BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement ge ^¬ mäß Patentanspruch 1.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 106 851.9, deren Offenbarungsge ^¬ halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Im Stand der Technik ist es bekannt, lichtemittierende Bau ^¬ elemente mit einem Träger und mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip bereitzustellen. Die lichtemittierenden Bauelemente werden beispielsweise verwendet, um eine Display- Hinterleuchtung zu ermöglichen. Dazu ist eine breitabstrahlende Sekundäroptik erforderlich.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes lichtemittierendes Bauelement bereitzustellen.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauelement gemäß Pa ^¬ tentanspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen des Bauelementes sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Es wird ein lichtemittierendes Bauelement mit einem Träger vorgeschlagen, wobei ein lichtemittierender Halbleiterchip auf dem Träger angeordnet ist. Gegenüberliegend zum Halb ^¬ leiterchip weist der Träger eine reflektierende Schicht auf, die das vom Halbleiterchip emittierte Licht, das über den Träger auf die reflektierende Schicht fällt, wenigstens teil ^¬ weise wieder zurück in den Träger gelenkt wird. Weiterhin ist wenigstens an einem Teilbereich der Seitenfläche des Trägers eine Konversionsschicht vorgesehen. Die Konversionsschicht ist ausgebildet, um das vom Halbleiterchip seitlich emittierte Licht wenigstens teilweise in der Wellenlänge zu verschie ^¬ ben. Somit kann eine gewünschte Farbmischung, insbesondere ein weißes Licht erzeugt werden. Mit Hilfe des vorgeschlage ^¬ nen Bauelementes wird eine geringe Bauhöhe erreicht, wobei zudem eine gute seitliche Abstrahlung des Lichtes möglich ist .

In einer Ausführungsform ist die reflektierende Schicht als Spiegelschicht ausgebildet. Dadurch wird ein hoher Anteil des Lichtes, der auf die Schicht fällt, wieder zurück in den Trä ^¬ ger gespiegelt. Somit wird eine hohe Effizienz für eine seit ^¬ liche Abstrahlung des Lichtes erreicht. Unter einer seitli ^¬ chen Abstrahlung wird die Abstrahlung über eine Seitenfläche des Bauelementes verstanden. Zudem weist die Spiegelschicht den Vorteil auf, dass die Schichtdicke sehr dünn ist. Somit wird eine besonders geringe Bauhöhe des Bauelementes ermög ^¬ licht. Beispielsweise kann die Bauhöhe des Bauelementes im Bereich von kleiner als 10 mm, insbesondere im Bereich von 2 mm und kleiner liegen.

Zudem ist aufgrund der vorgeschlagenen Anordnung keine Sekundäroptik erforderlich, um das vom Halbleiterchip erzeugte Licht in eine gewünschte seitliche Richtung zu lenken. Da auf die Sekundäroptik verzichtet werden kann, ist kein Aufwand zum Platzieren der Linsen erforderlich.

Zudem wird aufgrund der vorgeschlagenen Anordnung eine gute Farbhomogenität des über die Seitenfläche des Bauelementes abgegebenen Lichtes in Bezug auf einen Abstrahlwinkel er ^¬ reicht .

In einer weiteren Ausführungsform ist die reflektierende Schicht als lichtstreuende Schicht ausgebildet. Die licht- streuende Schicht baut zwar etwas höher als die Spiegel ^¬ schicht, weist jedoch den Vorteil auf, dass eine diffuse Lichtstreuung und Reflexion des Lichtes zurück in den Träger erfolgt. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann sich die Spiegelschicht und/oder die lichtstreuende Schicht bis in den seitlichen Bereich der Konversionsschicht erstrecken und auch auf der Konversionsschicht ausgebildet sein.

Der Halbleiterchip ist beispielsweise in Form von epitaktisch aufgewachsenen Halbleiterschichten ausgebildet. Insbesondere können die Halbleiterschichten auf den Träger aufgewachsen sein .

Abhängig von der gewählten Ausführungsform umgibt die Konversionsschicht den Träger auf der gesamten Seitenfläche. Zudem kann die Konversionsschicht nicht nur die Seitenfläche des Trägers, sondern auch die Seitenfläche des Halbleiterchips wenigstens teilweise oder vollständig begrenzen. Auf diese Weise wird vom Bauelement über die gesamte Seitenfläche ein homogenes Licht abgestrahlt. Bei der Anordnung der Konversi ^¬ onsschicht auch auf der Seite des Halbleiterchips wird eine weitere Verbesserung der Homogenität des abgestrahlten Lichtes erreicht, da auch das vom Halbleiterchip seitlich abgestrahlte Licht durch die Konversionsschicht abgestrahlt wird.

In einer Ausführungsform ist der Träger mit einer rechteck- förmigen Kontur ausgebildet. Im Gegensatz dazu weist die Konversionsschicht in der vorgeschlagenen Ausführungsform eine wenigstens teilweise abgerundete Außenkontur auf. Somit kann eine gleichmäßigere Lichtabstrahlung erreicht werden.

In einer weiteren Ausführungsform umgibt die Konversionsschicht den Träger vollständig und weist eine abgerundete rechteckförmige Außenkontur oder eine polynomiale abgerundete Außenkontur oder eine elyptische Außenkontur auf. Die Form der Außenkontur kann in der Weise ausgebildet sein, um eine gewünschte Farbmischen des abgestrahlten Lichtes in seitli ^¬ cher Richtung zu erreichen. Zudem kann die Form der Außenkontur verwendet werden, um unabhängig von der Abstrahlrichtung des Lichtes eine annähernd gleiche Wellenlänge des Lichtes, d.h. Licht mit gleicher Farbe zu erzeugen.

In einer Ausführungsform weist das Bauelement eine rechteckige Fläche, das heißt eine rechteckige Außenkontur auf. Die Konversionsschicht umgibt den Träger in seitlicher Richtung vollständig und weist vier abgerundete Ausbuchtungen auf. Ab ^¬ hängig von der gewählten Ausführungsform kann es vorteilhaft sein, die Ausbuchtungen jeweils mittig in Bezug auf eine Sei ^¬ tenfläche des rechteckförmigen Trägers anzuordnen. In einer weiteren Ausführungsform kann es vorteilhaft sein, die abgerundeten Ausbuchtungen jeweils mittig in Bezug auf eine Ecke des Trägers anzuordnen. In einer weiteren Ausführungsform ist einer Seitenfläche des Bauelementes ein Lichtleiter zugeordnet, wobei über die Sei ^¬ tenfläche des Bauelementes Licht in den Lichtleiter gekoppelt wird. Auf diese Weise kann mit Hilfe des Lichtleiters eine verbesserte Führung des Lichtes in einer gewünschten Richtung erreicht werden.

In einer weiteren Ausführungsform ist der Lichtleiter als Gehäuse ausgebildet, wobei das Bauelement wenigstens teilweise in einer Ausnehmung des Gehäuses angeordnet ist. Somit kann ein kompakter Aufbau des Bauelementes erreicht werden, wobei gleichzeitig eine lichtleitende Funktion des vom Bauelement abgestrahlten Lichtes mit Hilfe des Gehäuses erreicht wird. Zudem kann das Gehäuse in Form des Lichtleiters das Bauele ^¬ ment gegenüber Beschädigungen schützen. Weiterhin kann mit Hilfe des Gehäuses eine gewünschte Lichtleitung insbesondere eine Lichtleitung in der seitlichen Abstrahlrichtung erreicht werden .

In einer weiteren Ausführungsform weist der Lichtleiter auf einer ersten Seite Streustrukturen auf. Somit kann eine verbesserte Lichtführung in einer gewünschten Auskoppelrichtung erreicht werden.

Die Streustrukturen können in einem gleichmäßigen Raster mit einem vorgegebenen Abstand zueinander angeordnet sein. Zudem können die Streustrukturen gleich große Flächen aufweisen. Somit kann eine im Bereich der Streustrukturen homogene Ab- strahlung des Lichtes erreicht werden. Eine weitere Verbesse ^¬ rung der Streustrukturen kann erreicht werden, indem die Streustrukturen ein lichtstreuendes Material aufweisen. Das lichtstreuende Material kann beispielsweise in Form einer Farbe ausgebildet sein. Beispielsweise kann eine weiße Farbe verwendet werden, die 70 % des Lichtes reflektiert und 30 % des Lichtes durchlässt. Die Streustruktur kann beispielsweise Titanoxid aufweisen.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Ausnehmung gegen- überliegend zum Bauelement eine Bodenfläche auf, wobei die Bodenfläche wenigstens in einem Teilbereich eine lichtstreu ^¬ ende oder eine lichtreflektierende Schicht aufweist. Auf die ^¬ se Weise kann eine weitere Verbesserung der seitlichen Ab- strahlung des Lichtes erreicht werden. Diese Ausführungsform ist insbesondere dann von Vorteil, wenn das Bauelement keine spiegelnde Schicht, sondern eine streuende Schicht oder keine streuende oder spiegelnde Schicht gegenüberliegend zum Halb ^¬ leiterchip aufweist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Gehäuse wenigstens auf einer zweiten Seite, die gegenüber liegend zu einer ersten Seite angeordnet ist, eine lichtreflektierende Schicht aufweisen. Die lichtreflektierende Schicht ist insbe ^¬ sondere gegenüberliegend zu der Seite mit den Streustrukturen angeordnet.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen

Figur 1 einen schematischen Querschnitt durch eine Ausfüh- rungsform des Bauelementes,

Figur 2 eine schematische Ansicht auf eine Ausführungsform des Bauelementes mit einem eckigen Träger und mit einer Konversionsschicht mit einer runden Außenkontur,

Figur 3 eine schematische Draufsicht auf ein Bauelement mit einem eckigen Träger mit einer Konversionsschicht mit einer eckigen Außenkontur, Figur 4 eine schematische Draufsicht auf eine weitere Ausfüh ^¬ rungsform eines Bauelementes mit einer Konversionsschicht mit einer rechteckförmigen abgerundeten Außenkontur,

Figur 5 eine schematische Draufsicht auf eine weitere Ausfüh- rungsform des Bauelementes mit einer Konversionsschicht mit einer abgerundeten Freiform als Außenkontur,

Figur 6 eine Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform ei ^¬ nes Bauelementes mit einer Konversionsschicht mit einer abge ^¬ rundeten unsymmetrischen Außenkontur,

Figur 7 eine schematische Draufsicht auf eine weitere Ausfüh ^¬ rungsform eines Bauelementes mit einer Konversionsschicht mit einer elliptischen Außenkontur,

Figur 8 einen schematischen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform des Bauelementes, das in einem Gehäuse ange ^¬ ordnet ist, und

Figur 9 einen schematischen Querschnitt durch Figur 8 senkrecht zum Querschnitt der Figur 9.

Figur 1 zeigt in einem schematischen Querschnitt ein Bauelement 1, das einen Träger 2 aufweist. Auf einer Unterseite des Trägers 2 ist ein Halbleiterchip 3 angeordnet. Der Halb ^¬ leiterchip 3 weist eine Schichtstruktur mit Halbleiterschichten auf, die eine aktive Zone zum Erzeugen elektromagneti ^¬ scher Strahlung aufweisen. Zudem sind auf der Unterseite des Halbleiterchips elektrische Anschlüsse 4,5 zum Betreiben des Halbleiterchips 3 vorgesehen. Die elektrischen Anschlüsse 4,5 sind beispielsweise in Form von Lötpads ausgebildet und mit einer p-Seite bzw. mit einer n-Seite der Schichtstruktur elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterchip 3 kann in Form von epitaktisch auf den Träger aufgewachsenen Halbleiterschichten mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein. Zudem kann der Halbleiterchip als Saphir-Flip-Chip ausgebildet sein. Der Halbleiterchip 3 kann auch andere Ausbildungsformen aufweisen .

Gegenüberliegend zum Halbleiterchip 3 weist der Träger 2 auf einer Oberseite eine reflektierende Schicht 6 auf. Die re ^¬ flektierende Schicht 6 ist ausgebildet, um Licht, das vom Halbleiterchip 3 durch den Träger 2 auf die reflektierende Schicht 6 fällt, wenigstens teilweise wieder zurück in den Träger 3 zu lenken. Unter Licht wird elektromagnetische

Strahlung verstanden, wobei deren Wellenlänge auch außerhalb des sichtbaren Bereiches liegen kann. Die reflektierende Schicht 6 kann beispielsweise als Spiegelschicht oder als streuende Schicht ausgebildet sein. Die Spiegelschicht kann beispielsweise aus Silber oder Aluminium oder in Form von dielektrischen Schichten ausgebildet sein. Weiterhin kann die reflektierende Schicht 6 bei der Ausbildung als streuende Schicht als weißes Licht streuende Schicht ausgebildet sein. Die streuende Schicht 6 kann beispielsweise ein Trägermateri ^¬ al z.B. Silikon und streuende Partikel z.B. aus Titanoxid und/oder Bariumsulfat aufweisen.

Der Träger 2 ist aus einem Material gebildet, das Licht, das vom Halbleiterchip 3 erzeugt wird, im Wesentlichen durchlässt und nur zu einem geringen Anteil absorbiert. Beispielsweise kann der Träger 2 aus Saphir bestehen. Es können jedoch auch andere Materialien wie z. B. Glas verwendet werden. Der Trä ^¬ ger 2 ist an Seitenflächen 7,8 mit einem Konversionsmaterial 9 bedeckt. Das Konversionsmaterial 9 kann lumineszierende Ma ^¬ terialien wie z. B. Phosphor aufweisen, das das vom Halb- leiterchip 3 abgegebene Licht wenigstens teilweise in der

Wellenlänge verschiebt. Insbesondere kann das Konversionsma ^¬ terial 9 verwendet werden, um ein Licht mit einer gewünschten Wellenlänge bzw. einen gewünschten Wellenlängenbereich zu erzeugen. Beispielsweise kann mit Hilfe eines Halbleiterchips, der blaues Licht erzeugt und einem entsprechenden Konversi ^¬ onsmaterial 9 insgesamt weißes Licht seitlich abgestrahlt werden . Die reflektierende Schicht 6 ist in dem dargestellten Ausfüh ^¬ rungsbeispiel auch auf einer Oberseite des Konversionsmateri ^¬ als 9 angeordnet. Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform die reflektierende Schicht 6 nur auf dem Träger 2 angeordnet sein. Das Konversionsmaterial 9 kann alle Sei ^¬ tenflächen des Trägers 2 bedecken. Das Konversionsmaterial 9 kann zusätzlich, wie dargestellt auch die gesamten Seitenflä ^¬ chen des Halbleiterchips 3 bedecken. Die Ausbildung der reflektierenden Schicht 6 als Spiegelschicht kann durch Abscheiden von Metall oder dielektrische Materialien beispielsweise mit Hilfe eines Sputter-Verfahren erfolgen. Das Konversionsmaterial 9 kann beispielsweise mit Hilfe eines Mould-Verfahrens seitlich an den Träger 2 und den Halbleiterchip 3 angeformt werden. Zudem kann zur Ausbildung des Konversionsmaterials 9 auch Form-Verfahren eingesetzt werden. Die Ausbildung der reflektierenden Schicht 6 als die Diffusionsschicht kann beispielsweise mit Hilfe eines Mold- Verfahrens durchgeführt werden.

Bei der Herstellung des Bauelementes 1 können eine Vielzahl von Bauelementen mit dem Träger und dem Halbleiterchip angeordnet sein, die anschließend mit Konversionsmaterial 9 umge ^¬ ben werden. Daraufhin wird die reflektierende Schicht 6 auf die Vielzahl von Trägern und das Konversionsmaterial aufge ^¬ bracht. Anschließend werden die Bauelemente beispielsweise mit Hilfe von Säge-Verfahren oder mit Hilfe von Laserschnei ^¬ de-Verfahren vereinzelt. Die reflektierende Schicht 6 kann abhängig von der gewählten Ausführungsform eine Dicke im Bereich von 50 ym bis 500 ym aufweisen. Der Träger 2 mit dem Halbleiterchip 3 kann abhängig von der gewählten Ausführungsform eine Dicke im Bereich von 100 ym bis 1000 ym aufweisen.

Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Ausführungsform des Bauelementes 1, das im Wesentlichen gemäß Fig. 1 aufgebaut ist. Der Träger 2 ist rechteckförmig ausgebildet und das Konversionsmaterial 9 weist kreisförmige Au- ßenkontur auf. Der Halbleiterchip 3 kann abhängig von der gewissen Ausführungsform die gesamte Unterseite des Trägers 2 oder nur einen Teil der Unterseite des Trägers 2 bedecken. Die reflektierende Schicht 6 bedeckt vorzugsweise eine gesam- te Oberseite des Trägers 2 und eine gesamte Oberseite des Konversionsmaterials 9 und weist somit in dem dargestellten Ausführungsbeispiel die Außenkontur einer Kreisscheibe auf.

Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Bauelementes 1 im Querschnitt, das im Wesentlichen gemäß Fig. 1 ausgebil ^¬ det ist. Der Träger 2 ist rechteckförmig ausgebildet, wobei das Konversionsmaterial 9 eine rechteckförmige Außenkontur aufweist. Somit weist bei dieser Ausführungsform die reflektierende Schicht 6, die nicht dargestellt ist, eine recht- eckige, insbesondere quadratische Form auf. Die Figuren 2 und 3 zeigen jeweils ein Bauelement, das im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist, wobei jedoch sich die Außenkonturen des Konversionsmaterials 9 unterscheiden. Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform des Bauelementes 1, das im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist, wobei der Träger 2 eine quadra ^¬ tische Form aufweist. Das Konversionsmaterial 9 weist eine abgerundete Außenkontur 10 auf. Die Außenkontur 10 weist im Bereich der Seitenflächen 7, 8, 11, 12 einen ersten Abstand A auf. Im Bereich von Ecken 13 des Trägers 2 weist die Außen ^¬ kontur 10 einen Abstand B auf. Versuchungen haben gezeigt, dass eine homogenere Farbe des Lichtes über die gesamten Sei ^¬ tenflächen des Bauelementes 1 erreicht werden kann, wenn der zweite Abstand B im Bereich von 0,2 bis 0,8 mal des ersten Abstandes A liegt.

Figur 5 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Bauelementes 1 mit einem schematischen Querschnitt, wobei das Bauelement 1 im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist, wobei jedoch das Konversionsmaterial 9 eine Außenkontur 10 mit einer symmetri ^¬ schen polynomialen Freiform aufweist. Bei dieser Ausbildungsform weist die Außenkontur 10 abgerundete Ausbuchtungen 14, 15, 16, 17 auf, deren Mittenbereich jeweils in einer Mitte einer Seitenfläche 7, 8, 11, 12 des Trägers 2 angeordnet sind. Die Ausbuchtungen weisen im Querschnitt eine konvexe Außenkontur auf. Die Ausbuchtungen 14, 15, 16 weisen jeweils einen ersten Abstand A auf, der für alle Ausbuchtungen gleich groß ist. Zudem weist die Außenkontur 10 im Bereich der Ecken 13 des Trägers 2 einen zweiten Abstand B auf, der im Bereich zwischen 0,2 und 0,8 mal dem ersten Abstand A ist.

Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine wei- tere Ausführungsform des Bauelementes 1 wobei das Bauelement im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist, wobei jedoch das Konversionsmaterial 9 eine Außenkontur 10 aufweist, die eine nichtsymmetrische polynomiale Freiform aufweist. Dabei sind die zweiten Abstände B in den Bereichen der Ecken 13 des Trä- gers 2 größer ausgebildet als die ersten Abstände A im Be ^¬ reich der Seitenflächen 7, 8, 11, 12 des Trägers 2.

Figur 7 zeigt eine weitere Ausführungsform des Bauelementes 1 in einem schematischen Querschnitt. Das Bauelement 1 ist im wesentlich gemäß Figur 1 aufgebaut, wobei jedoch das Konversionsmaterial 9 eine Außenkontur 10 aufweist, die über eine elliptische Form verfügt.

Figur 8 zeigt eine weitere Ausführungsform des Bauelementes 1 im Querschnitt, wobei das Bauelement 1 im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist und in einer Ausnehmung 18 eines Gehäu ^¬ ses 19 angeordnet ist. Dabei weist die Ausnehmung 18 eine Bo ^¬ denfläche 20 aufweist, die der reflektierenden Schicht 6 des Bauelementes 1 zugewandt ist. Zwischen der reflektierenden Schicht 6 des Bauelementes 1 und der Bodenfläche 20 kann ein freier Raum 25 ausgebildet.

Auf der Bodenfläche 20 kann eine zweite streuende oder spie ^¬ gelnde Schicht 21 vorgesehen sein. Das Gehäuse 19 nimmt das Bauelement 1 wenigstens teilweise auf. Das Gehäuse 19 ist we ^¬ nigstens teilweise aus einem lichtleitenden Material gebil ^¬ det, das das Licht des Halbleiterchips 3 führt bzw. für das Licht durchlässig ist. Somit stellt das Gehäuse 19 einen Lichtleiter dar. Zudem kann abhängig von der gewählten Aus- führungsform eine Reflektorschicht 22 auf einer Unterseite des Gehäuses 19 ausgebildet sein. Die Reflektorschicht 22 kann die gesamte Gehäusefläche abdecken. Zudem deckt die Re ^¬ flektorschicht 22 auch den Bereich der Ausnehmung 18 ab. Die Reflektorschicht 22 dient dazu, um Licht, das vom Gehäuse 19 oder vom Bauelement 1 auf die Reflektorschicht 22 fällt, zu ^¬ rück zu reflektieren. Die Reflektorschicht kann z.B. als Spiegelschicht oder als streuende Schicht ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Gehäuse 19 auf einer Oberseite 23 Streustrukturen 24 aufweisen. Die Streustrukturen 24 dienen dazu, um Licht aus dem Gehäuse 19 besser auszukoppeln. Die Streustrukturen 24 können eine runde oder eckige Fläche in der Ebene der Oberseite 23 des Gehäuses 19 aufweisen. Die Streustrukturen 24 können in Form einer Be- schichtung oder in Form einer mechanischen Struktur der Oberseite 23 des Gehäuses 19 ausgebildet sein. Der Streustruktu ^¬ ren 24 können einen festgelegten Raster mit festgelegten Abständen angeordnet sein. Das Gehäuse 19 kann aus einem licht- leitenden Material wie z. B. PMMA oder Polycarbonat herge ^¬ stellt sein. Das Gehäuse 19 kann eine Dicke in einer Y- Richtung senkrecht zur Ebene des Trägers 2 im Bereich von 1500 bis 3000 Mikrometern aufweisen. Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch Fig. 8 in der Ebene des Trägers 8, wobei ein Teil der Streustrukturen 24 gestrichelt dargestellt ist. Bei dieser Ansicht kann die regelmäßige Anordnung der Streustrukturen 24 in einem Raster mit gleich großen Abständen erkannt werden. Zudem sind die Streustrukturen 24 in dem gewählten Beispiel identisch ausgebildet .

In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Streustrukturen 24 in Form von Kreisflächen ausgebildet. Es kann jedoch auch jede andere Art von Fläche verwendet werden. Zudem kön ^¬ nen die Streustrukturen 24 auch in einem unregelmäßigen Raster, das heißt mit unterschiedlichen Abständen angeordnet sein. Die Streustrukturen 24 können beispielsweise aus Sili- kon mit Titanoxid auf der Oberseite 23 des Gehäuses 19 ausge ^¬ bildet sein.

Die Streustrukturen können aus hoch reflektiven, diffusen streuendem Material ausgebildet sein. Somit wird eine Aus ^¬ kopplung über die Oberseite des Gehäuses 19 vermieden und das Licht im Wesentlichen über Seitenflächen des Gehäuses 19 abgestrahlt. Dadurch wird eine gewünschte seitliche Abstrahlung des Lichtes aus dem Gehäuse 19 erreicht. Mithilfe der Streu- strukturen kann eine gewünschte Abstrahlung über die Oberseite 23 oder über weitere Seitenflächen 26,27,28,29 des Gehäu ^¬ ses 19 erreicht werden.

Abhängig von der gewählten Ausführung kann das Gehäuse 19 auch andere Formen aufweisen. Insbesondere können andere Formen von Lichtleiter an wenigstens eine Seitenfläche des Bau ^¬ elementes 1 gekoppelt sein.

Mit Hilfe des vorgeschlagenen Bauelementes 1 bzw. mithilfe des Bauelementes 1 mit Gehäuse 19 kann insbesondere eine ver ^¬ besserte Display-Hinterleuchtung erreicht werden, die eine hohe Lichthomogenität bereitstellt. Zudem kann mit Hilfe der vorgeschlagenen Bauelemente eine Hinterleuchtung von LCD Displays, insbesondere bei LCD Fernsehern bereitgestellt werden, wobei hinter der Displayfläche die Bauelemente verteilt sind. Insbesondere kann jedes Halbleiterbauelement separat ansteu ^¬ erbar und dimmbar ausgebildet sein. Somit kann eine homogene ^¬ re Bildausleuchtung mit verbesserten Kontrast- und Schwarzwerten erreicht werden.

Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge ^¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . BEZUGSZEICHENLISTE

1 Bauelement

2 Träger

3 Halbleiterchip

4 Erster elektrische Anschluss

5 Zweiter elektrische Anschluss

6 reflektierende Schicht

7 Erste Seitenfläche

8 Zweite Seitenfläche

9 Konversionsmaterial

10 Außenkontur

11 Dritte Seitenfläche

12 Vierte Seitenfläche

13 Ecke

14 Erste Ausbuchtung

15 Zweite Ausbuchtung

16 Dritte Ausbuchtung

17 Vierte Ausbuchtung

18 Ausnehmung

19 Gehäuse

20 Bodenfläche

21 Zweite reflektierende Schicht

22 Reflektorschicht

23 Oberseite

24 Streustruktur

25 Freier Raum

26 weitere erste Seitenfläche

27 weitere zweite Seitenfläche

28 weitere dritte Seitenfläche

29 weitere vierte Seitenfläche