本发明涉及液晶显示领域， 更具体的说， 涉及一种液晶基板及其制作方法、 液晶显示装置。

【背景技术】

传统的 LCD ( liquid crystal display ) 制程中薄膜晶体管 （TFT, thin film transistor )和彩色滤光片 （Color filter )制程中所用透明电极为氧化铟锡（ ITO ), 近年来铟的价格上涨， 造成 LCD的成本上升， 而且采用氧化铟锡（ITO )制作 透明电极需要使用物理气相沉积（ PVD )工艺，制程复杂，物理气相沉积（ PVD ) 设备昂贵， 进一步增加了 LCD的成本， 在目前日益成熟之液晶显示面板制造过 程中， 成本与产能是提升竟争力的重要因数， 成本上升显然不利于产品的销售。 另外， 物理气相沉积 （PVD )制程会产生大量废液， 容易污染环境， 特别是金 属铟具有一定毒性， 长期使用会对工人的健康构成威胁， 如果废液处理不当危 害更为严重。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是提供一种低成本 、 环保的液晶基板及其制作 方法、 液晶显示装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种液晶基板， 包括电极， 其特征在于， 所述电极由透明导电胶体制成。 优选的， 所述透明导电胶体为纳米银胶。 此为一种具体的透明导电胶体材 料。

优选的， 所述透明导电胶体为碳纳米管胶体。 此为另一种具体的透明导电 胶体材料。 优选的， 所述液晶基板包括阵列基板， 所述阵列基板包括薄膜晶体管， 所 述电极为薄膜晶体管的像素电极。 此为一种具体的电极形式。

优选的， 所述液晶基板包括彩色滤光板， 所述电极为彩色滤光板的公共电 极。 此为另外一种具体的电极形式。

一种液晶基板的制造方法， 包括以下步骤：

A: 在电极所在位置涂布透明导电胶体后进行干燥 处理；

B: 用激光蚀刻出电极形状。

优选的， 所述的液晶基板为阵列基板， 所述步骤 A为所述阵列基板的最后 一道制程， 所述透明导电胶体为纳米银胶。 此为一种具体的阵列基板中像素电 极的制作方法。

优选的， 所述的液晶基板为彩色滤光板， 所述步骤 A中包括： 在彩色滤光 板依次制备黑色矩阵， 三基色色阻后， 然后在公共电极的相应位置涂布碳纳米 管透明导电胶体。 此为一种具体的彩色滤光板中公共电极的制作 方法。

优选的， 所述的液晶基板为阵列基板， 在边界电场切换 （FFS : fringe field-switching )模式中， 所述步骤 A为所述阵列基板的第一道制程和最后一道 制程，所述透明导电胶体为碳纳米管透明胶体 。此为在边界电场切换（FFS: fringe field-switching )模式中， 一种具体的阵列基板中像素电极的制作方法。

一种液晶显示装置， 包括上述的液晶基板。

发明人通过研究发现， 透明导电胶体在穿透率和导电性能方面均有一 定优 势， 而且无需采用物理气相沉积（PVD )来蚀刻， 因此完全可以应用到 LCD领 域。 本发明采用透明导电胶体代替氧化铟锡（ITO )薄膜做电极， 透明导电胶体 (例如纳米银胶、 碳纳米管胶体等） 经涂布、 固化后成膜， 成本低廉， 工艺筒 单， 只需经过涂布、 烘干后即可蚀刻， 减少氧化铟锡（ITO )制备中物理气相沉 积（PVD )所需设备的成本； 并且有效利用工厂（FAB )空间， 减少铟锡等金属 的使用， 减少制作 LCD的设备成本和废液处理， 以及减少制程时间提高产出数 量。 【附图说明】

图 1是本发明实施例一的结构示意图；

其中： 132、栅极； 138、有源层的非晶硅层； 140a/b、有源层的晶硅层； 134、 源极； 136、 漏极； 148、 像素电极。

【具体实施方式】

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一 步说明。

如图 1 所示， 一种液晶显示装置， 包括一种液晶基板， 该液晶基板包括电 极， 所述电极由透明导电胶体制成。 所述透明导电胶体可以采用纳米银胶、 碳 纳米管胶体等具备优良导电性能的透明胶体。 所述液晶基板包括阵列基板和彩 色滤光板， 所述阵列基板包括薄膜晶体管， 而薄膜晶体管上有像素电极； 所述 液彩色滤光板上有公共电极， 这些电极都可以采用所述透明导电胶体制作。

物理气相沉积 （PVD )设备昂贵， 采用透明导电胶体做电极材料， 可以使 设备经费降低， 并且有效利用工厂（FAB )空间， 减少铟锡等金属的使用， 减少 制作 LCD的设备成本和废液处理。

一种液晶基板的制造方法， 包括以下步骤：

A: 在电极所在位置涂布透明导电胶体后进行干燥 处理；

B: 用激光蚀刻出电极形状。

下面结合具体实施例进一步介绍本制造方法：

实施例一

所述步骤 A包括： 在阵列基板最后一道制程中涂布纳米银胶。

如图 1 所示， 在阵列基板最后一道制程中涂布纳米银胶， 经自然风干或烘 干后， 采用激光蚀刻出电极形状； 所述薄膜晶体管包括栅极 132, 其上依次包 括有源层的非晶硅层 138 ( a-Si )、 有源层的晶硅层 140a/b ( n+Si )、 源极 134、 与源极 134处于同一层的漏极 136, 与漏极 136连接的像素电极 148; 所述像素 电极 148为纳米银胶， 经烘干、 蚀刻后代替氧化铟锡（ITO )做电极。 实施例二

所述步骤 A包括： 在彩色滤光板依次制备黑色矩阵， 三基色色阻后， 最后 涂布碳纳米管透明导电胶体。

在彩色滤光板（Color filter )依次制备黑色矩阵（BM ), 三基色（RGB ) 色 阻或四色 (RGBY)或四色 （RGBW ), 最后涂布碳纳米管透明导电胶体， 经自然 风干或烘干后， 采用激光蚀刻狭缝（ slit )。

实施例三

所述步骤 A包括： 在边界电场切换（FFS: fringe field-switching )模式中， 阵列基板上第一道制程和最后一道制程涂布碳 纳米管透明胶体。

在边界电场切换（FFS: fringe field-switching )模式中， 阵列基板上第一道 制程和最后一道制程采用碳纳米管透明胶体涂 布， 经烘干、 蚀刻后代替 ITO做 电极。 所谓边界电场切换（FFS: fringe field-switching )模式， 是指采用透明导 电材料作为像素电极， 驱动电场以横向电场为主， 同时增加了垂直电场分量的 模式。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明 所作的进一步详细说明， 不 能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。 透明导电胶体除了上述的纳米银 胶、 碳纳米管胶体， 还可以采用其它透明导电胶体， 对于本发明所属技术领域 的普通技术人员来说， 在不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干筒单推 演或替换， 都应当视为属于本发明的保护范围。