以下、本発明の実施形態について図面を� ��いて詳細に説明するが、本発明はこれらに� ��定されるものではない。

 (実施形態1)
 本発明の実施形態1に係る表示デバイスとし て、液晶表示装置に用いられるTFT(薄膜トラ� �ジスタ)基板を例に挙げ、図面を用いて詳細� ��説明する。

 (TFT基板10の製造方法)
  (第1基板形成工程)
 図1に示すように、まず、例えば基板サイズ が365×460mm、厚さが0.7mmのガラス基板11(第1基� �)を準備する。ここで、第1基板は、どのよう な材料を用いて形成してもよいが、特に非透 湿性材料で形成されているのが好ましい。

 次に、ガラス基板11上に、周知の技術に� �り高性能のTFT12を形成する。

 ここで、TFT12を形成する領域(第1領域13)は 、図2に示すように、基板の各測端に沿って� �50mm程度の幅で設けたTFT非形成領域(第2領域14 )に囲まれるように形成する。第2領域14には� �例えば、TFT12形成時にのみ使用するアライメ ントパターンやテストパターン等が形成され ている。

  (エッチング保護部形成工程)
 次に、図3に示すように、ガラス基板11のTFT1 2が形成されている側と反対側の表面におけ� �第2領域14に、ドライレジスト等を用いてエ� �チングマスク15(エッチング保護部)を形成す� ��。このとき、ガラス基板11のTFT12が形成され ている側と反対側の表面は、第1領域13のみが 露出している。

  (エッチング工程)
 次に、ガラス基板11のTFT12が形成されている 側と反対側の表面を、エッチング液を用いて エッチングする。エッチング液としては、ど のようなものを用いてもよいが、特にガラス を容易にエッチングすることのできるフッ酸 系エッチング液を用いるのがよい。ここで、 図3の矢印は、エッチング方向を示している� �このエッチングは、ウェットエッチングが� �ましい。研磨等の物理的なエッチング方法� �用いると、TFT12にダメージを与えるおそれが あるからである。また、エッチングマスク15� ��形成した第2領域14に取り囲まれた第1領域13� ��みをエッチングするため、従来の転写法の� ��うにガラス基板11全面をエッチングする際� �生じていたガラス基板11周辺からのエッチン グ液のしみ込みによるエッチングばらつきの 発生を抑制することができる。従って、図4� �示すように、ガラス基板11の厚さが0.05mm以下 となるまで良好に薄型化することができる。 ここで、エッチングはウェット法によるもの だけ示しているが、エッチング精度を高める 為にプラズマエッチングなどのドライエッチ ング法を用いても良い。溶解して作製された ガラス基板11は、非常に優れた透湿性バリア� ��能を示すことが知られており、このガラス� ��板11を0.01mm以下残すことによって、表示素� �が高性能な透湿性バリア膜として利用でき� �。このようにエッチングを最後まで行わず� �ある程度残しておく方法は、特に、有機EL素 子のように10 ^-6 g/m ² ・day以上の非常に高性能な透湿バリア性が必 要なデバイスを、透湿性の高いプラスチック 基板のようなフレキシブル基板上に製造する 場合に非常に有効である。

 また、TFT12製造前にあらかじめガラス基板11 上全面にエッチングストッパー層を成膜して おくと、すべてのガラス基板11の第1領域13を� ��べてエッチングする事も可能である。エッ� ��ングストッパー層としては、ガラス基板と� ��ウェットエッチング選択比が高く、非透湿� ��なものが好ましい。透明な材料としては熱C VD 法を用いたSi ₃ N ₄ 膜やTa ₂ O ₅ 膜等が挙げられる。有機ELなどの自発光素子� ��場合は、さらにウェットエッチング選択比� ��高い多結晶シリコンと絶縁膜の積層膜でも� ��い。エッチングストッパー層はガラス基板� ��に高温かつクリーンな状態で良質の膜とし� ��形成される。このため、エッチングストッ� ��ー層は、プラスチック材料のような低耐熱� ��かつ凹凸のある基板上に成膜する透湿性バ� ��ア膜に比べて格段に高い性能のものを形成� ��きるという特徴がある。

  (エッチング保護部除去工程)
 次に、図5に示すように、第2領域14に形成し ていたエッチングマスク15を剥離する。この� ��うにエッチングにより第1領域13のみを薄型� ��した後、第2領域14のエッチングマスク15を� �離することによって、ガラス基板11には凹部 17が形成される。

  (第2基板形成工程)
 次に、図6に示すように、ガラス基板11の凹� ��17内に、例えば粘性の高い樹脂材料を供給� �、その後、この樹脂材料を焼成させて樹脂� �板18(第2基板)を形成する。

  (第2領域除去工程)
 次に、図7に示すように、ガラス基板11の第2 領域14を、第1領域13からレーザ等によって分� ��除去することで、薄型のフレキシブル基板� ��に高性能なTFT基板10を作製することができ� �。

 (TFT基板10の構成)
 次に、上述のTFT基板10の製造方法で製造さ� �たTFT基板10の構成を説明する。

 TFT基板10は、樹脂基板18(第2基板)、及び、 樹脂基板18上に設けられて、TFT12を備えたガ� �ス基板11(第1基板)で構成されている。

 樹脂基板18は、粘性の高い樹脂材料で構� �されており、樹脂基板18上に設けられたガラ ス基板11は、例えば厚さが0.05mm以下に形成さ� ��ている。このため、良好な屈曲性を有して� ��る。また、樹脂基板18とTFT12との間にガラス 基板11が介在しているため、樹脂基板18側か� �の透湿を良好に抑制することができる。

 (実施形態2)
 次に、本発明の実施形態2に係る表示デバイ スとして、TFT基板及びCF(カラーフィルタ)基� �(対向基板)を貼り合わせて構成される液晶表 示パネルを例に挙げ、図面を用いて詳細に説 明する。また、実施形態1で示したものと同� �の構成要素については、同符号を付してい� �。

 (液晶表示パネル20の製造方法)
  (TFT基板の形成工程)
 図8に示すように、例えば基板サイズが365×4 60mm、厚さが0.7mmのガラス基板11(第1基板)を準� ��する。

 次に、ガラス基板11上に、周知の技術に� �り高性能のTFT12を形成する。

 ここで、TFT12を形成する領域は、実施形� �1で示した図2のように、基板の各測端に沿っ て約50mm程度の幅で設けたTFT12の非形成領域に 囲まれるように形成する。TFT12の形成領域を� ��1領域13とし、TFT12の非形成領域を第2領域14� �する。

  (CF基板の形成工程)
 次に、上述のTFT基板10の形成工程と同様に� �て、基板サイズが365×460mm、厚さが0.7mmのガ� �ス基板21(第1基板)を準備し、表面にカラーフ ィルタ層や対向電極等の対向基板素子22を形� ��し、CF基板31を作製する。

 ここで、対向基板素子22を形成する領域� �、実施形態1で示した図2のように、基板の各 測端に沿って約50mm程度の幅で設けた対向基� �素子22の非形成領域に囲まれるように形成す る。対向基板素子22の形成領域を第1領域23と� ��、対向基板素子22非形成領域を第2領域24と� �る。

  (基板貼り合わせ工程)
 次に、TFT基板10とCF基板31とを、それぞれTFT1 2及び対向基板素子22が対向するようにエポキ シ系樹脂25等を用いて貼り合わせ、内部に液� ��分子29を注入することにより、貼り合わせ� �板30を形成する。

  (エッチング保護部形成工程)
 次に、ガラス基板11,21のTFT12及び対向基板素 子22が形成されている側と反対側の表面にお� ��る第2領域14,24に、それぞれドライレジスト� ��を用いてエッチングマスク15(エッチング保� ��部)を形成する。このとき、ガラス基板11,21� ��TFT12及び対向基板素子22が形成されている側 と反対側の表面は、第1領域13,23のみがそれぞ れ露出している。

  (エッチング工程)
  次に、ガラス基板11,21のTFT12及び対向基板� ��子22が形成されている側と反対側の表面を� �それぞれガラスを容易にエッチングするこ� �のできるフッ酸系エッチング液を用いてガ� �ス基板11,21の厚さが0.05mm以下となるまでエッ チングする。ここで、図8の矢印は、エッチ� �グ方向を示している。

  (エッチング保護部除去工程)
 次に、第2領域14,24に形成していたエッチン� ��マスク15をそれぞれ剥離する。このように� �ッチングにより第1領域13,23のみを薄型化し� �後、第2領域14,24のエッチングマスク15を剥離 することによって、図9に示すように、ガラ� �基板11,21には、それぞれ凹部17,27が形成され� ��。

  (第2基板形成工程)
 次に、ガラス基板11,21の凹部17,27内に、それ ぞれ例えば粘性の高い樹脂材料を供給し、そ の後、この樹脂材料を焼成させて樹脂基板18, 28(第2基板)を形成する。

  (第2領域除去工程)
 次に、図10に示すように、ガラス基板11,21の 第2領域14,24を、第1領域13,23からレーザ等によ ってそれぞれ分断除去した後、偏光板形成工 程や保護膜形成工程等の所定の工程を経て薄 型のフレキシブル基板上に高性能な液晶表示 パネル20を作製することができる。

 (液晶表示パネル20の構成)
 次に、上述の液晶表示パネル20の製造方法� �製造された液晶表示パネル20の構成を説明す る。

 液晶表示パネル20は、図10に示すように、 液晶分子29及び不図示のスペーサを介したTFT� ��板10とCF基板31との貼り合わせ基板30、それ� �れ不図示の偏光板及び保護膜等を備えてい� �。

 TFT基板10及びCF基板31は、それぞれ樹脂基� ��18,28(第2基板)、及び、樹脂基板18,28上に設け られて、TFT12素子又は対向基板素子22を備え� �ガラス基板11,21(第1基板)で構成されている。

 樹脂基板18,28は、粘性の高い樹脂材料で� �成されており、樹脂基板18,28上に設けられた ガラス基板11,21は、例えば厚さが0.01mm以下に� ��成されている。このため、TFT基板10及びCF基 板31は、それぞれ良好な屈曲性を有している� ��また、樹脂基板18,28と、TFT12又は対向基板素 子22と、の間にガラス基板11,21が介在してい� �ため、樹脂基板18,28側からの透湿を良好に抑 制することができる。 

 尚、第1領域13,23に形成される素子として� ��、上述したTFT12やCF等の対向基板素子22に限� ��ず、圧電素子や配線パターンであってもよ� ��。

 また、実施形態1及び2では、表示デバイ� �として、LCD(liquid crystal display;液晶表示ディ スプレイ)に係るものについて示したが、PD(pl asma display;プラズマディスプレイ)、PALC(plasma� �addressed liquid crystal display;プラズマアドレ� �液晶ディスプレイ)、有機EL(organic electro lumi nescence )、無機EL(inorganic electro luminescence )� �FED(field emission display;電界放出ディスプレイ )、又は、SED(surface-conduction electron-emitter displ ay;表面電界ディスプレイ)等に係る表示デバ� �スであってもよい。

 (作用効果)
 次に作用効果について説明する。

 TFT基板10の製造方法は、エッチング予定� �第1領域13及び第1領域13の周辺に設けられた� �2領域14を有すると共に、表面にTFT12が形成さ れたガラス基板11を準備する第1ステップと、 ガラス基板11の第1領域13をエッチング除去す� ��第2ステップと、ガラス基板11のTFT12形成面� �反対側表面に樹脂基板18を形成する第3ステ� �プと、ガラス基板11の第2領域14を除去する第 4ステップと、を備える。このような構成に� �れば、従来の転写法に比べ、TFT12を仮接着さ せておく余分な支持基板、及び、その支持基 板の除去が不要となる。このため、低コスト で容易にTFT12を基板に形成することができる� ��また、第2領域14が周辺に設けられた第1領域 13のみをエッチングするため、エッチング液� ��がエッチング側から基板表面に回り込んでT FT12に到達することを抑制することができる� �このため、TFT基板10の歩留・品質の低下を良 好に抑制することができる。さらに、従来の 直接法に比べて、高温で、且つ、耐性の高い ガラスやシリコン基板を上記ガラス基板11と� ��て用いて、このガラス基板11上にTFT12を形成 できるため、高性能なTFT基板10を製造するこ� ��ができる。

 また、TFT基板10の製造方法は、第2ステッ� ��で、ガラス基板11を薄膜化している。この� �うな構成によれば、第3ステップでの樹脂基� ��18形成までの支持になると共に曲げる事の� �能な表示デバイスを製造することができる� �

 また、TFT基板10の製造方法は、第2ステッ� ��で、ガラス基板11の厚さを0.05mm以下にエッ� �ングしている。このような構成によれば、TF T基板10が良好な屈曲性を備えることができる 。

 さらに、TFT基板10の製造方法は、第1ステッ� ��において、ガラス基板11の基板本体とTFT12と の間にエッチングストッパー層を形成してい る。このような構成によれば、エッチングの 際にガラス基板11を完全に除去できるので、� ��ッチングストッパー層の膜厚を精度よく制� ��する事ができる。これにより第3ステップで の樹脂基板18形成までの支持になると共に曲� ��る事の可能な表示デバイスを製造すること� ��できる。また、エッチングストッパー層は� ��耐熱性かつ平坦性の高いガラス基板11上に� �膜できるので、良質な条件で成膜した薄膜� �表示デバイスで使用する事ができる。また� �エッチングストッパー層を熱CVD法で成膜し� �もよい。このため、ガラスとのエッチング� �択比の非常に高いSi ₃ N ₄ 膜やTa ₂ O ₅ 膜を良好な状態で成膜する事ができる。また 、このときエッチングストッパー層は透明で ある為、透過光を妨げる心配がない。さらに 、エッチングストッパー層を多結晶シリコン 材料で形成してもよい。これによれば、ガラ スとのエッチング選択比の非常に高くなる為 、エッチングストッパー層を薄膜化できる。

 さらに、TFT基板10の製造方法は、第2領域1 4が、第1領域13の周囲を取り囲むように設け� �れていると共に、第2ステップで第1領域13を� ��ッチングにより薄型化することによりガラ� ��基板11に凹部17を形成し、第3ステップで凹� �17に樹脂基板18を形成している。このような� ��成によれば、必要とする領域のみに効率的� ��且つ精度良く表示デバイスを形成すること� ��できる。

 また、TFT基板10の製造方法は、第1ステッ� ��で準備したガラス基板11に、エッチング予� �の第1領域13及び第1領域13の周辺に設けられ� �第2領域14を有するCF基板31を、液晶分子29を� �して貼り合わせて貼り合わせ基板30を形成す るステップをさらに備え、第2ステップで、� �り合わせ基板30のガラス基板11の第1領域13及� ��CF基板31の第1領域13をそれぞれエッチングし ている。このような構成によれば、2枚の基� �を貼り合わせた液晶表示素子について、品� �を低下させることなく、低コストで容易に� �造することができる。

 液晶表示パネル20は、上述の製造方法に� �って製造されているため、液晶表示パネル20 を品質を低下させることなく、低コストで容 易に得ることができる。

 また、液晶表示パネル20は、ガラス基板11 が非透湿性材料で形成されている。このよう な構成によれば、水分がガラス基板11を透浸� ��てTFT12へ到達することを抑制する事ができ� �。従って、液晶表示パネル20の品質の低下を 良好に抑制することができる。

 さらに、液晶表示パネル20は、エッチン� �ストッパー層が非透湿性材料で形成されて� �る。このような構成によれば、樹脂基板18上 に直接製造する事が困難である良質なエッチ ングストッパー層を樹脂基板18上に製造する� ��ができる為に、水分がエッチングストッパ� ��層を透浸してTFT12へ到達するのを大きく抑� �することができる。従って、液晶表示パネ� �20の品質の低下を良好に抑制することができ る。