Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung einer

optoelektronischen Komponente

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Überprüfung einer auf einem Anschlussträger angeordneten

optoelektronischen Komponente angegeben. Die Messung elektrooptischer Eigenschaften optoelektronischer Komponenten erfolgt gemäß dem Stand der Technik gewöhnlich durch Anlegen einer Gleichspannung an die optoelektronische Komponente. Mitunter liegen optoelektronische Komponenten zumindest zwischenzeitlich in einer Form vor, in der ihre Anschlüsse kurzgeschlossen sind, das heißt, in der zwischen ihren Anschlüssen ein vernachlässigbarer ohmscher Widerstand besteht. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn

optoelektronische Komponenten auf einem Anschlussträger angeordnet sind, beispielsweise während der Fertigung

optoelektronischer Komponenten. Beispielsweise werden

optoelektronische Komponenten in einem metallischen

Leiterrahmenverbund (Leadframeverbund) montiert, wodurch die Kontakte der optoelektronischen Komponenten in Bezug auf Gleichspannungen kurzgeschlossen sind. Diese können somit nicht mit Gleichstrom betrieben werden, um zur

Prozesskontrolle und/oder Prozesssteuerung ihre

elektrooptischen Eigenschaften zu bestimmen.

Während die optoelektronischen Komponenten am Ende des

Fertigungsprozesses vereinzelt und mit einzeln

kontaktierbaren Anschlüssen versehen werden, kann es

vorteilhaft sein, sie zumindest während Teilschritten des Fertigungsprozesses noch nicht zu vereinzeln und/oder noch nicht einzeln kontaktierbar zu machen. Es ist jedoch

wünschenswert, auch in einem solchen Zustand elektrooptische Eigenschaften der optoelektronischen Komponenten messen oder zumindest beobachten zu können, beispielsweise um die

optoelektronischen Komponenten vorzusortieren oder zu

optimieren und/oder um weitere Fertigungsschritte an die gemessenen elektrooptischen Eigenschaften anzupassen. Dadurch wird der Ausschuss reduziert, und es ergibt sich eine Zeit- und Kostenersparnis.

Insbesondere kann die Zeit, die langwierige

Fertigungsschritte wie beispielsweise das Aushärten eines Konversionsmaterials erfordern, besser genutzt werden. Bei der Erzeugung von Leuchtdioden, beispielsweise von

Leuchtdioden, die aufgrund von Volumenkonversion weißes Licht emittieren, unterliegt die Konzentration und Füllmenge des Konversionsmaterials aufgrund derzeitiger Fertigungsverfahren unterschiedlich starken Schwankungen. Derzeit wird

stichprobenartig eine optoelektronische Komponente nach dem Vergießen und Ausheizen des Materials vereinzelt und

vermessen und kann für weitere Fertigungsschritte wie

beispielsweise einen Galvanisierungsschritt nicht mehr verwendet werden. Aus der DE 102013102322.3 ist ein Verfahren zur Vermessung mindestens einer auf einem Anschlussträger angeordneten optoelektronischen Komponente bekannt, welches das Anregen mindestens eines elektromagnetischen Schwingkreises, welcher durch die mindestens eine optoelektronische Komponente und den Anschlussträger gebildet ist, so dass die mindestens eine optoelektronische Komponente zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeregt wird, sowie Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft der mindestens einen optoelektronischen Komponente, umfasst. Das Anregen des elektromagnetischen Schwingkreises kann durch Induzieren einer elektrischen Wechselspannung in dem elektromagnetischen Schwingkreis durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes erfolgen. Die induktive Anregung hat hierbei den Vorteil, dass die Anregung

kontaktlos erfolgen kann. Das zeitlich veränderliche

elektromagnetische Wechselfeld kann beispielsweise durch ein induktives Element, insbesondere eine Spule mit einer oder mehreren Windungen erzeugt werden.

Mittels des in der DE 102013102322.3 beschriebenen Verfahrens können kurzgeschlossene optoelektronische Komponenten im Leiterrahmenverbund zum Leuchten angeregt werden. Sind nun aber wie für viele Bauformen typisch viele optoelektronischen Komponenten parallel verbunden, so leuchten bei einer

induktiven Anregung mit einem klassischen Spulendesign mehrere optoelektronische Komponenten gleichzeitig. Eine selektive Messung, z.B. der Farbe, einzelner

optoelektronischer Komponenten ist somit nicht möglich.

Bei anderen Bauformen sind die zu vermessenden

optoelektronischen Komponenten vergleichsweise kleinen

Bereichen zugeordnet, in denen mittels des in der

DE 102013102322.3 beschriebenen Verfahrens ein

elektromagnetischer Schwingkreis induziert werden kann.

Hierbei werden vergleichsweise hohe Magnetfelddichten

benötigt, um die einzelnen optoelektronischen Komponenten zur Lichtemission anzuregen. Mit Drahtspulen, die im Hinblick auf ihre Wicklung eine konventionelle Geometrie aufweisen, kann die benötigte Felddichte in vielen Fällen nur sehr schwer erreicht werden. Außerdem ist ein Spulendesign gewünscht, bei welchem die Spulen auch bei nur geringen Stückzahlen

reproduzierbar und günstig gefertigt werden können.

Es ist daher zumindest eine Aufgabe der vorliegenden

Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Überprüfung einer auf einem Anschlussträger angeordneten

optoelektronischen Komponente anzugeben, bei welchen eine selektive Anregung von optoelektronischen Komponenten im Vergleich zum Stand der Technik verbessert wird.

Diese Aufgabe wird durch zwei Verfahren und eine Vorrichtung gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und der Vorrichtung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des ersten Verfahrens zur Überprüfung mindestens einer auf einem Anschlussträger angeordneten optoelektronischen Komponente umfasst das

Verfahren Anregen mindestens eines elektromagnetischen

Schwingkreises, welcher durch die mindestens eine

optoelektronische Komponente und den Anschlussträger gebildet ist, so dass die mindestens eine optoelektronische Komponente zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeregt wird. Hierbei umfasst das Anregen des elektromagnetischen

Schwingkreises ein Induzieren einer elektrischen

Wechselspannung in dem elektromagnetischen Schwingkreis durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes durch eine erste Spule und durch eine zweite Spule . Dadurch, dass das Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes durch eine erste Spule und durch eine zweite Spule erfolgt, wird vorteilhaft eine

Verbesserung der selektiven Anregung von optoelektronischen Komponenten im Vergleich zur Verwendung einer einfachen

Drahtspule, die im Hinblick auf ihre Wicklung eine

konventionelle Geometrie aufweist, erreicht. Der Abstand zwischen dem Anschlussträger und den beiden Spulen kann bei Anwendung des Verfahrens variieren, wird jedoch bevorzugt konstant gehalten. Beispielsweise können die beiden Spulen in einem konstanten Abstand vom Anschlussträger über Bereiche verschiedener optoelektronischer Komponenten geführt werden.

Die Erfindung ist nicht auf das Anregen eines einzigen elektromagnetischen Schwingkreises mit einer einzigen

optoelektronischen Komponente beschränkt. Vielmehr kann der angeregte elektromagnetische Schwingkreis auch zwei oder mehrere optoelektronische Komponenten umfassen, deren

elektrooptische Eigenschaft gemessen oder beobachtet werden kann. Außerdem können mehrere elektromagnetische

Schwingkreise mit jeweils einer einzigen optoelektronischen Komponente oder mehrere elektromagnetische Schwingkreise mit jeweils mehreren optoelektronischen Komponenten angeregt werden. Die elektromagnetischen Schwingkreise können

unabhängig voneinander oder auch miteinander gekoppelt sein. Auch ist nicht erforderlich, dass die Anregung des

elektromagnetischen Schwingkreises bzw. der

elektromagnetischen Schwingkreise in unmittelbarer örtlicher Nähe der optoelektronischen Komponente oder Komponenten erfolgt. Vielmehr können die Bereiche der Anregung und der Emission elektromagnetischer Strahlung durch die

optoelektronische Komponente (n) auch voneinander beabstandet sein. Eine optoelektronische Komponente kann hierbei insbesondere ein optoelektronisches Bauelement sein oder ein Element, welches nach Ausführung weiterer Fertigungsschritten als ein optoelektronisches Bauelement vorliegt. Die

optoelektronische Komponente umfasst mindestens ein Bauteil, welches zur Emission von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere aufgrund von Lumineszenz oder Phosphoreszenz, angeregt werden kann. Bevorzugt werden die beiden Spulen in Bezug auf den Anschlussträger verfahren, d.h. relativ zu diesem bewegt, um selektiv verschiedene auf dem

Anschlussträger angeordnete optoelektronische Komponenten anzuregen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die optoelektronische Komponente eine Leuchtdiode (LED) , eine Laserdiode, eine Halbleiterdiode oder ein Halbleiterchip, oder sie umfasst eine Leuchtdiode (LED) , eine Laserdiode, eine Halbleiterdiode oder ein Halbleiterchip. Bei einer

Laserdiode handelt es sich um eine Halbleiterdiode, welche Laserstrahlung emittiert. Die Emission elektromagnetischer Strahlung in der optoelektronischen Komponente erfolgt vorzugsweise aufgrund von Lumineszenz oder Phosphoreszenz.

Bei einem elektromagnetischen Schwingkreis handelt es sich um einen Stromkreis, welcher induktive und/oder kapazitive

Elemente umfasst. Die Gesamtimpedanz eines solchen

Stromkreises ist im Allgemeinen komplexwertig . Insbesondere kann ein elektromagnetischer Schwingkreis sowohl induktive als auch kapazitive Elemente umfassen. In diesem Fall nimmt der Absolutbetrag der Gesamtimpedanz bei Anregung mit einer bestimmten Frequenz ein Minimum an. Der elektromagnetische

Schwingkreis kann vorzugsweise mit dieser bestimmten Frequenz angeregt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die optoelektronische Komponente eine

Halbleiterschichtenfolge. Vorzugsweise enthält die

optoelektronische Komponente ein III-V- Verbindungshalbleitermaterial. III-V-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Al _x In _y Gai- _x - _y N ) über den sichtbaren (Al _x In _y Gai- _x - _y N , insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Al _x In _y Gai- _x - _y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Al _x In _y Gai- _x - _y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y < 1, insbesondere mit x Φ 1, y Φ 1, x Φ 0 und/oder y Φ 0.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens handelt es sich bei dem Anschlussträger um einen Leiterrahmenverbund, insbesondere um einen Metallrahmenverbund. Auf dem

Anschlussträger kann eine Vielzahl optoelektronischer

Komponenten angeordnet sein. Der Anschlussträger kann

mindestens einen Anschlussleiterbereich umfassen, wobei in jedem Anschlussleiterbereich jeweils eine optoelektronische Komponente angeordnet sein kann. Bei einem

Anschlussleiterbereich handelt es sich um einen Bereich, in dem Anschlussleiter ausgebildet sind. Insbesondere können in dem Anschlussleiterbereich Anschlussleiter ausgebildet sein, die während eines Herstellungsprozesses der

optoelektronischen Komponente und/oder nach Fertigstellung der optoelektronischen Komponente als Anschlüsse zur

elektrischen Verschaltung der optoelektronischen Komponente dienen können.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens eine elektrooptische Eigenschaft der mindestens einen optoelektronischen Komponente gemessen. Beispielsweise handelt es sich bei der elektrooptischen Eigenschaft der optoelektronischen Komponente um die Helligkeit, den Farbort oder das Spektrum der von der optoelektronischen Komponente emittierten elektromagnetischen Strahlung. Aufgrund der gemessenen elektrooptischen Eigenschaft können weitere

Eigenschaften der optoelektronischen Komponente bestimmt werden. Beispielsweise kann mindestens eine Lebensdauer mindestens einer Art von Ladungsträgern in der

optoelektronischen Komponente oder in mindestens einem Teil der optoelektronischen Komponente bestimmt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass die erste Spule und die zweite Spule lateral voneinander beabstandet angeordnet sind. Unter einer

lateralen Richtung wird hierbei insbesondere eine Richtung senkrecht zu einer Symmetrieachse der ersten und/oder zweiten Spule und insbesondere zu einer Symmetrieachse eines von der ersten und/oder zweiten Spule erzeugten Magnetfelds

verstanden .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass ein Abstand zwischen einer Mittelachse der ersten Spule und einer Mittelachse der zweiten Spule in lateraler Richtung zwischen 1mm und 10 cm, bevorzugt zwischen 1 cm und 5 cm, beträgt. Bevorzugt fallen die beiden

Mittelachsen jeweils mit den Symmetrieachsen der beiden

Spulen zusammen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass ein die erste Spule durchfließender Strom proportional zu einem die zweite Spule durchfließenden Strom ist. Bevorzugt sind die erste Spule und die zweite Spule miteinander in Serie geschaltet, so dass der die erste Spule durchfließende Strom gleich dem die zweite Spule

durchfließenden Strom ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass die erste Spule und die zweite Spule jeweils durch einen Wechselstrom durchflössen wird. Beispielsweise wird an die beiden Spulen jeweils eine Wechselspannung angelegt. Vorzugsweise ist die Wechselspannung eine

Hochfrequenzspannung. Die Frequenz der Hochfrequenzspannung beträgt beispielsweise 1 MHz bis 10 GHz, bevorzugt 10 MHz bis 1 GHz, und besonders bevorzugt 25 MHz bis 500 MHz. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass ein Magnetfeld im Inneren der ersten Spule antiparallel zu einem Magnetfeld im Inneren der zweiten Spule gerichtet ist. Diese Eigenschaft kann auf bestimmte begrenzte Zeitintervalle beschränkt sein. Bevorzugt ist das Magnetfeld im Inneren der ersten Spule während mehr als 90 ~6 einer zeitlichen Periode des in den beiden Spulen verwendeten

Wechselstroms, besonders bevorzugt während der gesamten

Periode, d.h. zu jedem Zeitpunkt während der Ausführung des Verfahrens, antiparallel zu einem Magnetfeld im Inneren der zweiten Spule gerichtet. Bevorzugt wird hierdurch durch die erste Spule ein im Vergleich zur zweiten Spule gegenphasiger Anteil des elektromagnetischen Wechselfelds erzeugt.

Hierdurch werden von den beiden Spulen im Anschlussträger zwei gegenläufige Ströme, bevorzugt zwei Ströme mit

entgegengesetztem Drehsinn, induziert. Dabei wird ein

elektromagnetischer Schwingkreis bzw. werden

elektromagnetische Schwingkreise lediglich in einem

reduzierten Flächenbereich des Anschlussträgers angeregt. Bevorzugt weisen die erste und zweite Spule in dieser

Ausführungsform die gleiche Zahl von Wicklungen auf.

Durch das örtlich begrenzte Anregen des elektromagnetischen Schwingkreises wird erreicht, dass eine elektrooptische Eigenschaft einer einzelnen optoelektronischen Komponente gemessen oder beobachtet werden kann, ohne dass benachbarte optoelektronische Komponenten, die beispielsweise auf demselben Anschlussträger angeordnet sind, ebenfalls zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeregt werden. Durch geeignete Platzierung der beiden Spulen kann insbesondere erreicht werden, dass sich die durch die beiden Spulen induzierten Spannungen gerade so addieren, dass genau eine optoelektronische Komponente zum Leuchten gebracht werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass ein Magnetfeld im Inneren der ersten Spule parallel zu einem Magnetfeld im Inneren der zweiten Spule gerichtet ist. Auch diese Eigenschaft kann auf bestimmte begrenzte Zeitintervalle beschränkt sein. Bevorzugt ist das Magnetfeld im Inneren der ersten Spule während mehr als 90 % einer zeitlichen Periode des in den beiden Spulen verwendeten Wechselstroms, besonders bevorzugt während der gesamten

Periode, d.h. zu jedem Zeitpunkt während der Ausführung des Verfahrens, parallel zu einem Magnetfeld im Inneren der zweiten Spule gerichtet. Bevorzugt wird hierdurch in der ersten Spule ein im Vergleich zur zweiten Spule

gleichphasiger Anteil des elektromagnetischen Wechselfelds erzeugt. Hierdurch werden von den beiden Spulen im

Anschlussträger zwei synchron verlaufende Ströme, bevorzugt zwei Ströme mit gleichem Drehsinn, induziert. Dabei wird ein elektromagnetischer Schwingkreis bzw. werden

elektromagnetische Schwingkreise in einem vergrößerten

Flächenbereich des Anschlussträgers mit Ausnahme eines zentralen Bereichs angeregt. In dem zentralen Bereich wird kein elektromagnetischer Schwingkreis angeregt bzw. lediglich ein solcher, der einen unzureichend hohen Strom aufweist, um eine im zentralen Bereich angeordnete optoelektronische

Komponente zur Emission elektromagnetischer Strahlung

anzuregen. In dieser Ausführungsform können die erste und zweite Spule eine unterschiedliche Zahl von Wicklungen aufweisen.

Durch das örtlich begrenzte Anregen des elektromagnetischen Schwingkreises wird erreicht, dass eine elektrooptische

Eigenschaft mehrerer, beispielsweise ringförmig angeordneter, optoelektronischen Komponenten gemessen oder beobachtet werden kann, während mindestens eine zentral angeordnete Komponente gezielt inaktiv bleibt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass ein erster Anteil des zeitlich

veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes, welcher durch die erste Spule erzeugt wird, und ein zweiter Anteil des zeitlich veränderlichen elektromagnetischen

Wechselfeldes, welcher durch die zweite Spule erzeugt wird, jeweils nicht geeignet ist, um die optoelektronische

Komponente bzw. ein der optoelektronischen Komponenten zur Emission elektromagnetischer Strahlung anzuregen.

Beispielsweise kann die jeweils von einer der beiden Spulen induzierte Spannung geringer als eine Flusspannung der optoelektronischen Komponente sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die erste Spule und/oder die zweite Spule jeweils als Flachspule,

beispielsweise als eine im Folgenden beschriebene Flachspule, ausgebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die erste und/oder zweite Spule konzentrische Wicklungen auf. Anders ausgedrückt weist jede Wicklung der entsprechenden Spule dann im Rahmen der Herstellungstoleranz denselben Mittelpunkt oder Schwerpunkt auf. Die Wicklungen einer Spule können, zum

Beispiel wenn es sich um eine Drahtspule handelt, alle den gleichen Umfang haben. Alternativ kann der Umfang der

Wicklungen auch variieren, zum Beispiel zwischen jeweils benachbarten Wicklungen kontinuierlich abnehmen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die erste Spule und/oder die zweite Spule gegeneinander verschobene

Wicklungen auf. Beispielsweise liegen im Rahmen der

Herstellungstoleranz die Mittelpunkte oder Schwerpunkte der entsprechenden Wicklungen nebeneinander auf einer in

lateraler Richtung verlaufenden Geraden. Zum Beispiel umfasst die entsprechende Spule n Wicklungen, wobei n eine ganze Zahl größer Eins ist. Der Mittelpunkt oder Schwerpunkt jeder m-ten Wicklung, mit 1 < m < n, ist dann beispielsweise gegenüber dem Mittelpunkt oder Schwerpunkt der m-l-ten Wicklung in eine lateraler Richtung um eine Strecke Δχ verschoben. Der

Mittelpunkt oder Schwerpunkt der m+l-ten Wicklung ist

bevorzugt gegenüber dem Mittelpunkt oder Schwerpunkt der in ^¬ ten Wicklung in die gleiche laterale Richtung, besonders bevorzugt um die gleiche Strecke Δχ, verschoben.

Beispielsweise beträgt Δχ zwischen einschließlich 1 mm und 10 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Umfang jeder inten Wicklung kleiner als der Umfang jeder m-l-ten Wicklung. Das heißt der Umfang der Wicklungen nimmt kontinuierlich ab. Beispielsweise beträgt der Umfang jeder m-ten Wicklung höchstens 90 % oder höchstens 70 % oder höchstens 50 % des Umfangs der m-l-ten Wicklung. Beispielsweise nimmt der Umfang von einer Wicklung zu der nächsten Wicklung zwischen einschließlich 2 mm und 20 mm ab.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die erste

und/oder zweite Spule einen Bereich mit höherer oder

maximaler Wicklungsdichte und einen in lateraler Richtung gegenüberliegenden Bereich mit niedrigerer oder minimaler Wicklungsdichte auf. Bevorzugt ist die Wicklungsdichte in dem einen Bereich zumindest 3-mal oder zumindest 5-mal oder zumindest 10-mal oder zumindest 20-mal so groß wie in dem gegenüberliegenden Bereich. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht sein, dass die Mittelpunkte oder Schwerpunkte der Wicklungen gegeneinander verschoben sind und gleichzeitig der Umfang der Wicklungen abnimmt. Entlang der Geraden in

lateralen Richtung, entlang der die Mittelpunkte oder

Schwerpunkte zueinander verschoben sind, kann dann die

Wicklungsdichte zunehmen oder abnehmen. Die Gerade

durchschneidet beispielsweise den Bereich mit höherer

Wicklungsdichte und den Bereich mit niedrigerer

Wicklungsdichte .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen sowohl die erste Spule als auch die zweite Spule gegeneinander verschobene Wicklungen auf. Bevorzugt liegen die Mittelpunkte oder

Schwerpunkte der Wicklungen beider Spulen auf einer

gemeinsamen Geraden in lateraler Richtung. Bevorzugt weisen sowohl die erste Spule als auch die zweite Spule jeweils einen Bereich mit erhöhter und einen Bereich mit niedrigerer Wicklungsdichte auf. Die Bereiche der ersten und zweiten Spule mit höherer Wicklungsdichte sind bevorzugt einander zugewandt, die Bereiche mit niedrigerer Wicklungsdichte sind bevorzugt einander abgewandt. Auf diese Weise kann es zu einer weiteren Reduzierung der Fläche im Anschlussträger kommen, in dem ein elektromagnetischer Schwingkreis angeregt wird .

Beispielsweise ist der Mittelpunkt oder Schwerpunkt der

Wicklung mit dem kleinsten Umfang der ersten Spule von dem Mittelpunkt oder Schwerpunkt der Wicklung mit dem kleinsten Umfang der zweiten Spule zwischen einschließlich 0,5 mm und 5 mm beabstandet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des zweiten Verfahrens zur Überprüfung mindestens einer auf einem Anschlussträger angeordneten optoelektronischen Komponente umfasst das

Verfahren Anregen mindestens eines elektromagnetischen

Schwingkreises, welcher durch die mindestens eine

optoelektronische Komponente und den Anschlussträger gebildet ist, so dass die mindestens eine optoelektronische Komponente zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeregt wird. Hierbei umfasst das Anregen des elektromagnetischen

Schwingkreises ein Induzieren einer elektrischen

Wechselspannung in dem elektromagnetischen Schwingkreis durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes durch eine Flachspule.

Die Flachspule weist typischerweise zumindest bereichsweise die Form einer archimedischen Spirale auf. Bevorzugt weist die Flachspule mindestens zwei Wicklungen, besonders

bevorzugt mindestens fünf Wicklungen auf. Die Flachspule kann beispielsweise eine Fläche von mehr als 1 cm ² , bevorzugt von mehr als 10 cm ² aufweisen. Optional kann die Flachspule einen Ferritkern aufweisen.

Durch die Verwendung einer Flachspule lassen sich höhere Feldstärken und eine bessere Bündelung des zeitlich

veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes erreichen. Es können somit optisch elektronische Komponenten induktiv zur Lichtemission angeregt werden, für die die Feldstärken und -dichten von Spulen mit einer konventionellen

Wicklungsgeometrie nicht ausreichend sind. Ebenso kann durch die stärkere Feldbündelung eine Reduktion der erforderlichen Anregungsleistung erreicht werden, in vielen Fällen auf etwa 10%.

Die Flachspule kann durch einen gewickelten Metalldraht gebildet sein. Alternativ kann sie durch eine strukturierte Leiterplatte gebildet sein. Flachspulen auf

Leiterplattenbasis sind einfacher in der Fertigung, lassen sich günstig auch in kleineren Stückzahlen fertigen und sind individueller auf die Geometrie des Anschlussträgers, insbesondere des Leiterrahmenverbunds anpassbar. Des Weiteren ist die Reproduzierbarkeit deutlich höher als bei

handgewickelten Spulen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens eine elektrooptische Eigenschaft der mindestens einen optoelektronischen Komponente gemessen. Beispielsweise handelt es sich bei der elektrooptischen Eigenschaft der optoelektronischen Komponente um die Helligkeit, den Farbort oder das Spektrum der von der optoelektronischen Komponente emittierten elektromagnetischen Strahlung. Aufgrund der gemessenen elektrooptischen Eigenschaft können weitere

Eigenschaften der optoelektronischen Komponente bestimmt werden. Beispielsweise kann mindestens eine Lebensdauer mindestens einer Art von Ladungsträgern in der

optoelektronischen Komponente oder in mindestens einem Teil der optoelektronischen Komponente bestimmt werden. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Optimierung einer optoelektronischen Komponente. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren Ausführen eines der beiden erfindungsgemäßen Verfahren zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente, Vergleichen der mindestens einen gemessenen elektrooptischen Eigenschaft der

optoelektronischen Komponente mit einem Sollwert sowie

Modifizieren der optoelektronischen Komponente aufgrund des Vergleichs. Das Modifizieren kann insbesondere Anpassen der elektrooptischen Eigenschaft an den Sollwert umfassen.

Wahlweise oder zusätzlich kann das Verfahren Sortieren optoelektronischer Bauteile aufgrund der gemessenen

elektrooptischen Eigenschaft umfassen.

Wahlweise oder zusätzlich kann das Verfahren ferner Anpassen eines Fertigungsschrittes aufgrund des Vergleichs der

gemessenen elektrooptischen Eigenschaft mit dem Sollwert umfassen. Bei dem Fertigungsschritt kann es sich insbesondere um das Aufbringen eines Konversionsmaterials auf eine LED, insbesondere weißes Licht erzeugende LED handeln. Die LED kann beispielsweise ein Gehäuse, einen blauen Halbleiterchip, ein Konversionsmaterial und gegebenenfalls weitere

Vergussmaterialien umfassen.

Dabei ist die elektrooptische Eigenschaft der

optoelektronischen Komponente vorzugsweise der Farbort der von der optoelektronischen Komponente emittierten

elektromagnetischen Strahlung. Vorzugsweise wird beim

Aufbringen des Konversionsmaterials die Menge des

Konversionsmaterials und/oder die Konzentration eines darin enthaltenen Konversionsstoffes in Abhängigkeit von dem gemessenen Farbort angepasst, um gewünschte Farbeigenschaften der fertigen LED zu erreichen und/oder eine engere Farbverteilung zu realisieren. Obgleich das Spektrum der von einer LED emittierten elektromagnetischen Strahlung eine leichte Temperaturabhängigkeit aufweist und sich die LED aufgrund der Anregung mit einer Hochfrequenzspannung erwärmt, kann der Farbort durch das erfindungsgemäße Verfahren

hinreichend genau bestimmt werden. Nach dem Aufbringen des Konversionsmaterials kann die optoelektronische Komponente beispielsweise mit einem Gehäuse oder einem optischen Element versehen werden. Sind mehrere optoelektronische Komponenten auf dem Anschlussträger angeordnet, so kann anschließend der Verbund aus Anschlussträger und optoelektronischen

Komponenten vereinzelt werden. Hierbei wird der gemeinsame Anschlussträger in mehrere Anschlussträger zerteilt, so dass die fertigen optoelektronischen Komponenten jeweils einen Anschlussträger aufweisen.

Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur

Überprüfung einer optoelektronischen Komponente. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung einen Anschlussträger, auf dem mindestens eine optoelektronische Komponente angeordnet ist, sowie Mittel zum Anregen eines elektromagnetischen Schwingkreises, der den Anschlussträger und die mindestens eine optoelektronische Komponente umfasst. Hierbei umfassen die Mittel eine Flachspule oder eine erste Spule und eine zweite Spule.

Bevorzugt umfasst die Vorrichtung außerdem eine

Messvorrichtung, welche dazu ausgelegt ist, mindestens eine elektrooptische Eigenschaft der optoelektronischen Komponente zu messen.

Die beschriebenen Vorrichtungen sind zur Ausführung der weiter oben beschriebenen Verfahren besonders geeignet. Im Zusammenhang mit den Verfahren ausgeführte Merkmale können daher auch für die Vorrichtungen herangezogen werden und umgekehrt .

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und

Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in

Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Ausführungsbeispielen .

Es zeigen:

Figur 1 eine Draufsicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines Anschlussträgers, auf den ein Verfahren zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente anwendbar ist,

Figur 2 eine Draufsicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines Anschlussträgers, auf den ein Verfahren zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente anwendbar ist,

Figur 3 eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente,

Figur 4 eine zweite Ausführungsform eines Verfahrens zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente, die Figuren 5 und 6 die von zwei Spulen erzeugten Anteile eines Magnetfelds, die Figuren 7 und 8 jeweils eine Flachspule zur Verwendung bei einer weiteren Ausführungsform eines Verfahrens zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente,

die Figuren 9 bis 12 weitere Ausführungsformen der

Flachspule . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren

dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere

Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Ein mit einem Kreis umschlossenes Kreuz in einer Zeichnung zeigt ein Magnetfeld an, welches zu einem bestimmten

Zeitpunkt in die Zeichnungsebene hinein gerichtet ist. Die vorliegend eingesetzten Magnetfelder sind jedoch zeitlich veränderlich, und ein zu einem bestimmten Zeitpunkt in die Zeichnungsebene hinein gerichtetes Magnetfeld kann zu einem anderen Zeitpunkt aus der Zeichnungsebene heraus gerichtet sein. Nur die maßgeblich beteiligten Magnetfeldlinien sind dargestellt .

Figur 1 zeigt eine Draufsicht eines insgesamt mit 100 bezeichneten ersten Ausführungsbeispiels eines

Anschlussträgers, auf den ein Verfahren zur Überprüfung einer opoelektronischen Komponente anwendbar ist. Auf dem

Anschlussträger 100, der beispielsweise ein

Leiterrahmenverbund aus Metall ist, sind optoelektronische Komponenten 10 angeordnet. Der Anschlussträger 100 umfasst drei Anschlussleiterbereiche 12, die in regelmäßigen

Abständen voneinander angeordnet sind und jeweils dieselbe Struktur und Ausrichtung aufweisen. Jeder der

Anschlussleiterbereiche 12 umfasst einen mittleren Bereich 14 sowie erste bis vierte Anschlussleiter 16, 18, 20, 22, welche jeweils dieselbe Breite aufweisen, wobei jeweils der erste Anschlussleiter 16 und der zweite Anschlussleiter 18 auf einer ersten Seite des mittleren Bereichs 14 angeordnet sind und der dritte Anschlussleiter 20 und der vierte Anschlussleiter 22 auf einer zweiten, der ersten Seite gegenüberliegenden Seite des mittleren Bereichs 14 angeordnet sind. Zwischen den ersten und zweiten Anschlussleitern 16, 18 auf der ersten Seite des mittleren Bereichs 14 besteht jeweils ein erster Zwischenraum 24, und zwischen den dritten und vierten Anschlussleitern 20, 22 auf der zweiten Seite des mittleren Bereichs 14 besteht jeweils ein zweiter

Zwischenraum 26, welcher dieselbe Breite aufweist wie der erste Zwischenraum 24. In jedem Anschlussleiterbereich 12 ist ferner jeweils der vierte Anschlussleiter 22 auf der zweiten Seite des mittleren Bereichs 14 durch einen dritten

Zwischenraum 28 von dem mittleren Bereich 14 getrennt; die ersten bis dritten Anschlussleiter 16, 18, 20 schließen jeweils unmittelbar an den mittleren Bereich 14 an.

Die Anschlussleiterbereiche 12 sind ingesamt durch vierte Zwischenräume 30 voneinander getrennt. Die Breite der dritten Zwischenräume 28 ist geringer als die Breite der ersten und zweiten Zwischenräume 24, 26, und die Breite der ersten und zweiten Zwischenräume 24, 26 ist geringer als die Breite der vierten Zwischenräume 30. Der Anschlussträger 100 umfasst ferner einen ersten Überbrückungsbereich 32 und einen zweiten Überbrückungsbereich 34, die auf gegenüberliegenden Seiten der Anschlussleiterbereiche 12 angeordnet sind. Bei jedem

Anschlussleiterbereich 12 sind jeweils der erste und zweite Anschlussleiter 16, 18 auf der ersten Seite des mittleren Bereichs 14 mit dem ersten Überbrückungsbereich 32 verbunden, und der dritte und vierte Anschlussleiter 20, 22 auf der zweiten Seite des mittleren Bereichs 14 sind mit dem zweiten Überbrückungsbereich 34 verbunden. Die ersten und zweiten Überbrückungsbereiche 32, 34 bilden somit eine leitende

Verbindung zwischen den Anschlussleiterbereichen 12. Auf dem mittleren Bereich 14 jedes Anschlussleiterbereichs 12 ist jeweils eine optoelektronische Komponente 10 angeordnet, dessen einer Anschluss in direktem elektrischem Kontakt mit dem mittleren Bereich 14 steht. Der mittlere Bereich 14 wirkt somit als ein erster Anschlussbereich für den Anschluss der optoelektronischen Komponente 10. Ein zweiter Anschluss der optoelektronischen Komponente 10 ist jeweils durch einen Bonddraht 36 über den dritten Zwischenraum 28 hinweg mit dem vierten Anschlussleiter 22 verbunden. Der vierte

Anschlussleiter 22 wirkt somit als ein zweiter

Anschlussbereich für den Anschluss der optoelektronischen Komponente 10. Somit bilden jeweils die optoelektronische Komponente 10, der Bonddraht 36, der vierte Anschlussleiter 22, ein Teil des zweiten Überbrückungsbereichs 34, der dritte Anschlussleiter 20 und ein Teil des mittleren Bereichs 14 einen elektromagnetischen Schwingkreis 38. Dadurch, dass der elektromagnetische Schwingkreis 38 um den zweiten

Zwischenraum 26 herum ausgebildet ist, wird die in der

Umgebung des zweiten Zwischenraums 26 vorhandene Induktivität und Kapazität für den elektromagnetischen Schwingkreis 38 genutzt. Durch ein in dem zweiten Zwischenraum 26 vorhandenes zeitlich veränderliches Magnetfeld 40 kann in dem

elektromagnetischen Schwingkreis 38 eine elektrische

Wechselspannung induziert werden.

In Figur 1 ist außerdem rein exemplarisch ein zweiter

elektromagnetischer Schwingkreis 39 eingezeichnet, welcher durch einen weiteren Bereich des Anschlussträgers 100 gebildet wird, welcher zwei benachbarte optoelektronische Komponenten 10 einschließt. Dadurch soll kenntlich gemacht werden, dass abhängig von der Geometrie des Anschlussträgers 100 und der darauf angeordneten optoelektronischen

Komponenten 10 einerseits und der räumlichen Verteilung der Magnetfeldstärke sowie der Frequenz des Wechselfeldes

andererseits mehrere optoelektronische Komponenten 10 zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeregt werden können. Hierbei kann die Intensität der jeweils emittierten Strahlung zwischen den optoelektronischen Komponenten 10 stark variieren. Beispielsweise kann der elektromagnetische Schwingkreis 39 durch mehrere Anschlussleiter und Teile der Überbrückungsbereiche gebildet sein. Ähnlich wie bei dem elektromagnetischen Schwingkreis 38 wird die in der

(weiteren) Umgebung des zweiten Zwischenraums 26 vorhandene Induktivität und Kapazität für den elektromagnetischen

Schwingkreis 39 genutzt. Durch ein in dem zweiten

Zwischenraum 26 vorhandenes zeitlich veränderliches

Magnetfeld 40 kann in dem elektromagnetischen Schwingkreis 39 wiederum eine elektrische Wechselspannung induziert werden. Hierdurch können die beiden eingeschlossenen benachbarten optoelektronischen Komponenten 10 zur Emission

elektromagnetischer Strahlung angeregt werden. Figur 2 zeigt eine Draufsicht eines insgesamt mit 100

bezeichneten zweiten Ausführungsbeispiels eines

Anschlussträgers, auf den das erfindungsgemäße Verfahren anwendbar ist. Auf dem Anschlussträger 100, der ebenfalls ein Leiterrahmenverbund beispielsweise aus Metall ist, sind wiederum optoelektronische Komponenten 10 angeordnet. Im

Vergleich zu dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel weist der Anschlussträger 100 eine andere Geometrie auf.

Genauer umfasst jeder der Anschlussleiterbereiche 12 zwei Anschlussleiter 16, 18, welche als lateral voneinander beabstandete Leiterrahmen ausgebildet sind. Der Randbereich des Anschlussträgers, welcher beispielsweise rahmenförmig ausgebildet sein kann, ist in Figur 2 nicht dargestellt. Dieser kann jedoch ebenfalls Teil des Schwingkreises sein, d.h. es kann Stromfluss durch ihn hindurch stattfinden.

Figur 3 zeigt schematisch eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zur Überprüfung einer optoelektronischen

Komponente. Sie zeigt den in Figur 2 dargestellten

Anschlussträger 100, über oder unter welchem eine Doppelspule angeordnet ist, welche eine erste Spule 42 und eine zweite Spule 44 umfasst. Die Anordnung der Doppelspule 42, 44 ist lediglich schematisch dargestellt. Die Doppelspule 42, 44 erzeugt ein zeitlich veränderliches elektromagnetisches

Wechselfeld, welches eine elektrische Wechselspannung in einem lokalen Bereich des Anschlussträgers 100 induziert und hierdurch einen elektromagnetischen Schwingkreis anregt. Die Anregung des elektromagnetischen Schwingkreises erfolgt hierbei ähnlich wie bereits in Verbindung mit der Figur 1 erläutert. Die erste Spule 42 und die zweite Spule 44 sind lateral voneinander beabstandet, genauer in einer Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Anschlussträgers 100 und senkrecht zu den Mittelachsen bzw. Symmetrieachsen der beiden Spulen 42, 44. Ein Abstand zwischen der

Mittelachse der ersten Spule 42 und der Mittelachse der zweiten Spule 44 in lateraler Richtung beträgt hierbei zwischen 1 mm und 10 cm, bevorzugt zwischen 1 cm und 5cm.

Die erste Spule 42 und die zweite Spule 44 sind miteinander in Reihe geschaltet und werden im Betrieb jeweils durch den gleichen Wechselstrom durchflössen. Optional sind die erste Spule 42 und die zweite Spule 44 jeweils um einen Ferritkern gewickelt, um eine bessere Magnetfeldbündelung zu erreichen (nicht dargestellt) . Bevorzugt entspricht der Abstand zwischen der Mittelachse der ersten Spule 42 und der Mittelachse der zweiten Spule 44 im Wesentlichen dem Doppelten einer Breite B eines der

Anschlussleiterbereiche 12. Hierdurch ist es möglich, die beiden Spulen 42, 44 unter zwei Anschlussleiterbereichen 12 derart anzuordnen, dass ein dazwischen angeordneter

Anschlussleiterbereich in der Mitte zwischen den beiden

Spulen 42, 44 liegt. Die darin angeordnete optoelektronische Komponente kann somit selektiv zur Emission

elektromagnetischer Strahlung angeregt oder selektiv inaktiv sein, je nachdem, ob ein Magnetfeld im Inneren der ersten Spule 42 parallel oder antiparallel zu einem Magnetfeld im Inneren der zweiten Spule 44 gerichtet ist. Figur 4 zeigt schematisch eine zweite Ausführungsform eines Verfahrens zur Überprüfung einer optoelektronischen

Komponente. Bei dieser Ausführungsform sind zusätzlich zu den Spulen 42, 44 elektrische Kontakte 46, beispielsweise

Nadelkontakte oder Federkontakte, vorgesehen, welche derart angeordnet sind, dass Kurzschlusspfade im Anschlussträger 100 erzeugt werden. Hierdurch werden definierte Strompfade erhalten und beispielsweise ungewünschte Leckstrompfade reduziert . Die Figuren 5 und 6 zeigen schematisch die von den beiden

Spulen 42, 44 erzeugten Anteile des Magnetfelds 43, 45. Die beiden Spulen 42, 44 sind in einem einander entgegengesetzten Drehsinn gewickelt, sodass das Magnetfeld 43 im Inneren der ersten Spule 42 stets antiparallel zum Magnetfeld 45 im

Inneren der zweiten Spule 44 gerichtet ist. Hierdurch werden von den beiden Spulen im Anschlussträger zwei Spannungen 48, 50 mit einander entgegengesetztem Drehsinn induziert, welche sich in einem Bereich in der Mitte zwischen den beiden Spulen 42, 44 addieren. Dabei wird ein elektromagnetischer

Schwingkreis bzw. werden elektromagnetische Schwingkreise lediglich in einem reduzierten Flächenbereich des

Anschlussträgers angeregt bzw. nur dort mit induzierten

Spannungen, die geeignet sind, die optoelektronischen

Komponenten zur Emission elektromagnetischer Strahlung anzuregen .

Figur 7 zeigt schematisch eine Flachspule 52 zur Verwendung bei einer dritten Ausführungsform eines Verfahrens zur

Überprüfung einer optoelektronischen Komponente. Die

Flachspule 52 ist durch einen gewickelten Metalldraht gebildet, weist die Form einer archimedischen Spirale auf und hat im vorliegenden Fall vier Wicklungen. Durch eine höhere Anzahl von Wicklungen kann eine noch bessere Feldbündelung erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann eine Vergrößerung der erzeugten Feldstärke auch durch die Anordnung eines Ferritkerns 54 im Zentrum der Flachspule 52 erreicht werden (siehe Figur 8 ) .

Die Figuren 9 bis 11 zeigen Ausführungsformen, in welchen die Flachspule 52 durch eine strukturierte Leiterplatte gebildet ist. Eine solche Anordnung kann insbesondere durch

photochemisches Ätzen einer Leiterplatte hergestellt wurden. Je nach Bauteilgröße und verfügbaren Platz ist auch die

Verwendung eines ferromagnetischen Elements zur zusätzlichen Feldbündelung denkbar.

Die Figuren 10 und 11 zeigen hierbei besondere

Ausführungsformen, in denen eine selektive Anregung eines oder weniger optoelektronischer Komponenten auf dem

Anschlussträger dadurch ermöglicht wird, dass zwei

Flachspulen 52-1 und 52-2 durch die strukturierte Leiterplatte gebildet sind. Die Wicklungen können hierbei eine kreisförmige oder rechteckige Grundform aufweisen. Je nach Drehsinn der Wicklungen der Flachspulen 52-1 und 52-2 und dem Stromfluss durch sie während des Betriebes können beispielsweise entweder zueinander parallele oder

antiparallele Magnetfelder in ihrem Inneren erzeugt werden.

In Figur 12 sind zwei Flachspulen 52-1, 52-2 gezeigt, die jeweils verschobene Wicklungen aufweisen. Dabei sind die Schwerpunkte der Wicklungen jeweils entlang einer Geraden nebeneinander angeordnet. Zusätzlich nimmt jeweils der Umfang der Wicklungen in den beiden Flachspulen 52-1, 52-2 entlang der Geraden ab. Dadurch ist erreicht, dass die Flachspulen 52-1, 52-2 jeweils einen Bereich mit höherer Wicklungsdichte und einen Bereich mit niedrigerer Wicklungsdichte aufweisen. Die Bereiche mit höherer Wicklungsdichte der beiden

Flachspulen 52-1, 52-2 sind einander zugewandt, die Bereiche niedrigerer Wicklungsdichte sind einander abgewandt. Anders als in Figur 12 gezeigt, müssen die beiden Spulen mit verschobenen Wicklungen nicht Flachspulen sein sondern können auch Spulen mit konventioneller Wicklungstechnik sein.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 101 671.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.