本発明者らは、製造工程数を増加させるこ となく、フリッカを抑制することが可能な半 透過型の液晶表示装置について種々検討した ところ、反射電極の液晶層側の表面を構成す る材料に着目した。そして、反射電極の液晶 層側の表面がモリブデンを含んで構成される ことにより、反射電極が複数の層から構成さ れる場合であっても、反射電極のパターニン グを一括して行うことができるとともに、液 晶内部に発生するバイアス電界を打ち消すた めに印加される直流オフセット電圧の最適値 を透過領域と反射領域とで略一致させること ができることを見いだした。すなわち、パタ ーニング工程数を増加させることなく、フリ ッカの抑制を図ることが可能になることを見 いだし、上記課題をみごとに解決することが できることに想到し、本発明に到達したもの である。

すなわち、本発明は、互いに対向する背面側 基板と観察面側基板との間に液晶層を備え、 上記背面側基板が透過電極と反射電極とを有 する半透過型の液晶表示装置であって、上記 反射電極は、液晶層側の表面がモリブデンを 含んで構成される液晶表示装置(以下「第一� �晶表示装置」ともいう。)である。
以下に本発明を詳述する。

本発明の第一液晶表示装置は、互いに対向 する背面側基板と観察面側基板との間に液晶 層を備え、上記背面側基板が透過電極と反射 電極とを有する半透過型の液晶表示装置であ る。半透過型の液晶表示装置は、バックライ トを有するため、暗い場所でも高い視認性を 有する透過型の液晶表示装置の特徴と、外部 の光を利用するため、低消費電力である反射 型の液晶表示装置の特徴とを併せ持っている 。このような液晶表示装置は、反射透過両用 型の液晶表示装置とも呼ばれる。

上記反射電極は、液晶層側の表面がモリブ デンを含んで構成される。モリブデンの仕事 関数(4.6eV)は、透過電極を構成する材料とし� �一般的に用いられる酸化インジウム錫(ITO)等 の仕事関数(4.7~5.2eV)に近い。したがって、反� ��電極の液晶層側の表面を構成する材料の仕� ��関数を、透過電極を構成する材料の仕事関� ��に近づけることができるため、フリッカの� ��制を図ることができる。また、モリブデン� ��、反射電極を構成する材料として一般的に� ��いられるアルミニウム(Al)等と一括してエッ チングを行うことができる。すなわち、反射 電極の液晶層側の表面がモリブデンを含んで 構成されるとしても、反射電極のパターニン グを一括して行うことが可能であるため、パ ターニング工程の数を増加させることなく、 フリッカの抑制を図ることができる。更に、 反射電極と透過電極とをそれぞれ別工程で形 成することができるため、透過電極の膜厚を 独立して適正化することができる。すなわち 、フリッカを抑制するべく、透過電極が透過 領域だけでなく反射電極上にも設けられた方 式と異なり、透過電極の欠損を生じさせるこ とがないため、高い製造歩留りを実現するこ とができる。

上記反射電極は、液晶層側の表面の少なく とも一部がモリブデンを含んで構成されれば よいが、フリッカを抑制する観点からは、反 射電極の液晶層側の表面全体がモリブデンを 含んで構成されることが好ましい。また、反 射電極の液晶層側の表面を構成する材料は、 モリブデンの原子を含むものである限り、モ リブデン単体であってもよく、モリブデン合 金であってもよく、モリブデン化合物であっ てもよいが、本発明の作用効果の観点からは 、モリブデン単体及びモリブデン合金、すな わちモリブデンを含む金属であることが好ま しく、モリブデン単体から構成されることが より好ましい。

本発明の第一液晶表示装置は、上記背面側 基板、観察面側基板及び液晶層を構成要素と して有するものである限り、その他の構成要 素を有していても有していなくてもよく、特 に限定されるものではない。なお、背面側基 板は、コントラスト比の向上及びクロストー クの低減の観点から、アクティブマトリクス 基板であることが好ましいが、特にそれに限 定されるものではなく、例えば、パッシブマ トリクス基板であってもよい。

本発明の第一液晶表示装置における好ましい 形態について以下に詳しく説明する。
上記反射電極は、下部がアルミニウム又は銀 を含んで構成され、上部がモリブデンを含ん で構成されることが好ましい。本明細書で「 上部」とは、液晶層側の部分を指し、「下部 」とは、上部以外の部分を指す。反射電極の 下部がアルミニウム又は銀を含んで構成され ることにより、高反射率を有する反射領域を 形成することができるとともに、上部がモリ ブデンを含んで構成されることにより、透過 領域と反射領域とのフリッカ電圧差を低減す ることができる。また、モリブデン膜とアル ミニウム膜又は銀膜とは、硝酸、酢酸及びリ ン酸が含有された水溶液(弱酸性エッチング� �)等に対するエッチング速度が略同一であり� ��モリブデン膜とアルミニウム膜又は銀膜と� ��一括エッチングしたとしても、反射電極の� ��部が下部に対して庇形状に突き出て形成さ� ��てしまうことがないため、製造歩留りをよ� ��向上させることができる。

上記反射電極の上部は、厚さが60Å以下で� ��ることが好ましい。60Åを超えると、反射� �示に使用される入射光が反射率の高い反射� �極の下部に到達する前に反射電極の上部に� �って吸収され、反射領域の反射率を充分に� �ることができなくなるおそれがある。一方� �反射電極の上部は、透過領域と反射領域と� �フリッカ電圧差を低減する効果を得る観点� �らは、厚さが少なくともモリブデンの原子� �径(略3Å)以上であることが好ましい。なお� �表示品位の観点からは、反射電極の上部は� �厚さが20~40Åであることがより好ましい。

上記背面側基板は、反射電極の下部の背面 側に、モリブデンを含んで構成される保護導 電層を有することが好ましい。このようにモ リブデンを含んで構成される保護導電層を設 けることにより、透過電極と反射電極の下部 とが接触する場合に、透過電極を構成する材 料と反射電極の下部を構成する材料とが電食 反応を起こさないようにすることができる。 また、反射電極の上部と保護導電層とが同一 の材料で構成されることにより、反射電極と 保護導電層との一括パターニングを行うこと ができる。

本明細書で「保護導電層」とは、透過電極 と反射電極の下部とが接触する場合に、透過 電極を構成する材料と反射電極の下部を構成 する材料とが電食反応を起こさないようにす るために、反射電極の透過電極側に設けられ る層のことである。例えば、反射電極の下部 がアルミニウムから構成され、透過電極が酸 化インジウム錫から構成される場合には、保 護導電層は、モリブデンから構成されること が好ましい。

上記反射電極は、モリブデンを含んで構成 される単層であることが好ましい。これによ れば、反射電極が単層であるため、反射電極 の形成工程を更に簡略化することができる。 また、透過電極と反射電極とが接触する場合 でも、例えば、反射電極の上部をITO層、下部 をAl層で形成するようなときと異なり、電食� ��応を生じることがないため、保護導電層が� ��要である点で好適である。

上記透過電極は、液晶層側の表面がモリブ デンを含んで構成されることが好ましい。こ れによれば、反射電極の液晶層側の表面、及 び、透過電極の液晶層側の表面がともにモリ ブデンを含んで構成されるため、透過電極と 反射電極との仕事関数の差をより小さくする ことができる結果、フリッカを更に抑制する ことができる。なお、フリッカを抑制する観 点からは、透過電極は、液晶層側の表面全体 がモリブデンを含んで構成されることが好ま しく、例えば、透過電極は、下部が酸化イン ジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム 錫及び酸化インジウム亜鉛からなる群より選 択された少なくとも一種の材料を含んで構成 され、上部がモリブデンを含んで構成される ことが好ましい。また、フリッカの抑制だけ でなく、透過表示の高いコントラスト比の維 持も同時に図る観点からは、液晶側の表面の 一部がモリブデンを含んで構成されることが 好ましく、例えば、液晶層側の表面に残渣程 度にモリブデンが存在する形態が好ましい。

上記透過電極は、酸化インジウム、酸化亜 鉛、酸化錫、酸化インジウム錫及び酸化イン ジウム亜鉛からなる群より選択された少なく とも一種の材料を含んで構成されることが好 ましい。これらの材料の仕事関数は、モリブ デンの仕事関数に近いため、透過領域と反射 領域とのフリッカ電圧差を低減するのに好適 である。なお、上記透過電極は、酸化インジ ウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫 及び酸化インジウム亜鉛からなる群より選択 された少なくとも一種の材料から構成される ことがより好ましい。

上記背面側基板は、透過電極及び反射電極 上に配向膜を有し、上記配向膜を介して測定 された透過電極と反射電極との仕事関数の差 が0.1eV以下であることが好ましい。配向膜を� ��して測定された透過電極と反射電極との仕� ��関数の差を0.1eVとすることにより、透過領� �と反射領域とのフリッカ電圧差を更に低減� �ることができる。

上記配向膜を構成する材料としては特に限 定されない。また、透過電極及び反射電極の 仕事関数の測定方法としては、熱電子放出法 、光電子放出法、電場電子放出法、ケルビン 法(接触電位差法)等が挙げられるが、配向膜� ��誘電体であるため容量を形成し、その容量� ��配向膜上の電子の挙動に影響を与えるため� ��配向膜を介して測定を行うことができるケ� ��ビン法(接触電位差法)を用いることが好ま� �く、透過電極及び反射電極の仕事関数は、� �向膜を介して仕事関数測定器(商品名:FAC-2、� ��研計器社製)を用いたケルビン法により測定 される。

本発明はまた、上記第一液晶表示装置の製 造方法であって、上記製造方法は、反射電極 のパターニングを一括して行う工程を含む液 晶表示装置の製造方法でもある。この製造方 法によれば、反射電極が積層構造を有する場 合等であっても、反射電極のパターニングを 一括して行うことから、製造工程を簡略化す ることができる。なお、反射電極のパターニ ング方法としては、ドライエッチング法、ウ ェットエッチング法等が挙げられるが、ウェ ットエッチング法が好ましい。また、第一液 晶表示装置の製造方法は、反射電極及び保護 導電層のパターニングを一括して行う工程を 含むことが好ましい。これによれば、製造工 程をより簡略化することができる。

本発明はまた、互いに対向する背面側基板 と観察面側基板との間に液晶層を備え、上記 背面側基板が透過電極と反射電極とを有する 半透過型の液晶表示装置であって、上記反射 電極は、液晶層側の表面が第六族元素を含ん で構成される液晶表示装置(以下「第二液晶� �示装置」ともいう。)でもある。これによれ� ��、第六族元素のクロム(Cr)、モリブデン(Mo)� �びタングステン(W)の仕事関数はいずれも4.5~4 .6eVであり、透過電極を構成する材料として� �般的に用いられるITOの仕事関数(4.7~5.2eV)に近 いため、フリッカを抑制するのに好適である 。また、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)及びタン� ��ステン(W)は、反射電極を構成する材料とし� ��一般的に用いられるアルミニウム(Al)等と一 括してエッチングを行うことができる。すな わち、反射電極の液晶層側の表面がモリブデ ンを含んで構成される積層構造であったとし ても、反射電極のパターニングを一括して行 うことが可能であるため、パターニング工程 の数を増加させることなく、フリッカの抑制 を図ることができる。

本発明の第二液晶表示装置は、上記背面側 基板、観察面側基板及び液晶層を構成要素と して有するものである限り、その他の構成要 素を有していても有していなくてもよく、特 に限定されるものではない。なお、背面側基 板は、アクティブマトリクス基板であること が好ましいが、特にそれに限定されるもので はなく、例えば、パッシブマトリクス基板で あってもよい。

本発明の第二液晶表示装置における好ましい 形態について以下に説明する。
上記反射電極は、下部がアルミニウム又は銀 を含んで構成され、上部が第六族元素を含ん で構成されることが好ましい。
上記反射電極の上部は、厚さが60Å以下であ� ��ことが好ましい。
上記背面側基板は、反射電極の下部の背面側 に、第六族元素を含んで構成される保護導電 層を有することが好ましい。
上記反射電極は、第六族元素を含んで構成さ れる単層であることが好ましい。
上記透過電極は、液晶層側の表面が第六族元 素を含んで構成されることが好ましい。
上記透過電極は、酸化インジウム、酸化亜鉛 、酸化錫、酸化インジウム錫又は酸化インジ ウム亜鉛からなる群より選択された少なくと も一種の材料を含んで構成されることが好ま しい。
上記背面側基板は、透過電極及び反射電極上 に配向膜を有し、上記配向膜を介して測定さ れた透過電極と反射電極との仕事関数の差が 0.1eV以下であることが好ましい。
これらによれば、本発明の第一液晶表示装置 における好ましい形態と同様の作用効果を得 ることができる。

本発明は更に、上記第二液晶表示装置の製 造方法であって、上記製造方法は、反射電極 のパターニングを一括して行う工程を含む液 晶表示装置の製造方法でもある。これによれ ば、本発明の第一液晶表示装置の製造方法と 同様の作用効果を得ることができる。