Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Fügen von siliziuminfiltriertem SiSiC.

Im Stand der Technik ist das sogenannte„Diffusionsbonden" als eine Methode zum Fügen bekannt, das auch für SiSiC angewendet werden kann. Bei erhöhter Temperatur und mit einem gewissen Anpressdruck„verschweißen" die Fügestellen durch Diffusion einzelner Siliziumatome miteinander. Da nur wenig Materialtransport auftritt, müssen die zu fügenden Oberflächen eine sehr gute Oberflächenqualität aufweisen. Bei einer rauen Oberfläche gibt es nur wenig Kontaktpunkte, an denen eine„Verschweißung" stattfinden kann, wodurch nur eine schwache Verbindung mit geringer Festigkeit entsteht. Im Stand der Technik wird daher beschrieben, dass die Oberflächen vor dem Diffusionsbonden aufwändig poliert werden müssen. Eine andere Möglichkeit ist zwar das Aufbringen einer Zwischenschicht aus z.B. Silizium, um auch rauere Flächen fügen zu können. Da diese Zwischenschicht jedoch nicht beliebig dünn gemacht werden kann, beeinflusst diese die Eigenschaften der Verbindung nach dem Fügen negativ.

Ein weiterer Nachteil der im Stand der Technik beschriebenen Verfahren ist die notwendige sehr präzise Bearbeitung hinsichtlich der Ebenheit geringe Rauhigkeit / Balligkeit der Oberfläche. Passen die zu fügenden Flächen nämlich nicht genau aufeinander, entstehen Spalten, die durch den normalen Diffusionsbondprozess nicht verbunden werden können.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestand deshalb darin, ein Verfahren bereitzustellen, welches die Nachteile der aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren nicht aufweist. Insbesondere sollte das erfindungsgemäße Verfahren auch bei raueren Oberflächen und/oder Oberflächen mit einer höheren Balligkeit zu einer ausreichenden Verbindung führen.

Die Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Fügen von keramischen Oberflächen, insbesondere von SiSiC-Materialien. Bevorzugt sind diese SiSiC- Materialien im silizierten Zustand, d.h. SiSiC enthält Silizium als eine durchgehende metallische Materialphase. Der Siliziumgehalt des SiSiC-Materials beträgt < 20 Vol%.

Metalle werden bei bestimmten hohen Temperaturen plastisch verformbar. Erfindungsgemäß vorgesehen ist daher, die Temperatur beim Diffusionsbonden so hoch zu wählen, dass Silizium plastisch verformbar wird. Dies ist bei Temperaturen nahe am Schmelzpunkt von Silizium der Fall. Die Fügetemperatur beträgt deshalb vorzugsweise zwischen 1300 und 1380 °C, bevorzugt zwischen 1330 und 1360 °C. Die Haltezeit bei Maximaltemperatur beträgt vorzugsweise 15 bis 60 min und muss anhand der gewählten Maximaltemperatur und Bauteilgeometrie eingestellt werden. Durch die plastische Verformung können vor allem Unebenheiten (z.B. Balligkeit oder abweichende Parallelität) in der zu fügenden Fläche ausgeglichen werden. Dabei ist es wichtig, dass das Material zwar plastisch verformbar ist, die Temperatur jedoch so eingestellt wird, dass das Material in seiner Gesamtheit möglichst formstabil bleibt, damit es unter dem Pressdruck zu keiner Verformung des gesamten Bauteils kommt, die die Funktion einschränken oder zu einer aufwändigen Nachbearbeitung führen würde. Das erfindungsgemäße Verfahren wird dabei im Vakuum oder Inertgasatmosphäre durchgeführt.

Das erfindungsgemäße Verfahren stellt keine extremen Anforderungen an die Ebenheit von flächigen Bauteilen. Damit lassen sich auch großflächige Bauteile (z.B. Ronden aus SiSiC mit Durchmessern von ca. 300 mm) fügen (bonden), selbst wenn nach der Oberflächenbearbeitung eine Balligkeit im Mikrometerbereich vorhanden ist. Die Balligkeit des flächigen Bauteils kann bis zu 5 μιτι pro 100 mm Bauteillänge betragen und beträgt bevorzugt 1 μιτι pro 100 mm Bauteillänge.

Das erfindungsgemäße Verfahren stellt auch keine extremen Anforderungen an die Oberflächenrauheit. Eine gegebenenfalls erfindungsgemäß vorgesehene Oberflächenbearbeitung durch Läppen wirkt sich jedoch vorteilhaft aus, um einen stabilen Fügeprozess zu ermöglichen. Aufgrund der hohen Prozesstemperaturen kann die Prozesszeit im Vergleich zum Stand der Technik deutlich verkürzt werden. Die Haltezeit bei Maximaltemperatur beträgt vorzugsweise 15 bis 60 min.

Die Anpressdrücke können beim erfindungsgemäßen Verfahren niedrig gehalten werden. Dies ist vor allem beim Fügen großer Flächen vorteilhaft. Der Anpressdruck beträgt dabei 0,1 bis 5,0 MPa, bevorzugt 0,4 bis 1 ,0 MPa.

Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren entsteht eine dünne Fügenaht zwischen den verbundenen Oberflächen. Die Dicke dieser Fügenaht beträgt im Mittel maximal 5 μιτι, bevorzugt maximal 3 μιτι. (Messung im Lichtmikroskop am metallographischem Anschliff).

Beispiel:

Fügen einer runden Scheibe (D: 100mm) mit innenliegenden Kanälen. Das Material ist Rocar SiF. Die Fügeflächen wurden poliert mit 1 m-Diamantsuspension. Die Balligkeit betrug 6 μιτι.

Die zwei Scheiben wurden in einer Heißpresse mit folgenden Parametern gefügt: Argon-Atmosphäre, Aufheizrate 8,3 K/min bis zur Maximal-Temperatur 1350 °C, Haltezeit 20 min mit 0,5 MPa Anpressdruck.

Das Bauteil wurde durchgesägt. Die Fügenaht war optisch kaum zu sehen. Nach einer Anschliffpräparation konnte die Fügestelle im Lichtmikroskop charakterisiert werden. Es ist eindeutig zu erkennen, dass zwischen den polierten Flächen sich eine dünne Siliziumschicht mit einer mittleren Dicke von 1 -2 μιτι ausgebildet hat.