以下、本発明の実施の形態について図面� ��参照しながら説明する。

 図1は本発明の一実施の形態に係る配線構 造を示す断面図である。図1に示された半導� �装置は、多数の半導体素子を形成した半導� �基板(図示せず)上に設けられた多層配線構造 (配線層間の接続部分1箇所のみを示す)10を備� ��ている。また、図示された多層配線構造10� �、半導体基板上に設けられた炭窒化珪素(SiCN )からなるバリアーキャップ層1上に設けられ� ��第1及び第2の層間絶縁膜2及び4を含んでおり 、これらの層間絶縁膜2及び4は多層に形成さ� ��る配線層及び/又は導電領域を互いに絶縁分 離している。

 第1の層間絶縁膜2には、当該第1の層間絶縁� ��2とバリアーキャップ層1とを貫通してビア� �ール7が設けられている。このビアホール7に は、Cuからなる電極または配線8が形成されて いる。さらに、第1の層間絶縁膜2の上にSiCNか らなる第1の接着層3を介してフルオロカーボ� ��膜からなる第2の層間絶縁膜4が形成されて� �る。第2の層間絶縁膜4の上にSiCNからなる第2� ��接着層5を介して、シリコンオキサイド(SiO ₂ )からなる硬質マスク6が設けられている。

 また、硬質マスク6から第1の層間絶縁膜2ま� ��溝9が設けられ、Cuからなる配線導体11がこ� �溝に埋め込まれている。尚、ビアホール7及� ��溝(トレンチ)8の内壁には、配線導体8及び11� ��構成するCuに対してバリアーを形成するNiF ₂ からなるバリアー層7´、9´が形成されている 。

 ここで、バリアーキャップ層1、第1及び第2� ��接着層3,5のSiCNは、比誘電率kが4.0~4.5である� ��、これらバリアーキャップ層1、接着層3,5と して、kが3.0より小さいハイドロカーボン膜� �、接着層3、5として、更に薄いk=3.0のSiCO膜を 用いることも可能である。ここで、k=3.0以下� ��ハイドロカーボンとしては、ブチンとArプ� �ズマからアモルファスカーボン膜(CHy:y=0.8~1.2 )を20~30nmの厚みで成膜することが挙げられる� ��なお、誘電率は上昇するが、バリアーキャ� ��プ層1、接着層3,5としてSiN,SiC及びSiO ₂ 等を用いても良いことは勿論である。

 更に、硬質マスク層6としてk=4.0のSiO ₂ 膜を用いたが、kが3.0よりも小さいSiCO膜を使� ��することもできる。また、硬質マスク6とし て、k=3.0以下のハイドロカーボンによって形� ��することもできる。例えば、この種のハイ� ��ロカーボンとしては、上述のハイドロカー� ��ン膜が挙げられる。

 図1に示された第1の層間絶縁膜2は、フル� ��ロカーボン膜(以下、CFxと呼ぶ)膜121と、当� �CFx膜121上に形成された絶縁性塗布膜122とに� �って形成され、同様に、第2の層間絶縁膜4も 、CFx膜141と、当該CFx膜上に形成された絶縁性 塗布膜142とによって形成されている。

 ここで、第1及び第2の層間絶縁膜2及び4を 形成するCFx膜121及び141はk=2.0のフルオロカー� ��ン(CFx)膜からなるが、このようなCFx膜121、14 1に窒素を含有させてもよい。CFx膜121、141の� �誘電率kは、1.8~2.2の範囲にあることが望まし い。

 更に、第1及び第2の層間絶縁膜2及び4を形 成する絶縁性塗布膜122及び142は、CFx膜121、141 上にコーティング剤を含む混合剤をスピンコ ートによって塗布・乾燥(加熱ベーク)するこ� ��によって形成されている。塗布・乾燥され� ��絶縁性塗布膜122及び142の表面は1nm以下のRa� �有していた。また、この場合におけるピー� �・トウ・バレイ(P-V)値は20nm以下であった。

 この例では、コーティング剤、溶媒、及� ��、その他の成分を含む混合剤を、CFx膜121、1 41上にスピンコートにより塗布することによ� ��て絶縁性塗布膜122、142が作成されている。

 当該絶縁性塗布膜122、142の例としては、金� ��有機化合物及び金属無機化合物の少なくと� ��一方からなるコーティング剤と、溶媒とを� ��む液体状の塗布膜があげられる。この場合� ��溶媒としては、メタノール、エタノール等� ��アルコール系溶媒、メチルエチルケトン、� ��チルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、� ��チレングリコールモノエチルエーテル、プ� ��ピレングリコールモノメチルエーテル等の� ��リコールエステル系溶媒、水等が例示でき� ��他方、コーティング剤としては、C、Si、及� ��OをC _x SiO _y (xは0以上2以下の値、yは2-x/2)の形式で含む化� ��物が使用できる。当該化合物はSiOの繰り返� ��単位を主骨格としている。

 ここで、第1及び第2の層間絶縁膜2及び4を形 成する絶縁性塗布膜122、142の具体例としては 、比誘電率kが2.4である(CH ₃ SiO _3/2 ) _x (SiO ₂ ) _1-x が挙げられる。以下、(CH ₃ SiO _3/2 ) _x (SiO ₂ ) _1-x をSiCO塗布膜と略称するものとする。また、� �該SiCO塗布膜におけるSi、C、及びOの原子比は 、上式からも明らかなとおり、O>Si>1/2Cで ある。

 また、第1及び第2の層間絶縁膜2及び4に含 まれるCFx膜121、141の厚さは、50~500nmであり、� ��方、これらCFx膜121、141上にコーティングさ� ��る絶縁性塗布膜122、142の厚さは、CFx膜の厚� ��よりも薄く、例えば、CFx膜121、141の厚さの1 /3以下、好ましくは、1/5以下、より好ましく� ��、1/10以下である。

 図2を参照して、図1に示された層間絶縁� �2、4のうち、CFx膜121、141を成膜するために使 用されるマイクロ波励起プラズマ処理装置30� ��説明する。図2において、マイクロ波41が導� ��管42を経て、プラズマ処理装置30のチャンバ ー壁38の上部に絶縁体板31を介して設置され� �ラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)32に与 えられ、更に、当該RLSA32からその下の絶縁体 板31と上段シャワープレート33とを透過して� �プラズマ発生領域34に放射される。プラズマ を励起するプラズマ励起用ガスとして、Arガ� ��(または、Krガス、Xeガス)等の希ガスが、ガ� ��導入管43を介して、上段シャワープレート33 からプラズマ発生領域34に均一に吹き出させ� ��そこに放射されるマイクロ波によってプラ� ��マが励起される。

 図示されたマイクロ波励起プラズマ処理� ��置30の拡散プラズマ領域には、下段シャワ� �プレート35が設置され、下段シャワープレー ト35の下部には、被処理物(ここでは、ウェー ハ36)が基台上に設けられている。

 ここで、上段シャワープレート33から、Kr、 Xe、またはArガスを流し、下段シャワープレ� �ト35からCxFy(C ₅ F ₈ ,C ₄ F ₈ 等)ガスを流せば、フロロカーボン膜をウェ� �ハ36上に形成できる。また、処理室37内の排� ��スは、図示しない排気ポートを介して、排� ��ダクト内を通り、ポンプへと夫々導かれる� ��

 上記したように、マイクロ波励起プラズ� ��処理装置30によってCFx膜121を成膜されたウ� �ーハは、マイクロ波励起プラズマ処理装置30 から取り出された後、成膜されたCFx膜121上に 、前述したコーティング剤を含む混合剤がス ピンコートによって塗布され、更に、400℃等 の温度でベークすることによって、絶縁性塗 布膜122が成膜され、第1の層間絶縁膜2が形成� ��れる。

 続いて、図1に示すように、バリアーキャッ プ層としての下地層1及び第1の層間絶縁膜2を エッチングして、ビアホール7を形成する。� �に、このビアホール7の内壁に、電極金属の� ��間絶縁膜への拡散を防止するバリアー層7″ として、ニッケルのフッ化物、好ましくは2� �ッ化ニッケル(NiF ₂ で示す)膜を、PVDでニッケルを成膜しそれを� �ッ化処理することにより、または、MOCVDによ って、直接、形成する。

 次に、接着層からなる下地層3としてSiCN� �を形成し、その上に、CFx層141及び絶縁性塗� �層142を含む第2の層間絶縁膜4を形成する。

 第2の層間絶縁膜4を形成するCFx膜141は図2� ��示されたマイクロ波励起プラズマ処理装置� ��よって形成され、他方、絶縁性塗布膜142は� ��絶縁性塗布膜122と同様に、コーティング剤� ��を含むSiCO塗布膜用塗布剤をスピンコートし ベーキングすることによって成膜されている 。

 次に、第2の層間絶縁層4上に、接着用の下� �層5として、SiCN層又はSiCO層を形成し、その� �地層5の上に、硬質マスク層6として、SiO ₂ 又はSiCO層を形成する。ここで、SiO ₂ 層は、図2に示されるプラズマ処理装置30の上 段シャワープレート33からArとO ₂ の混合ガスを導入し、下段シャワープレート 35に、SiH ₄ ガスを導入すればよい。これら接着層3、5は� ��略しても良い。その場合、SiCO塗布膜122,142� �接着層を兼ねることになる。

 更に、多層配線構造10に対してエッチング� �よって、溝9を形成し、溝9の内壁面に、NiF ₂ バリアー層9´を形成し、この溝9に金属とし� �Cuを充填して、配線導体11が形成されて配線� ��造10が完成する。

 図3は本発明の他の実施の形態に係る多層 配線構造を示す断面図であり、ここでは、図 1に示された多層配線構造よりも簡素化され� �多層配線構造が示されている。図3において� ��、図1と同様に、多数の半導体素子を形成し た半導体基板(図示せず)上に設けられた多層� ��線構造のうちの一部分だけが示されている� ��

 図示された多層配線構造20は、ハイドロカ� �ボンCH _y 層[y=0.8~1.2]からなるバリアーキャップ層21の� �に、絶縁性塗布膜によって構成された層間� �縁膜22を備えている。更に、層間絶縁膜22の� ��に他のバリアー層25が形成されている。こ� �実施の形態では、バリアー層25としてハイド ロカーボンCH _y  層[y=0.8~1.2]が使用されている。尚、バリアー� ��ャップ層21及びバリアー層25は、前述したハ イドロカーボンに限定されることなく、種々 の材料からなる層を使用できる。

 図3に示すように、バリアーキャップ層21� ��層間絶縁膜22の下部とを貫通してビアホー� �27が設けられている。このビアホール27には� ��Cuからなる電極または配線28が形成されてい る。層間絶縁膜22の残部(上部)とバリアー層25 とを貫通して溝29が設けられ、Cuからなる配� �導体28´がこの溝29に埋め込まれている。

 ここで、バリアーキャップ層21及びバリア� �層25を形成するハイドロカーボン層(即ち、CH _y 層)は3.0またはそれ以下の比誘電率kを有して� ��る。

 図示された層間絶縁膜22を形成する絶縁性� �布膜は、図1に示された絶縁性塗布膜122、142� ��同様に、2.5以下の比誘電率kを有する絶縁性 塗布膜によって形成されることが好ましい。 このため、絶縁性塗布膜によって形成される 層間絶縁膜22は、2.4の比誘電率kを有し、一般 式((CH ₃ ) _n SiO _2-n/2 ) _x (SiO ₂ ) _1-x  (但し、n=1~3、x≦1)であらわされる前述したSiC O塗布膜を使用することが望ましい。

 このように、この実施の形態では、比誘� ��率kが小さく、かつ、高い平坦性を有する絶 縁性塗布膜だけによって層間絶縁膜22を形成� ��ているため、従来の層間絶縁膜に比較して� ��誘電率kを大幅に低下させることができる。 また、当該絶縁性塗布膜の平坦性を規定する Raを1nm以下にできるため、層間絶縁膜22の表� �における平坦性も大幅に改善できる。した� �って、層間絶縁膜22上に積層される電極、素 子等の平坦性を維持することができる。更に 、図示された実施形態は、層間絶縁膜22を絶� ��性塗布膜単層によって形成しているため、� ��1に示された多層配線構造に比較して、製造 工程を簡略化できるという利点も有している 。

 図4を参照して、本発明の他の実施の形態 に係る多層配線構造を説明する。図示された 多層配線構造は、下部配線構造上に設けられ たSiCO塗布膜からなるバリアーキャップ層21、 当該バリアーキャップ層21上に設けられた層� ��絶縁膜22、層間絶縁膜22の上に形成された他 のバリアー層25を含んでいる。この実施の形� ��では、バリアー層25も前述した絶縁性塗布� �(即ち、SiCO塗布膜)によって形成され、一方� �図示された層間絶縁膜22はフルオロカーボン (CFx)によって形成されている。

 また、図示されているように、バリアー� ��ャップ層21と層間絶縁膜22(下部)を貫通して� ��アホール27が設けられている。このビアホ� �ル27には、Cuからなる電極または配線28が形� �されている。層間絶縁膜22の残部(上部)とバ� ��アー層25とを貫通して溝29が設けられ、Cuか� ��なる配線導体28’がこの溝29に埋め込まれて いる。また、ビアホール27及び溝29の内壁に� �、バリアー層27´及び29´が形成されている。

 更に、図示された例では、ビアホール27� �形成されたバリアー層21の表面及びビアホー ル27に露出した内壁は、SiCO塗布膜21の表面を� ��化してなる表面窒化膜41によって覆われて� �る。他方、絶縁性塗布膜(SiCO塗布膜)によっ� �形成されたバリアー層25の表面及び溝29に露� ��した内壁にもSiCO塗布膜25の表面を窒化して� ��る表面窒化膜42が形成されており、更に、� �面窒化膜42の上面には、多孔質のSiCO塗布膜� �らなる多孔質絶縁性塗布膜43が設けられてい る。

 図示された多層配線構造は以下のように� ��て形成される。まず、SiCO塗布膜21を塗布液� ��塗布・ベーキングによって設け、その表面� ��窒化して厚さ3~5nmの表面窒化膜41を形成する 。表面窒化膜41の形成後、フルオロカーボン( CFx)からなる層間絶縁膜22を前述したプラズマ CVDによって形成し、その表面にSiCO塗布液を� �布し400℃で焼成してSiCO塗布膜からなるバリ� ��ー層25を形成し、その表面を窒化して厚さ3~ 5nmの表面窒化膜42を形成する。その上に多孔� ��SiCO塗布膜からなる多孔質絶縁性塗布膜43を� ��さ0.7~1.3μm程度形成する。

 次に、多孔質絶縁塗布膜43、バリアー層25 、層間絶縁膜22、バリアー層21に、溝29及びビ アホール27を形成し、その内壁に露出したバ� ��アー層25、21の側面を窒化して厚さ3~5nmの表� ��窒化膜を形成する。そして、ビアホール27� �び溝29の内壁に、前述した例と同様にバリア ー層27´、29´が形成される。

 この状態で、電極及び配線層として、図� ��示すように、ビアホール27及び溝29を埋める ように、Cuがスパッタされ、配線導体28、28’ が形成される。このとき、Cu層は多孔質絶縁� ��塗布膜43の表面にも厚さ100μm程度形成され� �。

 次に、エチレングリコールを35%含んだバ� ��ファードフッ酸をエッチング液として使用� ��て、Cuをリフトオフ除去する。すなわち、� �記のエッチング液で多孔質絶縁性塗布膜43が 約2分間で溶解、除去される。多孔質絶縁性� �布膜43のエッチングの際、当該多孔質絶縁性 塗布膜43上のCu層も除去される。この結果、Cu 層は溝29及びビアホール27内にのみ残され、� �極又は配線28、28’が形成される。

 図示された構造では、バリアー層25上の� �面窒化膜42がエッチング液に対するエッチン グストッパーとして働くと共に、多孔質絶縁 性塗布膜43を使用することにより、エッチン� ��を迅速に行なうことができる。厚さ3~5nmの� �面窒化膜42はフッ酸に2~5分耐えることが出来 る。また、窒化膜41、42によってバリアー層21 、25を覆うことにより、当該バリアー層21、25 を形成するSiCO塗布膜が水分を吸着して有機� �を生成するのを防止することができる。

 更に、上記したように、エッチング液と� ��て、エチレングリコール含有のバッファー� ��フッ酸を使用することにより、電極又は配� ��28を形成するCuの表面が荒れるのを防ぐこと もできる。

 上に説明した実施の形態では、化学的な� ��法によりリフトオフ(以下、ケミカルリフト オフと呼ぶ)を行なうことにより配線を形成� �ることができるため、従来用いられているCM P(化学機械研磨)を使用することなく、配線形 成を行うことができる。また、ケミカルリフ トオフはCMPに比較して1/10程度のコストで行� �うことができるため、製造工程におけるコ� �トを大幅に低減できる。更に、ケミカルリ� �トオフは、CMPに比較して、広い範囲に亘っ� �均一にリフトオフを行なうことができるた� �、大面積の半導体装置にも適用できると言� �利点がある。

 図5を参照して、フルオロカーボン(CFx)膜と� ��縁性塗布膜を含む層間絶縁膜を有する半導� ��装置の具体例を説明する。図示された半導� ��装置は、半導体基板(ここでは、シリコン基 板)に対して、P(リン)を打ち込むことによっ� �形成されたnウェル51及びB(ボロン)を打ち込� �ことによって形成されたpウェル52を備え、� �nウェル51とpウェル52との間、及び、各nウェ� ��51及びpウェル52内に、シャロートレンチ(ST)5 4、56が設けられ、各シャロートレンチ54、56� �内壁及び底部は、絶縁薄膜によって被覆さ� �ている。絶縁薄膜によって被覆されたシャ� �ートレンチ58内には、それぞれSiO ₂ からなる絶縁膜58が埋設されている。

 当該絶縁膜58は、前述したSiCO塗布膜を塗布� ��、900℃程度の高温で熱処理することによっ� ��、SiCO塗布膜をSiO ₂ に改質することによって形成されている。こ のように、絶縁性塗布膜を塗布した後、改質 して絶縁膜58を形成する手法によれば、絶縁� ��塗布膜自体、塗布した状態で流動性を有し� ��いるため、半導体基板の凹凸に依存するこ� ��なく、表面平坦性を維持している。したが� ��て、熱処理後、SiO ₂ に改質された後も、当該SiO ₂ は表面平坦性を保っている。このため、改質 後のSiO ₂ 表面をCMP等により平坦化する必要がなくなる 。

 一方、従来のように、凹凸のある半導体基� ��表面に、直接、SiO ₂ 膜を形成した場合、半導体基板表面の凹凸が そのままSiO ₂ 膜表面の凹凸として反映されるため、CMPによ り当該SiO ₂ 膜表面を平坦化する必要がある。本発明のよ うに、SiCO塗布膜を改質してSiO ₂ 膜を形成する手法では、CMPによって平坦化す る必要がなくなるため、半導体装置の製造工 程を著しく簡略化できる。

 図示された例では、シャロートレンチ54、56 で囲まれたnウェル51内に、2つのp型MOSトラン� ��スタ60、62が形成されており、また、シャロ ートレンチ54、56で囲まれたpウェル52内に、2� ��のn型MOSトランジスタ64、66が形成されてい� �。具体的に説明すると、MOSトランジスタ60、 62は、SiO ₂ をシャロートレンチ54、56に埋設した後、nウ� ��ル51内には、ボロン等を打ち込むことによ� �て形成されたp型素子領域70、71、及び72、シ� ��コン窒化膜(Si ₃ N ₄ )からなるゲート絶縁膜73、74、及び、金属に� ��って形成されたゲート電極77、78を有してい る。図示されたMOSトランジスタ60、62のゲー� �絶縁膜73、74、及び、ゲート電極77、78の側壁 は絶縁膜によって覆われている。

 他方、pウェル52内に形成されたn型MOSトラ ンジスタ64、66は、砒素等を打ち込むことに� �って形成されたn型の素子領域80、81、82、シ� ��コン窒化膜からなるゲート絶縁膜83、84、及 び、ゲート電極87、88を有し、これらゲート� �縁膜83、84、ゲート電極87、88の側壁も絶縁膜 によって覆われている。

 更に、MOSトランジスタ60、62、64、66のゲ� �ト電極77、78、87、88上には、それぞれ、ゲー ト電極配線91、92、93、94が形成されている。� ��こで、ゲート電極配線91~94は、前述したSiCO� ��布膜からなる第1の絶縁性塗布膜100を塗布・ 焼成後、選択的にエッチングすることによっ て露出したゲート電極77、78、87、88上に形成� ��れている。ここで、第1の絶縁性塗布膜100を 形成するSiCO塗布膜の比誘電率kは2.4であった� ��

 また、第1の絶縁性塗布膜100上には、選択 的に配線層102、103、104、105が設けられ、これ ら配線層102、103、104、105はMOSトランジスタ60� ��62、64、66の素子領域70、72、80、82とそれぞ� �電気的に接続されている。即ち、第1の絶縁� ��塗布膜100は第1の層間絶縁膜を形成している 。

 この場合、配線層102、103、104、105は、SiCO 塗布膜によって形成された第2の絶縁性塗布� �110中に埋設されている。即ち、配線層102、10 3、104、105は、第2の絶縁性塗布膜110を選択的� ��エッチングした領域に形成され、これらは� ��素子領域70、72、80、82と電気的に接続され� �いる。SiCO塗布膜によって形成された第2の絶 縁性塗布膜110は第2の層間絶縁膜として機能� �、その比誘電率kは2.4であった。

 図示された例では、第2の絶縁性塗布膜110 及び配線層102~105上に、第1のバリアー層112が� ��成され、当該第1のバリアー層112も比誘電率 kが2.4であるSiCO塗布膜によって形成されてい� ��。

 次に、バリアー層112上に、比誘電率kが1.9 と非常に低いフルオロカーボン(CFx)膜が第3の 層間絶縁膜114として形成されている。このよ うに、フルオロカーボン膜によって形成され る第3の層間絶縁膜114の比誘電率kは、バリア� ��層112を形成するSiCO塗布膜の比誘電率kより� �低い。

 当該第3の層間絶縁膜114上には、第2のバ� �アー層116、第4の層間絶縁膜118、及び、第3の バリアー層120が順次形成されている。ここで 、第2及び第3のバリアー層116は第1のバリアー 層112と同様に、比誘電率kが2.4であるSiCO塗布� ��によって形成され、他方、第4の層間絶縁膜 118はフルオロカーボン(CFx)膜によって形成さ� ��ている。

 第1~第3のバリアー層112、116、及び120はSiCO 塗布液をスピンコートした後、400℃程度の比 較的低温で焼成することによって形成される 。また、第3及び第4の層間絶縁膜114、118は、� ��イクロ波励起プラズマ処理装置内でCVDによ� ��形成される。図示された例のように、SiCO塗 布膜をスピンコート塗布することによって第 3のバリアー層120を形成した場合、非常に均� �な厚さの第3のバリアー層120を得ることがで� ��る。これは、SiCO塗布膜からなる絶縁性塗布 膜が10~50nmの厚さの範囲において制御可能で� �るからである。

 図示されているように、配線層103、104、1 05は、第1~第3のバリアー層112、116、120、及び� ��第3及び第4の層間絶縁膜114、118を通して形� �された溝中に形成されたCu配線と電気的に接 続されている。フルオロカーボン(CFx)膜によ� ��て形成された層間絶縁膜114、118にはCuに対� �るバリアー膜を設け、Cuの層間絶縁膜に対す る拡散を防止する。また、SiCO塗布膜によっ� �形成された第1~第3のバリアー層112、116、及� �、120はCu及びフッ素に対して有効なバリアー を形成することも判明した。

 図6を参照して、絶縁性塗布膜によって構 成された層間絶縁膜を有する半導体装置の具 体例を説明する。図6において、図5と同一の� ��照番号で示された部分は、図5と共通する部 分である。即ち、図6に示された半導体装置� �、第1及び第2の層間絶縁膜100及び110として、 SiCO塗布膜を使用している点では、図5と同様� ��あるが、第2の層間絶縁膜110上に形成される 第3及び第4の層間絶縁膜122及び124もSiCO塗布膜 からなる絶縁性塗布膜によって形成している 点で、図5の半導体装置とは相違している。� �の構成では、第3及び第4の層間絶縁膜122及び 124をSiCO塗布膜によって形成しているため、� �5に示されたバリアー層112、116、及び120が不� ��となる。

 この構成では、第1~第4の層間絶縁膜100、1 10、122、124を全て比誘電率kが2.4であるSiCO塗� �膜によって形成しているため、図5に示され� ��ように、比誘電率kが1.9であるフルオロカー ボン膜を使用した場合に比較して、若干、比 誘電率kが高くなるが、フルオロカーボン膜� �成膜する工程を無くすことができ、製造工� �を簡略化できるという利点がある。

 図5及び6に示された例では、第1~第4の層� �絶縁膜100、110、122、124として、同一のSiCO塗� ��膜を使用するものとして説明したが、本発� ��は何等これに限定されることなく、互いに� ��なるタイプのSiCO塗布膜を用いて形成するこ とも可能である。例えば、速いエッチング速 度が要求される層間絶縁膜は、多孔質のSiCO� �布膜によって形成したり、或いは、厚さ方� �に成分を変化させた成分傾斜膜によって形� �することも可能である。

 なお、上記の実施例では、(CH ₃ SiO _3/2 ) _x (SiO ₂ ) _1-x  (但し、0≦x≦1.0)なる組成の塗布膜を用いた� �を示したが、この式のCH ₃ SiO _3/2 の代わりに例えば(CH ₃ ) ₂ SiOや、(CH ₃ ) ₃ SiO _1/2 等、またはそれらの混合体を使用してもよい 。すなわち、一般式((CH ₃ ) _n SiO _2-n/2 ) _x (SiO ₂ ) _1-x  (但し、n=1~3、0≦x≦1.0)で示される組成物一種 又は二種以上で構成される塗布膜を用いるの が、本発明の特徴である。ここで、上記の一 般式の最初の「O」のサフィックスは、2-(n/2)� ��ある。