Verfahren zum Konditionieren einer Substratbehandlungseinrichtung und eine diesbezügliche Vorrichtung

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vorbereiten einer CVD- oder PVD-Rea ktoranordnung, bei dem in mindestens einem Konditionierschritt vor einem Substratbehandlungsprozess in einer Prozesskammer ein reaktives Gas in ein Volumen der Substratbehandlungseinrichtung, beispielsweise in einen Reaktor gebracht wird, welches mit einem Bestandteil der Umgebungsluft zu einem an einer Oberfläche des Volumens anhaftenden Festkörper und einem gasförmigen Reaktionsprodukt reagiert. [0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zur Substratbe handlung, beispielsweise zum Abscheiden von organischen Filmen für die Fer tigung von OLEDs (Organic Light Emitting Diode), aufweisend einen Ver dampfer zum Verdampfen eines organischen Ausgangsstoffs, der von einem Trägergas gefördert durch ein Gaseinlassorgan in eine Prozesskammer gebracht wird, in der sich ein Substrat befindet, auf dem die organische Schicht aufge bracht wird.

[0003] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine mobile Vorrichtung zur Durchführung des oben genannten Verfahrens und eine Substratbehandlungs einrichtung, die dazu eingerichtet ist, mit der mobilen Vorrichtung zusammen- zuwirken.

Stand der Technik

[0004] Die DE 10 2016 118 345 Al beschreibt ein Verfahren zum Vorbereiten eines CVD-Reaktors zum Abscheiden von Halbleiterschichten unter Verwen- düng mindestens einer metallorganischen Verbindung. In einem Vorberei tungsschritt wird jeweils für eine erste Behandlungsdauer zunächst eine me tallorganische Verbindung zusammen mit einem Trägergas in eine evakuierba re Kammer des CVD-Reaktors eingespeist. Nachfolgend wird für eine zweite Behandlungsdauer Umgebungsluft in die Prozesskammer eingespeist, so dass an der Oberfläche der Prozesskammer eine chemische Reaktion stattfindet, bei der sich ein Feststoff ausbildet, der auf der Oberfläche verbleibt. Bei der Reakti on können gasförmige Reaktionsprodukte entstehen, die aus der Prozesskam mer durch Evakuieren entfernt werden. Eine derartige Konditionierung einer Metalloberfläche wird vorgenommen, da die Metalloberfläche mit Metalloxiden terminiert ist. Es findet eine Austauschreaktion mit einer in die Prozesskammer eingebrachten metallorganischen Verbindung statt. Es wird eine derartige me tallorganische Verbindung verwendet, die mit EhO oder CO2 reagiert. Diese Bestandteile sind in der Umgebungsluft enthalten. Zusammen mit O2 reagiert die metallorganische Verbindung zu einem Metalloxid. Zusammen mit EhO reagiert die metallorganische Verbindung zu einem Metallhydrooxid. Mit CO2 kann die metallorganische Verbindung zu einem Metallcarbonat reagieren. Die se Reaktionsprodukte sind Feststoffe, die auf der zu konditionierenden Ober fläche verbleiben.

Zusammenfassung der Erfindung

[0005] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren zur Konditi onierung eines evakuier baren Volumens einer Reaktoranordnung, bei dem sich auf einer Oberfläche eine Feststoffschicht abscheidet, zu verbessern.

[0006] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Er findung. Die Unteransprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe dar. [0007] Zunächst und im Wesentlichen beginnt das Verfahren mit dem Einspei sen von Umgebungsluft. Hierzu kann die Vorrichtung evakuiert werden und anschließend ein Ventil bspw. einer Belüftungsleitung geöffnet werden, durch welches Umgebungsluft in das Volumen eintritt. Es ist aber auch möglich, das evakuierbare Volumen, bei dem es sich beispielsweise um eine Prozesskammer handeln kann, in Umgebungsluft zu öffnen. Beim Einspeisen der Umgebungs luft adsorbiert insbesondere in der Luft enthaltenes H2O, CO2 oder O2 an Ober flächen des Volumens, beispielsweise an Oberflächen einer Prozesskammer o- der anderen evakuierbaren Volumina der Reaktoranordnung. In einem darauf folgenden Schritt wird die Umgebungsluft aus dem Volumen entfernt, wozu das Volumen mit einer Pumpe evakuiert wird. Dabei entweicht der größte Teil der Umgebungsluft. An der Oberfläche verbleiben jedoch adsorbierte Moleküle der Umgebungsluft, insbesondere O2, CO2 und H2O, wobei auf Grund der ho hen Polarität der H2O- Anteile an den Adsorbaten überwiegt. Es wird als Vor teilhaft angesehen, wenn die Oberfläche nur eine Monolage von H2O aufweist. In einem darauf folgenden Schritt wird eine metallorganische Verbindung, ein Hydrid, insbesondere eines Elementes der IV. Hauptgruppe, eine metallorgani sche Verbindung, insbesondere eines Elementes der III. Hauptgruppe oder ein anderes reaktives Gas in das evakuierte Volumen eingespeist, welches in der Lage ist, mit dem an der Oberfläche adsorbierten H2O, O2 oder CO2 zu einer die Oberfläche konditionierenden Schicht zu reagieren. Da die H ₂ 0-Schicht gleichmäßig über die Oberfläche verteilt ist und nach dem Evakuieren eine Monolage ist, bildet sich auch nur eine Monolage der Feststoffschicht. Die ins besondere aus Edelstahl bestehende Oberfläche erhält dadurch eine gegebenen falls nur ein-Atom-lagige Beschichtung mit einem Reaktionsprodukt aus H2O und dem reaktiven Gas. Ein dabei entstehendes volatiles Reaktionsprodukt wird bei einem anschließenden Evakuieren aus dem Volumen entfernt. Es ist insbesondere vorgesehen, dass das Volumen ein Bestandteil einer OLED- Reaktoranordnung oder eines MOCVD-Reaktoranordnung ist. Es ist insbeson dere vorgesehen, dass das reaktive Gas zusammen mit einem Trägergas in das Volumen eingespeist wird, welches insbesondere Stickstoff, Wasserstoff oder ein Edelgas ist. Das reaktive Gas kann mit etwa 0,2% - 1% im Trägergas ver dünnt sein. Das reaktive Gas kann aber auch in höheren Konzentrationen mit dem Trägergas transportiert werden. Es kann auch vorgesehen sein, dass das reaktive Gas konzentriert, also zu 100% in das Volumen eingespeist wird. Es kann vorgesehen sein, dass der zuvor beschriebene Konditionierschritt mehr fach hintereinander wiederholt wird, wobei hier insbesondere vorgesehen ist, dass mehrfach hintereinander das reaktive Gas in das Volumen eingespeist wird und jeweils nachfolgend das Volumen mit einem Inertgas gespült und/ oder abgepumpt wird. Es kann ferner vorgesehen sein, dass die Reak- toranordnung mehrere evakuier bare Volumina aufweist, die miteinander strö mungsverbunden und voneinander mittels eines Ventils trennbar sind. So kann beispielsweise vorgesehen sein, dass bei geöffnetem Ventil beide Volumina zu sammen mittels einer Pumpe evakuiert werden. Es ist sodann vorgesehen, dass die beiden Volumina mittels des Ventils voneinander getrennt werden. In das erste Volumen, welches mittels der Pumpe evakuiert wird, wird das reaktive Gas eingespeist. Dabei kann vorgesehen sein, dass vor dem Einspeisen des re aktiven Gases und dem Evakuieren zunächst nur das erste Volumen oder aber auch beide Volumina mit Umgebungsluft geflutet worden sind. Die beiden Vo- lumina werden durch das Ventil derart getrennt, dass nur die Oberflächen des ersten Volumens mit dem reaktiven Gas in Berührung treten. Die mit der Pum pe verbundene Ableitung ist dabei bevorzugt unmittelbar mit dem ersten Vo lumen verbunden.

[0008] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Abschei- den von organischen Filmen, beispielsweise zur Herstellung von OLEDs. Eine derartige Vorrichtung besitzt eine Prozesskammer, in der sich ein Gaseinlassor gan befindet, durch welches ein Prozessgas in die Prozesskammer eingespeist wird. In der Prozesskammer befindet sich ein gekühlter Substrathalter, auf dem ein Substrat aufliegt, welches mit OLEDs bildenden Schichten beschichtet wer- den kann. Die Vorrichtung besitzt eine Prozessgasversorgung, die eine Träger gasquelle aufweist. Als Prozessgasversorgung kann eine Verdampfungsquelle verwendet werden, mit der ein flüssiger oder fester organischer Ausgangsstoff verdampft wird. Es ist aber auch vorgesehen, dass das von der Trägergasquelle bereitgestellte Trägergas in einen Aerosolerzeuger strömt, in dem ein Pulver oder eine Flüssigkeit in den Trägergasstrom eingebracht wird, so dass die Ae rosolpartikel vom Trägergas transportiert werden. Es handelt sich dabei um ein organisches Pulver oder um eine organische Flüssigkeit, die in der Lage ist, die OLEDs zu bilden. Das Aerosol wird zu einem Verdampfer transportiert, der Verdampfungsflächen aufweist, die beheizt sind. Durch Wärmezufuhr werden die Aerosolpartikel verdampft. Der so erzeugte Dampf wird durch eine beheiz te Zuleitung zum beheizten Gaseinlassorgan transportiert, welches Gasaus trittsöffnungen aufweist, durch die der vom Trägergas transportierte Dampf in Richtung des Substrates strömen kann. Erfindungsgemäß ist diese Vorrichtung mit einer zweiten Zuleitung verbunden, durch die eine metallorganische Ver bindung oder ein Hydrid, insbesondere ein Hydrid der IV. Hauptgruppe in ein evakuierbares Volumen eingespeist werden kann, wobei das evakuierbare Vo lumen der Aerosolerzeuger, der Verdampfer, die Prozesskammer oder eine Sensorkammer sein kann, in der sich ein Sensor befindet. Das evakuierbare Vo lumen ist zudem mit Umgebungsluft flutbar, beispielsweise indem es evakuiert und anschließend mit Umgebungsluft geflutet wird. Hierzu kann die Reak- toranordnung mit einer Belüftungsleitung verbunden sein, die ein Ventil auf weist, welches geöffnet werden kann. Bevorzugt ist aber vorgesehen, dass das evakuierbare Volumen geöffnet wird und der Umgebungsluft ausgesetzt wird. Das evakuier bare Volumen ist zudem mit einer Vakuumpumpe verbunden, so dass es nach dem Fluten mit Umgebungsluft oder dem Einspeisen des reakti ven Gases, also der metallorganischen Verbindung oder des Hydrids evakuiert werden kann. Die Zuleitung zum Einspeisen des reaktiven Gases kann unmit telbar in das zu konditionierende Volumen münden. Es ist insbesondere vorge sehen, dass die Zuleitung in ein Gaseinlassorgan mündet. Die Quelle des reak- tiven Gases kann ein Behälter sein, in den eine zu verdampfende Flüssigkeit oder ein zu verdampfender Festkörper oder ein Gas bevorratet wird.

[0009] Das Einspeisen des reaktiven Gases kann bei Drucken unterhalb von 100 mbar erfolgen. Das reaktive Gas ist in der Lage, mit an der Oberfläche ad sorbierten FhO-Molekülen zu einem unpolaren gasförmigen Produkt zu reagie ren, welches zusammen mit dem Trägergas aus dem evakuierbaren Volumen entfernt werden kann. Erfindungsgemäß reagiert das reaktive Gas mit den an der Oberfläche adsorbierten Molekülen der Umgebungsluft zu einem dort ver bleibenden Feststoff. Als Trägergas bzw. Inertgas kann neben Stickstoff auch Wasserstoff oder ein Edelgas verwendet werden. Es kann auch eine Mischung dieser Gase verwendet werden. Es kann vorgesehen sein, dass das Einspeisen des reaktiven Gases bei erhöhten Temperaturen, beispielsweise bei Temperatu ren oberhalb von 100° C vorgenommen wird. Es ist aber auch vorgesehen, das Einspeisen des reaktiven Gases bei Raumtemperatur durchzuführen. Ferner kann vorgesehen sein, dass vor dem Einspeisen des reaktiven Gases die Ober flächen des evakuierbaren Volumens beheizt werden. Dies ist insbesondere vor teilhaft, wenn nur eine Monolage des sich als Reaktionsprodukt bildenden Fest stoffs abgeschieden werden soll, so dass durch das Aufheizen kontrolliert Ad sorbate von der Oberfläche abdampfen können. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die metallorganische Verbindung ein Methyl (CEh) und ein Metall, insbe sondere ein Metall der III. Hauptgruppe enthält. Als metallorganische Verbin dungen kommen somit insbesondere TMA1, TMGa oder TMIn in Betracht. Das erfindungsgemäße Verfahren kann nicht nur dazu verwendet werden, um die chemische Reaktion an Oberflächen innerhalb einer Prozesskammer durchzu führen. Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch durchgeführt werden, um die chemische Reaktion an Oberflächen von Massenfluss-Contiollern, Sensoren, Ventilen, Verdampfern oder Aerosolerzeugern durchzuführen. Es kann insbe sondere durchgeführt werden, um die chemische Reaktion an einer Oberfläche eines Gaseinlassorganes durchzuführen, welches auf seiner zur Prozesskammer weisenden Seite duschkopfartig angeordnete Gasaustrittsöffnungen aufweist, durch die bei einem Beschichtungsschritt zur Beschichtung eines Substrats der organische Dampf hindurchtritt. Es ist ebenfalls vorgesehen, dass das Verfah ren zur Konditionierung von Vakuumkammern verwendet wird, die Oberflä chen aus Edelstahl, Graphit oder einer Keramik aufweisen. Beim Einspeisen von Silan (SiEL _t ) kann sich durch eine Reaktion mit an der Oberfläche adsorbier tem EhO S1O2 als Feststoff und gasförmiges Eh bilden. Das sich bei dieser Reak tion bildende Eh wird abgepumpt. Anstelle von Silan (SiEh) kann aber auch Di- Silan (ShEh) verwendet werden. Verwendet werden kann GeEE, Ge2H6, SnEh, Sn2H6. Auch hier führt die Reaktion mit EhO zu festem S1O2 und gasförmigem Eh. Auch hier führt die Reaktion mit EhO zu einem Feststoff, nämlich GeÜ2 und gasförmigem Eh. Der Konditionierschritt der Substratbehandlungsvorrichtung, der einem Substratbehandlungsprozess vorausgeht, kann bei Totaldrücken von kleiner 200 mbar, insbesondere kleiner 1 mbar oder kleiner 0,0001 mbar statt finden. Erfindungsgemäß wird nicht nur der unmittelbare Reaktor, also das Volumen, in dem eine chemische Reaktion oder eine Schichtabscheidung statt finden soll, konditioniert. Erfindungsgemäß werden auch andere Volumina, beispielsweise Volumina des Gasmischsystems und insbesondere Volumina von Massenflusskontrollern, konditioniert.

[0010] Die Mittel zur Konditionierung von Bestandteilen einer Substratbe handlungseinrichtung können aber auch Bestandteil einer mobilen Einheit sein. Diese mobile Einheit besitzt bevorzugt eine Quelle für das reaktive Gas, wobei die Quelle ein Bubbier, eine Gasflasche oder dergleichen sein kann. Die mobile Einheit kann darüber hinaus eine Quelle für ein Trägergas aufweisen, bei spielsweise eine Gasflasche. Es ist aber auch vorgesehen, dass das Trägergas von außen her durch einen Einspeiseanschluss in die mobile Vorrichtung einge speist wird. In der Vorrichtung befindet sich eine Mischeinrichtung, mit der das Trägergas mit dem reaktiven Gas gemischt werden kann. Diese Mischeinrich tung beinhaltet Ventile und Massenflussregler. Es ist zudem eine Steuereinrich- tung vorgesehen, mit der die Ventile und die Massenflussregler eingestellt werden können. Die mobile Vorrichtung besitzt einen Gasabgabeanschluss zum Anschluss der Mischeinrichtung an einen Einspeiseanschluss einer ortsfesten Substratbehandlungseinrichtung, wie sie zuvor beschrieben worden ist. Die Verbindung des Gasabgabeanschlusses mit dem Einspeiseanschluss kann über eine flexible Rohrverbindung oder einen Schlauch erfolgen. Dadurch wird eine Strömungsverbindung ausgebildet, mit der die Quelle und das zu konditionie rende Volumen der Substratbehandlungseinrichtung verbunden ist. Die mobile Vorrichtung kann wahlweise und nach Bedarf mit einer von einer Vielzahl von Substratbehandlungseinrichtungen verbunden werden, um die Substratbe handlungseinrichtung zu konditionieren. Dies ist insbesondere dann von Vor teil, wenn das reaktive Gas, welches zur Konditionierung verwendet wird, in dem Substratbehandlungsverfahren, das in der Substratbehandlungsvorrich tung durchgeführt wird, nicht verwendet wird, also insbesondere nicht an einer Gasmischeinrichtung der Substratbehandlungseinrichtung zur Verfügung steht. Das erfindungsgemäße Verfahren wird mit dieser mobilen Vorrichtung an einer Substratbehandlungseinrichtung durchgeführt, welche erfindungsge mäß mit ein oder mehreren Einspeiseanschlüssen ausgestattet ist. Die Einspei seanschlüsse sind insbesondere dem Gasmischsystem zugeordnet. Dabei kann vorgesehen sein, dass zumindest ein Einspeiseanschluss unmittelbar stromauf wärts eines Gaseinlassorgans eines Substratbehandlungsreaktors angeordnet ist. Es ist aber auch vorgesehen, dass ein oder mehrere Einspeiseanschlüsse stromaufwärts eines Massenflussreglers angeordnet sind, so dass das Volumen des Massenflussreglers mit dem reaktiven Gas konditioniert werden kann.

[0011] In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die mobile Vorrichtung eine Leck-Testeinrichtung aufweist. Die Leck-Testeinrichtung be sitzt einen Restgasanalysator und kann an einen Pumpenanschluss in einer Gasauslassleitung angeschlossen werden. Durch Evakuierung des Gasverteil- Leitungssystems und der Prozesskammer der Substratbehandlungseinrichtung kann die Substratbehandlungseinrichtung auf einen Leck-Test vorbereitet wer den, bei dem durch eine handbetätigbare Düse oder dergleichen Helium in die Nähe von Leckage-gefährdeten Bereichen gebracht wird. Wird mit dem Rest gasanalysator Helium festgestellt, so deutet dies auf eine Leckage hin.

[0012] Wird eine metallorganische Verbindung in der Form MR verwendet, wobei M ein Metall und R ein organischer Rest, beispielsweise ein Alkyl, ein Alkenyl oder ein Alkynyl ist, bildet sich bei einer Reaktion mit adsorbiertem O2 MOc, also ein Metalloxid plus einem Gas, welches CH4 sein kann. Bei einer Re aktion der metallorganischen Verbindung mit CO2 kann sich ein Metallcarbonat bilden. Das Vorhandensein von adsorbiertem H2O kann zur Bildung eines Me- tallhydrooxids führen. Die Metalloxide, Metallcarbonate oder Metallhydroxide verbleiben, wie in der eingangs genannten DE 10 2016 118 345 Al als Feststoffe auf der Oberfläche. Die Durchführung der Reaktion mit auf der Oberfläche ad sorbierten Luftbestandteilen führt dazu, dass sich auf der Oberfläche lediglich eine Monolage der Festkörperschicht bildet, wobei der Bedeckungsgrad der Oberfläche mit den Adsorbaten durch ein zuvoriges Temperieren, insbesondere Aufheizen der Oberfläche oder durch ein oder mehrfache Pump-Spülzyklen vor dem Konditionieren eingestellt werden kann.

[0013] Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zum Vorbereiten ei ner Substratbehandlungsanlage, bei dem ein evakuierbares Volumen in Umge bungsluft geöffnet wird und Umgebungsluft in Berührung mit den insbesonde re aus Metall bestehenden Oberflächen des Volumens tritt, wobei Bestandteile der Umgebungsluft, insbesondere H2O, auf der Oberfläche adsorbiert. Nach dem Schließen des Volumens wird der Bedeckungsgrad der Oberfläche mit den Adsorbaten durch Temperieren, insbesondere Aufheizen der Oberfläche oder durch ein- oder mehrfache Pump-Spülzyklen, bei denen das Volumen abwech selnd evakuiert und mit einem Inertgas gespült wird, eingestellt bzw. vermin- dert. Nach dem Einstellen des Bedeckungsgrades der Oberfläche mit den Ad sorbaten durch mindestens einmaliges Evakuieren des Volumens wird ein reak tives Gas in das Volumen eingespeist, wobei das reaktive Gas derart gewählt ist, dass es mit den Adsorbaten zu einem Festkörper reagiert, der im Volumen und insbesondere an dessen Oberfläche bleibt.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0014] Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch in einer Schnittdarstellung einen Reaktor zum Ab- scheiden von OFEDs, bei dem ein Gaseinlassorgan 11 oberhalb eines Substrathalters 12 angeordnet ist,

Fig. 2 eine Anordnung ähnlich Fig. 1, wobei jedoch das Gaseinlassor gan 11 unterhalb eines Substrathalters 12 angeordnet ist,

Fig. 3 eine ähnliche Anordnung, wobei ein Substrat 17 an einem Ga seinlassorgan 11 vorbeigeführt wird,

Fig. 4 eine Variante einer Vorrichtung, bei der eine Verdampfungs quelle 22 unterhalb eines Substrates 17 angeordnet ist,

Fig. 5 eine Gasversorgung einer OVPD-Reaktoranordnung,

Fig. 6 eine Anordnung aus zwei miteinander verbundener Vakuum kammern 1, 18, Fig. 7 eine Vakuumkammer 1 in Form eines Gehäuses eines Sensors 27, und

Fig. 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Beschreibung der Ausführungsformen

[0015] Die Figuren 1 bis 4 zeigen schematisch jeweils eine Vakuumkammer 1 in Form einer Prozesskammer 28 eines OVPD-Reaktors. In einem gasdichten Reaktorgehäuse befindet sich ein Gaseinlassorgan 11, welches die Gestalt eines Showerheads besitzt. Durch Austrittsöffnungen kann ein durch einen Gasein lass 16 eingespeistes Prozessgas in Richtung eines Substrates 17 strömen, wel ches sich auf einem gekühlten Substrathalter 12 befindet. Auf der Oberfläche des Substrates wird eine OLED-Schicht abgeschieden. Die Prozesskammer 28 kann mittels einer an einer Ableitung 8 angeschlossenen Pumpe 9 evakuiert werden.

[0016] Die Prozessgasversorgung besitzt einen Aerosolerzeuger 13, welcher pulverförmige organische Partikel oder flüssige organische Partikel in einen Gasstrom einbringt, der durch eine Gaszuleitung 2 in den Aerosolerzeuger 13 strömt. Das so erzeugte Aerosol wird zu einem Verdampfer 14 transportiert, welcher im Wesentlichen beheizte Verdampfungsflächen aufweist, mittels derer Wärme zu den Aerosolpartikeln transportiert wird, so dass das Aerosol ver dampft. Durch eine beheizte Zuleitung 15 kann der so erzeugte Dampf in den Gaseinlass 16 eingespeist werden.

[0017] Bei dem in der Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich das zu verdampfende Pulver in einem Quellengefäß 22, wo es durch Wärmebe aufschlagung verdampft wird. Der Quellenbehälter 22 kann in Richtung des Pfeiles in Fig. 4 hin und her bewegt werden. Der bei der Verdampfung des Pul vers erzeugte Dampf kondensiert auf der Oberfläche des Substrates 17.

[0018] Bei dem in der Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel wandert ein „Endlos-Substrat 17" durch die Prozesskammer 28 hindurch. Es kann von ei- nem nicht dargestellten Wickel abgewickelt und auf einem nicht dargestellten Wickel auf gewickelt werden.

[0019] Die in den Figuren 1 bis 4 darges teilten Vorrichtungen besitzen zweite Zuleitungen 6, durch die ein reaktives Gas in die Prozesskammer 28 eingespeist werden kann, die eine erfindungsgemäße Vakuumkammer 1 ausbildet. Bei dem in den Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Zuleitung 6 von einem Bubbier 4 gespeist. Es handelt sich hierbei um einen Behälter, der eine metallorganische Verbindung 5 beinhaltet. Mittels einer Gaszuleitung 3 wird ein Trägergas in den Behälter 4 eingespeist, welcher die metallorganische Verbindung in die Prozesskammer 28 transportiert. [0020] Bei dem in der Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Zulei tung 6 über Ventile mit einem Gastank 23 verbunden, in dem sich ein Hydrid, beispielsweise ein Hydrid der IV. Hauptgruppe, insbesondere Silan, befindet.

[0021] Bei der in der Fig. 4 dargestellten Variante ist die Zuleitung 6 an eine Rohrleitung 24 angeschlossen, über die bspw. Silan in die Prozesskammer 28 eingespeist wird.

[0022] Zur Konditionierung von Oberflächen 7.1, 7.2 und 7.3 innerhalb der Prozesskammer 28, bei denen es sich um Oberflächen des Gaseinlassorgans 11, Oberflächen der Prozesskammerwand oder Oberflächen des Substrathalters 12 handeln kann, wird bspw. durch Öffnen der Prozesskammer 28 Umgebungsluft in die Prozesskammer 28 eingespeist. Es können aber auch nicht dargestellte Belüftungsventile vorgesehen sein, die mit einer Belüftungsleitung verbunden sind. Durch Öffnen des Belüftungsventiles kann Umgebungsluft in das Innere der Vakuumkammer 1 einströmen.

[0023] Die Umgebungsluft enthält geringfügige Mengen an EhO. Die EhO- Moleküle adsorbieren an den Oberflächen 7.1, 7.2, 7.3. Nach einem Evakuieren der Prozesskammer 28 mittels der Pumpe 9 wird das reaktive Gas, also metall organische Verbindung oder das Hydrid in die Prozesskammer 28 eingespeist, so dass das reaktive Gas mit den H ₂ 0-Molekülen reagieren kann, so dass sich ein Festkörper ausbildet, der beispielsweise als Monolage auf der 7.1, 7.2, 7.3 deponiert wird. Ein dabei entstehendes volatiles Reaktionsprodukt wird mittels der Pumpe 9 abgesaugt. Der Prozess kann bei Raumtemperatur durchgeführt werden. Er kann aber auch bei Temperaturen oberhalb von 100°C durchgeführt werden. Letzteres kann zur Steuerung der Schichtdicke der abzuscheidenden Monolage dienen. Als metallorganische Verbindung kommen insbesondere TMA1, TMGa oder TMIn in Betracht.

[0024] Die Fig. 5 zeigt eine Gasversorgungseinrichtung einer OVPD-Reaktor- anordnung zum Abscheiden von OLEDs. Die Prozesskammer 28 ist lediglich schematisch dargestellt. Eines der wesentlichen Bestandteile einer OVPD- Anlage ist eine Trägergaszuleitung 2, die in den Aerosolerzeuger 13 mündet, in dem in der oben beschriebenen Weise ein Aerosol erzeugt wird. Die Aerosol partikel werden im Verdampfer 14 verdampft. Der so erzeugte Dampf wird in die Prozesskammer 28 eingespeist. Die Fig. 5 zeigt zusätzlich einen Sensor 27, bei dem es sich um einen QCM-Sensor handeln kann, mit dem eine Dampfkon zentration in einer Strömungsverbindung 21 zwischen Verdampfer 14 und Pro zesskammer 28 gemessen werden kann. [0025] Erfindungsgemäß ist eine zweite Gaszuleitung 6 vorgesehen, durch die eine metallorganische Verbindung 5, die in einem Behälter 4 bereitgestellt wird, mittels eines Trägergases 3 in die Zuleitung zum Aerosolerzeuger 13 einge speist werden kann. Zur Konditionierung der Oberflächen des Aerosolerzeu gers 13 und/ oder des Verdampfers 14 werden Oberflächen des Aerosolerzeu gers 13 und des Verdampfers 14 zuvor mit Umgebungsluft in Kontakt gebracht, so dass H2O an den Oberflächen adsorbiert. Auch hier bieten sich verschiedene Methoden an, um Umgebungsluft in das Volumen 1 einzubringen. Das Volu men 1 kann geöffnet werden. Es kann ein Belüftungsventil einer Belüftungslei tung geöffnet werden, die in das Volumen 1 mündet.

[0026] Mittels einer Pumpe 9, mit der der Verdampfer 14 und der Aerosoler zeuger 13 abgepumpt werden kann, wird sodann das vom Aerosolerzeuger 13 und Verdampfer 14 gebildete evakuierbare Volumen 1 evakuiert. Anschließend wird die metallorganische Verbindung zusammen mit einem Trägergas in das evakuierbare Volumen 1 eingespeist und nach einer Reaktion auf den Oberflä chen mittels der Pumpe 9 wieder abgepumpt. Hierzu ist die Pumpe 9 über eine Ableitung 8 mit der Strömungsverbindung 21 verbunden.

[0027] Die Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei zwei evakuierbare Volumina 1, 18 vorgesehen sind, die mittels einer Strö mungsverbindung 21 miteinander verbunden sind. In der Strömungsverbin dung 21 befindet sich ein schließbares Ventil 19. Ferner ist eine Druckmessein richtung 10 vorgesehen, mit der der Totaldruck innerhalb der Vakuumkammer 1 gemessen werden kann. Die Vakuumkammer 1 ist zudem über eine Ablei tung 8 und einem weiteren Ventil 20 in der Ableitung 8 mit einer Vakuum pumpe 9 verbunden. [0028] Die beiden Vakuumkammern 1, 18 können mit der Pumpe 9 evakuiert werden, wenn die Ventile 19, 20 geöffnet sind.

[0029] Es ist ferner möglich, die Vakuumkammern 1, 18 oder auch nur die Va kuumkammer 1 mit Umgebungsluft zu fluten, beispielsweise durch Öffnen der Vakuumkammer 1 oder der Vakuumkammer 18 oder durch Öffnen eines nicht dargestellten Belüftungsventils.

[0030] Um die Oberfläche 7.1 der Vakuumkammer 1 zu kondiüonieren, wird die Vakuumkammer 1 durch Schließen des VenÜls 19 von der Vakuumkammer 18 getrennt. Anschließend wird das VenÜl in der Zuleitung 6 zu einem

Gastank 23, in dem sich Silan befindet, geöffnet. Das zusammen mit einem Trä gergas durch eine Gasleitung 3 in die Vakuumkammer 1 einströmende Silan reagiert auf der Oberfläche 7.1 mit dem dort adsorbierten EhO zu dem oben beschriebenen Festkörper.

[0031] Die Fig. 7 zeigt eine weitere Verwendung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens zum Kondiüonieren der Oberflächen einer Vakuumkammer 1, in der sich ein Sensor 27 befinden kann, bei dem es sich um einen QCM-Sensor han deln kann. Die Vakuumkammer 1 befindet sich in einer Strömungsverbindung 21 und kann mittels eines Schieberventils 26 von der Strömungsverbindung 21 getrennt werden. [0032] In die Vakuumkammer 1 mündet eine Zuleitung 6, die über eine Ablei tung 8 von einer Pumpe 9 abgepumpt werden kann. In die Zuleitung 6 kann mit Hilfe eines Trägergases 3 oder eines Trägergases 2 ein reaktives Gas, im vorliegenden Fall eine MO-Verbindung 5 eingespeist werden. [0033] Auch hier ist vorgesehen, die Vakuumkammer 1 zunächst mit Umge bungsluft zu fluten, so dass EhO-Moleküle an den Oberflächen 7.1 adsorbieren. Anschließend wird mittels der Pumpe 9 die Vakuumkammer 1 abgepumpt. Danach wird durch die Zuleitung 6 das reaktive Gas aus dem Behälter 4 in die Vakuumkammer 1 eingespeist. Danach erfolgt ein weiteres Evakuieren der Va kuumkammer 1 mittels der Pumpe 9. Auch hier kann eine nicht dargestellte Belüftungsleitung vorgesehen sein. Es ist aber auch vorgesehen, die Vakuum kammer 1 in Umgebungsluft zu öffnen.

[0034] Während beim Stand der Technik in einem ersten Schritt die metallor- ganische Komponente in die Vakuumkammer eingespeist wird, damit diese an der Oberfläche adsorbiert und anschließend Umgebungsluft in die Vakuum kammer eingespeist wird, damit sich an der Oberfläche die Festkörperschicht bildet, geht die Erfindung einen entgegengesetzten Weg. In einem ersten Schritt wird Umgebungsluft in die Prozesskammer eingespeist, so dass Bestandteile der Umgebungsluft, also insbesondere O2, CO2 oder H2O an der Oberfläche ad sorbieren. Danach wird das reaktive Gas, welches insbesondere mit H2O zu ei nem Feststoff und einem volatilen Stoff reagiert, in die Prozesskammer eingelei tet. Diese erfindungsgemäße Weiterbildung des Verfahrens bringt zudem den Vorteil, dass keine EhO-Moleküle auf der Oberfläche verbleiben. Eine mehr- schichtige Konditionierung kann dadurch erreicht werden, dass nach dem Ein leiten, beispielsweise zu einem späteren Zeitpunkt, wenn etwa die Vakuum kammer zu Wartungszwecken geöffnet wird, letztere erneut mit Umgebungs luft geflutet wird. Die zweite Konditionierungsschicht bildet sich dann aus, wenn in einem weiteren Schritt das reaktive Gas, beispielsweise nach einem vorhergehenden Abpumpen der Vakuumkammer in die Vakuumkammer ein gespeist wird. [0035] Die Fig. 8 zeigt im oberen Bereich schematisch die wesentlichen Be standteile einer Substratbehandlungsvorrichtung. Links ist ein Gasmischsystem 24 dargestellt, welches mit verschiedenen Prozessgasen und zumindest einem Trägergas gespeist werden kann. Mittels Ventilen 19 können die Gase zu- oder abgeschaltet werden. Es sind Massenflussregler 29 vorgesehen, mit denen der Massenfluss der in das Gasmischsystem 24 eingespeisten Gase massenflussge regelt werden kann. In Ausgangsleitungen aus dem Gasmischsystem 24 hin zu einer Reaktoranordnung können weitere Ventile 19 vorgesehen sein. Die im Gasmischsystem 24 gemischten Gase werden mittels Zuleitungen 15, 15' zu ei- nem Gaseinlassorgan 11 einer Vakuumkammer 1 geleitet, in welcher sich ein Substrathalter 12 zur Auflage eines Substrates befindet. Die Abgase werden mittels einer Strömungsverbindung 21 zu einer Pumpe 9 gepumpt und durch eine Ableitung 8 entsorgt.

[0036] Erfindungsgemäß sind in dieser Substratbehandlungsvorrichtung meh- rere Einspeiseanschlüsse 30, 30' vorgesehen, bei denen es sich um Verbindungs flansche handeln kann, die im nicht benutzten Zustand blind geflanscht sein können. Im Gasmischsystem 24 sind bevorzugt Einspeiseanschlüsse 30 strom aufwärts von Massenflussreglern 29 angeordnet. Die Einspeiseanschlüsse 30 befinden sich zwischen einem Ventil und einem Massenflusscontroller 29. [0037] Es sind ferner Einspeiseanschlüsse 30 in der mindestens einen Zulei tung 15, 15' vorgesehen. Die Einspeiseanschlüsse 30 befinden sich zwischen einem Ventil 19 und dem Gaseinlassorgan 11.

[0038] In der Abgasleitung befindet sich ein Pumpenanschluss 31 bzw. ein Einspeiseanschluss 30'. [0039] An die Einspeiseanschlüsse 30 bzw. den Pumpenanschluss 31 oder den Einspeiseanschluss 30' kann eine Rohrverbindung, Schlauchverbindung oder dergleichen angeschlossen werden. Mit dieser Schlauchverbindung, Rohrver bindung oder dergleichen können die Anschlüsse 30, 30', 31 mit korrespondie- renden Anschlüssen einer mobilen Konditioniereinrichtung 32 verbunden wer den.

[0040] Die in der Fig. 8 unten dargestellte mobile Konditioniereinrichtung 32 besitzt ein nicht gesondert gekennzeichnetes Gehäuse, einen Rahmen oder ein Gestell oder dergleichen, welcher auf Rollen oder anderweitig von einem Ort zum anderen transportierbar ist. Bei der mobilen Konditioniereinrichtung 32 kann es sich um eine autark arbeitende Einheit handeln, in der ein Trägergas und ein reaktives Gas und gegebenenfalls eine elektrische Energieversorgung angeordnet sind. Es ist aber auch vorgesehen, dass in der mobilen Konditionie reinrichtung 32 lediglich eine Quelle 5 für das reaktive Gas vorgesehen ist. Die mobile Konditioniereinrichtung 32 kann dann über ein Kabel mit elektrischer Energie versorgt werden und über eine Trägergaszuleitung 33 mit einem Trä gergas. Hierzu ist die Trägergaszuleitung 33 mit einem Einspeiseanschluss 34 versehen. Über Ventile 20 kann das Trägergas jeweils in einen Massenflussreg ler 29 eingespeist werden. Ein Massenflussregler 29 speist einen Bubbier 4, in dem sich eine MO-Verbindung befindet. Das Trägergas kann mit dem durch den Bubbier hindurchströmenden und mit der MO-Verbindung angereicherten Trägergas gemischt werden. Die von den Ventilen 20 und den Massenflussreg- lern 29 gebildete Mischeinrichtung kann über eine Zuleitung 6, die an einem Abgabeanschluss 35 der mobilen Konditioniereinrichtung 32 anschließbar ist, mit einem x-beliebigen Einspeiseanschluss 30 der Substratbehandlungseinrich tung verbunden werden, um wahlweise einzelne Bestandteile der Substratbe handlungseinrichtung zu konditionieren. [0041] In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann anstelle des Bubbiers 4 ein Gasbehälter Bestandteil der mobilen Konditioniereinrichtung 32 sein, in dem eines der zuvor bezeichneten Hydride bevorratet wird.

[0042] Bei dem in der Fig. 8 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die mobi- le Konditioniereinrichtung 32 darüber hinaus eine Leck-Testeinrichtung auf, die mit einer Zuleitung 6 über einen Leck-Testanschluss 36 mit dem Pumpenan schluss 31 verbindbar ist. Über eine in der mobilen Konditioniereinrichtung 32 angeordnete Vakuumpumpe 9 kann das Gasleitungssystem und die Vakuum kammer 1 abgepumpt werden. Mit einem Restgasanalysator 37 kann in bekann- ter Weise ein Helium-Lecktest durchgeführt werden.

[0043] Die Pumpe 9 kann über eine Ableitung 8 mit einem Einspeiseanschluss 30', der stromabwärts der Pumpe 9 der Substratbehandlungseinrichtung ange ordnet ist, verbunden werden.

[0044] Die mobile Konditioniereinrichtung kann beispielsweise nach einer Wartung von einem Ort, wo sie bei Nichtgebrauch verwahrt wird, zu einer

Substratbehandlungseinrichtung gefahren werden, wo sie mit von Schläuchen ausgebildeten Zuleitungen 6 nacheinander oder gleichzeitig an ein oder mehre ren Einspeiseanschlüssen 30 eines Gasmischsystems 24 oder einer Reaktoran ordnung angeschlossen werden kann, so dass durch diese Einspeiseanschlüsse 30 nach einer Belüftung der stromabwärts der Einspeiseanschlüsse 30 angeord neten, evakuierbaren Hohlräume das Konditioniergas in die Hohlräume einge speist werden kann, so dass die oben beschriebene Oberflächenkonditionierung stattfinden kann. [0045] Die mobile Konditioniereinrichtung 32 kann erfindungs gemäß zur Konditionierung einer Vielzahl von Substratbehandlungseinrichtungen ver wendet werden.

[0046] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio nen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0047] Ein Verfahren, das das dadurch gekennzeichnet ist, dass vor dem Ein- speisen des reaktiven Gases das Volumen 1 mit Umgebungsluft geflutet wird und das reaktive Gas nach einem Evakuieren des Volumens 1 in das Volumen eingespeist wird.

[0048] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das reaktive Gas eine metallorganische Verbindung oder ein Hydrid, insbesondere eines Ele- mentes der IV. Hauptgruppe ist und/ oder dass die metallorganische Verbin dung ein Methyl und ein Metall aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass das Metall der III. Hauptgruppe angehört und die metallorganische Ver bindung beispielsweise TMA1, TMGa oder TMIn ist und/ oder, dass das Hydrid S1H ₄ , S1 ₂ H ₆ , GeH ₄ , Ge ₂ H ₆ , SnH ₄ , Sn ₂ H ₆ ist und/ oder dass das reaktive Gas zu- sammen mit einem Trägergas, welches Stickstoff, Wasserstoff, ein Edelgas oder ein Gemisch dieser Gase ist, in das Volumen eingespeist wird.

[0049] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Volumen 1 Bestandteil einer Vorrichtung zum Abscheiden eines organischen Films, eines CVD- oder PVD-Reaktors, einer Vorrichtung zur Änderung der Materialeigen- schäften eines Substrates oder einer auf einem Substrat abgeschiedenen Schicht, einer Vorrichtung zum Abtragen von Material, insbesondere einer Ätz- oder Trockenätz-Vorrichtung oder einer Vorrichtung zum Handhaben eines Substra tes ist, oder dass in das Volumen 1 nach dem Konditionierschritt ein Dampf eines organischen Materials eingespeist oder in dem Volumen 1 ein Dampf ei nes organischen Materials erzeugt wird, der auf einem gekühlten Substrat 17 zu einer Schicht kondensiert, die beim Anlegen eines Stromes leuchtet, oder dass das Volumen 1 Bestandteil einer MOCVD-Reaktoranordnung ist, in welches Volumen nach dem Konditionierschritt ein metallorganisches Material zusam men mit einem Hydrid eingespeist wird, wobei das metallorganische Material zusammen mit dem Hydrid chemisch reagiert und die chemische Reaktion auf einem beheizten Substrat eine Schicht bildet oder dass das Volumen Teil eines Gasmischsystems der Substiatbehandlungsanlage ist.

[0050] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das reaktive Gas zusammen mit einem Trägergas in das Volumen 1 eingespeist wird, welches insbesondere Stickstoff ist und/ oder dass das reaktive Gas zu etwa 0,2% - 1% in einem Trägergas verdünnt ist oder dass das reaktive Gas unverdünnt in das Volumen 1 eingespeist wird.

[0051] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrfach hinterei nander das reaktive Gas, insbesondere verdünnt in einem Trägergas, in das Vo lumen 1 eingespeist wird und nach jedem Einspeisen des reaktiven Gases das Volumen 1 mit einem Inertgas gespült wird und/ oder evakuiert wird und/ oder dass vor dem Einspeisen des reaktiven Gases das Volumen 1 zumin dest einmal abgepumpt und mit einem Trägergas gespült wird.

[0052] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Reaktoranord nung ein zweites, evakuierbares Volumen 18 aufweist, welches vom ersten Vo lumen 1 insbesondere mittels eines Ventils 19 absperrbar ist, wobei bei geöffne- tem Ventil 19 das zweite Volumen 18 zusammen mit dem ersten Volumen 1 mittels einer Pumpe 9 evakuierbar ist, wobei vor dem Einspeisen des reaktiven Gases in das erste Volumen 1 das zweite Volumen 18 vom ersten Volumen 1 derart getrennt wird, dass nur die Oberflächen 7.1 des ersten Volumens 1 mit dem reaktiven Gas in Berührung kommen.

[0053] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass nach dem Kondi tionierschritt ein oder mehrere Substratbehandlungs schritte durchgeführt wer den und in keinem der ein oder mehreren Substratbehandlungsschritte das im Konditionierschritt verwendete reaktive Gas verwendet wird. [0054] Eine Vorrichtung, gekennzeichnet durch eine zweite Zuleitung 6 zum

Einspeisen einer metallorganischen Verbindung oder eines Hydrids, in ein eva kuierbares Volumen 1 der Vorrichtung, welche zweite Zuleitung 6 mit einem Behälter 4, beinhaltend die metallorganische Verbindung 5, oder mit einem Be hälter 23, beinhaltend das Hydrid, leitungsverbunden oder leitungsverbindbar ist.

[0055] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass dem Verdamp fer 14 in Strömungsrichtung eines Trägergases ein Aerosolerzeuger 13 zur Er zeugung eines, Partikel des Ausgangs Stoffs aufweisenden, Aerosols vorgeord net ist, welche mit dem Trägergas zum Verdampfer 14 transportiert wird. [0056] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das evakuierba re Volumen 1 die Prozesskammer 28, den Aerosolerzeuger 13, den Verdampfer 14 oder einen Sensor 28 beinhaltet.

[0057] Eine Vorrichtung, gekennzeichnet durch die folgenden, ihr zumindest örtlich zugeordneten Bestandteile, eine Quelle 4 des reaktiven Gases,

eine Quelle 4 oder ein Einspeiseeinlass 34 zum Einspeisen eines Trä gergases,

eine Ventile 20 und Massenflussregler 29 aufweisende Mischeinrich tung zum Mischen des reaktiven Gases und des Trägergases, einen Gasabgabeanschluss 35 zum Anschluss der Mischeinrichtung an einen Einspeiseanschluss 30 einer ortsfesten Substiatbehand- lungseinrichtung zur Ausbildung einer Strömungsverbindung zwi schen der Quelle 4 des reaktiven Gases und einem Volumen der Sub stratbehandlungseinrichtung.

[0058] Eine Vorrichtung, gekennzeichnet durch eine Leck-Testeinrichtung mit einem Restgasanalysator 37, der an einem in einem Gasauslass der Substratbe handlungseinrichtung angeordneten Pumpenanschluss 31 anschließbar ist. [0059] Substratbehandlungseinrichtung, gekennzeichnet durch mindestens einen mit einer Quelle 4 eines reaktiven Gases verbindbaren Einspeiseanschluss

30.

[0060] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest ein Einspeiseanschluss 30 im Gasmischsystem 24 in Strömungsrichtung vor einem Massenflussregler 29 vorgesehen ist.

[0061] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unter ansprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön nen.

Liste der Bezugszeichen

1 Vakuumkammer 23 Gastank

2 Gaszuleitung 24 Gasmischsystem

3 Gaszuleitung 26 Schieberventil

4 Bubbier 27 Sensor

5 MO-Verbindung 28 Prozesskammer

6 Zuleitung 29 Massenflusscontroller

7.1 Oberfläche 30 Einspeiseanschluss

7.2 Oberfläche 30' Einspeiseanschluss

7.3 Oberfläche 31 Pumpenanschluss

8 Ableitung 32 mobile Konditioniereinrich

9 Pumpe tung

10 Druckmesseinrichtung 33 Trägergaszuleitung

11 Gaseinlassorgan 34 Einspeiseanschluss

12 Substrathalter 35 Abgabeanschluss

13 Aerolsolerzeuger 36 Leck-Testanschluss

14 Verdampfer 37 Restgasanalysator

15 Zuleitung

15' Zuleitung

16 Gaseinlass

17 Substrat

18 Vakuumkammer/ Volumen

19 Ventil

20 Ventil

21 Strömungsverbindung

22 Quelle