本発明の実施形態を、添付図面に基づい� ��説明する。図1は、本発明の実施形態にかか る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図1を参照すると、本実施形態の露光装置は� �露光光(照明光)を供給するための光源1とし� �、たとえば約193nmの波長を有する光を供給す るArFエキシマレーザ光源または約248nmの波長� ��有する光を供給するKrFエキシマレーザ光源� ��備えている。

 光源1から射出されたほぼ平行な光束は、 必要に応じて所定の矩形状の断面を有する光 束に整形された後、ビームスプリッター2に� �射する。ビームスプリッター2で反射されて� ��明光路の外部へ取り出された光束は、光源1 から供給される光束の位置および角度を検出 する検出部3に入射する。検出部3で検出され� ��光束の位置情報および角度情報は、制御部4 に供給される。制御部4は、後述するように� �検出部3の出力に基づいて、送光光学系5中の 反射部材の姿勢を制御する。検出部3と制御� �4とを備える光束追尾装置については周知で� ��り、その内部構成の説明を省略する。

 一方、ビームスプリッター2を透過して照 明光路に沿って導かれた光束は、送光光学系 5に入射する。送光光学系5の内部構成および� ��用については後述する。送光光学系5を経た 光束は、ビーム形状可変部6を介して、マイ� �ロフライアイレンズ(またはフライアイレン� ��)7に入射する。送光光学系5は、入射光束を� ��段のビーム形状可変部6へ導くとともに、ビ ーム形状可変部6へ入射する光束の位置変動� �よび角度変動をアクティブに補正する機能� �有する。

 ビーム形状可変部6は、回折光学素子61、� ��倍光学系(不図示)などを含み、マイクロフ� �イアイレンズ7の入射面に形成される照野の� ��きさおよび形状を、ひいてはマイクロフラ� ��アイレンズ7の後側焦点面に形成される実質 的な面光源の大きさおよび形状を変化させる 機能を有する。回折光学素子61は、入射光束� ��光束断面形状を異なる光束断面形状に変換� ��る光学素子である。一般に、回折光学素子� ��、基板に露光光(照明光)の波長程度のピッ� �を有する段差を形成することによって構成� �れ、入射ビームを所望の角度に回折する作� �を有する。

 マイクロフライアイレンズ7は、たとえば 縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力 を有する微小レンズからなる光学素子であり 、平行平面板にエッチング処理を施して微小 レンズ群を形成することによって構成されて いる。マイクロフライアイレンズでは、互い に隔絶されたレンズエレメントからなるフラ イアイレンズとは異なり、多数の微小レンズ (微小屈折面)が互いに隔絶されることなく一� ��的に形成されている。しかしながら、レン� ��要素が縦横に配置されている点でマイクロ� ��ライアイレンズはフライアイレンズと同じ� ��面分割型のオプティカルインテグレータで� ��る。なお、マイクロフライアイレンズ7に代 えて、回折光学素子や角柱状のロッド型イン テグレータのようなオプティカルインテグレ ータを用いることもできる。

 マイクロフライアイレンズ7に入射した光 束は多数の微小レンズにより二次元的に分割 され、光束が入射した各微小レンズの後側焦 点面には光源がそれぞれ形成される。こうし て、マイクロフライアイレンズ7の後側焦点� �には、多数の光源からなる実質的な面光源(� ��下、「二次光源」という)が形成される。マ イクロフライアイレンズ7の後側焦点面(照明� ��)に形成された二次光源(瞳輝度分布)からの� ��束は、コンデンサー光学系8を介した後、マ スクブラインド9を重畳的に照明する。

 なお、マイクロフライアイレンズ7の後側 または前側に開口絞りを配置して光束を制限 することも可能である。こうして、照明視野 絞りとしてのマスクブラインド9には、マイ� �ロフライアイレンズ7を構成する各微小レン� ��の形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野� ��形成される。マスクブラインド9の矩形状の 開口部(光透過部)を介した光束は、結像光学� ��10の集光作用を受けた後、所定のパターン� �形成されたマスク(レチクル)Mを重畳的に照� �する。

 すなわち、結像光学系10は、マスクブラ� �ンド9の矩形状開口部の像をマスクM上に形成 することになる。マスクMを透過した光束は� �投影光学系PLを介して、感光性基板であるウ ェハW上にマスクパターンの像を形成する。� �うして、投影光学系PLの光軸AXと直交する平� ��内においてウェハWを二次元的に駆動制御し ながら一括露光またはスキャン露光を行うこ とにより、ウェハWの各露光領域にはマスクM� ��パターンが逐次露光される。

 図2は、図1の送光光学系の内部構成を概� �的に示す図である。本実施形態の送光光学� �5では、図2に示すように、照明光路に沿って 入射した光束Lが、一対のひし形プリズム51a� �よび51bの作用により、第1光束L1と第2光束L2� �に波面分割される。すなわち、第1光束L1お� �び第2光束L2が光束Lから同時に生成される。� ��し形プリズム51aを経た第1光束L1は、シリン� ��リカルレンズ群52aの作用により、その断面� ��図2の紙面に沿って拡大された後、全反射45� ��プリズム(以下、「直角プリズム」という)53 aに入射する。

 同様に、ひし形プリズム51bを経た第2光束 L2は、シリンドリカルレンズ群52bの作用によ� ��、その断面が図2の紙面に沿って拡大された 後、直角プリズム53bに入射する。以下、説明 の理解を容易にするために、光束L1およびL2� �断面がシリンドリカルレンズ群52aおよび52b� �より図2の紙面に沿って2倍に拡大されるもの とする。この場合、直角プリズム53aおよび53b に入射する光束L1およびL2のエネルギ密度は� �送光光学系5に入射する光束Lのエネルギ密度 の1/2に低減される。

 直角プリズム53aに入射した第1光束L1は、9 0度偏向されて射出された後、直角プリズム54 aに入射する。直角プリズム54aに入射した第1� ��束L1は、90度偏向されて射出された後、シリ ンドリカルレンズ群55aに入射する。同様に、 直角プリズム53bに入射した第2光束L2は、90度� ��向されて射出された後、直角プリズム54bに� ��射する。直角プリズム54bに入射した第2光束 L2は、90度偏向されて射出された後、シリン� �リカルレンズ群55bに入射する。

 シリンドリカルレンズ群55aに入射した第1 光束L1は、その断面が図2の紙面に沿って例え ば1/2に縮小された後、ひし形プリズム56aに入 射する。シリンドリカルレンズ群55bに入射し た第2光束L2も、その断面が図2の紙面に沿っ� �同じく1/2に縮小された後、ひし形プリズム56 bに入射する。その結果、ひし形プリズム56a� �よび56bに入射する光束L1およびL2のエネルギ� ��度は、送光光学系5に入射する光束Lとほぼ� �じエネルギ密度に戻る。

 ひし形プリズム56aから射出された第1光束 L1は、回折光学素子61の入射面の第1領域61aへ� ��かれる。一方、ひし形プリズム56bから射出� ��れた第2光束L2は、回折光学素子61の入射面� �おいて第1領域61aと図2中鉛直方向に沿って隣 接する第2領域61bへ導かれる。第1領域61aおよ� ��第2領域61bは、回折光学素子61の有効回折光� ��面61cの範囲内にある。

 こうして、回折光学素子61には、送光光� �系5への入射光束Lと同じ断面を有し且つほぼ 同じエネルギ密度(照度)を有する光束(L1,L2)が 入射する。ただし、送光光学系5中に配置さ� �て光路折曲げ手段として機能する4つの直角� ��リズム53a,53b,54a,54bに入射する光束L1,L2のエ� �ルギ密度は、送光光学系5に入射する光束Lの エネルギ密度の約1/2に低減されている。

 ちなみに、従来技術にしたがって、送光� ��学系5への入射光束Lを2つの直角プリズムを� ��して回折光学素子61へ導く場合、2つの直角� ��リズムに入射する光束のエネルギ密度は送� ��光学系5に入射する光束Lのエネルギ密度と� �ぼ同じである。逆に言えば、従来技術にお� �て、直角プリズムに入射する光束のエネル� �密度を送光光学系5に入射する光束Lのエネル ギ密度の約1/2に低減するには、例えば整形光 学系の作用により直角プリズムへの入射光束 の断面を拡大する必要がある。その場合、直 角プリズムが大型化し、その製造が極めて困 難になってしまう。

 本実施形態では、送光光学系5中の照明光 路を複線化することにより、送光光学系5中� �直角プリズム53a,53b,54a,54bに入射する光束L1,L2 のエネルギ密度を約1/2に低減しつつ、回折光 学素子61に所望の断面および照度を有する光� ��を入射させることができる。したがって、� ��実施形態では、従来技術に比して、反射部� ��としての直角プリズム53a,53b,54a,54bを形成す� ��光学材料が劣化し難く、且つ「曇り」に起� ��する反射率などの低下も発生し難い。

 こうして、本実施形態では、直角プリズ� ��53a,53b,54a,54bの反射特性を安定的に維持する� ��とのできる照明光学系(2,5~10)を実現するこ� �ができる。その結果、本実施形態の露光装� �では、直角プリズム53a,53b,54a,54bの反射特性� �安定的に維持することのできる照明光学系(2 ,5~10)を用いて、高スループットな露光を安定 的に行うことができる。

 また、前述したように、本実施形態の露� ��装置では、光束追尾装置中の検出部3が光源 1から供給される光束の位置および角度を随� �検出し、制御部4は検出部3の出力に基づいて 送光光学系5中の直角プリズム53a,53b,54a,54bの� �勢を制御する。こうして、送光光学系5は、� ��射光束Lを後段のビーム形状可変部6中の回� �光学素子61へ導くとともに、回折光学素子61� ��入射する光束の位置変動および角度変動を� ��クティブに補正することができる。

 なお、上述の実施形態では、光路折曲げ� ��段として直角プリズム53a,53b,54a,54bを用いて� ��るが、これに限定されることなく、例えば� ��射ミラーのような他の反射部材を用いるこ� ��もできる。この場合も、反射ミラーに入射� ��る光束のエネルギ密度が低減されるので、� ��射膜が劣化し難く、且つ「曇り」に起因す� ��反射率などの低下も発生し難い。

 また、上述の実施形態では、入射光束Lを 第1光束L1と第2光束L2とに波面分割する波面分 割部材として、一対のひし形プリズム51aおよ び51bを用いている。また、シリンドリカルレ ンズ群55aを経た第1光束L1を回折光学素子61の� ��1領域61aへ導き且つシリンドリカルレンズ群 55bを経た第2光束L2を回折光学素子61の第2領域 61bへ導く導光部材として、一対のひし形プリ ズム56aおよび56bを用いている。しかしながら 、これに限定されることなく、波面分割部材 および導光部材の構成については様々な形態 が可能である。

 また、上述の実施形態では、一対のひし� ��プリズム51a,51bの直後に配置されて第1光束L1 および第2光束L2の断面を拡大する光束拡大部 材として、シリンドリカルレンズ群52aおよび 52bを用いている。また、一対のひし形プリズ ム56a,56bの直前に配置されて第1光束L1および� �2光束L2の断面を縮小する光束縮小部材とし� �、シリンドリカルレンズ群55aおよび55bを用� �ている。しかしながら、これに限定される� �となく、光束拡大部材および光束縮小部材� �構成については様々な形態が可能である。

 また、上述の実施形態では、ひし形プリ� ��ム56aから射出された第1光束L1が入射する第1 領域61aと、ひし形プリズム56bから射出された 第2光束L2が入射する第2領域61bとが互いに隣� �している。しかしながら、これに限定され� �ことなく、第1領域61aおよび第2領域61bについ ては、回折光学素子61の有効回折光学面61cの� ��囲内において様々な配置が可能である。

 また、上述の実施形態では、送光光学系5 への入射光束Lを第1光束L1と第2光束L2とに分� �する光束分割部材として、一対のひし形プ� �ズム51aおよび51bからなる波面分割部材を用� �ている。しかしながら、これに限定される� �となく、図3に示すように、送光光学系5への 入射光束Lを互いに偏光状態の異なる第1光束L 3と第2光束L4とに分割する偏光分割部材を用� �る変形例も可能である。

 図3に示す変形例では、送光光学系5への� �射光束Lが、偏光分割部材としての偏光ビー� ��スプリッター71により、P偏光の第1光束L3とS 偏光の第2光束L4とに分割される。すなわち、 偏光ビームスプリッター71により、第1光束L3� ��よび第2光束L4が光束Lから同時に生成される 。以下、説明の理解を容易にするために、偏 光ビームスプリッター71による偏光分割の結� ��、光束L3およびL4のエネルギ密度が送光光学 系5への入射光束Lのエネルギ密度の約1/2に低� ��されるものとする。

 偏光ビームスプリッター71を透過した第1� ��束L3は、直角プリズム72aにより偏向され、1/ 2波長板73aを介してS偏光になり、偏光ビーム� ��プリッター74に入射する。一方、偏光ビー� �スプリッター71で反射された第2光束L4は、直 角プリズム72bにより偏向され、1/2波長板73bを 介してP偏光になり、偏光ビームスプリッタ� �74に入射する。S偏光状態の第1光束L3とP偏光� ��態の第2光束L4とは、導光部材としての偏光� ��ームスプリッター74を介して合成される。

 偏光ビームスプリッター74を介して合成� �れた光束L5は、回折光学素子61の有効回折光� ��面内の所定領域へ入射する。こうして、回� ��光学素子61には、送光光学系5への入射光束L と同じ断面を有し且つほぼ同じエネルギ密度 (照度)を有する合成光束L5が入射する。また� �送光光学系5中の2つの直角プリズム72a,72bに� �射する光束L3,L4のエネルギ密度は、送光光学 系5に入射する光束Lのエネルギ密度の約1/2に� ��減されている。

 したがって、図3に示す変形例では、送光 光学系5中の直角プリズム72a,72bに入射する光� ��L3,L4のエネルギ密度を約1/2に低減しつつ、� �折光学素子61に所望の断面および照度を有す る光束を入射させることができる。その結果 、図3に示す変形例においても図2の実施形態� ��同様に、光路折曲げ手段としての直角プリ� ��ム72a,72bを形成する光学材料が劣化し難く、 且つ「曇り」に起因する反射率などの低下も 発生し難い。

 あるいは、図4に示すように、ビームスプ リッター81のような振幅分割部材を用いて、� ��光光学系5への入射光束Lを第1光束L6と第2光� ��L7とに振幅分割する変形例も可能である。� �4に示す変形例では、入射光束Lの一部がビー ムスプリッター81を透過し、入射光束Lの一部 がビームスプリッター81で反射される。すな� ��ち、ビームスプリッター81により、第1光束L 6および第2光束L7が光束Lから同時に生成され� ��。以下、説明の理解を容易にするために、� ��ームスプリッター81を透過した第1光束L6、� �よびビームスプリッター81で反射された第2� �束L7のエネルギ密度が、送光光学系5への入� �光束Lのエネルギ密度の約1/2に低減されるも� ��とする。

 ビームスプリッター81を透過した第1光束L 6は、直角プリズム82aおよび83aにより順次偏� �された後、シリンドリカルレンズ群84aに入� �する。一方、ビームスプリッター81で反射さ れた第2光束L7は、直角プリズム82bにより偏向 された後、シリンドリカルレンズ群84bに入射 する。シリンドリカルレンズ群84aに入射した 第1光束L6は、その断面が図4の紙面に沿って� �えば1/2に縮小された後、回折光学素子61(図4� ��は不図示)の有効回折光学面内の第1領域へ� �射する。

 シリンドリカルレンズ群84bに入射した第2 光束L7も、その断面が図4の紙面に沿って同じ く1/2に縮小された後、回折光学素子61の有効� ��折光学面内において図4中鉛直方向に沿って 第1領域から間隔を隔てた第2領域へ入射する� ��その結果、回折光学素子61に入射する光束L6 およびL7のエネルギ密度は、送光光学系5に入 射する光束Lとほぼ同じエネルギ密度に戻る� �

 なお、必要に応じて、回折光学素子61の� �前において光束L6の光路および光束L7の光路� ��うちの少なくとも一方の光路中に光束を平� ��移動させる光学部材を付設することにより� ��第1光束L6が入射する第1領域と第2光束L7が入 射する第2領域とを図4中鉛直方向に沿って隣� ��させることもできる。

 こうして、回折光学素子61には、送光光� �系5への入射光束Lと同じ断面積を有し且つほ ぼ同じエネルギ密度(照度)を有する光束(L6,L7) が入射する。また、送光光学系5中の3つの直� ��プリズム82a,82b,83aに入射する光束L6,L7のエネ ルギ密度は、送光光学系5に入射する光束Lの� ��ネルギ密度の約1/2に低減されている。すな� ��ち、図4に示す変形例においても、送光光学 系5中の直角プリズム82a,82b,83aに入射する光束 L6,L7のエネルギ密度を約1/2に低減しつつ、回� ��光学素子61に所望の断面および照度を有す� �光束を入射させることができる。

 なお、上述の実施形態では、マスクの代� ��りに、所定の電子データに基づいて所定パ� ��ーンを形成する可変パターン形成装置を用� ��ることができる。このような可変パターン� ��成装置を用いれば、パターン面が縦置きで� ��同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。� ��お、可変パターン形成装置としては、たと� ��ば所定の電子データに基づいて駆動される� ��数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロ ミラー・デバイス)を用いることができる。DM Dを用いた露光装置は、例えば特開2004-304135号 公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレッ� ��に開示されている。また、DMDのような非発� ��型の反射型空間光変調器以外に、透過型空� ��光変調器を用いても良く、自発光型の画像� ��示素子を用いても良い。なお、パターン面� ��横置きの場合であっても可変パターン形成� ��置を用いても良い。

 また、上述の実施形態において、投影光� ��系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも� ��きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)� �満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い� �この場合、投影光学系と感光性基板との間� �光路中に液体を満たす手法としては、国際� �開番号WO99/49504号公報に開示されているよう� ��局所的に液体を満たす手法や、特開平6-12487 3号公報に開示されているような露光対象の� �板を保持したステージを液槽の中で移動さ� �る手法や、特開平10-303114号公報に開示され� �いるようなステージ上に所定深さの液体槽� �形成し、その中に基板を保持する手法など� �採用することができる。

 また、上述の実施形態において、米国特� ��公開第2006/0203214号公報、米国特許公開第2006 /0170901号公報、および米国特許公開第2007/01466 76号公報に開示される偏光照明方法を適用し� ��も良い。ここで、米国特許公開第2006/0203214� ��公報に開示される偏光制御部、米国特許公� ��第2006/0170901号公報および米国特許公開第2007 /0146676号公報に開示される偏光状態切換部は� ��導光部材と特定領域に配置され得る回折光� ��素子との間に配置することができる。

 また、上述の実施形態においては、送光� ��学系中の複数の照明光路を同時に用いたが� ��複数の照明光路のうちの1つのみを用いても よい。この場合、光束分割部材として、入射 光束を複数の光束に時分割するための光路切 換ミラーを用い、ある特定の時間では光源か らの光束を1つの照明光路へ導き、その特定� �時間の経過後に光路切換ミラーを用いて光� �からの光束を別の照明光路へ導く。この構� �では、複数の照明光路のうちの照明光が通� �しない光路中に配置される光学部材を、送� �を止めることなく交換することが可能とな� �。

 上述の実施形態の露光装置は、本願特許� ��求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各� ��サブシステムを、所定の機械的精度、電気� ��精度、光学的精度を保つように、組み立て� ��ことで製造される。これら各種精度を確保� ��るために、この組み立ての前後には、各種� ��学系については光学的精度を達成するため� ��調整、各種機械系については機械的精度を� ��成するための調整、各種電気系については� ��気的精度を達成するための調整が行われる� ��各種サブシステムから露光装置への組み立� ��工程は、各種サブシステム相互の、機械的� ��続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管� ��続等が含まれる。この各種サブシステムか� ��露光装置への組み立て工程の前に、各サブ� ��ステム個々の組み立て工程があることはい� ��までもない。各種サブシステムの露光装置� ��の組み立て工程が終了したら、総合調整が� ��われ、露光装置全体としての各種精度が確� ��される。なお、露光装置の製造は温度およ� ��クリーン度等が管理されたクリーンルーム� ��行うことが望ましい。

 次に、上述の実施形態にかかる露光装置� ��用いたデバイス製造方法について説明する� ��図5は、半導体デバイスの製造工程を示すフ ローチャートである。図5に示すように、半� �体デバイスの製造工程では、半導体デバイ� �の基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステ ップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材� �であるフォトレジストを塗布する(ステップS 42)。つづいて、上述の実施形態の投影露光装 置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパ ターンをウェハW上の各ショット領域に転写� �(ステップS44:露光工程)、この転写が終了し� �ウェハWの現像、つまりパターンが転写され� ��フォトレジストの現像を行う(ステップS46:� �像工程)。その後、ステップS46によってウェ� ��Wの表面に生成されたレジストパターンをマ スクとし、ウェハWの表面に対してエッチン� �等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。

 ここで、レジストパターンとは、上述の� ��施形態の投影露光装置によって転写された� ��ターンに対応する形状の凹凸が生成された� ��ォトレジスト層であって、その凹部がフォ� ��レジスト層を貫通しているものである。ス� ��ップS48では、このレジストパターンを介し� ��ウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で 行われる加工には、例えばウェハWの表面の� �ッチングまたは金属膜等の成膜の少なくと� �一方が含まれる。なお、ステップS44では、� �述の実施形態の投影露光装置は、フォトレ� �ストが塗布されたウェハWを、感光性基板つ� ��りプレートPとしてパターンの転写を行う。

 図6は、液晶表示素子等の液晶デバイスの 製造工程を示すフローチャートである。図6� �示すように、液晶デバイスの製造工程では� �パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィ ルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ス テップS54)およびモジュール組立工程(ステッ� ��S56)を順次行う。

 ステップS50のパターン形成工程では、プ� ��ートPとしてフォトレジストが塗布されたガ ラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装 置を用いて回路パターンおよび電極パターン 等の所定のパターンを形成する。このパター ン形成工程には、上述の実施形態の投影露光 装置を用いてフォトレジスト層にパターンを 転写する露光工程と、パターンが転写された プレートPの現像、つまりガラス基板上のフ� �トレジスト層の現像を行い、パターンに対� �する形状のフォトレジスト層を生成する現� �工程と、この現像されたフォトレジスト層� �介してガラス基板の表面を加工する加工工� �とが含まれている。

 ステップS52のカラーフィルタ形成工程で� ��、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドッ トの組をマトリックス状に多数配列するか、 またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタ� �組を水平走査方向に複数配列したカラーフ� �ルタを形成する。

 ステップS54のセル組立工程では、ステッ� ��S50によって所定パターンが形成されたガラ� ��基板と、ステップS52によって形成されたカ� ��ーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル )を組み立てる。具体的には、例えばガラス� �板とカラーフィルタとの間に液晶を注入す� �ことで液晶パネルを形成する。ステップS56� �モジュール組立工程では、ステップS54によ� �て組み立てられた液晶パネルに対し、この� �晶パネルの表示動作を行わせる電気回路お� �びバックライト等の各種部品を取り付ける� �

 また、本発明は、半導体デバイス製造用� ��露光装置への適用に限定されることなく、� ��えば、角型のガラスプレートに形成される� ��晶表示素子、若しくはプラズマディスプレ� ��等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮� ��素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気� �ッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製� �するための露光装置にも広く適用できる。� �に、本発明は、各種デバイスのマスクパタ� �ンが形成されたマスク(フォトマスク、レチ� ��ル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製 造する際の、露光工程(露光装置)にも適用す� ��ことができる。

 なお、上述の実施形態では、露光光としてA rFエキシマレーザ光(波長:193nm)やKrFエキシマ� �ーザ光(波長:248nm)を用いているが、これに限 定されることなく、他の適当なレーザ光源、 たとえば波長157nmのレーザ光を供給するF ₂ レーザ光源などに対して本発明を適用するこ ともできる。

 また、上述の実施形態では、光源からの� ��束を回折光学素子の有効回折光学面まで送� ��する送光光学系に対して本発明を適用して� ��る。しかしながら、これに限定されること� ��く、一般に、光源からの光束を所定面上の� ��定領域まで送光する送光光学系に対して本� ��明を適用することもできる。

 また、上述の実施形態では、露光装置に� ��いてマスクを照明する照明光学系に対して� ��発明を適用しているが、これに限定される� ��となく、マスク以外の被照射面を照明する� ��般的な照明光学系や被加工面に光照射を行� ��レーザ加工装置、レーザアニール装置など� ��対して本発明を適用することもできる。