LED-Element mit Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf

Galliumnitrid-Basis

Die vorliegende Erfindung betrifft ein LED-Element, aufweisend ein Dünnschicht-Halbleiterbauelement („Chip") auf Galliumnitrid-Basis, welches auf einer Siliziumplattform angeordnet ist, die auf einer dem Halbleiterbauelement abgewandten Seite Elektroden aufweist, welche elektrisch mit dem Halbleiterbauelement verbunden sind.

Hintergrund der Erfindung

Herkömmliche Strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente bestehen im Allgemeinen aus einem Trägersubstrat und einer darauf epitaktisch aufgewachsenen Mehrschichtstruktur, welche eine aktive Strahlungserzeugende Schicht aufweist. Dabei ist das Trägersubstrat vorzugsweise elektrisch leitfähig, um einen vertikalen Stromfluss durch das Halbleiterbauelement zu ermöglichen. In vielen Anwendungsfällen ist es zudem wünschenswert, dass das Trägersubstrat für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung transparent ist. Hierbei ist jedoch zu beachten, dass die Transparenz der Substratschicht bezüglich der emittierten Strahlung der aktiven Schicht des Halbleiterbauelements oftmals im Widerspruch zu der gewünschten elektrischen Leitfähigkeit des Trägersubstrats steht. Für Leuchtdioden auf Galliumnitrid-Basis kann beispielsweise Saphir (Al ₂ O ₃ ) als Material für das Trägersubstrat verwendet werden, welches für blaues Licht

transparent, aber nicht elektrisch leitfähig ist. Aus diesem Grund wird oftmals Silizium-Karbid (SiC) als Trägersubstrat für Leuchtdioden auf Galliumnitrid-Basis verwendet, da es sowohl eine hohe Transparenz als auch eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Kennzeichnend für das Material Silizium-Karbid als Trägersubstrat ist jedoch, dass dessen Transparenz mit erhöhter Leitfähigkeit abnimmt.

Um die Effektivität von Leuchtdioden weiter zu verbessern wurden sogenannte Dünnschicht-Halbleiterbauelemente entwickelt. Dabei handelt es sich um Halbleiterbauelemente, bei welchen die Substratschicht für das Kristallwachstum genutzt, nach diesem Prozess jedoch entfernt wird. Die daraus resultierende dünne Schicht ermöglicht eine effektivere Lichtemission als bei herkömmlichen Technologien, da keine Substratschicht vorhanden ist, welche einen Teil der Lichtemission absorbiert. Dies führt zudem zu einer verbesserten Wärmeabfuhr.

Zur Entfernung der Substratschicht wird im Allgemeinen ein chemischer oder physikalischer Prozess angewandt. Beispielsweise kann durch das sogenannte Laser-Lift-Off- Verfahren das Licht eines gepulsten UV-Lasers zur Abtragung der Substratschicht verwendet werden, ohne dass dabei die bspw. 5 μm dicke Galliumnitridschicht zerstört wird.

Aus der US20060240585A1 ist eine geschichtete Struktur (p- , n- und aktive Schichten) mit einer Dicke von 3μm bekannt. Hinsichtlich des Aufbaus eines Strahlungsemittierenden Bauelementes auf GaN-Basis, d.h.

mit einem epitaktisch gewachsenen Stapel an GaN-Schichten, wir ausdrücklich zur Vermeidung von Wiederholungen auf diese Schrift verwiesen.

Strahlungsemittierende Bauelemente auf GaN-Basis sind beispielsweise aus US 5,874,747 bekannt.

WO 2006/065046 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Halbleiterbauelements auf Galliumnitrid Basis. Dabei wird zum Entfernen der Saphir- Substratschicht, auf welcher die Kristallstruktur der LED gewachsen ist, ein sog. Laser-Lift-Off-Verfahren angewendet. Vor dem Entfernen der Substratschicht wird die Kristallstruktur auf einer zusätzlichen Substratschicht aufgebracht. Anschließend erfolgt in einem weiteren Verfahrensschritt eine Aufspaltung in einheitliche LED Chips .

Aus der DE10056475 ist bekannt ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit einem

Halbleiterkörper, der ein SiC-basierendes Substrat aufweist, auf das eine Mehrzahl GaN-basierender Schichten aufgebracht ist, wobei diese Mehrzahl mindestens einen aktiven Bereich enthält, der zwischen mindestens einer n- leitenden Schicht und mindestens einer p-leitenden Schicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die p- leitende Schicht zugverspannt aufgewachsen ist.

Aus Haerle et.al. „ High brightness LEDs for general lighting applications Using the new ThinGaN™-Technology", physica Status solidi (a) , Volume 201, Issue 12 , Pages 2736 - 2739, ist grundsätzlich die Anwendung der dünnen GaN-Technologie im Bereich leistungsfähiger LEDs bekannt.

Aufbauend auf diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein LED- Element bereitzustellen, welches ein Dünnschicht- Halbleiterbauelement auf Galliumnitrid-Basis aufweist, wobei das LED Modul gegenüber dem Stand der Technik verbesserte thermische Eigenschaften und einen kompaktere Bauweise aufweist.

Halbleiterbauelemente („Chips") auf Galliumnitrid-Basis werden bevorzugt zur Erzeugung von Strahlung im blaugrünen Spektralbereich verwendet. Neben Galliumnitrid (GaN) werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung unter einem GaN-basierenden Material alle mit GaN verwandten oder abgeleiteten Mischkristalle verstanden. Hierzu zählen insbesondere die Materialien Galliumnitrid (GaN) , Inidumnitrid (InN) und Aluminiumnitrid (AlN) .

Ziel und Zusammenfassung der Erfindung

Die Erfindung behandelt ein LED-Modul aufweisend wenigstens einen LED-Chip, aufweisend eine aktive Galliumnitrid-Schicht, und eine Siliziumplattform, auf welcher der LED-Chip angeordnet ist, wobei die Siliziumplattform auf einer dem LED-Chip abgewandten Seite zwei Elektroden aufweist, welche mit dem LED-Chip in elektrischer Verbindung stehen, und wobei die Gesamtdicke der übereinanderliegenden epitaktischen Galliumnitrid- Schichten (n-und p-type, aktive GaN-Schicht) des LED-Chips zwischen 2 und 10 μm, vorzugsweise 2 bis 5 μm beträgt.

Die Siliziumplattform weist eine Kavität auf, in welcher der LED-Chip angeordnet ist (alternativ kann ein den LED- Chip umgebender Rahmen auf der Siliziumplattform separat oder integriert vorgesehen sein) . Der LED-Chip ist dabei vorzugsweise mittig in der Kavität angeordnet. Zudem ist der LED-Chip in einer zuvor definierten Distanz zum Rand der Kavität angeordnet. Die Kavität ist vorzugweise quadratisch oder kreisförmig ausgeführt. Sie kann jedoch auch eine andere Form aufweisen. Die Kavität kann beispielsweise auch ellipsenförmig oder dreieckig sein.

Die GaN-Schichten gemäss der Erfindung weisen auf von GaN abgeleitete oder mit GaN verwandte Materialien sowie darauf aufbauende ternäre oder quaternäre Mischkristalle. Veispile dafür sind AlN, InN, AlGaN (All-xGaxN, 0 </= x </= 1), InGaN (Inl-xGaxN, 0 </= x </= 1 ), InAlN (InI- xAlxN, 0 </= x </= 1) und AlInGaN (All-x-ylnxGayN, 0 </= x </= 1, 0 </= y </= 1) .

Die Erzeugung des Dünnschicht-Halbleiterbauelements, welches eine Galliumnitrid-Schicht aufweist, erfolgt dabei vorzugsweise durch ein Laser-Lift-Off-Verfahren oder ein anderes Verfahren, welches geeignet ist, die Galliumnitridschicht von der Substratschicht zu trennen. Die Galliumnitridschicht ist vorzugsweise auf einer Saphir- oder Silizium-Karbid Substratschicht gewachsen und durch das oben beschriebene Verfahren frei von Substrat.

Der erfindungsgemäße LED-Chip ist vorzugsweise durch Bond- Drähte oder mittels Flip-Chip Technologie auf der Siliziumplattform aufgebracht. Der LED-Chip kann daher in

„Face-Up" oder in „Face-Down"-Position auf der Siliziumplattform angeordnet sein.

Die Elektroden sind vorzugsweise auf der Unterseite der Siliziumplattform angeordnet. Dies ermöglicht eine einfachere elektrische Anbindung des LED-Moduls an eine Stromquelle oder Steuerung.

Die Siliziumplattform des erfindungsgemäßen LED-Moduls weist vorzugsweise Durchkontaktierungen auf, welche die Elektroden auf der Unterseite der Siliziumplattform mit Elektroden des LED Chips elektrisch verbinden. Die Durchkontaktierungen erstrecken sich dabei vorzugsweise von einer ersten Seite der Siliziumplattform zu einer zweiten Seite der Plattform. Die Querschnittsform der Bohrungen ist vorzugsweise radial und weist einen Durchmesser von 0,1 - 0,5 mm auf. Ferner sind die Bohrungen vorzugsweise mit elektrisch leitfähigem Material, beispielsweise Kupfer, Gold gefüllt. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass die Durchkontaktierungen auch eine andere Querschnittsform, beispielsweise eine quadratische Form aufweisen können. Die Erzeugung der Durchkontaktierungen in der Siliziumplattform kann beispielsweise durch Trocken- oder Nassätzung erfolgen.

Die epitaktische LED-GaN-Schichten (n-, p- und aktive Schichten) sind vorzugsweise direkt auf der Oberfläche der Siliziumplattform angeordnet. Dies bedeutet, es befinden sich keine weiteren Zwischenschichten (oder Substrat) zwischen der Galliumnitrid-Schicht des LED-Chips und der Siliziumplattform. Die Oberfläche der Siliziumplattform ist dabei vorzugsweise größer als die Oberfläche des LED- Chips, welche mit der Siliziumplattform in Kontakt steht.

Des Weiteren erstreckt sich die Siliziumplattform vorzugsweise seitlich über den LED-Chip hinaus. Durch diese Anordnung werden insbesondere die thermischen Eigenschaften des LED-Moduls deutlich verbessert. Es ist somit eine verbesserte Wärmeabfuhr vom LED-Chip möglich. Zusätzlich kann die Baugröße des LED-Chips reduziert werden.

Der LED-Chip ist mit den Durchkontaktierungen der Siliziumplattform vorzugsweise mittels flächigen Kontakten oder sogenannten „Bumps" elektrisch verbunden. Die flächigen Kontakte haben dabei den Vorteil einer besseren

Wärmeabfuhr. Es ist jedoch auch möglich, den GaN-Chip und die Siliziumplatte (Siliziumplattform) mit Hilfe von Bond- Drähten elektrisch zu verbinden.

Die Kavität kann wenigstens teilweise mit einer Farbkonversionsschicht gefüllt sein. Die Farbkonversionsschicht besteht dabei vorzugsweise aus einem flüssigen, aushärtbaren und optisch transparenten Material, welches Phosphorpartikel als Leuchtstoff enthält. Als Leuchtstoff kann beispielsweise ein BOSE oder YAG-Phosphor verwendet werden. Die Farbkonversionsschicht bedeckt den in der Kavität angeordneten LED-Chip vorzugsweise ohne Gaseinschlüsse.

Das Volumen der Kavität kann bündig bis zur Oberfläche der Siliziumplattform mit einer Farbkonversionsschicht gefüllt sein. Dabei wird die anfangs flüssige Farbkonversionsschicht vorzugsweise mit Hilfe eines Dispensvorgangs in die Kavität gefüllt. Auf diese Art kann selbstverständlich auch eine Streuschicht in die Kavität gefüllt werden. Die durch eine derartige Vorgehensweise

aufgebrachten Schichten können nacheinander oder gleichzeitig ausgehärtet werden. Hierbei bedeutet ein Aushärten der Schichten nacheinander, dass zuerst eine erste Schicht dispensiert wird, welche in einem darauf folgenden Aushärtevorgang wärmebehandelt wird, bevor eine weitere Schicht auf dieser ersten Schicht mittels Dispensvorgang aufgebracht wird. Ein gleichzeitiges Aushärten bedeutet, dass die einzelnen Farbkonversions- und/oder Streuschichten zunächst zeitlich versetzt aufeinander aufgebracht werden und anschließend in einem einzigen Aushärtevorgang gemeinsam wärmebehandelt werden.

Auch vorgeformte Farbkonversionselelemente mit Leuchtstoff und/oder Streupartikeln können aufgebracht werden.

Es ist zudem möglich, eine Lichtscheibe oder Linse oberhalb des LED-Chips anzuordnen. Dabei kann Farbkonversionsmittel in dieser Lichtscheibe dispergiert sein.

Das erfindungsgemäße LED-Modul weist im Vergleich zu den herkömmlichen LED-Modulen kompaktere Abmessungen auf. Weitere Vorteile sind ein höherer Wirkungsgrad und eine bessere Wärmeabfuhr ( „Thermomanagement") .

Speziell weist die Siliziumplattform vorzugsweise eine Dicke auf, welche weniger als 500 μm beträgt. Die Dicke der Siliziumplattform unterhalb einer darin geformten Kavität beträgt vorzugsweise weniger als 300 μm.

Die Abmessungen der Länge und Breite der Siliziumplattform betragen vorzugsweise zwischen 1,0 und 6,5 mm. Dabei ist

eine Länge bzw. Breite der Siliziumplattform zwischen 1 und 2,5 mm besonders bevorzugt.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der LED- Chip auf einer zusätzlichen Siliziumsubstratschicht angeordnet, wobei die Siliziumsubstratschicht und der darauf angeordnete LED-Chip identische Abmessungen bezüglich deren Länge und Breite aufweisen. In Draufsicht verdeckt die Kontur des LED-Chips demnach die Siliziumsubstratschicht. Vorzugsweise weist die Länge und

Breite der Siliziumsubstratschicht hierbei einen Wert zwischen 1 und 3 mm auf.

Die erfindungsgemässen LED-Chips mit Si und GaN können gut assembliert wurden und die dabei entstehenden Wafer können in der gleichen Weise wie bekannte LED-Chips vereinzelt warden.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen LED-Moduls ist in den Zeichnungen darstellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine seitliche Schnittansicht eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen LED-Moduls, wobei die Galliumnitridschicht des LED-Chips direkt auf der Siliziumplattform angeordnet ist.

Fig. 2 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen LED-Moduls, wobei die Siliziumplattform

eine Kavität aufweist, in welcher der LED- Chip angeordnet ist.

Fig. 3 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen

LED-Moduls, wobei die Galliumnitridschicht des LED-Chips auf einem zusätzlichen

Siliziumsubstrat aufgebracht ist, welche auf der Oberfläche der Siliziumplattform angeordnet ist.

Fig. 4 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen LED-Moduls nach Figur 3, wobei zwei Farbkonversionsschichten oberhalb des LED-

Chips aufgebracht sind.

Fig. 5 zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen LED-Moduls in Draufsicht.

Genaue Beschreibung der Ausführungen

Figur 1 zeigt in einer seitlichen Schnittansicht ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen LED- Moduls. Der LED-Chip 1 ist ein Chip, welcher im Wesentlichen mehrere epitaktische Galliumnitridschichten 2 aufweist und auf einer Plattform 3 angeordnet ist.

Unter „Galliumnitridschicht" ist eine Schicht auf GaN- Basis oder auf Basis eines zu GaN verwandten oder davon

abgeleiteten Mischkristalls zu verstehen, also bspw. auch Indiumnitrid (InN) und Aluminiumnitrid (AlN) .

Vorzugsweise stellen diese epitaktischen Galliumnitridschichten 2 alle epitaktischen Schichten des LED-Chips dar.

Die Plattform ist erfindungsgemäß aus Silizium. Selbstverständlich können auf der Siliziumplattform 3 auch mehrere LED-Chips 1 angeordnet sein.

Die Dicke t ₂ der Siliziumplattform 3 beträgt erfindungsgemäß zwischen 100 und 500 μm. Die Gesamtdicke ti der Galliumnitridschichten 2 (und somit die Gesamtdicke sämtlicher epitaktischen Schichten) des wenigstens einen LED-Chips 1 beträgt erfindungsgemäß zwischen 1 und 10 μm, vorzugsweise zwischen 1 und 5 μm.

Die Siliziumplattform 3 weist eine Oberseite 3a und eine Unterseite 3b auf. Der LED-Chip 1 ist vorzugsweise auf der

Oberseite 3a angeordnet. Auf der Unterseite 3b der

Siliziumplattform 3, und damit auf einer dem LED-Chip abgewandten Seite, befinden sich zwei Elektroden 4a, 4b.

Die Elektroden 4a, 4b sind vorzugsweise flächige Kontakte. Ein Luftspalt zwischen den Elektroden stellt die elektrische Isolierung dar. Die Grosse der Elektroden ist bpsw. 200μm mal 200μm.

Die Siliziumplattform 3 weist vorzugsweise Durchkontaktierungen 6a, 6b auf, welche die Elektroden 4a,

4b mit dem LED-Chip 1 elektrisch verbinden. Die

Durchkontaktierungen 6a, 6b bzw. flächigen Kontakte (4a,

4b) werden auf ein elektrisch (mit Oxid- oder Nitridschicht) isoliertes Si-Plättchen aufgebracht.

Figur 2 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Ausführungsbeispiel weist die Siliziumplattform 3 eine Kavität 8 auf, in welcher der LED-Chip 1 angeordnet ist. Der LED-Chip ist dabei vorzugsweise mittig in der Kavität 8 angeordnet. Die

Siliziumplattform 3 in diesem Ausführungsbeispiel weist eine Dicke t ₃ zwischen 400 und 700 μm auf. Die Dicke t ₂ der Siliziumplattform 3 unterhalb des LED-Chips 1 beträgt erfindungsgemäß zwischen 50 und 300 μm.

Die Kavität 8 weist eine ebene Grundfläche 8b auf, welche sich parallel zur Oberfläche 3a der Siliziumplattform 3 erstreckt. Eine Seitenfläche 8a der Kavität 8 verbindet die Grundfläche 8b mit der Oberfläche 3a der

Siliziumplattform 3. Die Kavität 8 ist vorzugsweise kreisförmig oder rechtwinklig ausgeführt. Die Seitenfläche 8a kann bezüglich der Oberfläche 3a der Siliziumplattform in einem beliebigen Winkel α zwischen 1 und 90° geneigt sein. Vorzugsweise beträgt der Wert des Winkels α zwischen

45 und 90°. Die Seitenfläche 8a und die Grundfläche 8b weisen vorzugsweise eine reflektierende Oberfläche auf. Diese kann reguläre oder diffuse Reflexion erzeugen.

Dementsprechend kann die Lichtausbeute des LED-Moduls gesteigert werden.

Wie in Figur 2 dargestellt, ist der LED-Chip 1 mit Hilfe von Kontaktflächen bzw. Kontaktschichten 7a, 7b und Durchkontaktierungen 6a, 6b mit den Elektroden 4a, 4b elektrisch verbunden. Die Kontaktschichten 7a, 7b sind vorzugsweise aus Goldzinn (AuSn) , welches eine thermische

Leitfähigkeit von 57 W/m-K aufweist. Dadurch kann eine optimale Wärmeabfuhr vom LED-Chip 1 zur Siliziumplattform 3 erzielt werden. Es können auch sogenannte Bumps als Kontaktflächen verwendet werden.

Die Kavität 8 des LED-Moduls ist mit mindestens einer Farbkonversionsschicht 9 gefüllt, welche den LED-Chip 1 ohne Gaseinschluss abdeckt. In der Farbkonversionsschicht 9 sind vorzugsweise Phosphorpartikel dispergiert, um eine Farbkonversion der von dem LED-Chip 1 emittierten Strahlung zu ermöglichen. Wie in Figur 2 dargestellt, ist die Farbkonversionsschicht 9 vorzugsweise bündig mit der Oberfläche 3a der Siliziumplattform ausgeführt. Es ist jedoch auch möglich, dass die Farbkonversionsschicht 9 das Volumen der Kavität 8 nur teilweise ausfüllt. Die Oberfläche der Farbkonversionsschicht 9 kann eben, konkav oder konvex ausgeführt sein.

Auf der Farbkonversionsschicht 9 kann eine Schicht mit Streupartikeln angeordnet sein. Diese kann dispensed oder als Formteil aufgebracht sein.

Figur 3 zeigt eine seitliche Schnittansicht einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen LED- Moduls. Bei dieser Ausführungsform ist die aktive Galliumnitridschicht, die nur eine der mehreren GaN- Schichten 2 darstellt, auf einer zusätzlichen Substratschicht 10 angeordnet, welche vorzugsweise aus Silizium besteht. Diese Substratschicht 10 befindet sich demnach zwischen den Galliumnitridschichten 2 und der Siliziumplattform 3. Dies hat den produktionstechnischen Vorteil, dass die assemblierten Si- und GaN-Schichten leicht getrennt und als Wafer gehandhabt werden können.

Die Siliziumsubstratschicht 10 ist dabei auf der Oberfläche 3a der Siliziumplattform 3 angeordnet. Die Siliziumsubstratschicht 10 weist vorzugsweise Durchkontaktierungen 13a, 13b auf, welche die aktive Galliumnitridschicht 2 mit den Durchkontaktierungen 6a, 6b der Siliziumplattform 3 elektrisch verbinden. Die Durchkontaktierungen 13a, 13b der Siliziumsubstratschicht 10 weisen vorzugsweise den gleichen Querschnitt wie die Durchkontaktierungen 6a, 6b auf. Die Siliziumsubstratschicht 10 weist vorzugsweise eine Dicke von 50-100 μm auf.

Die Siliziumsubstratschicht 10 weist vorzugsweise dieselben Abmessungen wie die Galliumnitridschichten 2 bezüglich deren Länge lχ und Breite bi (siehe Figur 5) auf.

Dies bedeutet, dass die Konturen der

Galliumnitridschichten 2 in Draufsicht die

Siliziumsubstratschicht 10 vorzugsweise überdecken. Es ist jedoch zu erwähnen, dass die Abmessungen der Länge Ii und

Breite bi der Siliziumsubstratschicht 10 und der

Galliumnitridschichten 2 um bis zu 10 % voneinander abweichen können. Dies bedeutet, dass die Oberfläche der

Siliziumsubstratschicht 10, auf der die Galliumnitritschichten 2 aufgebracht ist um bis zu 10 % größer sein kann.

Die Substratschicht 10 wird vorzugsweise auf die Galliumnitridschicht 2 aufgebracht, bevor die anfängliche Substratschicht, bestehend aus Silizium-Karbid oder Saphir, auf welcher die epitaktischen Galliumnitrid- Schichten 2 epitaktisch gewachsen sind, entfernt wird.

Es ist zu erwähnen, dass die Anzahl der Durchkontaktierungen 6a, 6b, 13a, 13b nicht auf eine bestimmte Menge begrenzt ist. Vielmehr kann eine Vielzahl von Durchkontaktierungen 6a, 6b, 13a, 13b in der Substratschicht 10 und der Siliziumplattform 3 angeordnet sein, um eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 4a, 4b und dem LED-Chip 1 herzustellen.

In Figur 4 ist ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen LED-Moduls dargestellt. Wie bereits mit Bezug auf Figur 3 beschrieben, sind die epitaktische LED-Schichten auf GaN-

Basis auf einer Siliziumsubstratschicht 10 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel weist das LED-Modul wenigstens einen Bonddraht 12 auf, welcher den LED-Chip 1 mit wenigstens einer Durchkontaktierung 6a der

Siliziumplattform 3 verbindet. Das Siliziumsubstrat 10 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine oder mehrere

Durchkontaktierung 13b auf, welche mit nur einer Elektrode 4b des LED-Moduls elektrisch verbunden sind.

Wie in Figur 4 ersichtlich, kann die Größe der beiden Elektroden 4a, 4b voneinander abweichen. Dies kann für die Wärmeabfuhr vom LED-Chip 1 von Vorteil sein.

Wie in Figur 4 dargestellt, sind eine Farbkonversionsschicht und eine Streuschicht 9, 11 auf dem LED-Chip 1 angeordnet. Hierbei ist die erste Schicht 9 vorzugsweise parallel mit der Oberfläche 3a der Siliziumplattform 3 ausgeformt. Die Streuschicht 11 ist oberhalb der ersten Schicht 9 mit Hilfe eines sog. Dispens-Verfahrens aufgebracht. Die Oberfläche der Streuschicht 11 ist vorzugsweise konvex. Der Durchmesser

der zweiten Farbkonversionsschicht 11 ist vorzugsweise größer als der Durchmesser der Kavität 8. Auf diese Weise wird die gesamte, von der Oberfläche der ersten Farbkonversionsschicht 9 emittierte Strahlung durch die Streuschicht 11 transmittiert . Die Streuschicht kann in geringer Konzentration auch Streupartikel aufweisen.

Die Konzentration von Farbkonversionsmittel innerhalb der Farbkonversions- und Streuschichten 9,11 kann voneinander abweichen.

Figur 5 zeigt eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes LED-Modul. Dabei weist die Länge Ii und die Breite bi des LED-Chip 1 typischerweise einen Wert zwischen 0,5 - 1,5 mm auf. Die Länge Ii und die Breite bi der Siliziumplattform liegt zwischen 1,0 und 6,5 mm. Vorzugsweise weist die Siliziumplattform ein Wert zwischen 1 und 2,5 mm auf.