figure 2E, gravure de la première couche de phosphore d'iridium 413 afin de former respectivement (es deuxièmes zones 113, 123 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120 et ainsi former le premier et ie deuxième module d'émission 110, 120, comme illustré sur la figure 2F,

- encapsulation du premier et du deuxième module d'émission dans un matériau isolant, par exemple du nitrure de silicium SiN ou du dioxyde de silicium SiOz ceci afin de former la couche d'encapsuiation 100, et planarisation dudii matériau isolant ceci afin de faire affleurer ies premières zones 112, 122 de chacun du premier et du deuxième module d'émission 110,120, comme illustré sur la figure 2G,

- dépôt successif de la quatrième et de la troisième couche métallique 324, 323 en contact de respectivement la couche d'encapsuiation 100 et la quatrième couche métallique 324, la quatrième couche métallique 324 étant en contact électrique et thermique avec la première zone 112, 122 des premier et deuxième module d'émission 110, 120. comme illustré sur la figure 2 H,

- fourniture d'un deuxième support silicium 420 sur lequel la deuxième couche métallique 322 a été préalablement déposée, comme illustré sur la figure 21,

collage moléculaire métallique des deuxième et troisième couches métalliques 322, 323, comme illustré sur la figure 2i,

- retrait du support silicium 401,

formation d'une première couche d'interconnexion 431, les premières portions des première, deuxième et, troisième et quatrième interconnexions 251, 252, 253, 254 étant alors formées en contact de respectivement le premier et le deuxième module d'émission 110, 120, de chacune de la première et la deuxième zone semiconductrice 231, 232 du modulateur 230 , comme illustré sur la figure 2 ,

formation d'une deuxième couche d'interconnexion 432, une deuxième portion des première, deuxième, troisième et quatrième interconnexions 251, 252, 253, 254 de manière à former la première, la deuxième, la troisième, et quatrième Interconnexion 251, 252, 253, 254 et ia couche optique 200, comme illustré sur la figure 21, gravure d'une portion latérale de Sa couche optique 200 et de Sa couche d'encapsufation 100 afin de fournir un accès latéral à la sortie optique 240 et ainsi autoriser un couplage optique par la tranche, comme illustré sur la figure 2 M

amincissement du deuxième substrat pour former fa couche semiconductrice de dissipation thermique 310,

formation de la première couche métallique 321 sur la face de la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 qui est opposée à la couche optique 200 pour ainsi former le composant laser hybride comme illustré sur ia figure 1,

L'étape de formation, en contact de fa face de la première partie 405 qui est opposée au support silicium 401, d'un empilement de couches composé d'une première couche de phosphore d'indium 413 dopée N, d'une couche active 411 comportant une pluralité de puits quantiques ou de bottes quantiques et d'une deuxième couche de phosphore d'indium 412 dopée P, peut être réalisée par le dépôt épitaxial successif de la première couche de phosphore d'indium 413, de la couche active 411 et de ia deuxième couche de phosphore d'indium 412. En variante, une telle étape de formation peut également être mise en œuvre par collage d'un substrat comportant la première couche de phosphore d'indium 413, la couche active 411 et la deuxième couche de phosphore d'indium 4.12 et une suppression du support portant lesdites couches, il est à noter que c'est cette possibilité qui est décrite cï-après en lien avec le troisième mode de réalisation et les figures 46 et 4H.

li est également à noter que l'étape de gravure d'une portion latérale de la couche optique 200 et de la couche d'encapsuiation 100 est réalisée dans le but d'un couplage par la tranche. Ainsi dans te cas où il n'est pas prévu de couplage optique ou que le couplage optique est autre qu'un couplage optique par la tranche, cette étape n'est bien entendu pas mise en œuvre et peut être substituée à une étape de formation d'un élément de couplage autre, tel qu'un réseau de couplage surfacique.

Afin d'assurer un couplage optique évanescent, la distance dl entre chaque module d'émission 110, 120 et le guide d ^' onde 210, 220 correspondant est comprise entre 1 à 200 nrn. La figure 3D ^' illustre un composant laser semiconducteur hybride 1 selon un deuxième mode de réalisation de l'invention dans lequel il n'est pas prévu de contact électrique de masse commune, l'ensemble des connexions étant fourni au moyen d'interconnexions 251, 252, 253, 254, 255 traversant la couche optique 200. Un composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce deuxième mode de réalisation se différencie du composant laser semiconducteur hybride ί selon Se premier mode de réalisation en ce que les deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324 sont divisées en plusieurs zones d'interconnexion au moyen de barrières isolantes 241, 242 et en ce que ces mêmes deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324 sont isolées électriquement tout en étant mises en contact thermique avec la couche sem ^' iCQnàuctnce de dissipation thermique 310 au moyen d'une première et d'une deuxième couches d'isolation électriques 343, 344.

Ainsi dans ce deuxième mode de réalisation, les deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324 forment, de par les barrières isolantes 241, 242, une couche d'interconnexion pour connecte les premières zones 212, 222 de chacun du premier et du deuxième module d'émission 110, 120. Afin de connecter cette couche d'interconnexion formée par les deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324, le composant comporte des interconnexions 255 traversant la couche d'encapsuiation 100 et la couche optique 200. De cette manière, l'ensemble des connexions du composant semiconducteur hybride est disponible sur la face de la couche optique 200 qui est opposée à la couche semiconductrice de dissipation thermique 310.

On notera que, par soucis de concision, seule une cinquième interconnexion 255 est illustrée pour la fourniture du contact de masse du premier module d'émission 110. Bien entendu, si l'interconnexion pour la fourniture du contact de masse du deuxième module d'émission 120 n'est pas représentée sur la figure 3D, elle néanmoins présente afin d'assurer la polarisation du deuxième module d'émission 120 ceci avec une configuration similaire à celle de la cinquième interconnexion 255.

Dans le cadre d'une application pratique de l'invention, de la même façon que dans le premier mode de réalisation, la quatrième couche métallique 324 peut être par exemple une couché de platine Pt. La troisième et la deuxième couche métallique 322, 323 sont réalisées en cuivre pour fournir un collage hybride cuivre/isolant te! que décrit par Y. Seiiiiard et ai. dans leurs travaux présentés dans ie cadre de la conférence "3D Systems intégration Conférence » du 2 au 4 octobre 2013 et publiés en tant qu'acte de conférence le 9 Janvier 2014 sous le titre anglais « Chi to wafer copper direct bonding electrical cbaracterization and thermal cycling »,

Les barrières isolantes 341, 342 sont formées, pour une première partie 341, dans fa quatrième et troisième couche métallique 323, 324, et pour une deuxième partie 342, dans la deuxième couche métallique 322, La première partie 341 des barrières isolantes 341, 342 est conforme à la deuxième partie 342 de manière à éviter tout court- circuit entre les zones d'interconnexion formées dans les deuxième, troisième et quatrième couches métalliques 322, 323, 324 . Selon l'application pratique de l'invention, les barrières isolantes 341, 342 peuvent être réalisées en dioxyde de silicium Si0 ₂ .

La première et la deuxième couche d'isolation éiectrique343, 344 sont respectivement réalisées en nitrure de silicium SÎN et en dioxyde de silicium SiCb, Afin de fournir un contact thermique entre la couche semiconductnce de dissipation thermique 310 et ie premier et deuxième module d'émission 110, 120, la première et la deuxième couches d'isolation électriques 343, 344 présentent chacune une épaisseur comprise entre 10 et 50 nm, préférentiellement entre 15 et 30 nm et de manière avantageusement égaie à 20 nm.

Ainsi, si on prend l'exemple donné lors de l'introduction de la définition de « contact thermique », à savoir un module laser présentant une surface de contact de 1 mrn par 5 ?Γ la première couche d'isolation électrique343 présente ainsi une résistance thermique comprise entre 2.10 ^'9 et 4.î0 ^'10 m ² XW ^'1 et là deuxième couche d'isolation électrique 344 présente une résistance thermique comprise entre 23.10 ^'9 et 8.10 ^"9 m^K.W ^" , La résistance thermique cumulée de ia première et la deuxième couche d'isolation électrique 343, 344 est comprise entre 25.10 ^"9 et 8..4.10 ^"9 m ² .K.W ^~l et est donc inférieure à 3.10 ^"8 m ² .K.W ^"i .

Bien entendu, une telle configuration dans laquelle l'interface entre chaque module d'émission 110, 120 et ia couche semiconductnce de dissipation thermique 310 est fournie par la première et la deuxième couche d'isolation électrique 343, 344 décrite ci-dessus est donnée qu'à titre d'exemple. Ainsi, un composant laser semiconducteur hybride 1 selon l'invention peut présenter une interface entre chaque module d'émission 110, 120 et ia couche semiconducirice de dissipation thermique 310 fournie par un nombre de couche autre que deux et de matière différente sans que l'on sorte du cadre de l'invention tant que l'épaisseur de ladite ou desdites couches est adaptée pour que la résistance thermique entre la surface du premier module d'émission et la couch semiconducirice est inférieure à 1,10 m^XW ^'1 , préférentieûement inférieure à 5.10 ^"8 rr^.l W ^"1 et encore plus avantageusement inférieure à 3.10 ^"s m ^î . ,W ^"I _J voire

2.10 ^s m ^J . .W ^"x .

Selon une variante avantageuse au moins l'une de ia première et ia deuxième couche d'isolation électrique 343, 344 est réalisé dans un diélectrique Hîgh . De cette manière il est possible de réduire l'épaisseur de ladite couche d'isolation électrique en gardant une isolation électrique adaptée,

Dans ce deuxième mode de réalisation la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 est une couche de silicium intrinsèque et présente une épaisseur de 700 μπη.

Le procédé de fabrication d'un composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce deuxième mode de réalisation se différencie du procédé de fabrication d'un composant laser semiconducteur hybride 1 selon îe premier mode de réalisation en ce qu'après l'étape de dépôt successif de la quatrième et de la troisième couche métallique 324, 323 en contact de respectivement la couche d'encapsulation 100 et la quatrième couche métallique 324, comme illustré sur la figure 2H, si est prévu les étapes suivantes :

gravure localisée des troisième et quatrième couches métalliques 32.4, 323 de manière à former les zones d'interconnexion et dépôt de la première partie 341 des barrières isolantes 341, 342, comme illustré sur ia figure 3A, fourniture de Sa couche semiconductrice de dissipation thermique 310, celle-ci présentant sur l'une de ces faces la deuxième couche métallique 322 sur laquelle les zones d'interconnexion ont été formés au moyen de ia deuxième partie 342 des barrières isolantes 341, 342, comme illustré sur la figure 36, collage hybride cuivre/isolant de îa deuxième couche métallique 322 et ia troisième couche métallique 323, teiie qu'illustré sur (a figure 3C, gravure d'une portion latérale de la couche optique 200 et de Sa couche d'encapsuiation 100 afin de fournir un accès latéral à la sortie optique 240 et ainsi autoriser un couplage optique par Sa tranche, ie composant laser semiconducteur hybride 1 étant ainsi formé, comme illustré sur Sa figure 3D.

La figure 4N illustre un composant laser semiconducteur hybride 1 selon un troisième mode de réalisation qui présente la particularité d'être obtenu selon un procédé de fabrication alternatif à celui décrit pour le composant lase serniconducteur hybride î selon ie premier mode de réalisation et qui est adapté pour fournir un couplage optique adiabatique entre chaque modules d'émission 110, 120 et ie guide d'onde 210, 2ZÛ correspondant par transformation de modes. Le composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce troisième mode de réalisation se différencie d'un composant semiconducteur hybride 1 selon le premier mode de réalisation en ce que la couche optique 200 présente u e conformation différente.

Bien entendu, le composant laser semiconducteur hybride 1 présente dans ce troisième, mode de réalisation une configuration adaptée pour fournir un couplage optique adiabatique par transformation de modes entre chaque modules d'émission 110, 120 et le guide d'onde 210, 220 correspondant, une telle configuration est également compatible avec un couplage optique évanescent. Ainsi, e variante, le composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce troisième mode de réalisation peut également présenter un couplage optique entre au moins l'un parmi le premier et Se deuxième module d'émission 110, 120 et le guide d'onde 210, 220 correspondant du type évsnescetit.

Ainsi, la couche optique 200 selon ce troisième mode de réalisation com orte :

un premier et un deuxième guide d'onde 210, 220,, un modulateur 230,

une première, deuxième., troisième et quatrième interconnexion 251, 252, 253, 254 pour connecter, pour la première et la deuxième interconnexion 251.. 252, le premier et Se deuxième module d'émission 110, 120, et pour les troisième et quatrième interconnexions 253, 254 ies première et deuxième zones semiconductnces 231, 232 du modulateur,

une sortie optique 241 par (a surface prenant la forme d'un réseau optique afin de permettre de coupler le système photonique formé par la couche opaque avec un élément extérieur ou à un autre guide d'onde

un matériau de remplissage 205 enfermant le premier et le deuxième guide d'onde 210, 220, le modulateur 230 et la première à la quatrième interconnexion 251, 252, 253, 254,

Un procédé de fabrication d'un composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce troisième mode de réalisation comporte, en référence aux figures 4A à 4N, ies étapes suivantes :

fourniture d'un substrat du type semiconducteur isolant comportant un premier support.402, une couche d'isolant 402 et une couche de silicium, formation dans la couche de silicium, par gravure localisée et implantation, du premier et du deuxième guide d'onde 210, 220, du modulateur 230 et de la sortie optique 24 î, comme illustré sur la figure 4A,

encapsuiation du premier guide d'onde 210, du modulateur 230 et de la sortie optique 241 par le matériau de remplissage 205, c'est-à-dire du dioxyde de silicium, ceci de manière à former une première partie 405 de la couche optique 200, le premier et Se deuxième guide d'onde 210, 220 étant à une distance d2 de la face de ladite première partie 405 opposée au support silicium 401, comme illustré sur la figure 4B,

formation d'une première couche d'interconnexion 431, les premières portions d'une troisième et d'une quatrième interconnexion 253, 254 étant alors formées en contact de respectivement la première et la deuxième zone semiconductrice 231, 232 du modulateur 230, comme illustré sur la figure 4C _;

encapsulation des premières portions de la troisième et la quatrième interconnexion 253, 254 par le matériau de remplissage 205, formation d'une deuxième couche d'interconnexion 432, une deuxième portion des troisième et quatrième interconnexions 253, 2S4 de manière à former les troisième et quatrième interconnexions 253, 254 et ia couche optique 200, comme illustré sur la figure 4D,

- encapsuiation des deuxième portions des troisième et quatrième interconnexions 253, 254 par le matériau de remplissage 205 et planarisation afin de former une couche de collage 355, comme illustré sur la figure 4£,

collage mollécuîaire de Sa couche de collage sur un substrat

350 dit de transport,

- retrait du support silicium 401, comme iiiustré sur la figure

4F,

amincissement optionnelle de la couche d'isolant 402 afin de définir la distance 2 entre chaque module d'émission 110, 120 et ie guide d'onde correspondant 210, 220,

- fourniture d'un troisième support semiconducteur 414 de phosphore d'indium \nP comprenant sur l'une de ces faces une deuxième couche de phosphore d'indium 412, la deuxième couche de phosphore d'indium 412 étant recouverte d'une couche active 411 comportant une pluralité de puits quantiques, elle- même recouverte d'une première couche de phosphore d'indium 413,

- collage moléculaire de la première couche de phosphore d'indium 413 sur la couche d'isolant 402, comme qu'illustré sur la figure 4G

retrait du troisième support semiconducteur 414, gravure de ia deuxième couche de phosphore d'indium 412 et de la couche active 411 afin de former la première zone 112, 122 et la zone active 111, 121 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120, le reste de la deuxième couche de phosphore d'indium 412 et de ia couche active 411 étant supprimé lors de cette gravure, comme illustré sur la figure 4 H.,

gravure de la première couche de phosphore d'indium 413 afin de former ia deuxième zone 113, 123 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120 et ainsi former le premier et le deuxième module d'émission 110, comme illustré sur la figure 44,

encapsuïatîon du premier module d'émission ÎÎ0 dans du nitrure de silicium SiN ou du dioxyde de silicium Sii¼ ceci afin de former la couche d'encapsulation 100, comme ifiustré sur la figure 4J,

dépôt de la troisième et la quatrième couche métallique 323, 3 ^' 24 en contact de 5s couche d'encapsuiation 100, la quatrième couche métallique 324 étant en contact avec la première zone 112 du premier module d'émission 110, comme illustré sur Sa figure 4K,

- fourniture d'un deuxième support silicium formant la couche semiconductrice de dissipation thermique 310, la deuxième couche métallique 322 ayant été préalablement déposée sur {'une des faces de ce deuxième support,

collage moléculaire métallique du deuxième support silicium 420 au moyen des deuxième et troisième couches métalliques 322, 323, comme illustré sur la figure 4L,

retrait du substrat de transport 350,

suppression de la couche collage 355,

formation d'une première et d'une deuxième interconnexion

251, 252 au travers de Sa couche optique 200 afin de connecter Sa deuxième zone 113, 223 du premier et du deuxième module d'émission 110, 120, comme illustré sur la figure

4M.

Dans ce troisième mode de réalisation ia couche semiconductrice de dissipation thermique 310 est formée par le deuxième support semiconducteur et doit nécessairement présenter un contact non illustré afin de fournir ia connexion de masse à ia première zone 111 du premier module d'émission 110. Ce contact de masse peut être fourni, comme cela est le cas pour Se composant laser semiconducteur hybride 1 selon le premier mode de réalisation, par des étapes, non illustrées* d'amincissement de la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 et Se dépôt d'une première couche métallique 321. Bien entendu, if est également envisageable de déposer directement une telle première couche de métallique en contact de la couche semiconductrice de dissipation thermique 3.10 sans étape préalable d'amincissement, voire en aménageant un simple piot de contact en contact de la couche semiconductnce de dissipation thermique 310.

On peut noter que, bien entendu, i! est parfaitement envisageable de combiner les deuxième et troisième modes de réalisation, ceci sans que l'on sorte du cadre de l'invention. Un composant laser hybride 1 selon cette possibilité :

ne comporte pas de masse commune mais présente un contact de masse indépendant pour chacun des modules d'émission 110, 120 conformément au troisième mode de réalisation, ies troisième et quatrième couches métalliques 323, 324 étant divisées en plusieurs zones d'interconnexion au moyen de barrières isolantes,

présente, en conformité avec Se troisième mode de réalisation, une configuration adaptée pour fournir un couplage optique adiabatsque entre chaque module d ^' émission 110, 120 et le guide d'onde 210, 220 correspondant par transformation de modes.

La figure 5 illustre un composant laser à semiconducteur hybride selon un quatrième mode de réalisation dans lequel les première et cinquième interconnexions 251, 255 du module d'émission sont ramenées sur des portions de deuxième et troisième couches métalliques 322, 323 en contact avec la couche semiconductnce de dissipation thermique 310 pour ensuite être retourner en direction de la couche optique 200 en te traversant.

Un composant laser à semiconducteur hybride selon ce quatrième mode de réalisation se différencie d'un composant laser à semiconducteur hybride selon le deuxième mode de réalisation en ce qu'il ne comporte qu'un seul module d'émission 210., en ce que la troisième zone semiconductnce 113 présente une extension s ^' étendant le long de la couche optique afin de permettre une prise de contact déportée vis-à-vis de la première interconnexion 251 et en ce que la première interconnexion 251 présente une configuration différente.

On notera également, qu'un composant actif 260 semiconducteur, tel qu'un modulateur, et une interconnexion 2S6 sont montrés sur la figure 5 ceci afin d'illustré la possibilité de loger des composants actif dans la couche optique 200. Ainsi, comme le montre la figure S., les première et troisième zones semiconductrices 112, 113 du premier module 110 sont polarisées au moyen de fa première et ia cinquième interconnexion 251,255. Chacune de la première et de la cinquième interconnexion 251, 255 présente :

- une première portion d'interconnexion s'étendant en direction de ia couche semiconductrice de dissipation thermique 310,

une portion respective de deuxième et troisième couches métalliques 322, 323, lesdites couches métalliques étant en contact avec ta couche de dissipation,

- une deuxième portion d'interconnexion s'étendant dans 'a direction de la couche optique en la traversant et en débouchant au travers du matériau de remplissage 205 pour l'affleurer afin de permettre une connexion avec l'électronique de commande.

Dans ce quatrième mode de réalisation, afin d'éviter un court-circuit entre la première et la troisième zone semiconductrice 112, 113, les portions la couche semiconductrice de dissipation thermique est préférentiellement non intentionnellement dopée, voire faiblement dopée, et les portions de ia deuxième et de Sa troisième couche métallique correspondant respectivement à la première et Sa deuxième interconnexion sont espacées ies unes des autres d'une distance adaptée pour que la couche semiconductrice de dissipation thermique présente une résistance suffisante pour les isoler électriquement. Dans une configuration classique cette distance peut être supérieure à 15 p.rn, voire 30 μητ> ou encore 50 μιτι.

Dans ce quatrième mode de réalisation, la cinquième interconnexion 255 participe au contact thermique entre le premier module d'émission 110 et ia couche semiconductrice de dissipation thermique 310.

Le procédé de fabrication d'un composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce quatrième mode de réalisation se différencie d'un procédé de fabrication selon le premier mode de réalisation en ce que :

lors de l'étape de fourniture de la couche optique, l'interconnexion 25& du composant actif 260 est formée, après l'étape d'encapsuiatton du premier module d'émission dans un matériau isolant ii est formé une partie des première et cinquième interconnexions 25.1, 255, et les portions de fa deuxième couche métallique 322,

lors de l'étape de collage moléculaire métallique, la troisième couche métallique 323 présente les portions correspondantes à celles de ia deuxième couche métallique 322.

La figure 6 illustre un composant laser semiconducteur hybride 1 selon un cinquième mode de réalisation dans lequel la première et la cinquième interconnexion 251, 255 du premier module d'émission présente un renvoi sur un premier niveau d'interconnexion intermédiaire à la deuxième et la troisième couche métallique.

Un composant laser semiconducteur hybride 1 selon ce cinquième mode de réalisation se différencie d'un composant selon le quatrième mode de réalisation en ce que la première et la cinquième interconnexion du module d'émission présente un renvoi sur un premier niveau d'interconnexion intermédiaire, la cinquième interconnexion 255 se prolongeant jusqu'à la deuxième couche métallique ceci afin de fournir ie contact thermique entre le premier module d'émission 1x0 et ia couche semlconductr ce de dissipation thermique.

Ainsi dans ce cinquième mode de réalisation, le renvoi de Sa première et cinquième interconnexion 251, 255 est réalisé au niveau d'une quatrième couche métallique 325, c'est-à-dire un premier niveau d'interconnexion, selon un principe similaire à celui du quatrième mode de réalisation et la deuxième interconnexion présente, entre la quatrième couche métallique 325 et la deuxième couche métallique des via métalliques sur un deuxième niveau d'interconnexion. De tels via métalliques participent à la fourniture de la conduction thermique entre le premier module d'émission et la couche de dissipation thermique.

Un procédé de fabrication selon ce cinquième mode de réalisation se différencie du procédé de fabrication selon le quatrième mode de réalisation en ce que lors de l'étape de formation du reste de la première et de ia cinquième interconnexion 251, 255, la quatrième couche métallique et les via de la cinquième interconnexion 255 sont formées, afin de fournir respectivement, le renvoi de la première et la cinquième interconnexion 251, 255 , et Se contact thermique entre te premier module d'émission 110 et la couche semiconductrice de dissipation thermique 310,

Les figures 7 A et 7B illustre un composant iaser semiconducteur hybride 1 selon un sixième mode de réalisation dans iequel il est prévu des sixième et septième interconnexions traversantes 257, 357, 258, 358 entre une face externe du matériau de remplissage 205 et une face externe de la couche semiconductrice de dissipation thermique 310. Un tel composant iaser semiconducteur hybride 1 selon ce sixième mode de réaiisation se différencie d'un composant iaser semiconducteur hybride 1 selon le cinquième mode de réalisation en ce qu'il est prévu les interconnexions traversantes 257, 357, 258, 358.

Comme montré sur ia figure 7A, le composant comporte en outre, en plus des première et cinquième interconnexions 251, 255 et de l'interconnexion 255, une sixième et septième interconnexion traversante 257, 357, 258, 358 mettant en communication ia face externe du matériau de remplissage 205 et ia face externe de la couehe semiconductrice de dissipation thermique 310. Ainsi la sixième et ia septième interconnexion traversante 257, 357, 258, 358 comportent chacune :

une première portion d'interconnexion 257, 258 s'étendant au travers du matériau de remplissage 205, la couche optique 200 et la couche d'encapsulation 100, ladite première portion d'interconnexion 257, 258 étant munie au niveau de Sa face externe du matériau de remplissage 205 d'un plot de contact respectif, une portion respective de deuxième et troisième couches métalliques 322, 323, lesdîtes couches métalliques étant en contact avec la couche semiconductrice de dissipation thermique 310,

une deuxième portion d'interconnexion 357, 358 s'étendant au travers de la couche semiconductrice 310 de dissipation thermique et débouchant sur ia face externe de ia couche semiconductrice de dissipation thermique 310 sous la forme d'un plot de contact.

Ainsi, selon un principe similaire aux modes de réalisation précédents et comme illustré sur Sa figure 7B, il est possibie de connecter des modules de commande 510, 520 de l'électronique de commande au module d'émission 110 et au composant actif 260 au moyen des plots de contact respectifs des première et cinquième interconnexions 251, 255 et de ('interconnexion 256. Une teiie connexion peut être réalisée, par exemple et comme illustré sur la figure 7B, par hybridation par bille de cuivre 511, 512. Ces mêmes modules de commande 510, 520 sont, selon le principe de ce sixième mode de réalisation, eux même connectés aux sixième et septième interconnexions traversantes 257, 357. 258, 358 ceci au moyen les plots de connexion de ces dernières qui se trouvent au niveau de la surface externe du matériau de remplissage 205. Cette connexion peut être réalisée, par exemple, par hybridation par bille de cuivre. De cette manière les plots de connexion des deuxième portions d'interconnexion 357, 358 qui prolongent les sixième et septième interconnexion au niveau de la surface externe de la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 fournissent une connexion extérieure des modules de commandes qui est accessible sur la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 sur une face de cette dernière qui est opposée à la couche optique 200.

Bien entendu, dans ce sixième mode de réalisation de la même façon que dans le quatrième mode de réalisation, afin d'éviter un court-circuit entre les sixième et septième interconnexions traversantes 257, 357, 258, 358, la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 est préférentieliement non intentionnellement dopée, voire faiblement dopée, et les portions de ia deuxième et de la troisième couche métallique correspondant respectivement à la sixième et à la septième interconnexion traversante 257, 357, 258, 358 sont espacées les unes des autres d'une distance adaptée pour que la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 présente une résistance suffisante pour les isoler électriquement. Dans une configuration classique cette distance peut être supérieure à 15 um, voire 30 μηι ou encore 50 prn.

On peut également noter que selon une possibilité de ce sixième mode de réalisation, la cinquième interconnexion 255 comporte une ligne d'interconnexion aménagée dans la couche de dissipation. Une telle ligne d'Interconnexion fournie par une cinquième couche métallique permet d'Optimiser la surface de contact entre fa cinquième .interconnexion 255 et ia couche semiconductrice de dissipation thermique. Un procédé de fabrication d'un composant se différencie d'une procédé de fabrication d'un composant seion le cinquième mode de réalisation en ce que iors de is fourniture de fa couche semiconductrice de dissipation thermique 310, la couche semiconductrice de dissipation thermique 310 est fournie avec les deuxième portion d'interconnexion 357, 358 et en ce que les portions respective de deuxième et troisième couches métalliques 322, 323 des sixième et ia septième interconnexion traversante 257, 357, 258, 358 sont formées dans lesdstes deuxième et troisième couches métalliques.

Bien entendu, si dans les applications pratiques des six modes de réalisation décrites ci-dessus chacun des modules d'émission présente une première et une deuxième zone en phosphore d'indium, l'invention est compatible avec d'autre type de moduie d'émission, si tant est que ceux-ci sont pourvus de zones actives réalisées en matériaux semiconducteurs à gap direct, tels que des semiconducteurs SH-V, et conformées pour émettre un rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde donnée. Ainsi, il est parfaitement envisageable qu'un moduie d'émission présente, par exemple, une première et une deuxième zone en arséniure d'indium. Il est également envisageable que la zone active soit une zone comprenant des boites quantiques, voir une simple zone non intentionnellement dopée, ceci sans sortir du cadre de l'invention.

De la même façon, si les six modes de réalisation décrits ci-dessus, les composants laser hybride 1 sont des composants laser hybrides en relation avec une couche optique de systèmes photoniques non supportée par un support semiconducteur, les composants lasers hybride selon l'invention sont compatibles avec une couche optique supportée sur un support semiconducteur. Ainsi, un composant laser semiconducteur hybride seion l'invention peut parfaitement être intégré à un support non adapté, tel qu'un support silicium ou à un système photonique pourvu d'un support semiconducteur.

On notera que seion le principe de l'invention, dans l'ensemble des modes de réalisation décrit ci-dessus, au moins une partie des contacts des premier et deuxième modules d'émission 110, 120 et de ('ensembles des composants optiques actifs iogés dans la couche optique 200 sont déportés sur une face opposée à la couche de dissipation thermique. Ainsi, il est possible d'optimiser la dissipation thermique du composant sans perturbation de la connexion du composant à l'électronique de commande.