以下、本発明を実施の形態により詳細に説� ��する。
本発明の磁気ディスクは、基板上に少なくと も磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた 磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造 中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、 且つ分子の末端に芳香族基を有する化合物を 含有するものである。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含有 される上記化合物(以下、本発明に係る潤滑� �と称する)は、構造中にパーフルオロポリエ� ��テル主鎖を有し、且つ分子の末端に芳香族� ��を有する化合物である。この場合の芳香族� ��としては、例えばフェニル基が代表例とし� ��挙げられるが、このほかに、ナフチレン基� ��ビフェニレン基、フタルイミジル基、アニ� ��ン基なども挙げられる。なお、芳香族基は� ��当な置換基を有していてもよい。
このように潤滑層に含有される本発明に係る 潤滑剤は、例えば構造中にパーフルオロポリ エーテル主鎖を有する鎖状分子の両末端に例 えばフェニル基等の芳香族基を有する化合物 であるが、本発明による作用効果が最も好ま しく発揮されるためには、構造中に芳香族基 のほかに極性基を有する化合物であることが 好ましい。例えば構造中にパーフルオロポリ エーテル主鎖を有する鎖状分子の両末端に芳 香族基と極性基の両方を有する化合物である ことが特に好ましい。

また、この場合の極性基としては、保護層上 に潤滑剤を成膜した場合、潤滑剤と保護層と の間に好適な相互作用が発生するような極性 基であることが必要であり、例えばヒドロキ シル基(-OH)、アミノ基(-NH ₂ )、カルボキシル基(-COOH)、アルデヒド基(-COH)� ��カルボニル基(-CO-)、スルフォン酸基(-SO ₃ H)などが挙げられる。なかでも極性基として� ��特にヒドロキシル基であることが好ましい� ��ヒドロキシル基は、保護層、とりわけ炭素� ��保護層との相互作用が大きく、潤滑層と保� ��層の付着性をより高めることができるから� ��ある。

以上の本発明に係る潤滑剤によれば、潤滑 層に含有される潤滑剤は分子の末端に芳香族 基を有しており、アルミナ等のルイス酸はこ の分子末端の芳香族基に優先的に吸引(吸着?) されるため、アルミナによるパーフルオロポ リエーテル系潤滑剤の主鎖部分での分解は起 こり難く、結果的に例えば5nm程度の超低浮上 量のもとでも、十分な長期信頼性を保証でき るアルミナ耐性やLUL耐久性が得られる。

このように、本発明に係る潤滑剤を含有す る潤滑層を備えることにより、近年の高記録 密度化に伴う磁気ヘッドの例えば5nm程度の超 低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う 非常に厳しい環境耐性のもとでも、磁気ディ スクの耐久性、特にLUL耐久性及びアルミナ耐 性に優れるため、本発明は、過酷な使用条件 下で高信頼性を有する(安定した動作を保証� �きる)磁気ディスクを実現する上で好適であ� ��。

以下に、本発明に係る潤滑剤の例示化合物 を挙げるが、本発明はこれらの化合物には限 定されない。

本発明に係る潤滑剤の製造方法としては、 たとえば、分子中にパーフルオロポリエーテ ル主鎖を有するパーフルオロポリエーテル化 合物に対して、例えばエポキシ基と芳香族基 を有している化合物(例えばフェニルグリシ� �ルエーテル)の2当量を反応させることによる 製造方法が好ましく挙げられる。

本発明に係る潤滑剤の分子量は特に制約はさ れないが、例えば数平均分子量(Mn)が、1000~100 00の範囲であることが好ましく、1000~6000の範� ��であることが更に好ましい。適度な粘度に� ��る修復性を備え、好適な潤滑性能を発揮し� ��しかも優れた耐熱性を兼ね備えることがで� ��るからである。
また、本発明に係る潤滑剤は、例えば上記の 製造方法によれば高分子量のものが得られ、 熱分解による低分子化を抑制できるので、か かる潤滑剤を用いて磁気ディスクとした場合 、その耐熱性を向上させることができる。近 年の高記録密度化に伴う磁気ヘッドの浮上量 が一段と低下(10nm以下)したことにより、磁気 ヘッドと磁気ディスク表面との接触、摩擦が 頻発する可能性が高くなる。また、磁気ヘッ ドが接触した場合には磁気ディスク表面から すぐに離れずにしばらく摩擦摺動することが ある。また、近年の磁気ディスクの高速回転 による記録再生のため、従来以上に接触や摩 擦による発熱が生じている。従って、このよ うな熱の発生により、磁気ディスク表面の潤 滑層材料が熱分解を起こす可能性が従来より も高くなり、この熱分解され低分子化し流動 性の高まった潤滑剤が磁気ヘッドに付着する ことで、データの読み込み、書き込みに支障 を来たす可能性が懸念される。さらに、近い 将来の磁気ヘッドと磁気ディスクとを接触さ せた状態でのデータの記録再生を考えたとき 、常時接触による熱発生の影響がさらに懸念 される。このような状況を考えると、潤滑層 に求められる耐熱性の更なる向上が望まれて おり、本発明の潤滑剤は好適である。

本発明に係る潤滑剤を適当な方法で分子量分 画することにより、分子量分散度(重量平均� �子量(Mw)/数平均分子量(Mn)比)を1.3以下とする� ��が好ましい。
本発明において、分子量分画する方法に特に 制限を設ける必要は無いが、例えば、ゲルパ ーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法に� ��る分子量分画や、超臨界抽出法による分子� ��分画などを用いることができる。

本発明に係る潤滑剤を用いて潤滑層を成膜す るにあたっては、潤滑剤を適当な溶媒に分散 溶解させた溶液を用いて、例えばディップ法 により塗布して成膜することができる。溶媒 としては、例えばフッ素系溶媒(三井デュポ� �フロロケミカル社製商品名バートレルXFなど )を好ましく用いることができる。潤滑層の� �膜方法はもちろん上記ディップ法には限ら� �、スピンコート法、スプレイ法、ペーパー� �ート法などの成膜方法を用いてもよい。
本発明においては、成膜した潤滑層の保護層 への付着力をより向上させるために、成膜後 に磁気ディスクを50℃~150℃の雰囲気に曝して もよい。

本発明にあっては、潤滑層の膜厚は、4~18� �とするのがよい。4Å未満では、潤滑層とし� ��の潤滑性能が低下する場合がある。また18� �を超えると、薄膜化の観点から好ましくな� �、またフライスティクション障害が発生す� �場合があり、またLUL耐久性が低下する場合� �ある。

また、本発明における保護層としては、炭 素系保護層を好ましく用いることができる。 特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保 護層はとくに炭素系保護層であることにより 、本発明に係る潤滑剤の極性基(特にヒドロ� �シル基)と保護層との相互作用が一層高まり� ��本発明による作用効果がより一層発揮され� ��ため好ましい態様である。なお、炭素系保� ��層と潤滑層の付着力を調節するために、炭� ��系保護層を水素化炭素及び/又は窒素化炭素 として、水素及び/又は窒素の含有量を調節� �ることにより制御することが可能である。� �の場合、水素の含有量は水素前方散乱法(HFS) で測定したときに3~20原子%とするのが好まし� ��。また、窒素の含有量はX線光電子分光分析 法(XPS)で測定したときに、4~12原子%とするの� �好ましい。

本発明における炭素系保護層においては、 水素及び/又は窒素は保護層全体に均一に含� �される必要はなく、とくに保護層の潤滑層� �に窒素を含有させ、磁性層側に水素を含有� �せた組成傾斜層とすることが好適である。

本発明において炭素系保護層を用いる場合は 、例えばDCマグネトロンスパッタリング法に� ��り成膜することができるが、特にプラズマC VD法により成膜されたアモルファス炭素保護� ��とすることが好ましい。プラズマCVD法によ� ��成膜することで保護層表面が均一となり密� ��成膜される。従って、より粗さが小さいCVD� ��で成膜された保護層上に本発明による潤滑� ��を形成することは好ましい。
本発明にあっては、保護層の膜厚は、20~70Å� ��するのがよい。20Å未満では、保護層とし� �の性能が低下する場合がある。また70Åを超 えると、薄膜化の観点から好ましくない。

本発明の磁気ディスクにおいては、基板はガ ラス基板であることが好ましい。ガラス基板 は剛性があり、平滑性に優れるので、高記録 密度化には好適である。ガラス基板としては 、例えばアルミノシリケートガラス基板が挙 げられ、特に化学強化されたアルミノシリケ ートガラス基板が好適である。
 本発明においては、上記基板の主表面の粗� ��は、Rmaxが6nm以下、Raが0.6nm以下の超平滑で� �ることが好ましい。なお、ここでいう表面� �さRmax、Raは、JIS B0601の規定に基づくもので� ��る。

 本発明の磁気ディスクは、基板上に少な� ��とも磁性層と保護層と潤滑層を備えている� ��、本発明において、上記磁性層は特に制限� ��なく、面内記録方式用磁性層であっても、� ��直記録方式用磁性層であってもよいが、と� ��に垂直記録方式用磁性層は近年の急速な高� ��録密度化の実現に好適である。とりわけ、C oPt系磁性層であれば、高保磁力と高再生出力 を得ることができるので好適である。

 本発明の磁気ディスクにおいては、基板� ��磁性層との間に、必要に応じて下地層を設� ��ることができる。また、該下地層と基板と� ��間に付着層や軟磁性層等を設けることもで� ��る。この場合、上記下地層としては、例え� ��、Cr層、Ta層、Ru層、あるいはCrMo,CoW,CrW,CrV,Cr Ti合金層などが挙げられ、上記付着層として� ��、例えば、CrTi,NiAl,AlRu合金層などが挙げら� �る。また、上記軟磁性層としては、例えばCo ZrTa合金膜などが挙げられる。

本発明の磁気ディスクは、特にLUL方式の磁 気ディスク装置に搭載される磁気ディスクと して好適である。LUL方式の導入に伴う磁気ヘ ッド浮上量の一段の低下により、10nm以下の� �浮上量においても磁気ディスクが安定して� �作することが求められるようになってきて� �り、低浮上量のもとで高い信頼性を有する� �発明の磁気ディスクは好適である。