次に、本発明にかかる磁気ディスク用基� ��、およびこれを用いた磁気ディスクの実施� ��態について説明する。なお、以下の実施例� ��示す寸法、材料、その他具体的な数値など� ��、発明の理解を容易とするための例示に過� ��ず、特に断る場合を除き、本発明を限定す� ��ものではない。

 まず、図1及び図2を参照して、本発明の� �徴を説明するために使用する「乖離部」及� �「極部」等について説明する。

 図1は磁気ディスク用基板の端部形状の一 例であるスキージャンプ形状とロールオフ形 状について説明する側面図である。

 上記磁気ディスク用基板10は、円板形状� �しており、その中心には円孔が形成されて� �る。そして、磁気ディスク用基板10は、図1� �示すように、情報の記録再生領域となる主� �面11と、当該主表面11に対して直交している� ��面12と、当該主表面と端面との間に介在し� �いる面取面13とを備えている。なお、後述す る端面研磨工程により端面12と面取面13との� �界が不明瞭になる場合もあるため、本発明� �端面12とその両側の面取面13があわせて一つ� ��曲面を構成する場合も含むものとする。

 主表面は、情報を記録再生するための領� ��であるため、記録ヘッドが浮上走行するた� ��に実質的に平坦になっている。しかし、上� ��ガラス基板10を製造する上で、上記主表面� �周縁には、例えば、ガラス基板の主表面に� �ける中心部分と比べて、当該主表面に対し� �隆起または沈降している乖離部14が形成され ることになる。この乖離部14は、ガラス基板� ��おける主表面の内周端部側と外周端部側の� ��方に形成されている。

 図1(a)に示すように、スキージャンプ形状 は主表面11の外縁部分が隆起する形状であり� ��図1(b)に示すように、ロールオフ形状はガラ ス基板10の外縁部分が沈降する形状である。

 図2は任意の2点間を結ぶ直線からの最大� �離値を用いて測定する例である。すなわち� �任意の2点間を結ぶ直線を基準面とし、この� ��準面から見た隆起または沈降の最大点であ� ��極部15の大きさ(最大乖離値)を測定すること により、評価を行うものである。

 2点間の最大乖離値は、図2に示すように� �任意の2点R1、R2を結んだ直線と、その範囲内 における正方向の最大距離である。そして2� �R1・R2を、スキージャンプ形状の頂点である� ��部15を含み、かつ、上記2点を結んだ直線か� ��の最大距離が、上記極部15側になるように� �当該2点の位置を設定することにより、上記� ��部15の状態を測定することできる。

 上記任意の2点R1、R2の設定としては、具� �的には、例えば外径サイズが2.5インチ(外径6 5mmφ)の基板の場合、ガラス基板の中心からの 距離をそれぞれ29.9mm(R1)、31.5mmの点(R2)のよう� ��定めることができる。換言すると、上記任� ��の2点を、基板の中心から基板端面までの距 離を100%としたとき、基板中心から、92%の位� �と97%の位置とを2点として定めることもでき� ��。そして、この2点間に、磁気ディスク用基 板の乖離部(隆起部または沈降部)14が存在し� �いる。また、この2点のうちの基板中心から� ��い地点は、磁気ヘッドが浮上走行する領域� ��ある。

 なお、以下に述べる実施形態においては� ��上記のように主表面内の周縁に該周縁以外� ��平坦面に対して形成された隆起または沈降� ��、総じて主表面の平坦面に対する「乖離」� ��称する。そして、この乖離が形成された部� ��を乖離部14と称することとする。なお図1お� ��び図2を参照すればわかるように、最も大き な乖離を呈している位置が極部15である。

[第1の実施形態]
 まず、本発明の第1の実施形態について説明 する。

 (磁気ディスク用基板)
 発明者らは、スキージャンプまたはロール� ��フに起因する磁気ディスク主表面の凹凸を� ��減し、高速回転させてもクラッシュ障害の� ��生を抑止しうる磁気ディスクを提供するた� ��に鋭意検討した結果、同じ基板であっても� ��周方向に異なる位置にあってはスキージャ� ��プまたはロールオフの様子が異なることを� ��出し、前述した本発明の第1の態様を完成す るに到った。

 すなわち、従来からもガラス基板を出荷� ��る前に、周縁部分の形状を測定することに� ��ってガラス基板が良品であるか否かを判断� ��ていた。しかしガラス基板は安価かつ大量� ��生産しなくてはならず、また検査した基板� ��出荷製品とできないことから(破壊試験)、� �ットから数枚のサンプルを抜き出して、そ� �ぞれ1つの位置についてのみを測定していた� ��そして測定した結果、良品と判定されたガ� ��ス基板を用いて磁気ディスクを製造した場� ��であっても、グライドテストで不良品と判� ��されるガラス基板が多い場合と少ない場合� ��あることが分かった。

 そこで、発明者らが詳細に検査したとこ� ��、円周方向に複数の位置で端部形状を測定� ��ると、位置によって極部15の位置および大� �さが異なっていることがわかった。そのた� �、検査をパスしたロットであっても、いざ� �気ディスクにして磁気ディスク装置に組み� �むと、所望の性能を発揮できない場合があ� �ことがわかった。その一方で、ガラス基板� �主表面の周縁に形成された極部15の大きさ、 換言すると、主表面の端部に形成されたスキ ージャンプ(隆起)の最大値が円周方向で略同� ��であるガラス基板を磁気ディスクにして磁� ��ディスク装置に組み込むと、ヘッドクラッ� ��ュを引き起こすことがないことがわかった� ��

 そこで本実施形態においては、乖離が形� ��された乖離部14をガラス基板10の全周に亘っ て形成し、かつ乖離部14における隆起または� ��降の最大値である乖離の大きさを、ガラス� ��板10の全周に亘って略均一とした。換言す� �ば、ガラス基板10の主表面11は面取面との間� ��該主表面に対して隆起または沈降した乖離� ��14を有し、ガラス基板の主表面を平面視し� �場合に、乖離部14が主表面を略均一な高さで 包囲させた。これについて以下に説明する。

 次に本実施形態にかかる磁気ディスク用� ��板を製造するための製造方法について説明� ��る。

 磁気ディスク用基板は、様々な工程を経� ��製造される(詳細については後述する)が、� �実施形態にかかる磁気ディスク用基板のよ� �に、主表面の周縁部に、当該ガラス基板の� �心から略同じ距離に乖離部(隆起部または沈� ��部)14の頂点である極部15を有するものを製� �する場合には、特に、最終研磨工程(第2研磨 工程)が重要になる。なお、主表面の周縁部� �上記隆起部が形成されるか、上記平坦面に� �して沈降している沈降部が形成されるのか� �ついても、上記最終研磨工程の研磨条件に� �ってその大部分が決定される。なお、以下� �説明では、隆起部を形成するための条件に� �いて説明する。

 記憶密度の向上に伴い、求められる上記� ��起部の高さは一段と低くなってきており、� ��の形状・大きさが決定する要因のほとんど� ��最終研磨工程の研磨条件に依存している。

 そして、最終研磨工程における様々な研� ��条件の多くが、上記隆起部の形状・大きさ� ��影響を与えているが、なかでも特に、加工� ��ート(加工速度)と加工圧とが影響している� �

 以下に、遊星歯車方式の研磨装置を使用� ��てガラス基板の主表面を研磨する最終研磨� ��程について説明する。なお、上記最終研磨� ��程を行うためには、遊星歯車方式の研磨装� ��を使用しなくても行うことができることは� ��うまでもない。例えば、枚葉式の研磨装置� ��用いて上記ガラス基板に対して最終研磨工� ��を行っても良い。

 最終研磨工程では、当該ガラス基板の両� ��表面を研磨パッドで押圧しながら、研磨パ� ��ドとガラス基板とを相対的に移動させるこ� ��により、上記ガラス基板の研磨を行う。こ� ��とき、単位時間当たりの取代が加工レート� ��あり、ガラス基板を押圧する圧力が加工圧� ��ある。

 そして、本実施形態にかかる磁気ガラス� ��板を製造するためには、加工レートを0.20μm /分~0.45μm/分の範囲内とし、かつ、加工圧を8. 0Pa~10.5Paの範囲内とすることが好ましい。他� �研磨条件は影響が比較的小さいために限定� �ではないが、例えば2.5インチ型ディスク(φ65 mm)の場合、研磨パッドの硬度を85(アスカーC� �度)、研磨材の粒径を1.0(μm)とすることがで� �る。上記の条件を外れて研磨が行われた場� �には、端部の形状が悪化したり、ガラス基� �が割れるおそれがある。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��板を製造するためには、最終研磨工程にお� ��て、研磨加工を目的とした加工圧(本加工圧 )で基板を研磨した後、この本加工圧よりも� �い(例えば、1Pa以下)の加工圧で基板を研磨す ることがより好ましい。特に、本加工圧で基 板を研磨する研磨時間の約半分程度の時間、 この低い加工圧で研磨することが好ましい。 このようにすることで、端部形状の円周方向 のバラツキを低減させることができる。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��板を製造するためには、化学強化処理が可� ��なガラス基板に対して、化学強化処理を行� ��た後に、基板主表面を研磨することで、磁� ��ディスク用ガラス基板を得ることが好まし� ��。化学強化処理(イオン交換処理)を施した� �合、端部形状が研磨後よりも粗くなる場合� �ある。このため端部形状の円周方向のバラ� �キを低減させる場合には、化学強化処理を� �した後で研磨処理を施したほうが、端部形� �の円周方向のバラツキが低減された磁気デ� �スク用ガラス基板を高歩留まりで生産する� �とができる。なお、化学強化処理後に主表� �研磨処理を施したガラス基板は、基板表面� �少なくとも一部の表面にイオン交換層を有� �るガラス基板であって、イオン交換層の層� �が端面のほうが主表面よりも厚くなってい� �。

 また、化学強化処理後に主表面研磨処理� ��施したガラス基板は、主表面の粗さを低減� ��るためにも好ましい。特に、近年の垂直磁� ��記録方式で要求される基板の表面粗さは、� ��来と比べて著しく下がってきている。この� ��求を満たすためには、化学強化処理後に主� ��面研磨処理を施したガラス基板とすること� ��好ましい。

 なお、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板のAFM(電子顕微鏡)を用いて測定した表� �粗さRaが0.15nm以下であることが好ましい。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板を製造するためには、遊星歯車方式の� ��磨装置を使用して最終研磨を行う場合には� ��キャリアの自転回数と装置内を公転する公� ��回数との関係も重要になってくる。

 遊星歯車方式においては、複数枚のガラ� ��基板がキャリアに保持される。そして、こ� ��保持されたガラス基板はキャリアと共に、� ��の上下面に研磨パッドが圧接される。そし� ��この状態で、キャリアが自転しながら公転� ��ることによって上記ガラス基板は研磨され� ��。すなわち、ガラス基板と研磨パッドとの� ��対移動の方向は、ランダムであることによ� ��平均化されるものの、ガラス基板の円周方� ��とは全く関係しない。このためガラス基板� ��外縁部分に形成されるスキージャンプ等は� ��その半径方向の位置や大きさが、円周方向� ��位置においてばらつきが生じてしまう。

 そこで、この円周方向のバラツキを少な� ��するためには、キャリアの自転回数と公転� ��数との比を0.125~8の範囲内と設定することが 好ましい。この範囲を越えた条件で研磨を行 った場合には、ガラス基板の周縁に形成に形 成されるスキージャンプ(隆起部)の形状が円� ��方向で乱れてしまうことが多い。

 そして、上記ガラス基板の主表面と直交� ��る方向から当該ガラス基板を見たとき、上� ��乖離の大きさ(高さ)が円周方向においてば� �ついた場合には、磁気ディスクが回転して� �録ヘッド(磁気ヘッド)が走査した際に激しい 上下変動が生じることになり、記録ヘッドの 浮上飛行が不安定化する。記録ヘッドが上記 乖離の大きさの変動に追従できなければ、ヘ ッドクラッシュが起きることになる。

 これについて詳細に説明すると、記録ヘ� ��ドが、磁気ディスク上を浮上飛行する場合� ��当該記録ヘッドは、乖離の大きさの変動が� ��きい場合でも、その変動の割合が小さい(ゆ るやかである)場合には追従が可能である。� �かし、微少な飛行距離の間に大きな乖離の� �動があった場合には、クラッシュを引き起� �すことになる。つまり、本実施形態にかか� �磁気ディスク用基板は、ヘッドが高速で浮� �飛行する場合には、特に好適な形態となる� �

 一方、上記構成のように乖離部14の乖離� �大きさをガラス基板の全周に亘って略均一� �形成したことにより、仮にスキージャンプ� �ロールオフが発生していたとしても、記録� �ッドが走査する際に常に極部15の峰の上を通 過するのであれば、クラッシュ障害を発生す るほどの高低差はないと考えられる。すなわ ち本発明は、円周方向における基板表面の高 さ変動こそが重要であることに着目している 。

 従って本実施形態の構成によれば、磁気� ��ィスク用基板の特に外縁部分において、円� ��方向の粗さやうねりを低減し、平坦度を向� ��させることができる。従って、スキージャ� ��プやロールオフが発生しているにもかかわ� ��ず、磁気ヘッドの浮上姿勢が乱されるとい� ��ことがなく、磁気ディスクを高速回転させ� ��場合であっても磁気ディスクと磁気ヘッド� ��が接触するおそれがない。これにより、磁� ��ディスクを磁気ディスク装置に組み込んだ� ��の信頼性を飛躍的に高めることができる。� ��た、ロードアンロード方式における磁気ヘ� ��ドの通過に対しても、磁気ヘッドの浮上姿� ��が特に磁気ディスクの外縁部分で乱された� ��、磁気ディスクと接触したりするおそれが� ��いため、安定して記録ヘッドが磁気ディス� ��端部を通過することができ、極めて好適で� ��る。

 乖離の大きさは、任意の半径位置の円周� ��向において略均一であることが好ましい。� ��気ヘッドは磁気ディスク上を主に円周方向� ��走査するため、円周方向において略均一で� ��ることにより、より磁気ディスクと磁気ヘ� ��ドとの接触を防止することができる。

 ここで「円周方向において略均一」とは� ��真円度を上記範囲とし、記録ヘッドのディ� ��ク半径方向に対する大きさを考慮して、0.02 mm+1.00mm(記録ヘッドのピコスライダーの幅)=1.0 2mmとすることが好ましい。

 具体的には、例えばガラス基板について� ��離部14を円周方向に30°ごとに12点を測定し� �場合に、乖離の大きさの変動が5nm以下とす� �ことができる。このような範囲とすること� �より、本発明の効果をより確実に得ること� �できる。

 さらに、乖離部14における隆起または沈� �が最大となる極部15は、ガラス基板の中心か ら略同じ距離にあることが好ましい。乖離の 大きさが全周に亘って略均一であったとして も、中心からの距離に乱れがあれば、円周方 向において略均一とならないからである。

 具体的には、主表面において、乖離部14� �おける隆起または沈降が最大となる極部15に よって形成される円の真円度は600μm以内にす るとよい。400μm以内とすればより好ましい。 さらに理想的には200μm以内であることが好ま しい。真円度が低くなる(値が大きくなる)と� ��仮に極部15の乖離の大きさが均一であって� �、円周方向に見て乖離の大きさが略均一と� �らなくなる。換言すれば、ガラス基板の中� �から所定の半径位置(乖離部14が存在してい� �位置)における断面を見たとき、ガラス基板� ��回転させると、乖離部14の極部15の大きさ(� �えば、隆起部の高さ)が変動することになる� ��つまり、記録ヘッドが、上記所定の半径位� ��を浮上飛行している場合に、当該記録ヘッ� ��が上記乖離部14の大きさの変動に追従でき� �ければ、ヘッドクラッシュが起きることに� �る。しかし真円度を上記範囲とすることに� �り、記録ヘッドの大きさに対して円周方向� �乖離の大きさを略均一とすることができる� �

 また、ガラス基板の中心に形成された円� ��と、乖離部14における隆起または沈降が最� �となる極部15によって形成される円との同芯 度は1200μm以内にするとよい。1000μm以内とす� ��ばより好ましい。さらに理想的には800μm以� ��であることが好ましい。同芯度が低くなる( 値が大きくなる)と、仮に極部15の乖離の大き さが均一であっても、円周方向に見て乖離の 大きさが略均一とならなくなる。しかし同芯 度を上記範囲とすることにより、記録ヘッド の大きさに対して円周方向の乖離の大きさを 略均一とすることができる。

 また本実施形態にかかる磁気ディスク用� ��板は、5400rpm以上の回転数で回転させる磁気 ディスク装置用に搭載するためのガラス基板 として使用されることが好ましい。回転数が 5400rpm以上の回転数で回転させる磁気ディス� �装置に搭載しても、もちろん問題ないが、� �に高速回転させる磁気ディスク装置の場合� �は、本実施形態にかかる磁気ディスク用基� �を用いた場合の効果が、本発明以外の磁気� �ィスク用基板と比べて顕著に現れることに� �る。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、当該ガラス基板の周縁に存在する� ��離部14を、磁気ヘッドが20.0m/秒以上の線速� �で走行する磁気ディスク装置に搭載するた� �のガラス基板として使用されることが好ま� �い。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、タッチダウンハイト(TDH)が、3~4nm以 下の磁気ディスクに用いられるものであるこ とが好ましい。タッチダウンハイトが低いと 、上記ガラス基板上に形成されている乖離の 変動が大きい場合にクラッシュを引き起こし やすい。しかし本実施形態の磁気ディスク用 基板を用いることで、乖離部14の変動を従来� ��りも一層小さくすることができるので、磁� ��ヘッド(記録ヘッド)の浮上量を小さくして� �、磁気ヘッドがクラッシュすることを抑制� �きる。

 また本実施形態にかかる磁気ディスク用基� ��は、記録密度が200GBit/inch ² 以上、さらに好ましくは250GBit/inch ² 以上の高い記録密度の磁気ディスクに用いら れるものであることが好ましい。このように 高い記録密度である場合には記録ヘッドの浮 上量をより一層小さくする必要があるが、本 実施形態の磁気ディスク用基板を用いること で、記録ヘッドの浮上量をより一層低減でき るため、クラッシュを抑制することができる 。なお、記録密度が上記よりも小さい磁気デ ィスクに用いられるガラス基板、または、タ ッチダウンハイトが上記よりも大きい磁気デ ィスクを製造するための磁気ディスク用基板 においても、本発明にかかる磁気ディスク用 基板が好適に適用できることはいうまでもな い。

 なお、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、平坦な主表面、端面、および当該� ��表面と端面との間に存在する面取面とを備� ��るとともに、主表面の周縁部には当該周縁� ��を除く平坦面と直交する方向に隆起してい� ��隆起部が存在している、円板状の磁気ディ� ��ク用基板であって、ガラス基板の主表面を� ��面視した場合に、上記隆起部は、上記主表� ��を包囲してなり、上記隆起部は、上記主表� ��を略均一な高さで包囲していてもよい。

 また、ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、乖離部14の最大点は、当該ガラス基� �の中心部を基準として当該ガラス基板の外� �までの距離に対して、92.0~97.0%の範囲内に存� ��していてもよい。

 また、上記ガラス基板の主表面を平面視� ��た場合に、上記隆起部の極部15は、上記主� �面を円形に包囲してなり、上記極部15により 形成される円の真円度は600μm以内であること が好ましい。

 また、上記ガラス基板は中心部に円孔を� ��し、上記ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、上記隆起部の極部15は、上記主表面� �円形に包囲してなり、上記極部15により形成 される円と上記中心部の円孔により形成され る円との同芯度は1200μm以内であることが好� �しい。

 また、円板状のガラス基板であって、上� ��ガラス基板は平坦な主表面と、端面と、上� ��主表面と端面との間に介在する面取面とを� ��え、上記ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、上記主表面と面取面との間には、上� ��主表面に対して沈降した沈降部を有し、上� ��ガラス基板の中心から所定距離離間した位� ��における上記沈降部の主表面からの深さは� ��均一とされていてもよい。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、少なくとも端面が化学強化された� ��のであることが好ましく、基板前面(全表面 )が化学強化されたものであることがより好� �しい。換言すると、上記磁気ディスク用基� �は、その表面に圧縮応力層が形成されてい� �ことがより好ましい。特に、上記磁気ディ� �ク用基板を、高速回転(例えば、10000rpm)で回� ��する磁気ディスク装置に組み込む場合や、� ��バイル用途で使用される磁気ディスク装置� ��組み込む場合には、ガラス基板に対して耐� ��撃性が求められるため、ガラス基板表面に� ��縮応力層を形成することが好ましい。なお� ��ここで化学強化とは、化学強化塩を含有す� ��化学強化処理液にガラス基板を接触させる� ��とにより、ガラス基板の中に含まれる一部� ��イオンを、そのイオンより大きなイオン径� ��化学強化処理液中のイオンに置換すること� ��よりガラス基板を強化する処理のことであ� ��。

 (磁気ディスク)
 そして、上記磁気ディスク用基板上に磁性� ��を形成することで、本実施形態にかかる磁� ��ディスクを製造することができる。この磁� ��ディスクの主表面の形状は、上記磁気ディ� ��ク用基板の上に磁性膜を形成するため、当� ��ガラス基板の影響を多大に受けることとな� ��。つまり、磁気ディスクにおける主表面の� ��状を向上させるためには、上記ガラス基板� ��主表面の形状を向上させる必要がある。従� ��て、磁気ディスク用基板として、本実施形� ��に開示したものを使用することで、主表面� ��特に周縁部の形状を向上させた磁気ディス� ��を製造することができる。なお、磁気ディ� ��クの製造方法については公知のため、ここ� ��の説明は省略する。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、その外縁を経由して磁気ヘッドが主表面� ��対してロード及びアンロードされるロード� ��ンロード方式の磁気ディスク装置に搭載さ� ��る磁気ディスクであってもよい。ガラス基� ��の外縁部分の平坦度が高いことから、ロー� ��アンロード方式に適した磁気ディスクとす� ��ことができる。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、少なくとも5400rpm以上の回転数で磁気ディ スクを回転させる磁気ディスク装置に搭載す るための磁気ディスクであってもよい。さら には、7200rpm以上、10000rpm以上の速度の磁気デ ィスク装置であっても、好適に用いることが できる。ガラス基板の外縁部分の平坦度が高 いことから、高速回転させた場合であっても 磁気ディスクと磁気ヘッドとが接触するおそ れがなく、信頼性が高いためである。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、接触摺動型記録媒体(接触記録型記録媒体 )であってもよい。接触摺動型記録媒体は、� �録ヘッドを磁気ディスクに接触摺動させた� �態で読み書きするため、上記のように磁気� �ィスク用基板の特に外縁部分の円周方向の� �坦度を向上させることにより、記録ヘッド� �跳ねてしまうことを防止することができる� �これにより信号品質を向上し、記録ヘッド� �損傷を防止することができる。

 (磁気ディスク装置)
 そして、上記磁気ディスクを搭載すること� ��磁気ディスク装置(ハードディスクドライブ )を構成することができる。そして、上記磁� �ディスク用基板を搭載した磁気ディスク装� �は、特に高速回転により、情報の記録再生� �行う場合に特に好適である。

 なお、上記磁気ディスク用基板の外周端� ��を中心に説明しているが、内周端面につい� ��も、上記のように乖離部14が形成されてい� �。そして、この乖離部14における隆起が最大 となる極部15は、当該ガラス基板の中心から� ��同じ距離にあることが好ましいことは言う� ��でもない。

 (磁気ディスク用ガラス基板の製造管理方法 )
 上記説明においては、ガラス基板上の複数� ��異なる位置においてダブオフやスキージャ� ��プなどを測定することにより、ガラス基板� ��全体的な乖離の状態について評価を行う構� ��として説明した。しかし、ダブオフやスキ� ��ジャンプなどの測定は所要時間が長く、1つ の位置について5分程度を要するのが現状で� �る。従って上記実施例のように12点について 測定するとすれば、1枚の基板について1時間� ��要することとなる。ガラス基板は安価に大� ��生産しなくてはならないため、可能な限り� ��駄な測定は省略することが好ましい。

 そこで、実際に磁気ディスク用ガラス基� ��を製造する際には、基板面内に存在する乖� ��(隆起または沈降)のうちの極大値が所定値� �下の場合だけ、基板面内における上記乖離� �バラツキを測定して、良品・不良品の判断� �行ってもよい。より詳細には、乖離の大き� �を測定する測定工程を、乖離(隆起または沈� ��)が最大となる位置を測定する位置測定工程 と、詳細な乖離の大きさを測定する値測定工 程とに分けることでもよい。位置測定工程は 、例えば値測定工程よりも解像度の低い測定 方法で、迅速かつ広範囲に測定することが考 えられる。この位置測定工程においては、解 像度が低いながらも、ある程度の精度で乖離 の大きさを測定することができる。従って、 乖離の大きさが明らかに良品の範囲を超えて いる場合には、その基板については詳細な測 定をする必要がない。一方、乖離の大きさが 良品の範囲と位置測定工程の誤差範囲とをあ わせた範囲内にあるときには、値測定工程と して上記実施例のように12点について測定す� ��ことでよい。

 位置測定工程は、具体的には、例えば解� ��度の低い光干渉式表面形状測定装置としてO ptiFlat(Phase Shift Technorogy社製)を用いてガラス 基板を全体的に走査し、最も乖離の大きい位 置を特定することができる。値測定工程は、 例えば解像度の高い光干渉式表面形状測定装 置としてMicroXam(同社製)を用いて、詳細な乖� �の大きさを測定することができる。

 上記のように構成することにより、明ら� ��に無駄な測定を排除することができ、検査� ��程の所要時間を削減することができる。

 さらには、位置測定工程でガラス基板の� ��離の大きさが最大である位置を把握した後� ��、値測定工程として一点のみ、その位置に� ��ける乖離の大きさのみを測定することでも� ��い。

 そして判断工程において、測定された最� ��の乖離の大きさを所定値と比較することに� ��り、ガラス基板が良品であるか否かを判断� ��ることができる。乖離値としてダブオフを� ��いる場合には、乖離値が±10nm以下、好まし� ��は±7nm以下、さらに好ましくは±5nm以下であ る。なお乖離値の測定範囲は、ガラス基板の 中心から端部までの距離を100%とした場合に� �ける中心から92.0~97.0%の範囲と設定すること� ��できる。

 このように、基板の中で最も大きな乖離� ��みを測定することにより、複数の位置で測� ��を行う必要がなくなる。このため迅速に判� ��を行うことができ、検査工程の時間短縮を� ��ることができる。

 なお、本発明にかかる基板は、ガラス(ア モルファスガラスやガラスセラミクス(結晶� �ガラス)を利用できる。板状ガラスの材料と� ��ては、アルミノシリケートガラス、ソーダ� ��イムガラス、ボロシリケートガラス等)であ ると説明した。しかし本発明は磁気ディスク 用基板の形状に関するものであるため、磁気 ディスク用基板の材質に限定されるものでは なく、例えばアルミニウムその他の材料から なる基板であっても本発明を好適に適用する ことができる。ただし上述したように、特に 携帯機器においては、アルミニウム基板に比 べ基板表面の平坦度及び基板強度に優れたガ ラス基板が好ましい。

 また、本発明にかかる磁気ディスク用基� ��は、略平坦な主表面と、端面と、前記主表� ��と端面との間に形成した面取面とを備えた� ��気ディスク用基板であって、前記主表面の� ��縁に該周縁以外の平坦面に対して隆起また� ��沈降した乖離部14を備え、前記乖離部14は、 主表面の円周方向に連続的に形成されており 、該乖離部14の前記主表面と直交する方向の� ��大高さ(最大乖離値)が、当該基板の全周に� �って略均一に形成されている構成であって� �よい。

 また、上記乖離部14は、中心に内孔が形� �された円盤形状である磁気ディスクの主表� �の外周周縁に形成されていてもよく、内周� �縁に形成されていてもよく、両方に形成さ� �ていてもよい。そして、本発明において乖� �部14が内周周縁と外周周縁との両方に形成さ れている場合には、少なくとも一方の乖離部 14が、上述した形状であればよいが、特に記� ��ヘッドの線速が早い外周周縁が上述した形� ��であることが好ましい。

 また、本実施形態の磁気ディスク用基板� ��用いて、磁気ディスクを製造することによ� ��、タッチダウンハイト(TDH)の基板の半径方� �のバラツキが小さい磁気ディスクとするこ� �ができる。このように基板の端部形状のバ� �ツキを低減させることにより、ディスクの� �外周付近における磁気ヘッドの浮上特性を� �上させることができる。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、DFH(dynamic flying height)ヘッド対応の 磁気ディスクの基板として用いられることが 好ましい。DFHヘッドを用いた場合、磁気ディ スク表面とヘッドの最近接部との距離が従来 よりも著しく低い。しかし本実施形態の磁気 ディスク用基板は、うねりの高さを20μm以下� ��さらには12μm以下とすることができる。ま� �基板主表面の表面粗さは0.15nm以下、さらに� �0.12nm以下とすることができる。したがって� �上記磁気ディスク用基板を磁気ディスクに� �用した場合には、DFHヘッドのクラッシュを� �り一層低減させることができる。

 (実施例)
 以下に、本発明を適用した磁気ディスク用� ��板および磁気ディスクの製造方法について� ��施例を説明する。この磁気ディスク用基板� ��よび磁気ディスクは、3.5インチ型ディスク( φ89mm)、2.5インチ型ディスク(φ65mm)、0.8インチ 型ディスク(φ21.6mm)、1.0インチ型ディスク(φ27 .4mm)、1.8インチ型磁気ディスク(φ48mm)などの� �定の形状を有する磁気ディスクとして製造� �れる。

(1)形状加工工程および第1ラッピング工程
 本実施例に係る磁気ディスク用基板の製造� ��法においては、まず、板状ガラスの表面を� ��ッピング(研削)加工してガラス母材とし、� �のガラス母材を切断してガラスディスクを� �り出す。板状ガラスとしては、様々な板状� �ラスを用いることができる。この板状ガラ� �は、例えば、溶融ガラスを材料として、プ� �ス法やフロート法、ダウンドロー法、リド� �ー法、フュージョン法など、公知の製造方� �を用いて製造することができる。これらの� �ち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉� �に製造することができる。板状ガラスの材� �としては、アモルファスガラスやガラスセ� �ミクス(結晶化ガラス)を利用できる。板状ガ ラスの材料としては、アルミノシリケートガ ラス、ソーダライムガラス、ボロシリケート ガラス等を用いることができる。特にアモル ファスガラスとしては、化学強化を施すこと ができ、また主表面の平坦性及び基板強度に おいて優れた磁気ディスク用基板を供給する ことができるという点で、アルミノシリケー トガラスを好ましく用いることができる。

 本実施例においては、溶融させたアルミノ� ��リケートガラスを上型、下型、胴型を用い� ��ダイレクトプレスによりディスク形状に成� ��し、アモルファスの板状ガラスを得た。な� ��、アルミノシリケートガラスとしては、SiO ₂ :58~75重量%、Al ₂ O ₃ :5~23重量%、Li ₂ O:3~10重量%、Na ₂ O:4~13重量%を主成分として含有する化学強化� �ラスを使用した。

 次に、この板状ガラスの両主表面をラッ� ��ング加工し、ディスク状のガラス母材とし� ��。このラッピング加工は、遊星歯車機構を� ��用した両面ラッピング装置により、アルミ� ��系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、� ��状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押� ��させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラス� ��主表面上に供給し、これらを相対的に移動� ��せてラッピング加工を行った。このラッピ� ��グ加工により、平坦な主表面を有するガラ� ��母材を得た。

(2)切り出し工程(コアリング、フォーミング� �チャンファリング)
 次に、ダイヤモンドカッタを用いてガラス� ��材を切断し、このガラス母材から円盤状の� ��ラス基板を切り出した。次に、円筒状のダ� ��ヤモンドドリルを用いて、このガラス基板� ��中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基� ��とした(コアリング)。そして内周端面およ� �外周端面をダイヤモンド砥石によって研削� �、所定の面取り加工を施した(フォーミング� ��チャンファリング)。

(3)第2ラッピング工程
 次に、得られたガラス基板の両主表面につ� ��て、第1ラッピング工程と同様に、第2ラッ� �ング加工を行った。この第2ラッピング工程� ��行うことにより、前工程である切り出し工� ��や端面研磨工程において主表面に形成され� ��微細な凹凸形状を予め除去しておくことが� ��き、後続の主表面に対する研磨工程を短時� ��で完了させることができるようになる。

(4)端面研磨工程
 次に、ガラス基板の外周端面および内周端� ��について、ブラシ研磨方法により、鏡面研� ��を行った。このとき、研磨砥粒としては、� ��化セリウム砥粒を含むスラリー(遊離砥粒)� �用いた。

 そして、端面研磨工程を終えたガラス基� ��を水洗浄した。この端面研磨工程により、� ��ラス基板の端面は、ナトリウムやカリウム� ��析出の発生を防止できる鏡面状態に加工さ� ��た。

(5)主表面研磨工程
 主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を 施した。この第1研磨工程は、前述のラッピ� �グ工程において主表面に残留したキズや歪� �の除去を主たる目的とするものである。こ� �第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有� ��る両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシ� ��を用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤� ��しては、酸化セリウム砥粒を用いた。

 この第1研磨工程を終えたガラス基板を、 中性洗剤、純水、IPA(イソプロピルアルコー� �)、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

 次に、主表面研磨工程として、第2研磨工 程を施した。この第2研磨工程は、主表面を� �面状に仕上げることを目的とする。この第2� ��磨工程においては、遊星歯車機構を有する� ��面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシ� ��を用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研� ��剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリ ウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒を用 いた。

 この第2研磨工程を終えたガラス基板を、 中性洗剤、純水、IPAの各洗浄槽に順次浸漬し て、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波 を印加した。

(6)化学強化工程
 次に、前述のラッピング工程および研磨工� ��を終えたガラス基板に、化学強化を施した� ��化学強化は、硝酸カリウム(60%)と硝酸ナト� �ウム(40%)を混合した化学強化溶液を用意し、 この化学強化溶液を400℃に加熱しておくとと もに、洗浄済みのガラス基板を300℃に予熱し 、化学強化溶液中に約3時間浸漬することに� �って行った。この浸漬の際には、ガラス基� �の表面全体が化学強化されるようにするた� �、複数のガラス基板が端面で保持されるよ� �に、ホルダに収納した状態で行った。

 このように、化学強化溶液に浸漬処理す� ��ことによって、ガラス基板の表層のリチウ� ��イオンおよびナトリウムイオンが、化学強� ��溶液中のナトリウムイオンおよびカリウム� ��オンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強� ��される。ガラス基板の表層に形成された圧� ��応力層の厚さは、約100μm乃至200μmであった� ��

 化学強化処理を終えたガラス基板を、20� �の水槽に浸漬して急冷し、約10分間維持した 。そして、急冷を終えたガラス基板を、約40� ��に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った� ��さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純� ��、IPAの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。

 上記の如く、第1ラッピング工程、切り出 し工程、第2ラッピング工程、端面研磨工程� �第1および第2研磨工程、ならびに化学強化工 程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、 高剛性の磁気ディスク用基板を得た。

(7)検査工程
 得られた磁気ディスク用基板の外縁部分の� ��状について、検査を行った。検査工程は、� ��ラス基板の円周方向の複数箇所について乖� ��値および極部15を測定する測定工程と、測� �された複数の乖離値および極部15に基づいて ガラス基板が良品であるか否かを判断する判 断工程とから構成される。

(8)磁気ディスク製造工程
 上述した工程を経て得られたガラス基板の� ��面に、ガラス基板の表面にCr合金からなる� �着層、CoTaZr基合金からなる軟磁性層、Ruから なる下地層、CoCrPt基合金からなる垂直磁気記 録層、炭化水素からなる保護層、パーフルオ ロポリエーテルからなる潤滑層を順次成膜す ることにより、垂直磁気記録ディスクを製造 した。より具体的には、インライン型スパッ タリング装置を用いて、ガラス基板の上に、 CrTiの付着層、CoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、Ruの� �間層、CoCrPt-SiO ₂ のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護 膜を順次成膜し、さらに、ディップ法により パーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜して 磁気ディスクを得た。

 なお、本構成は垂直磁気ディスク(PMR:Perpe ndicular Magnetic Recording)の構成の一例であるが 、水平磁気ディスク(LMR:Longitudinal Magnetic Reco rding)として磁性層等を構成してもよい。これ により、主表面の外縁部分も高度な平坦度を 備えた磁気ディスクを製造することができる 。

(9)磁気ディスク装置製造工程
 また、上記磁気ディスクを装置に組み込む� ��とにより磁気ディスク装置を製造した。な� ��、磁気ディスク装置の構成については、公� ��であるのでここでは詳細な説明は省略する� ��

 (実施例1)
 上記(5)主表面研磨工程の第2研磨工程を、以 下に示す研磨条件を適用して、磁気ディスク 用基板、磁気ディスク、磁気ディスク装置を 製造した。なお、本実施例1では2.5インチ型� �ィスク(φ65mm)を製造した。具体的な研磨条件 は、研磨パッドの硬度を85(アスカーC硬度)、� ��磨材の粒径を1.0(μm)、加工レートを0.30(μm/� �)、加工圧を9(Pa)とした。より具体的には、� �終研磨工程における加工圧を2段階で変更し� ��9(Pa)の本加工圧で所定時間のあいだ研磨加� �した後、1(Pa)の加工圧で所定時間の半分のあ いだ研磨加工を施した。また、このときの本 加工圧と加工レートとの積(本加工圧×加工レ ート)は、2.7であった。

 (比較例1)
 上記第2研磨工程における研磨条件を以下の 条件にした以外は、上記の製造方法にて比較 例1にかかる磁気ディスク用基板、磁気ディ� �ク、磁気ディスク装置を製造した。具体的� �研磨条件は、比較例1の研磨条件は、研磨パ� ��ドの硬度を85(アスカーC硬度)、研磨材の粒� �を1.0(μm)、加工レートを0.60(μm/分)、加工圧� �12.0(Pa)とした。このときの研磨工程は、本加 工圧12.0(Pa)のまま研磨加工を行い、その後加� ��圧を落とすことなく研磨加工を行った。ま� ��、このときの本加工圧と加工レートとの積( 本加工圧×加工レート)は、7.2であった。

 (実施例1と比較例1との比較)
 実施例1および比較例1に示すように製造し� �磁気ディスク用基板の主表面周縁に存在す� �極部15の形状について、以下に示す方法によ って検査した。

(A)端部形状の影響
 まず、円周方向における極部15の高さの影� �について調べた。具体的には、上記2つのガ� ��ス基板の、円周方向の高さの変動を調べる� ��めに、両2つの基板の任意の2点間の最大乖� �値を測定した。最大乖離値の測定範囲(図2の R1、R2)は、ガラス基板の主表面周縁に形成さ� ��ており、かつ、円周方向で高さの異なる極� ��15の変動を見ることができる、測定範囲を� �定した。ここでは、基板の中心からの距離� �それぞれ29.9mm(R1)、31.5mmの点(R2)とし、測定機 器としては、光干渉式表面形状測定装置(Micro Xam(Phase Shift Technology社製)対物レンズ倍率;2.5 倍、中間レンズ倍率;0.62倍使用、測定波長553. 2nm、測定領域3.58×3.88mm、解像度752×480ピクセ� ��)を用いた。そして、ガラス基板を円周方向 に30°ずつ回転させて、上記頂点の位置を合� �12点測定した。

 つまり、上記方法で測定した最大乖離値� ��、上記R1とR2とを結んだ直線と上記隆起部の 頂点(極部15)との乖離の大きさを示している� �そして、その結果を図3に示す。

 図3に示すように、実施例1は、比較例1に� ��べて、ガラス基板の円周方向における高さ� ��変動が小さい。具体的には、実施例1の変動 差が2.86nmであるのに対して、比較例1の変動� �は16.10nmであった。

(B)ロードアンロード試験比較
 上記したように、実施例1と比較例1にかか� �磁気ディスク用基板上に磁性層を形成した� �気ディスクをそれぞれ製造した後、磁気デ� �スク装置を製造し、ロードアンロード試験� �行った。具体的には、記録ヘッドの浮上量� �9~10nmに設定し、ディスクの回転数を5400rpmと7 200rpmとの2つの場合において試験を行った。

 その結果、実施例1および比較例1にかか� �磁気ディスクの場合、5400rpmの回転数でロー� ��アンロードを100万回繰り返しても、クラッ� ��ュは起きなかった。比較例1の磁気ディスク については、200万回のロードアンロード試験 でクラッシュが起こった。

 ところが、回転数を7200rpmとしてロードア ンロード試験を行ったところ、実施例1にか� �る磁気ディスクの場合、ロードアンロード� �100万回繰り返しても、クラッシュは起きな� �ったが、比較例1にかかる磁気ディスクの場� ��、ロードアンロードを80万回繰り返したと� �ろで、クラッシュが起こった。

 この結果より、本発明にかかるように、� ��ラス基板の主表面周縁に存在する乖離部14� �極部(隆起部の頂点)15の乖離の大きさが、当� ��ガラス基板の全周に亘って略均一に形成さ� ��ていることが重要であることがわかる。

 なお、本実施例において乖離部14の極部15 としては隆起部の頂点を用いて説明している が、本発明は乖離部14の極部15として沈降部� �谷点を用いることもできる。すなわち、沈� �が最大となる極部15の乖離の大きさが当該ガ ラス基板の全周に亘って略均一に形成されて いることによっても、上記と同様の効果を得 ることができる。

(C)表面形状の特定
 次に、磁気ディスク用基板の主表面周縁の� ��状(端部形状)について調べた。ガラス基板� �主表面周縁に存在する乖離部14の乖離の大き さが、当該ガラス基板の全周に亘って略均一 である磁気ディスク用基板(上記実施例1)の極 部(隆起部の頂点)15の位置の同芯度および真� �度による影響を調べた。また、極部(隆起部� ��頂点)15の位置の同芯度および真円度が上記� ��施例1よりも悪い別の磁気ディスク用基板を 比較例2として用意した。この比較例2の磁気� ��ィスク用基板は、最終研磨工程における加� ��圧と加工レートとを上記実施例1の場合とは 異ならせて製造した。具体的には、比較例2� �磁気ディスク用基板は、ガラス基板に対し� �加工圧を8.0(Pa)、加工レートを0.45(μm/分)とし て製造した。また、このときの本加工圧と加 工レートとの積(本加工圧×加工レート)は、3. 6であった。

 測定には光干渉式表面形状測定装置(OptiFl at(Phase Shift Technology社製))を用いた。なお、O ptiFlatは、上記MicroXamと比べて、解像度は低い が測定領域は広い。

 その結果、実施例1・比較例2のガラス基� �の端部形状は、スキージャンプ形状である� �とが分かった。そして、この測定結果から� �スキージャンプ形状における頂点(極部15)の� ��ラス基板中心からの距離を測定した。さら� ��、上記頂点位置の円周方向の変位を調べる� ��めに、ガラス基板を円周方向に30°ずつ回転 させて、上記頂点の位置を合計12点測定した� ��このときの結果を、図4に示す。なお、図4� �、スキージャンプの極部(スキージャンプ点) 15の半径位置を測定した結果を示す図である� ��

 その結果、図4に示すように、実施例1に� �かる磁気ディスク用基板の主表面周縁に形� �された極部15は、ガラス基板の中心から見て 略同じ位置(距離)に位置しており、具体的に� ��、ガラス基板の中心から、30.6mmを中心とし� ��、±0.2mmの範囲内に位置していることが分か った。一方、比較例2の場合は、30.6mmを中心� �して、±1.4mmの範囲に位置していることが分� ��った。

 なお、実施例1にかかる磁気ディスク用基 板の真円度は0.40(mm)、同芯度は1.07(mm)であっ� �。一方、比較例2にかかる磁気ディスク用基� ��の真円度は2.60(mm)、同芯度は5.68(mm)であった 。また、極部15の高さ(乖離値)については実� �例1と比較例2の構成でほぼ同じであった。

 そして、上記実施例1と比較例2とで、回� �数を10000回転の場合のロードアンロード試験 を行った。なお、この試験は、磁気ディスク にした状態で試験を行っている。また、この ときの記録ヘッドの浮上量は9~10nmである。そ の結果、実施例1の場合には、100万回繰り返� �ても、クラッシュは起きなかったが、比較� �2の場合には、ロードアンロードを60万回繰� �返したところで、クラッシュした。なお、� �施例1では、回転数が5400rpmの場合および7200rp mの場合には、ロードアンロードを100万回繰� �返してもクラッシュは起きなかった。

 また、実施例1と比較例2とで磁気ディス� �用基板における乖離値の値がほぼ同じであ� �たにもかかわらず、比較例2の構成では、高� ��回転にてグライドテストを行った際に、ク� ��ッシュ障害が発生した。一方、実施例1の構 成ではクラッシュ障害は発生しなかった。こ れは、仮に大きな(小さくない)スキージャン� ��が発生していたとしても、真円度または同� ��度が高い(値が小さい)ことにより、円周方� �の基板表面の変動(粗さやうねり)が少なくな ったためであると考えられる。また、多くの 実験の結果、真円度は600μm以内であることが 好ましく、同芯度は1200μm以内であることが� �ましいことがわかった。

 この結果より、極部15は、ガラス基板の� �周方向において、その位置は半径方向で同� �であり、かつ、高さ方向の変動が少ないこ� �が、磁気ディスクを高速回転させる上で最� �好ましいことが分かる。

(D)モジュレーション試験
 実施例1および比較例1で得られた磁気ディ� �クに対してモジュレーション試験を行った� �具体的には、2.5インチ(外径65mmφ)におけるガ ラス基板の中心からの距離が29.9mm(R1)から31.5m mの点(R2)までの間の領域におけるモジュレー� ��ョンを測定した。

 具体的な測定条件については、以下の(1)~ (3)の手順で行った。

(1)電磁変換特性測定機(グーシック テクニ カル エンタープライズ社)に磁気ディスクを セットし、磁気ヘッド(DFH(dynamic flying height)� ��ッド)を磁気ディスク上にロード後、MFパタ� ��ン(ハードディスクで使用する高周波数の半 分の周波数)を書き込む。

(2)読出し信号をオシロスコープに入力する 。

(3)そして、上記範囲内の任意の半径位置に おけるセクタごとの、モジュレーションを求 める。

 その結果、実施例1と比較例1とを比較し� �結果、実施例1のほうがモジュレーションの� ��が良好であった。

 また、実施例1と同様な最大乖離値のばら つきを有し(隆起部の高さが円周方向で均一� �基板であり)、上記真円度・同心円が異なる� ��気ディスク基板を用いて上記と同様のモジ� ��レーション試験を行った。その結果、真円� ��は1200μm以内、同心度は600μm以内のものは、 モジュレーションの値は良好であったが、こ れらの値を外れると、モジュレーション結果 は悪化した。なお、実施例1および比較例1は� ��同条件で磁気ディスクを製造している。

 (実施例2)
 図5は、さらに実施例2と比較例3について、� ��意の2点間を結ぶ直線からの最大乖離値を測 定した結果を示す図である。実施例2は上記� �実施例1と同様の条件で加工を行い、比較例3 は上記の比較例1と同様の条件で加工を行っ� �。なお図5には、比較のために実施例1および 比較例1もあわせて表示している。そして図3� ��示した結果と同様に、ガラス基板を円周方� ��に30°ずつ回転させて、スキージャンプ形状 における頂点(極部15)の位置を合計12点測定し た。

 図5に示すように、実施例2は実施例1より� ��全体的に最大乖離値が高くなっているが、� ��施例1よりもさらにガラス基板の円周方向に おける高さの変動(最大-最小)が小さかった。 一方、比較例3は比較例1よりは変動が小さか� ��たものの、グラフと見るとわかるように不� ��則に上下してしまっている。総じて、実施� ��1、実施例2の変動さがそれぞれ2.86nm、1.95nm� �小さいのに対し、比較例1、比較例3の変動差 はそれぞれ16.10nm、12.50nmと大きかった。

 なお、上記の実施例・比較例は、端部形� ��がスキージャンプ形状(主表面に対して隆起 している形状)の場合である。基板主表面に� �して沈降している形状であるロールオフ形� �の場合でも、同様な実験を行った結果、上� �の実施例および比較例と同様な結果が得ら� �た。

 以上、添付図面を参照しながら本発明の� ��適な第1の実施形態について説明したが、本 発明は係る実施形態に限定されないことは言 うまでもない。当業者であれば、特許請求の 範囲に記載された範疇内において、各種の変 更例または修正例に想到し得ることは明らか であり、それらについても当然に本発明の技 術的範囲に属するものと了解される。

[第2の実施形態]
 次に、本発明の第2の実施形態について説明 する。

 (磁気ディスク用基板)
 発明者らは、スキージャンプまたはロール� ��フに起因する磁気ディスク主表面の凹凸を� ��減し、高速回転させてもクラッシュ障害の� ��生を抑止しうる磁気ディスクを提供するた� ��に鋭意検討した結果、同じ基板であっても� ��周方向に異なる位置にあってはスキージャ� ��プまたはロールオフの様子が異なることを� ��出し、前述した本発明の第2の態様をも完成 するに到った。

 すなわち、従来からもガラス基板を出荷� ��る前に、周縁部分の形状を測定することに� ��ってガラス基板が良品であるか否かを判断� ��ていた。しかしガラス基板は安価かつ大量� ��生産しなくてはならず、また検査した基板� ��出荷製品とできないことから(破壊試験)、� �ットから数枚のサンプルを抜き出して、そ� �ぞれ1つの位置についてのみを測定していた� ��そして測定した結果、良品と判定されたガ� ��ス基板を用いて磁気ディスクを製造した場� ��であっても、グライドテストで不良品と判� ��されるガラス基板が多い場合と少ない場合� ��あることが分かった。

 そこで、発明者らが詳細に検査したとこ� ��、円周方向に複数の位置で端部形状を測定� ��ると、位置によって極部15の位置および大� �さが異なっていることがわかった。そのた� �、検査をパスしたロットであっても、いざ� �気ディスクにして磁気ディスク装置に組み� �むと、所望の性能を発揮できない場合があ� �ことがわかった。その一方で、ガラス基板� �主表面の周縁に形成された極部の半径位置� �換言すると、主表面の端部に形成されたス� �ージャンプ(隆起)の最大値が存在する半径位 置が、円周方向で略同じであるガラス基板を 磁気ディスクにして磁気ディスク装置に組み 込むと、ヘッドクラッシュを引き起こすこと がないことがわかった。

 そこで本実施形態においては、乖離が形� ��された乖離部14をガラス基板10の全周に亘っ て形成し、かつ乖離部14における隆起が最大� ��なる極部15を、当該ガラス基板の中心から� �同じ距離になるように構成している。これ� �ついて以下に説明する。

 次に本実施形態にかかる磁気ディスク用� ��板を製造するための製造方法について説明� ��る。

 磁気ディスク用基板は、様々な工程を経� ��製造される(詳細については後述する)が、� �実施形態にかかる磁気ディスク用基板のよ� �に、主表面の周縁部に、当該ガラス基板の� �心から略同じ距離に乖離部(隆起部または沈� ��部)14の頂点である極部を有するものを製造� ��る場合には、特に、最終研磨工程(第2研磨� �程)が重要になる。なお、主表面の周縁部に� ��記隆起部が形成されるか、上記平坦面に対� ��て沈降している沈降部が形成されるのかに� ��いても、上記最終研磨工程の研磨条件によ� ��てその大部分が決定される。なお、以下の� ��明では、隆起部を形成するための条件につ� ��て説明する。

 記憶密度の向上に伴い、求められる上記� ��起部の高さは一段と低くなってきており、� ��の形状・大きさが決定する要因のほとんど� ��最終研磨工程の研磨条件に依存している。

 そして、最終研磨工程における様々な研� ��条件の多くが、上記隆起部の形状・大きさ� ��影響を与えているが、なかでも特に、加工� ��ート(加工速度)と加工圧とが影響している� �

 以下に、遊星歯車方式の研磨装置を使用� ��てガラス基板の主表面を研磨する最終研磨� ��程について説明する。なお、上記最終研磨� ��程を行うためには、遊星歯車方式の研磨装� ��を使用しなくても行うことができることは� ��うまでもない。例えば、枚葉式の研磨装置� ��用いて上記ガラス基板に対して最終研磨工� ��を行っても良い。

 最終研磨工程では、当該ガラス基板の両� ��表面を研磨パッドで押圧しながら、研磨パ� ��ドとガラス基板とを相対的に移動させるこ� ��により、上記ガラス基板の研磨を行う。こ� ��とき、単位時間当たりの取代が加工レート� ��あり、ガラス基板を押圧する圧力が加工圧� ��ある。

 そして、本実施形態にかかる磁気ガラス� ��板を製造するためには、加工レートを0.25~0. 5μm/分の範囲内とし、かつ、加工圧を8.5~11Pa� �範囲内とすることが好ましい。他の研磨条� �は影響が比較的小さいために限定的ではな� �が、例えば2.5インチ型ディスク(φ65mm)の場合 、研磨パッドの硬度を85(アスカーC硬度)、研� ��材の粒径を1.0(μm)とすることができる。上� �の条件を外れて研磨が行われた場合には、� �部の形状が悪化したり、ガラス基板が割れ� �おそれがある。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板を製造するためには、遊星歯車方式の� ��磨装置を使用して最終研磨を行う場合には� ��キャリアの自転回数と装置内を公転する公� ��回数との関係も重要になってくる。

 遊星歯車方式においては、複数枚のガラ� ��基板がキャリアに保持される。そして、こ� ��保持されたガラス基板はキャリアと共に、� ��の上下面に研磨パッドが圧接される。そし� ��この状態で、キャリアが自転しながら公転� ��ることによって上記ガラス基板は研磨され� ��。すなわち、ガラス基板と研磨パッドとの� ��対移動の方向は、ランダムであることによ� ��平均化されるものの、ガラス基板の円周方� ��とは全く関係しない。このためガラス基板� ��外縁部分に形成されるスキージャンプ等は� ��その半径方向の位置や大きさが、円周方向� ��位置においてばらつきが生じてしまう。

 そこで、この円周方向のバラツキを少な� ��するためには、キャリアの自転回数と公転� ��数との比を0.125~8の範囲内と設定することが 好ましい。この範囲を越えた条件で研磨を行 った場合には、ガラス基板の周縁に形成に形 成されるスキージャンプ(隆起部)の形状が円� ��方向で乱れてしまうことが多い。

 そして、上記ガラス基板の主表面と直交� ��る方向から当該ガラス基板を見たとき、上� ��極部が形成されている半径方向の位置が円� ��方向においてばらついた場合、具体的には� ��例えば極部同士を線で結んだときに形成さ� ��る円が偏心したり、楕円となったり、蛇行� ��たりした場合には、記録ヘッド(磁気ヘッド )が走査する円周方向(トラック方向)と極部を 連ねた軌跡が交差するときに激しい上下変動 が生じることになる。換言すると、記録ヘッ ドが高速回転している磁気ディスク上を走査 する際に、複数の極部を越えることになり、 当該記録ヘッドの浮上飛行が不安定化する。

 そして、近年の記録ヘッドの低浮上量化� ��伴い、この上下変動に記録ヘッドが追従で� ��ず、クラッシュ障害を発生するおそれがあ� ��。また接触摺動型のハードディスクの場合� ��は、記録ヘッドが跳ねてしまって信号品質� ��劣化や記録ヘッドの損傷を招くおそれがあ� ��。

 一方、上記構成のように極部をガラス基� ��の中心から略同じ距離となるようにしたこ� ��により、仮にスキージャンプやロールオフ� ��発生していたとしても、記録ヘッドが走査� ��る際に常に極部の峰の上を通過するのであ� ��ば、クラッシュ障害を発生するほどの高低� ��はないと考えられる。もっとも円周方向の� ��置によって極部自体に高低差があることも� ��定されるが、蛇行などによる極部昇降に比� ��ればはるかにその高低差は小さい。すなわ� ��本発明は、円周方向における基板表面の高� ��変動こそが重要であることに着目している� ��

 従って本実施形態の構成によれば、磁気� ��ィスク用基板の特に外縁部分において、円� ��方向の粗さやうねりを低減し、平坦度を向� ��させることができる。従って、スキージャ� ��プやロールオフが発生しているにもかかわ� ��ず、磁気ヘッドの浮上姿勢が乱されるとい� ��ことがなく、磁気ディスクを高速回転させ� ��場合であっても磁気ディスクと磁気ヘッド� ��が接触するおそれがない。これにより、磁� ��ディスクを磁気ディスク装置に組み込んだ� ��の信頼性を飛躍的に高めることができる。� ��た、ロードアンロード方式における磁気ヘ� ��ドの通過に対しても、磁気ヘッドの浮上姿� ��が特に磁気ディスクの外縁部分で乱された� ��、磁気ディスクと接触したりするおそれが� ��いため、安定して記録ヘッドが磁気ディス� ��端部を通過することができ、極めて好適で� ��る。

 具体的には、主表面において、乖離部14� �おける隆起または沈降が最大となる極部に� �って形成される円の真円度は600μm以内にす� �とよい。400μm以内とすればより好ましい。� �らに理想的には200μmであることが好ましい� �真円度が低くなる(値が大きくなる)と、仮に 極部の乖離の大きさが均一であっても、円周 方向に見て乖離の大きさが略均一とならなく なる。換言すれば、ガラス基板の中心から所 定の半径位置(乖離部14が存在している位置)� �おける断面を見たとき、ガラス基板を回転� �せると、乖離部14の極部の大きさ(例えば、� �起部の高さ)が変動することになる。つまり� ��記録ヘッドが、上記所定の半径位置を浮上� ��行している場合に、当該記録ヘッドが上記� ��離部14の大きさの変動に追従できなければ� �ヘッドクラッシュが起きることになる。し� �し真円度を上記範囲とすることにより、記� �ヘッドの大きさに対して円周方向の乖離値� �略均一とすることができる。

 また、ガラス基板の中心に形成された円� ��と、乖離部14における隆起または沈降が最� �となる極部によって形成される円との同芯� �は1200μm以内にするとよい。1000μm以内とすれ ばより好ましい。さらに理想的には800μm以内 であることが好ましい。同芯度が低くなる(� �が大きくなる)と、仮に極部の乖離の大きさ� ��均一であっても、円周方向に見て乖離の大� ��さが略均一とならなくなる。しかし同芯度� ��上記範囲とすることにより、記録ヘッドの� ��きさに対して円周方向の乖離の大きさを略� ��一とすることができる。

 さらに乖離の大きさは、任意の半径位置� ��円周方向において略均一であることが好ま� ��い。円周方向と極部の描く軌跡とを一致さ� ��ると共に、極部の乖離の大きさを略均一と� ��ることにより、より磁気ディスクと磁気ヘ� ��ドとの接触を防止することができる。ここ� ��「略均一」とは、真円度を上記範囲とし、� ��つ記録ヘッドのディスク半径方向に対する� ��きさ両者を考慮して、0.02mm+1.00mm(記録ヘッ� �のピコスライダーの幅)=1.02mmとすることが好 ましい。

 具体的には、例えば磁気ディスク用基板� ��ついて乖離部14を円周方向に30°ごとに12点� �測定した場合に、乖離の大きさの変動を5nm� �下とすることができる。このような範囲と� �ることにより、本発明の効果をより確実に� �ることができる。

 また、上述したが、記録ヘッドが上記乖� ��の大きさの変動に追従できなければ、ヘッ� ��クラッシュが起きることになる。これにつ� ��て詳細に説明すると、記録ヘッドが、磁気� ��ィスク上を浮上飛行する場合、当該記録ヘ� ��ドは、乖離の大きさの変動が大きい場合で� ��、その変動の割合が小さい(ゆるやかである )場合には追従が可能である。しかし、微少� �飛行距離の間に大きな乖離の変動があった� �合には、クラッシュを引き起こすことにな� �。つまり、本実施形態にかかる磁気ディス� �用基板は、ヘッドが高速で浮上飛行する場� �には、特に好適な形態となる。より具体的� �は、本実施形態にかかる磁気ディスク用基� �は、5400rpm以上の回転数で回転させる磁気デ� ��スク装置用に搭載するためのガラス基板と� ��て使用されることが好ましい。回転数が5400 rpm以上の回転数で回転させる磁気ディスク装 置に搭載しても、もちろん問題ないが、特に 高速回転させる磁気ディスク装置の場合には 、本実施形態にかかる磁気ディスク用基板を 用いた場合の効果が、本発明以外の磁気ディ スク用基板と比べて顕著に現れることになる 。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、当該ガラス基板の周縁に存在する� ��離部14を、磁気ヘッドが20.0m/秒以上の線速� �で走行する磁気ディスク装置に搭載するた� �のガラス基板として使用されることが好ま� �い。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、タッチダウンハイト(TDH)が、3~4nm以 下の磁気ディスクに用いられるものであるこ とが好ましい。タッチダウンハイトが低いと 、上記ガラス基板上に形成されている乖離の 変動が大きい場合にクラッシュを引き起こし やすい。しかし本実施形態の磁気ディスク用 基板を用いることで、乖離部14の変動を従来� ��りも一層小さくすることができるので、磁� ��ヘッド(記録ヘッド)の浮上量を小さくして� �、磁気ヘッドがクラッシュすることを抑制� �きる。

 また本実施形態にかかる磁気ディスク用基� ��は、記録密度が200GBit/inch ² 以上、さらには250GBit/inch ² 以上の高い記録密度の磁気ディスクに用いら れるものであることが好ましい。このように 高い記録密度である場合には記録ヘッドの浮 上量をより一層小さくすることができるため 、本実施形態の磁気ディスク用基板を用いる ことで、クラッシュを抑制することができる 。なお、記録密度が上記よりも小さい磁気デ ィスクに用いられるガラス基板、または、タ ッチダウンハイトが上記よりも大きい磁気デ ィスクを製造するための磁気ディスク用基板 においても、本発明にかかる磁気ディスク用 基板が好適に適用できることはいうまでもな い。

 なお、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、平坦な主表面、端面、および当該� ��表面と端面との間に存在する面取面とを備� ��るとともに、主表面の周縁部には当該周縁� ��を除く平坦面と直交する方向に乖離してい� ��乖離部14が存在している、円板状の磁気デ� �スク用基板であって、ガラス基板の主表面� �平面視した場合に、乖離の度合いが最も大� �い上記乖離部14の最大点(極部15)は、当該ガ� �ス基板の中心部から略同じ距離の位置に存� �していることとしてもよい。

 また、ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、乖離部14の最大点は、当該ガラス基� �の中心部を基準として当該ガラス基板の外� �までの距離に対して、92.0~97.0%の範囲内に存� ��していてもよい。

 また、上記ガラス基板の主表面を平面視� ��た場合に、上記隆起部の極部15は、上記主� �面を円形に包囲してなり、上記極部15により 形成される円の真円度は600μm以内であること が好ましい。

 また、上記ガラス基板は中心部に円孔を� ��し、上記ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、上記隆起部の極部15は、上記主表面� �円形に包囲してなり、上記極部15により形成 される円と上記中心部の円孔により形成され る円との同芯度は1200μm以内であることが好� �しい。

 また、円板状のガラス基板であって、上� ��ガラス基板は平坦な主表面と、端面と、上� ��主表面と端面との間に介在する面取面とを� ��え、上記ガラス基板の主表面を平面視した� ��合に、上記主表面と面取面との間には、上� ��主表面に対して沈降した沈降部を有し、上� ��ガラス基板の中心から所定距離離間した位� ��における上記沈降部の主表面からの深さは� ��均一とされていてもよい。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��基板は、少なくとも端面が化学強化された� ��のであることが好ましく、基板前面(全表面 )が化学強化されたものであることがより好� �しい。換言すると、上記磁気ディスク用基� �は、その表面に圧縮応力層が形成されてい� �ことがより好ましい。特に、上記磁気ディ� �ク用基板を、高速回転(例えば、10000rpm)で回� ��する磁気ディスク装置に組み込む場合や、� ��バイル用途で使用される磁気ディスク装置� ��組み込む場合には、ガラス基板に対して耐� ��撃性が求められるため、ガラス基板表面に� ��縮応力層を形成することが好ましい。なお� ��ここで化学強化とは、化学強化塩を含有す� ��化学強化処理液にガラス基板を接触させる� ��とにより、ガラス基板の中に含まれる一部� ��イオンを、そのイオンより大きなイオン径� ��化学強化処理液中のイオンに置換すること� ��よりガラス基板を強化する処理のことであ� ��。

 (磁気ディスク)
 そして、上記磁気ディスク用基板上に磁性� ��を形成することで、本実施形態にかかる磁� ��ディスクを製造することができる。この磁� ��ディスクの主表面の形状は、上記磁気ディ� ��ク用基板の上に磁性膜を形成するため、当� ��ガラス基板の影響を多大に受けることとな� ��。つまり、磁気ディスクにおける主表面の� ��状を向上させるためには、上記ガラス基板� ��主表面の形状を向上させる必要がある。従� ��て、磁気ディスク用基板として、本実施形� ��に開示したものを使用することで、主表面� ��特に周縁部の形状を向上させた磁気ディス� ��を製造することができる。なお、磁気ディ� ��クの製造方法については公知のため、ここ� ��の説明は省略する。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、その外縁を経由して磁気ヘッドが主表面� ��対してロード及びアンロードされるロード� ��ンロード方式の磁気ディスク装置に搭載さ� ��る磁気ディスクであってもよい。ガラス基� ��の外縁部分の平坦度が高いことから、ロー� ��アンロード方式に適した磁気ディスクとす� ��ことができる。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、少なくとも5400rpm以上の回転数で磁気ディ スクを回転させる磁気ディスク装置に搭載す るための磁気ディスクであってもよい。さら には、10000rpm以上の速度の磁気ディスク装置� ��あっても、好適に用いることができる。ガ� ��ス基板の外縁部分の平坦度が高いことから� ��高速回転させた場合であっても磁気ディス� ��と磁気ヘッドとが接触するおそれがなく、� ��頼性が高いためである。

 また、本実施形態にかかる磁気ディスク� ��、接触摺動型記録媒体(接触記録型記録媒体 )であってもよい。接触摺動型記録媒体は、� �録ヘッドを磁気ディスクに接触摺動させた� �態で読み書きするため、上記のように磁気� �ィスク用基板の特に外縁部分の円周方向の� �坦度を向上させることにより、記録ヘッド� �跳ねてしまうことを防止することができる� �これにより信号品質を向上し、記録ヘッド� �損傷を防止することができる。

 (磁気ディスク装置)
 そして、上記磁気ディスクを搭載すること� ��磁気ディスク装置(ハードディスクドライブ )を構成することができる。そして、上記磁� �ディスク用基板を搭載した磁気ディスク装� �は、特に高速回転により、情報の記録再生� �行う場合に特に好適である。

 なお、上記磁気ディスク用基板の外周端� ��を中心に説明しているが、内周端面につい� ��も、上記のように乖離部14が形成されてい� �。そして、この乖離部14における隆起が最大 となる極部15は、当該ガラス基板の中心から� ��同じ距離にあることが好ましいことは言う� ��でもない。

 (実施例)
 以下に、本発明を適用した磁気ディスク用� ��板および磁気ディスクの製造方法について� ��施例を説明する。この磁気ディスク用基板� ��よび磁気ディスクは、3.5インチ型ディスク( φ89mm)、2.5インチ型ディスク(φ65mm)、1.0インチ 型ディスク(φ27.4mm)、0.8インチ型ディスク(φ21 .6mm)、1.8インチ型磁気ディスク(φ48mm)などの� �定の形状を有する磁気ディスクとして製造� �れる。

(1)形状加工工程および第1ラッピング工程
 本実施例に係る磁気ディスク用基板の製造� ��法においては、まず、板状ガラスの表面を� ��ッピング(研削)加工してガラス母材とし、� �のガラス母材を切断してガラスディスクを� �り出す。板状ガラスとしては、様々な板状� �ラスを用いることができる。この板状ガラ� �は、例えば、溶融ガラスを材料として、プ� �ス法やフロート法、ダウンドロー法、リド� �ー法、フュージョン法など、公知の製造方� �を用いて製造することができる。これらの� �ち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉� �に製造することができる。板状ガラスの材� �としては、アモルファスガラスやガラスセ� �ミクス(結晶化ガラス)を利用できる。板状ガ ラスの材料としては、アルミノシリケートガ ラス、ソーダライムガラス、ボロシリケート ガラス等を用いることができる。特にアモル ファスガラスとしては、化学強化を施すこと ができ、また主表面の平坦性及び基板強度に おいて優れた磁気ディスク用基板を供給する ことができるという点で、アルミノシリケー トガラスを好ましく用いることができる。

 本実施例においては、溶融させたアルミノ� ��リケートガラスを上型、下型、胴型を用い� ��ダイレクトプレスによりディスク形状に成� ��し、アモルファスの板状ガラスを得た。な� ��、アルミノシリケートガラスとしては、SiO ₂ :58~75重量%、Al ₂ O ₃ :5~23重量%、Li ₂ O:3~10重量%、Na ₂ O:4~13重量%を主成分として含有する化学強化� �ラスを使用した。

 次に、この板状ガラスの両主表面をラッ� ��ング加工し、ディスク状のガラス母材とし� ��。このラッピング加工は、遊星歯車機構を� ��用した両面ラッピング装置により、アルミ� ��系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、� ��状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押� ��させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラス� ��主表面上に供給し、これらを相対的に移動� ��せてラッピング加工を行った。このラッピ� ��グ加工により、平坦な主表面を有するガラ� ��母材を得た。

(2)切り出し工程(コアリング、フォーミング� �チャンファリング)
 次に、ダイヤモンドカッタを用いてガラス� ��材を切断し、このガラス母材から円盤状の� ��ラス基板を切り出した。次に、円筒状のダ� ��ヤモンドドリルを用いて、このガラス基板� ��中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基� ��とした(コアリング)。そして内周端面およ� �外周端面をダイヤモンド砥石によって研削� �、所定の面取り加工を施した(フォーミング� ��チャンファリング)。

(3)第2ラッピング工程
 次に、得られたガラス基板の両主表面につ� ��て、第1ラッピング工程と同様に、第2ラッ� �ング加工を行った。この第2ラッピング工程� ��行うことにより、前工程である切り出し工� ��や端面研磨工程において主表面に形成され� ��微細な凹凸形状を予め除去しておくことが� ��き、後続の主表面に対する研磨工程を短時� ��で完了させることができるようになる。

(4)端面研磨工程
 次に、ガラス基板の外周端面および内周端� ��について、ブラシ研磨方法により、鏡面研� ��を行った。このとき、研磨砥粒としては、� ��化セリウム砥粒を含むスラリー(遊離砥粒)� �用いた。

 そして、端面研磨工程を終えたガラス基� ��を水洗浄した。この端面研磨工程により、� ��ラス基板の端面は、ナトリウムやカリウム� ��析出の発生を防止できる鏡面状態に加工さ� ��た。

(5)主表面研磨工程
 主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を 施した。この第1研磨工程は、前述のラッピ� �グ工程において主表面に残留したキズや歪� �の除去を主たる目的とするものである。こ� �第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有� ��る両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシ� ��を用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤� ��しては、酸化セリウム砥粒を用いた。

 この第1研磨工程を終えたガラス基板を、 中性洗剤、純水、IPA(イソプロピルアルコー� �)、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

 次に、主表面研磨工程として、第2研磨工 程を施した。この第2研磨工程は、主表面を� �面状に仕上げることを目的とする。この第2� ��磨工程においては、遊星歯車機構を有する� ��面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシ� ��を用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研� ��剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリ ウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒を用 いた。

 この第2研磨工程を終えたガラス基板を、 中性洗剤、純水、IPAの各洗浄槽に順次浸漬し て、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波 を印加した。

(6)化学強化工程
 次に、前述のラッピング工程および研磨工� ��を終えたガラス基板に、化学強化を施した� ��化学強化は、硝酸カリウム(60%)と硝酸ナト� �ウム(40%)を混合した化学強化溶液を用意し、 この化学強化溶液を400℃に加熱しておくとと もに、洗浄済みのガラス基板を300℃に予熱し 、化学強化溶液中に約3時間浸漬することに� �って行った。この浸漬の際には、ガラス基� �の表面全体が化学強化されるようにするた� �、複数のガラス基板が端面で保持されるよ� �に、ホルダに収納した状態で行った。

 このように、化学強化溶液に浸漬処理す� ��ことによって、ガラス基板の表層のリチウ� ��イオンおよびナトリウムイオンが、化学強� ��溶液中のナトリウムイオンおよびカリウム� ��オンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強� ��される。ガラス基板の表層に形成された圧� ��応力層の厚さは、約100μm乃至200μmであった� ��

 化学強化処理を終えたガラス基板を、20� �の水槽に浸漬して急冷し、約10分間維持した 。そして、急冷を終えたガラス基板を、約40� ��に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った� ��さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純� ��、IPAの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。

 上記の如く、第1ラッピング工程、切り出 し工程、第2ラッピング工程、端面研磨工程� �第1および第2研磨工程、ならびに化学強化工 程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、 高剛性の磁気ディスク用基板を得た。

(7)検査工程
 得られた磁気ディスク用基板の外縁部分の� ��状について、検査を行った。検査工程は、� ��ラス基板の円周方向の複数箇所について乖� ��値および極部15を測定する測定工程と、測� �された複数の乖離値および極部15に基づいて ガラス基板が良品であるか否かを判断する判 断工程とから構成される。

(8)磁気ディスク製造工程
 上述した工程を経て得られたガラス基板の� ��面に、ガラス基板の表面にCr合金からなる� �着層、CoTaZr基合金からなる軟磁性層、Ruから なる下地層、CoCrPt基合金からなる垂直磁気記 録層、炭化水素からなる保護層、パーフルオ ロポリエーテルからなる潤滑層を順次成膜す ることにより、垂直磁気記録ディスクを製造 した。なお、本構成は垂直磁気ディスク(PMR:P erpendicular Magnetic Recording)の構成の一例であ� �が、水平磁気ディスク(LMR:Longitudinal Magnetic  Recording)として磁性層等を構成してもよい。� �れにより、主表面の外縁部分も高度な平坦� �を備えた磁気ディスクを製造することがで� �る。

(9)磁気ディスク装置製造工程
 また、上記磁気ディスクを装置に組み込む� ��とにより磁気ディスク装置を製造した。な� ��、磁気ディスク装置の構成については、公� ��であるのでここでは詳細な説明は省略する� ��

 (実施例3)
 上記(5)主表面研磨工程の第2研磨工程を、以 下に示す研磨条件を適用して、磁気ディスク 用基板、磁気ディスク、磁気ディスク装置を 製造した。なお、本実施例3では2.5インチ型� �ィスク(φ65mm)を製造した。本実施例3におけ� �具体的な研磨条件は、上述した実施例1の場� ��と同様に、研磨パッドの硬度を85(アスカーC 硬度)、研磨材の粒径を1.0(μm)、加工レートを 0.30(μm/分)、加工圧を9(Pa)とした。(即ち、本� �明の第2の実施形態における実施例3は本発明 の第1の実施形態においては実施例1として説� ��されたものである。)
 (比較例4)
 上記第2研磨工程における研磨条件を以下の 条件にした以外は、上記の製造方法にて比較 例4にかかる磁気ディスク用基板、磁気ディ� �ク、磁気ディスク装置を製造した。具体的� �研磨条件は、比較例4の研磨条件は、上述し� ��比較例2の場合と同様に、加工レートを0.45(� �m/分)、加工圧を8.0(Pa)とした。(即ち、比較例 4は本発明の第1の実施形態において比較例2と して説明されたものである。)
(実施例3と比較例4との比較)
 実施例3および比較例4に示すように製造し� �磁気ディスク用基板の主表面周縁に存在す� �極部15の形状について、以下に示す方法によ って検査した。

(A)表面形状の特定
 磁気ディスク用基板の主表面周縁の形状(端 部形状)を調べるために、光干渉式表面形状� �定装置(OptiFlat(Phase Shift Technology社製))を用� �た。その結果、実施例3・比較例4のガラス基 板の端部形状は、スキージャンプ形状である ことが分かった。そして、この測定結果から 、スキージャンプ形状における頂点(極部15)� �ガラス基板中心からの距離を測定した。さ� �に、上記頂点位置の円周方向の変位を調べ� �ために、ガラス基板を円周方向に30°ずつ回� ��させて、上記頂点の位置を合計12点測定し� �。このときの結果を、図6に示す。なお、図6 は、スキージャンプの極部(スキージャンプ� �)15の半径位置を測定した結果を示す図であ� �。

 その結果、図6に示すように、実施例3に� �かる磁気ディスク用基板の主表面周縁に形� �された極部15は、ガラス基板の中心から見て 略同じ位置(距離)に位置しており、具体的に� ��、ガラス基板の中心から、30.6mmを中心とし� ��、±0.2mmの範囲内に位置していることが分か った。一方、比較例4の場合は、30.6mmを中心� �して、±1.4mmの範囲に位置していることが分� ��った。

 なお、実施例3にかかる磁気ディスク用基 板の真円度は0.40(mm)、同芯度は1.07(mm)であっ� �。一方、比較例4にかかる磁気ディスク用基� ��の真円度は2.60(mm)、同芯度は5.68(mm)であった 。また、極部15の高さ(乖離値)については実� �例3と比較例4の構成でほぼ同じであった。

(B)ロードアンロード試験比較
 実施例3と比較例4にかかる磁気ディスク用� �板上に磁性層を形成した磁気ディスクをそ� �ぞれ製造した後磁気ディスク装置を製造し� �回転数を10000回転の場合のロードアンロード 試験を行った。このときの記録ヘッドの浮上 量は9~10nmである。その結果、実施例3の場合� �は、100万回繰り返しても、クラッシュは起� �なかったが、比較例4の場合には、ロードア� ��ロードを60万回繰り返したところで、クラ� �シュした。なお、実施例3では、回転数が5400 rpmの場合および7200rpmの場合には、ロードア� �ロードを100万回繰り返してもクラッシュは� �きなかった。

 また、実施例3と比較例4とで乖離値の値� �ほぼ同じであったにもかかわらず、比較例4� ��構成では、高速回転にてグライドテストを� ��った際に、クラッシュ障害が発生した。一� ��、実施例の構成ではクラッシュ障害は発生� ��なかった。これは、仮に大きな(小さくない )スキージャンプが発生していたとしても、� �円度または同芯度が高い(値が小さい)ことに より、円周方向の基板表面の変動(粗さやう� �り)が少なくなったためであると考えられる� ��また、多くの実験の結果、真円度は600μm以� ��であることが好ましく、同芯度は1200μm以内 であることが好ましいことがわかった。

 この結果より、本発明にかかるように、� ��ラス基板の主表面周縁に存在する乖離部14� �極部(隆起部の頂点)15の半径位置を円周方向� ��略同じとすることが重要であることがわか� ��。

(C)端部形状の影響
 次に、円周方向における極部15の高さの影� �について調べた。ガラス基板の主表面周縁� �存在する乖離部14の極部(隆起部の頂点)15の� �径位置が円周方向で略同じである磁気ディ� �ク用基板(上記実施例3)の円周方向の頂点の� �さの変動による影響を調べた。また、円周� �向の頂点の高さの変動が上記実施例3よりも� ��きい別の磁気ディスク用基板を比較例5とし て用意した。この比較例5の磁気ディスク用� �板は、最終研磨工程における加工圧と加工� �ートとを上記実施例3の場合とは異ならせて� ��造した。具体的には、比較例5の磁気ディス ク用基板は、上述した比較例1の場合と同様� �、研磨パッドの硬度を85(アスカーC硬度)、研 磨材の粒径を1.0(μm)、加工レートを0.60(μm/分) 、加工圧を12(Pa)として製造した。(即ち、比� �例5は本発明の第1の実施形態において比較例 1として説明されたものである。)
 そして、上記2つのガラス基板の、円周方向 の高さの変動を調べるために、両2つの基板� �任意の2点間の最大乖離値を測定した。具体� ��には、最大乖離値の測定範囲(図2のR1、R2)は 、ガラス基板の主表面周縁に形成されており 、かつ、円周方向で高さの異なる極部15の変� ��を見ることができる、測定範囲を決定した� ��ここでは、基板の中心からの距離をそれぞ� ��29.9mm(R1)、31.5mmの点(R2)とし、測定機器とし� �は、光干渉式表面形状測定装置(MicroXam(Phase  Shift Technology社製))を用いた。そして、ガラ� �基板を円周方向に30°ずつ回転させて、上記� ��点の位置を合計12点測定した。なお、MicroXam は、上記OptiFlatと比べて、測定領域は狭いが� ��像度は高い。

 つまり、上記方法で測定した最大乖離値� ��、上記R1とR2とを結んだ直線と上記隆起部の 頂点(極部15)との乖離の大きさを示している� �そして、その結果を図7に示す。

 図7に示すように、実施例3は、比較例5に� ��べて、ガラス基板の円周方向における高さ� ��変動が小さい。具体的には、実施例3の変動 差が2.86nmであるのに対して、比較例5の変動� �は16.10nmであった。

 実施例3と比較例4にかかる磁気ディスク� �基板上に磁性層を形成した磁気ディスクを� �れぞれ製造した後、磁気ディスク装置を製� �し、ロードアンロード試験を行った。具体� �には、記録ヘッドの浮上量を9~10nmに設定し� �ディスクの回転数を5400rpmと7200rpmとの2つの� �合において試験を行った。

 その結果、実施例3および比較例4にかか� �磁気ディスクの場合、5400rpmの回転数でロー� ��アンロードを100万回繰り返しても、クラッ� ��ュは起きなかった。比較例5の磁気ディスク については、200万回のロードアンロード試験 でクラッシュが起こった。

 この結果より、極部15は、ガラス基板の� �周方向において、その位置は半径方向で同� �であり、かつ、高さ方向の変動が少ないこ� �が、磁気ディスクを高速回転させる上で最� �好ましいことが分かる。

 以上、添付図面を参照しながら本発明の� ��適な第2の実施形態について説明したが、本 発明は係る実施形態に限定されないことは言 うまでもない。当業者であれば、特許請求の 範囲に記載された範疇内において、各種の変 更例または修正例に想到し得ることは明らか であり、それらについても当然に本発明の技 術的範囲に属するものと了解される。

 例えば、上記実施例において本発明にか� ��る基板は、ガラス(アモルファスガラスやガ ラスセラミクス(結晶化ガラス)を利用できる� ��板状ガラスの材料としては、アルミノシリ� ��ートガラス、ソーダライムガラス、ボロシ� ��ケートガラス等)であると説明した。しかし 本発明は基板の形状に関するものであるため 、基板の材質に限定されるものではなく、例 えばアルミニウムその他の材料からなる基板 であっても本発明を好適に適用することがで きる。ただし上述したように、特に携帯機器 においては、アルミニウム基板に比べ基板表 面の平坦度及び基板強度に優れたガラス基板 が好ましい。

 また、本発明にかかる磁気ディスク用基� ��は、略平坦な主表面と、端面と、前記主表� ��と端面との間に形成した面取面とを備えた� ��気ディスク用基板であって、前記主表面の� ��縁に該周縁以外の平坦面に対して隆起また� ��沈降した乖離部14を備え、前記乖離部14は主 表面の円周方向に連続的に形成されており、 前記乖離部14における隆起が最大となる極部1 5の位置が、当該基板の中心から略同じ距離� �ある構成であってもよい。

 また、上記乖離部14は、中心に内孔が形� �された円盤形状である磁気ディスクの主表� �の外周周縁に形成されていてもよく、内周� �縁に形成されていてもよく、両方に形成さ� �ていてもよい。そして、本発明において乖� �部14が内周周縁と外周周縁との両方に形成さ れている場合には、少なくとも一方の乖離部 14が、上述した形状であればよいが、特に記� ��ヘッドの線速が早い外周周縁が上述した形� ��であることが好ましい。