以下、本発明のシリコン基材の接合方法、� ��滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デ� ��イスを添付図面に示す好適実施形態に基づ� ��て詳細に説明する。
 <シリコン基材の接合方法>
 ≪第1実施形態≫
 まず、本発明のシリコン基材の接合方法の� ��1実施形態について説明する。
 図1ないし図3は、それぞれ本発明のシリコ� �基材の接合方法の第1実施形態を説明するた� ��の模式図(縦断面図)である。なお、以下の� �明では、図1ないし図3中の上側を「上」、下 側を「下」と言う。

 本発明のシリコン基材の接合方法は、2枚の シリコン基材(第1のシリコン基材と第2のシリ コン基材)の表面同士を直接接触させて接合� �る方法である。
 かかる方法は、[1]第1のシリコン基材をへき 開するへき開工程(第1の工程)と、[2]第2のシ� �コン基材を用意し、へき開された第1のシリ� ��ン基材のへき開面と第2のシリコン基材とを 密着させることにより、これらを接合する接 合工程(第2の工程)とを有する。以下、これら の各工程について、詳述する。

 [1]シリコン基材のへき開工程(第1の工程)
 本実施形態では、[1-1]まず、Si-H結合を含む� ��1のシリコン基材1を用意する。[1-2]そして、 第1のシリコン基材1に対し、エネルギーを付� ��する。これにより、Si-H結合が選択的に切断 されるとともに、脱離した水素原子同士が結 合して水素ガスが発生する。この水素ガスは 、大きな体積を占めることから、水素ガスが 発生した部分で、第1のシリコン基材1が押し� ��げられる。その結果、ついには、第1のシリ コン基材1がへき開されることとなる。以下� �本工程を順次説明する。
 なお、本実施形態では、一例として、図1に 示すA-A線に沿って第1のシリコン基材1をへき� ��するものとする。また、以下、A-A線で示さ� ��る面を、「へき開すべき面11」と言う。以� �、本工程を順次説明する。

 [1-1]
 本工程で用意するSi-H結合を含む第1のシリ� �ン基材1は、化学結合として、Si-Si結合の他� �、Si-H結合を含むシリコン材料で構成されて� ��る。
 具体的に、第1のシリコン基材1を構成する� �料としては、例えば、(A)水素化アモルファ� �シリコンのような水素が添加されたアモル� �ァスシリコンや、(B)水素が添加された単結� �シリコン、多結晶シリコンのような結晶シ� �コン等が挙げられる。かかるアモルファス� �リコンや結晶シリコンによれば、第1のシリ� ��ン基材1を確実にへき開することができる。 以下、(A)、(B)について順次説明する。

 (A)水素化アモルファスシリコンは、例えば� ��蒸着法、スパッタ法、プラズマCVD法、熱CVD� ��のような各種CVD法、プラズマ重合法等によ� ��て作製したものを用いることができる。
 また、特に、原料ガスとしてシラン(SiH ₄ )、ジシラン(Si ₂ H ₆ )等のシラン系ガスを用い、CVD法によって作� �された水素化アモルファスシリコンが、第1� ��シリコン基材1を構成する材料として好まし く用いられる。このような方法で作製された 水素化アモルファスシリコンは、シリコン原 子が、結晶構造のような長距離規則性を持た ずに無秩序に配列してなる材料である。また 、水素化アモルファスシリコンでは、原料ガ スに含まれる水素が膜中に全体的に取り込ま れ、シリコンの未結合手(ダングリングボン� �)が水素で終端されることによってSi-H結合が 形成されている。このように、シランを用い たCVD法によれば、水素化アモルファスシリコ ンを効率よく作製することができる。

 また、特に、原料ガスとしてオルガノシロ� ��サン系ガスを用い、プラズマ重合法によっ� ��作製された水素化アモルファスシリコンも� ��第1のシリコン基材1を構成する材料として� �ましく用いられる。このような方法で作製� �れた水素化アモルファスシリコンは、シリ� �ン原子、酸素原子および有機基が、結晶構� �のような長距離規則性を持たずに無秩序に� �列してなる材料である。また、このような� �素化アモルファスシリコンでは、原料ガス� �含まれる水素が膜中に全体的に取り込まれ� �シリコンの未結合手(ダングリングボンド)が 水素で終端されることによってSi-H結合が形� �されている。このように、オルガノシロキ� �ンを用いたプラズマ重合法によっても、水� �化アモルファスシリコンを効率よく作製す� �ことができる。
 なお、原料ガスとしては、例えば、メチル� ��ロキサン、オクタメチルトリシロキサン、� ��カメチルテトラシロキサン、デカメチルシ� ��ロペンタシロキサン、オクタメチルシクロ� ��トラシロキサン、メチルフェニルシロキサ� ��のようなオルガノシロキサン等が挙げられ� ��。

 また、マスク等を介してCVD法およびプラズ� ��重合法を行うことにより、所望の領域にの� ��選択的に水素化アモルファスシリコンを成� ��することができる。これにより、所望の形� ��をなす第1のシリコン基材1を容易に作製す� �ことができるという利点もある。
 なお、マスク等を用いることなく、広い面� ��に対して水素化アモルファスシリコンを成� ��した後、この膜を、フォトリソグラフィー� ��術およびエッチング技術を組み合わせてパ� ��ーニングするようにしてもよい。かかる方� ��によっても、所望の形状をなす第1のシリコ ン基材1を容易に作製することができる。

 また、水素化アモルファスシリコンにおけ� ��水素含有率は、0.5~20atm%程度であるのが好ま しく、1~15atm%程度であるのがより好ましい。� ��素化アモルファスシリコンの水素含有率が� ��記範囲内であることにより、第1のシリコン 基材1を確実にへき開することができる。
 なお、水素含有率が前記下限値未満である� ��合、Si-H結合を切断することによって発生す る水素ガスの発生量が著しく少なくなる。こ のため、水素ガスによって第1のシリコン基� �1を十分に押し広げることができず、第1のシ リコン基材1をへき開させるのが困難になる� �それがある。一方、水素含有率が前記上限� �を上回る場合、水素化アモルファスシリコ� �の各種特性が低下する。例えば、水素含有� �が前記上限値を上回ると、水素化アモルフ� �スシリコンが脆化し、機械的特性が低下す� �おそれがある。また、水素含有率が高すぎ� �ため、そのような水素化アモルファスは、� �状の成膜技術では作製条件の設定が難しく� �量産性に欠ける可能性がある。

 ところで、水素化アモルファスシリコンに� ��ける水素含有率は、水素化アモルファスシ� ��コンがプラズマCVDによって成膜されたもの� ��ある場合、原料ガスの組成、流量、プラズ� ��の出力、プラズマCVD装置のチャンバ内の圧� ��、成膜温度等の各種パラメータを適宜設定� ��ることにより制御することができる。
 同様に、水素化アモルファスシリコンがプ� ��ズマ重合法によって成膜されたものである� ��合、原料ガスの組成、プラズマ出力(高周波 出力密度)等の各種パラメータを適宜設定す� �ことにより、水素化アモルファスシリコン� �おける水素含有率を制御することができる� �
 具体的には、例えば、高周波出力密度を高� ��ることにより、水素化アモルファスシリコ� ��中の水素含有率を高めることができる。

 なお、高周波の出力密度は、特に限定され� ��いが、0.01~100W/cm ² 程度であるのが好ましく、0.1~50W/cm ² 程度であるのがより好ましく、1~40W/cm ² 程度であるのがさらに好ましい。
 また、高周波の周波数は、特に限定されな� ��が、1kHz~100MHz程度であるのが好ましく、10~60 MHz程度であるのがより好ましい。

 (B)結晶シリコンは、ダイヤモンド型構造を� ��する結晶質の材料である。
 結晶シリコンのうち、単結晶シリコンでは� ��材料全体においてシリコン原子が規則正し� ��配列している。これに対し、多結晶シリコ� ��は、異なる面方位を有する単結晶シリコン� ��粒が集合してなる材料である。
 これらの結晶シリコンは、通常、作製直後� ��は水素を含有していないので、結晶シリコ� ��を作製した後、水素原子または水素イオン� ��添加されたものを第1のシリコン基材1とし� �使用することができる。水素が添加された� �晶シリコンでは、この添加された水素と、� �晶構造を構成するシリコンとによってSi-H結� ��が形成されている。

 結晶シリコンに水素原子または水素イオン� ��添加する方法としては、いかなる方法を用� ��てもよく、例えば、イオン注入装置を用い� ��イオン注入法等が挙げられる。
 イオン注入法では、電界によって加速され� ��水素イオンを、結晶シリコンの表面から打� ��込むことにより、結晶シリコンに水素を添� ��する。このとき、水素イオンの打ち込みは� ��後述する工程[2]において、第2のシリコン基 材との接合に供される面とは反対の面から行 われるのが好ましい。これにより、へき開後 に接合に供される第1のシリコン基材1が、イ� ��ン注入によってダメージを受けるのを防止� ��ることができる。その結果、最終的に作製� ��れる接合体3において、良好な特性を得るこ とができる。

 なお、本実施形態では、水素が添加された� ��晶シリコンでは、水素が、少なくともへき� ��すべき面11に存在していればよい。すなわ� �、水素は、第1のシリコン基材1の全体的に添 加されていても、へき開すべき面11の近傍に� ��所的に添加されていてもよい。
 また、結晶シリコンで構成された第1のシリ コン基材1では、結晶面がへき開すべき面11と 平行であるのが好ましい。これにより、へき 開が結晶面に沿って進行することになるため 、得られたへき開面は、より平滑性の高いも のとなる。
 また、第1のシリコン基材1には、必要に応� �て、p型ドーパントやn型ドーパント等が添加 されていてもよい。これにより、第1のシリ� �ン基材1の電気的特性を制御することができ� ��。
 以上、(A)、(B)の方法により、第1のシリコン 基材1を作製することができる。

 [1-2]
 次に、第1のシリコン基材1に対し、エネル� �ーを付与する。
 第1のシリコン基材1にエネルギーを付与す� �方法には、第1のシリコン基材1を変質・劣化 させることなく、Si-H結合を選択的に切断し� �る方法であれば、いかなる方法をも用いる� �とができる。

 ここで、Si-H結合の結合エネルギーは3.1~3.5eV 程度であり、Si-Si結合の結合エネルギーは7.6e V程度である。このように、Si-H結合とSi-Si結� �との間で結合エネルギーにある程度の差が� �ることから、第1のシリコン基材1に付与する エネルギーの大きさを制御することにより、 Si-Si結合をほとんど切断することなく、Si-H結 合のみを選択的に切断することができる。
 また、同様に、Si-H結合の結合エネルギーは 、Si-O結合やSi-C結合の結合エネルギーよりも� ��さい。したがって、第1のシリコン基材1に� �与するエネルギーの大きさを制御すること� �より、Si-H結合のみを選択的に切断すること� ��できる。

 また、本実施形態では、特に、エネルギ� ��を付与する方法として、図1(b)に示すように 、第1のシリコン基材1にレーザ光を照射する� ��法を用いる。レーザ光によれば、第1のシリ コン基材1の変質・劣化を確実に防止しつつ� �Si-H結合を選択的に効率よく切断することが� ��きる。また、レーザ光によれば、第1のシリ コン基材1のへき開すべき面11に対して局所的 にエネルギーを付与することができる。これ により、へき開すべき面11付近に存在するSi-H 結合のみを選択的に切断することができる。

 ここで、レーザ光としては、例えば、エキ� ��マレーザのようなパルス発振レーザ(パルス レーザ)、炭酸ガスレーザ、半導体レーザの� �うな連続発振レーザ等が挙げられる。
 このうち、本実施形態では、パルスレーザ� ��好ましく用いられる。パルスレーザでは、� ��1のシリコン基材1のレーザ光が照射された� �分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積� �れた熱による第1のシリコン基材1の変質・劣 化を確実に防止することができる。また、第 1のシリコン基材1において、照射された部分� ��熱が蓄積され難いと、その熱が周囲に広が� ��ても温度上昇を極力抑えることができる。� ��のため、照射した部分から離れた部分にエ� ��ルギーが付与されるのを防止し、照射すべ� ��部分に対して選択的にエネルギーを付与す� ��ことができる。これにより、切断するSi-H結 合の位置精度を高めることができ、へき開位 置の位置精度を高めることができる。
 これに対し、連続発振レーザでは、レーザ� ��が照射された部分に経時的に蓄積された熱� ��、放熱して温度が低下する間もなく、レー� ��光が連続的に照射されることになるため、� ��射された部分の温度が高温になるおそれが� ��る。このため、第1のシリコン基材1の変質� �劣化を招くとともに、へき開位置の位置精� �が低下するおそれがある。

 また、パルスレーザのパルス幅は、熱の� ��響を考慮した場合、できるだけ短い方が好� ��しい。具体的には、パルス幅が1ps(ピコ秒)� �下であるのが好ましく、500fs(フェムト秒)以� ��であるのがより好ましい。パルス幅を前記� ��囲内にすれば、レーザ光照射に伴って第1の シリコン基材1に生じる熱の影響を、ほぼ抑� �ることができる。また、パルス幅が前記範� �内であれば、レーザ光の照射に伴って熱が� �積し、高温の領域が第1のシリコン基材1の厚 さ方向(レーザ光の照射方向)へ広がるのを特� ��確実に防止することができる。これにより� ��へき開位置の位置精度をより高めることが� ��きる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に� ��さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ� ��と呼ばれる。

 また、レーザ光の波長は、特に限定されな� ��が、例えば、200~1200nm程度であるのが好まし く、300~1000nm程度であるのがより好ましい。
 また、レーザ光のピーク出力は、パルスレ� ��ザの場合、パルス幅によって異なるが、0.1~ 10W程度であるのが好ましく、1~5W程度である� �がより好ましい。
 さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は� ��0.1~100kHz程度であるのが好ましく、1~10kHz程� �であるのがより好ましい。パルスレーザの� �波数を前記範囲内に設定することにより、� �ーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇� �て、Si-Si結合が切断されてしまうのを防止し つつ、Si-H結合を確実に切断することができ� �。

 なお、このようなレーザ光の各種条件は� ��レーザ光を照射された部分の温度が、好ま� ��くは300~600℃程度、より好ましくは400~500℃� �度になるように適宜調整されるのが好まし� �。これにより、レーザ光を照射された部分� �おいて、Si-Si結合をほとんど切断することな く、Si-H結合のみを選択的に切断することが� �きる。また、特に、第1のシリコン基材1がア モルファスシリコンで構成されている場合に は、温度が高くなり過ぎて、アモルファスシ リコンが結晶化してしまうのを確実に防止す ることができる。

 また、第1のシリコン基材1に照射するレ� �ザ光は、その焦点を、第1のシリコン基材1の へき開すべき面11に合わせた状態で、このへ� ��開すべき面11に沿って走査されるようにす� �のが好ましい。これにより、レーザ光の照� �によって発生した熱が、へき開すべき面11付 近に局所的に蓄積されることとなる。その結 果、第1のシリコン基材1をへき開すべき面11� �沿って存在するSi-H結合が選択的に切断され� ��。

 Si-H結合が切断されると、水素原子が結合し ていた結合手は、未結合手(ダングリングボ� �ド)14となる。一方、脱離した水素原子は、2� ��結合して、図1(c)に示すように、へき開すべ き面11付近に水素ガス12が発生する。この水� �ガス12は、大きな体積を占めることから、へ き開すべき面11において第1のシリコン基材1� �押し広げられる。これにより発生する応力� �第1のシリコン基材1の破壊応力に達すると、 図1(d)に示すように、へき開すべき面11におい て第1のシリコン基材1が上下にへき開され、� ��割される。これにより、2つのへき開された 第1のシリコン基材1’が得られる。
 2つにへき開された第1のシリコン基材1’の� ��へき開面13、13には、それぞれシリコンの未 結合手14が露出しており、活性の高い状態と� ��っている。なお、このへき開面13は、例え� �、シリコン基材を研磨した面よりも高い平� �性を有している。

 なお、このようなエネルギーの付与は、窒� ��ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰� ��気中または減圧雰囲気中で行うのが好まし� ��。これにより、へき開面13が汚染されたり� �大気中の酸素や水分等が付着して、へき開� �13が酸化されたりするのを確実に防止するこ とができる。その結果、へき開面13に露出し� ��未結合手14が、酸素や水酸基等で不本意に� �端化される(不活性化される)のを防止するこ とができる。
 また、第1のシリコン基材1の全体にわたっ� �水素が添加されている場合、上記のように� �き開すべき面11にレーザ光の焦点を合わせる 方法を用いることが推奨される。これにより 、第1のシリコン基材1の全体に水素が分布し� ��いても、へき開すべき面11において第1のシ� ��コン基材1を確実にへき開することができる 。

 [2]シリコン基材の接合工程(第2の工程)
 本工程では、[2-1]まず、表面21にシリコンの 未結合手22が露出した第2のシリコン基材2を� �意する。[2-2]そして、前記工程[1]で2つにへ� �開された第1のシリコン基材のうち、一方の� ��1のシリコン基材1’のへき開面13と、用意し た第2のシリコン基材2の表面21とが接触する� �うに、へき開された第1のシリコン基材1’と 第2のシリコン基材2とを重ね合わせる。これ� ��より、へき開された第1のシリコン基材1’� �へき開面13に露出するシリコンの未結合手14� ��、第2のシリコン基材2の表面21に露出するシ リコンの未結合手22とが結合して、Si-Si結合� �形成される。その結果、へき開された第1の� ��リコン基材1’と第2のシリコン基材2とが接� ��され、接合体3が得られる。以下、本工程を 順次説明する。

 [2-1]
 本工程で用意する第2のシリコン基材2は、� �の表面21にシリコンの未結合手22が露出した� ��のである。
 このような第2のシリコン基材2は、いかな� �方法で形成されたものでもよいが、例えば� �以下の2つの方法(I)、(II)で形成することがで きる。

 (I)
 この方法では、Si-H結合を含むシリコン基材 を用意し、このシリコン基材に対し、前記工 程[1]と同様にして、このシリコン基材をへき 開する。このようにして得られた、へき開さ れたシリコン基材を、第2のシリコン基材2と� ��て用いることができる。
 具体的には、まず、Si-H結合を含むシリコン 基材を用意する。そして、このシリコン基材 に対し、エネルギーを付与する。これにより 、Si-H結合が選択的に切断されるとともに、� �離した水素原子同士が結合して水素ガスが� �生する。この水素ガスにより、シリコン基� �が押し広げられ、シリコン基材がへき開さ� �る。このようにしてへき開されたシリコン� �材のへき開面には、シリコンの未結合手が� �出している。

 なお、このようにして形成されたへき開� ��は、例えば、シリコン基材を研磨した面よ� ��も高い平滑性を有している。したがって、� ��き開により作製された第1のシリコン基材1� �と、へき開により作製された第2のシリコン� ��材2とに対して、本発明の接合方法を適用す ることにより、接合界面の密着性が高くなる 。その結果、接合強度の高い接合体3が得ら� �る。

 (II)
 この方法では、Si-H結合を含むシリコン基材 5を用意する。
 かかるシリコン基材5は、第1のシリコン基� �1の構成材料と同様である。
 次に、用意したシリコン基材5に対し、フッ 酸含有液によるエッチングを施す。フッ酸含 有液は、フッ酸系エッチング液であり、例え ば、フッ酸(HF)溶液、バッファードフッ酸(フ� ��酸とフッ化アンモニウム(NH ₄ F)との混合液)等が挙げられる。このようなフ ッ酸含有液は、シリコンに対して酸化シリコ ンのエッチング選択比が極めて高い。このた め、エッチング液としてフッ酸含有液を用い ることにより、シリコン基材5の母材が劣化� �るのを防止しつつ、シリコン基材5に形成さ� ��た酸化シリコンを選択的に除去することが� ��きる。すなわち、シリコン基材5には、一般 に大気中の酸素や水分の影響で表面に酸化シ リコンで構成された酸化膜が形成されている が、フッ酸含有液を用いたエッチングにより 、この酸化膜のみを選択的に除去することが できる。
 表面の酸化膜が除去されると、シリコン基� ��5の表面51にシリコンの未結合手が露出する� ��しかしながら、この未結合手には、図2(e)に 示すように、フッ酸含有液中の水素イオンが 瞬時に結合し、終端化される。

 次に、エネルギーを付与して、シリコン基� ��5に含まれたSi-H結合を選択的に切断する。� �れにより、シリコン基材5の表面51には、図2� ��示すように、シリコンの未結合手が露出す� ��。
 エネルギーを付与する方法としては、例え� ��、エネルギー線を照射する方法、シリコン� ��材5を加熱する方法等が挙げられる。

 このうち、照射するエネルギー線としては� ��例えば、紫外光、レーザ光のような光、電� ��線、粒子線等が挙げられる。これらの中で� ��、照射するエネルギー線は、レーザ光また� ��紫外光であるのが好ましい(図2(f)参照)。レ� ��ザ光によれば、シリコン基材5の変質・劣化 を確実に防止しつつ、図2(g)に示すように、Si -H結合を選択的に効率よく切断することがで� ��る。また、紫外光によれば、紫外ランプの� ��うな比較的簡単な設備で、広範囲にわたっ� ��Si-H結合を選択的に効率よく切断することが できる。
 ここで、レーザ光としては、前記工程[1-2]� �場合と同様、パルスレーザを用いるのが好� �しい。
 また、レーザ光の各種条件も、前記工程[1-2 ]の場合と同様である。

 一方、照射するエネルギー線として紫外光� ��用いる場合、紫外光の波長は、150~300nm程度� ��あるのが好ましく、160~200nm程度であるのが� ��り好ましい。
 また、紫外光を照射する時間は、特に限定� ��れないが、0.5~30分程度であるのが好ましく� ��1~10分程度であるのがより好ましい。
 なお、表面51に露出した未結合手が終端化� �れると、シリコン基材5の表面51は、化学的� �安定化する。このため、大気中に放置して� �シリコン基材5の表面51に酸化膜が形成され� �のを防止することができる。すなわち、表� �51にSi-H結合が高密度に形成された状態を保� �することができる。したがって、この状態� �あれば、大気中であっても保存することが� �能となる。

 一方、シリコン基材5を加熱する場合、加熱 温度は200~600℃程度であるのが好ましく、300~4 00℃程度であるのがより好ましい。Si-H結合の 結合エネルギーは、Si-Si結合の結合エネルギ� ��より小さいので、シリコン基材5の加熱温度 を前記範囲内に設定することにより、Si-H結� �を選択的に切断することができる。
 このような(II)の方法によれば、(I)の方法の ように、シリコン基材が必ずしも水素を含ん でいる必要がない。すなわち、水素を含まな い第2のシリコン基材2に対しても、本発明の� ��リコン基材の接合方法を適用することがで� ��る。

 以上のような2つの方法(I)、(II)によれば、� �面21にシリコンの未結合手22が露出した第2の シリコン基材2を効率よく確実に形成するこ� �ができる。
 なお、用意する第2のシリコン基材2の結晶� �造は、第1のシリコン基材1と異なっていても よいが、同じであるのが好ましい。これによ り、最終的に得られる接合体3は、接合界面� �介して各種特性が連続したものとなる。
 また、第2のシリコン基材2には、必要に応� �て、p型ドーパントやn型ドーパント等が添加 されていてもよい。これにより、第2のシリ� �ン基材2の電気的特性を制御することができ� ��。

 [2-2]
 次に、図3(h)に示すように、前記工程[1]で得 られた、へき開された第1のシリコン基材1’� ��へき開面13と、前記工程[2-1]で用意した第2� �シリコン基材2の表面21とが接触するように� �へき開された第1のシリコン基材1’と第2の� �リコン基材2とを重ね合わせる。これにより� ��へき開された第1のシリコン基材1’のへき� �面13に露出した未結合手14と、第2のシリコン 基材2の表面21に露出した未結合手22とが結合� ��、図3(i)に示すような、へき開された第1の� �リコン基材1’と第2のシリコン基材2とが接� �された接合体3が得られる。

 ここで、前述のようにしてへき開された第1 のシリコン基材1’と第2のシリコン基材2とを 重ね合わせた状態で、必要に応じて、へき開 された第1のシリコン基材1’および第2のシリ コン基材2を加熱する。これにより、接合に� �する時間を短縮するとともに、接合体3の接� ��強度をより高めることができる。
 また、加熱温度は、40~200℃程度であるのが� ��ましく、50~150℃程度であるのがより好まし� ��。これにより、へき開された第1のシリコン 基材1’および第2のシリコン基材2に、熱によ る変質・劣化が発生するのを防止しつつ、接 合に要する時間を短縮するとともに、接合体 3の接合強度をより高めることができる。

 また、前述のようにしてへき開された第1の シリコン基材1’と第2のシリコン基材2とを重 ね合わせた状態で、必要に応じて、へき開さ れた第1のシリコン基材1’および第2のシリコ ン基材2を、互いに近づく方向に加圧する。� �れにより、接合体3の接合強度をより高める� ��とができる。
 このとき、接合体3を加圧する際の圧力は、 各シリコン基材1’、2の構成材料や厚さ等に� ��じて若干異なるものの、1~1000MPa程度である� ��が好ましく、1~10MPa程度であるのがより好ま しい。加圧する際の圧力を前記範囲内とする ことにより、各シリコン基材1’、2に損傷等� ��発生するのを防止しつつ、接合体3の接合強 度を確実に高めることができる。
 なお、前述の加熱と加圧は、同時に行うの� ��好ましい。これにより、加熱による効果と� ��加圧による効果とが相乗的に発揮され、接� ��体3の接合強度を特に高めることができる。

 また、以上のような工程[1]、[2]は、窒素� ��ス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲� ��中または減圧雰囲気中で行うのが好ましい� ��これにより、へき開面13や表面21が汚染され たり、大気中の酸素や水分等が付着して、へ き開面13や表面21が酸化されたりするのを確� �に防止することができる。その結果、へき� �面13に露出した未結合手14や表面21に露出し� �未結合手22が、酸素や水酸基等で不本意に終 端化される(不活性化される)のを防止するこ� ��ができる。

 なお、第1のシリコン基材1’のへき開面13 に未結合手14が露出した状態や、第2のシリコ ン基材2の表面21に未結合手22が露出した状態� ��、経時的に未結合手が消失してしまう。こ� ��ため、前記工程[1-2]においてへき開面13にシ リコンの未結合手14を露出させた後、できる� ��け早く本工程[2-2]を行うようにする。また� �同様に、前記工程[2-1]において表面21にシリ� ��ンの未結合手22を露出させた後、できるだ� �早く本工程[2-2]を行うようにする。

 具体的には、前記工程[1-2]や前記工程[2-1] の終了後、5分以内に本工程[2-2]を行うように するのが好ましく、3分以内に行うのがより� �ましい。かかる時間内であれば、へき開面13 や表面21が十分な活性状態を維持しているの� ��、本工程[2-2]において第1のシリコン基材1’ と第2のシリコン基材とを貼り合せたときに� �分な接合強度を得ることができる。

 以上のようなシリコン基材の接合方法では� ��接合に供されるシリコン基材として、へき� ��された第1のシリコン基材1’を用いること� �より、接合面が、平滑性に優れたへき開面13 である。このため、へき開された第1のシリ� �ン基材1’と第2のシリコン基材2とを密着性� �く接触することができ、高強度かつ高精度� �接合を行うことができる。
 また、本発明の接合方法は、高温での熱処� ��を行わなくとも、へき開された第1のシリコ ン基材1’と第2のシリコン基材2とを十分な接 合強度で接合することができる。このため、 へき開された第1のシリコン基材1’および第2 のシリコン基材2が、熱によって変質・劣化� �てしまうのを防止することができる。

 また、本発明によれば、へき開された第1 のシリコン基材1’と第2のシリコン基材2とを 接合したとき、その接合界面はSi-Si結合に基� ��いて接合されている。このため、従来のよ� ��に、接合界面がSi-O-Si結合に基づいて接合さ れている場合に比べ、へき開された第1のシ� �コン基材1’から第2のシリコン基材2にかけ� �、より連続的な特性(機械的特性、電気的特� ��および化学的特性)を有する接合体3が得ら� �る。

 ≪第2実施形態≫
 次に、本発明のシリコン基材の接合方法の� ��2実施形態について説明する。
 図4および図5は、本発明のシリコン基材の� �合方法の第2実施形態を説明するための模式� ��(縦断面図)である。なお、以下の説明では� �図4および図5中の上側を「上」、下側を「下 」と言う。

 以下、シリコン基材の接合方法の第2実施形 態について説明するが、前記第1実施形態に� �かるシリコン基材の接合方法との相違点を� �心に説明し、同様の事項については、その� �明を省略する。
 本実施形態にかかるシリコン基材の接合方� ��では、第1の工程が異なる以外は、前記第1� �施形態と同様である。
 以下、本実施形態の各工程について、順次� ��明する。なお、本実施形態では、一例とし� ��、図4に示すB-B線に沿って第1のシリコン基� �1をへき開するものとする。また、以下、B-B� ��で示される面を、「へき開すべき面41」と� �う。

 [1]シリコン基材のへき開工程(第1の工程)
 本実施形態では、[1-1]まず、Si-H結合を含む� ��1のシリコン基材4を用意する。この第1のシ� ��コン基材4は、図4(a)に示すように、へき開� �べき面41に沿ってSi-H結合が位置しているよ� �なシリコン材料を用いる。[1-2]次いで、第1� �シリコン基材4にエネルギーを付与すると、S i-H結合が選択的に切断されるとともに、脱離 した水素原子同士が結合して水素ガスが発生 する。この水素ガスは、大きな体積を占める ことから、水素ガスが発生した部分で、第1� �シリコン基材4が押し広げられる。その結果� ��第1のシリコン基材4がへき開すべき面41に沿 ってへき開される。以下、本工程を順次説明 する。

 [1-1]
 本実施形態では、本工程で用意するSi-H結合 を含む第1のシリコン基材4として、図4(a)に示 すように、へき開すべき面41に沿ってSi-H結合 が位置しているシリコン材料を用いる。この ような第1のシリコン基材4は、後述する工程� ��おいて、エネルギーを付与されることによ� ��、へき開すべき面41で確実にへき開される� �

 ここで、第1のシリコン基材4を構成する� �料としては、前記第1実施形態と同様に、ア� ��ルファスシリコンや結晶シリコン等が挙げ� ��れる。そして、このような材料で構成され� ��シリコン材料に対し、図4(b)に示すように、 水素原子または水素イオンを、へき開すべき 面41に留まらせるように注入する。これによ� ��、へき開すべき面41に沿ってSi-H結合が位置� ��た第1のシリコン基材4が得られる。また、� �のように水素原子または水素イオンを注入� �るようにすれば、あらかじめ水素を含まな� �ようなシリコン材料で構成された第1のシリ� ��ン基材であっても、本発明を適用して、接� ��を行うことができる。

 水素原子または水素イオンの注入は、例え� ��、イオン注入装置を用いたイオン注入法等� ��方法により行うことができる。
 この際、イオン注入の際のイオン加速電圧� ��適宜変更することにより、注入する水素原� ��または水素イオンの注入深さを制御し、水� ��原子または水素イオンが確実にへき開すべ� ��面41に留まらせることができる。

 具体的には、イオン加速電圧を0.2~150kV程度� ��するのが好ましく、1~90kV程度にするのがよ� ��好ましい。イオン加速電圧を前記範囲内に� ��定すれば、注入されたイオンのエネルギー� ��大き過ぎてシリコン材料に損傷等が生じる� ��を防止しつつ、水素原子または水素イオン� ��確実にシリコン材料中に注入することがで� ��る。
 なお、第1のシリコン基材4が結晶シリコン� �構成されている場合、結晶面がへき開すべ� �面41と平行であるのが好ましい。これにより 、へき開が結晶面に沿って進行することにな るため、得られたへき開面は、より平滑性の 高いものとなる。

 [1-2]
 次に、第1のシリコン基材4に対し、エネル� �ーを付与する。これにより、第1のシリコン� ��材4がへき開すべき面41でへき開される。
 第1のシリコン基材4にエネルギーを付与す� �方法には、第1のシリコン基材4を変質・劣化 させることなく、Si-H結合を選択的に切断し� �る方法であれば、いかなる方法をも用いる� �とができるが、本実施形態では、特に、第1� ��シリコン基材4にレーザ光のような光を照射 する方法、または、第1のシリコン基材4を加� ��する方法が好ましい。

 このうち、図4(c1)に示すように、第1のシリ� ��ン基材4にレーザ光を照射する方法によれば 、第1のシリコン基材4の変質・劣化を確実に� ��止しつつ、Si-H結合を選択的に効率よく切断 することができる。また、レーザ光によれば 、第1のシリコン基材4に対して局所的にエネ� ��ギーを付与することができる。これにより� ��へき開すべき面41付近に存在するSi-H結合の� ��を選択的に切断することができる。また、� ��き開すべき面41以外の部分の温度上昇を抑� �することができる。このため、例えば、第1� ��シリコン基材4に機構部品や回路が形成され ている場合、これらに熱による影響が及ぶの を避けることができる。
 このようなレーザ光の各種条件は、前記第1 実施形態と同様である。

 なお、本実施形態では、第1のシリコン基 材4のへき開すべき面41に沿ってSi-H結合が位� �しているので、レーザ光のような指向性の� �い光ではなく、放射状に広がる指向性の低� �光でも、へき開すべき面41に位置するSi-H結� �のみを選択的に切断することができる。そ� �結果、第1のシリコン基材4をへき開すべき面 41において確実にへき開し、分割することが� ��きる。

 一方、図4(c2)に示すように、第1のシリコン� ��材4を加熱する場合、例えば、ヒータや赤外 線等を用いて加熱することができる。
 この際の加熱温度は、300~600℃程度であるの が好ましく、400~500℃程度であるのがより好� �しい。これにより、Si-Si結合をほとんど切断 することなく、Si-H結合のみを選択的に切断� �ることができる。
 また、加熱する時間は、特に限定されない� ��、加熱温度が前記範囲内である場合、好ま� ��くは0.1~10分程度、より好ましくは0.5~5分程� �とされる。
 このように、本実施形態では、加熱によっ� ��Si-H結合を選択的に切断することができるの で、高価な設備等を必要とせず、本工程を簡 単に行うことができる。

 以上のようにしてSi-H結合が切断されると 、水素原子が結合していた結合手は、未結合 手(ダングリングボンド)44となる。一方、脱� �した水素原子は、2個結合して、図5(d)に示す ように、へき開すべき面41付近に水素ガス42� �発生する。この水素ガス42は、大きな体積を 占めることから、へき開すべき面41において� ��1のシリコン基材4が押し広げられる。これ� �より発生する応力が第1のシリコン基材4の破 壊応力に達すると、図5(e)に示すように、へ� �開すべき面41において第1のシリコン基材4が� ��下にへき開され、分割される。

 2つにへき開された第1のシリコン基材4’の� ��へき開面43、43には、それぞれシリコンの未 結合手44が露出しており、活性の高い状態と� ��っている。なお、このへき開面43は、例え� �、シリコン基材を研磨した面よりも高い平� �性を有している。
 なお、上記のようなエネルギーの付与は、� ��素ガス、アルゴンガスのような不活性ガス� ��囲気中または減圧雰囲気中で行うのが好ま� ��い。これにより、へき開面43が汚染された� �、大気中の酸素や水分等が付着して、へき� �面43が酸化されたりするのを確実に防止する ことができる。その結果、へき開面43に露出� ��た未結合手44が、酸素や水酸基等で不本意� �終端化される(不活性化される)のを防止する ことができる。

 [2]シリコン基材の接合工程(第2の工程)
 次に、前記第1実施形態の工程[2]と同様にし て、へき開され、分割された第1のシリコン� �材4のうち、一方の第1のシリコン基材4’の� �き開面43と、別途用意した第2のシリコン基� �2の表面21とが接触するように、へき開され� �第1のシリコン基材4’と第2のシリコン基材2� ��を重ね合わせる。これにより、へき開され� ��第1のシリコン基材4’のへき開面43に露出す るシリコンの未結合手44と、第2のシリコン基 材2の表面21に露出するシリコンの未結合手22� ��が結合して、Si-Si結合が形成される。その� �果、へき開された第1のシリコン基材4’と第 2のシリコン基材2とが接合され、接合体3が得 られる。

 以上のようなシリコン基材の接合方法では� ��前記第1実施形態にかかるシリコン基材の接 合方法と同様の作用・効果が得られる。
 また、本実施形態によれば、第1のシリコン 基材4のへき開すべき面41付近に選択的に水素 イオンを注入するので、その他の部分(へき� �すべき面41付近以外の部分)には水素イオン� �存在しない。水素イオンが多すぎると第1の� ��リコン基材4の機械的特性や電気的特性が低 下する場合があるが、本実施形態によれば、 このような問題を避けることができる。
 なお、以上のようなシリコン基材の接合方� ��により得られたシリコン基材の接合体は、� ��えば、MEMS、半導体素子、各種パッケージ等 に適用することができる。
 ここでは、本発明の接合方法により得られ� ��接合体をダイオード(半導体素子)に適用し� �場合を例にして説明する。

 図6は、本発明のシリコン基材の接合方法を 適用して得られたダイオードを示す模式図(� �断面図)である。
 図6に示すダイオード200は、p型シリコン基� �210とn型シリコン基材220とを有し、これらは� ��合界面230で直接接合されている。
 また、p型シリコン基材210の接合界面230と反 対側の面には、アノード240が設けられ、n型� �リコン基材220の接合界面230と反対側の面に� �、カソード250が設けられている。
 さらに、アノード240には、リード260が、カ� ��ード250には、リード270がそれぞれ設けられ� ��いる。

 ここで、p型シリコン基材210は、水素が添加 されたアモルファスシリコンや、水素が添加 された結晶シリコン等のシリコン材料に、ホ ウ素(B)、インジウム(In)等の3価元素のp型ドー パントを少量添加したものである。
 一方、n型シリコン基材220は、p型シリコン� �材210と同様のシリコン材料に、リン(P)、ヒ� �(As)、アンチモン(Sb)等の5価元素のn型ドーパ� ��トを少量添加したものである。

 このようなp型シリコン基材210とn型シリコ� �基材220とは、本発明の接合方法を用いて接� �されている。これにより、p型シリコン基材2 10とn型シリコン基材220とが、接触抵抗が極め て低い状態で接合される。その結果、接合界 面230はpn接合となり、ダイオード200は、整流� ��用を示す。
 そして、本発明の接合方法を適用して得ら� ��たダイオード200は、信頼性の高いものとな� ��。

 <インクジェット式記録ヘッド>
 次に、本発明のシリコン基材の接合方法を� ��いて得られたシリコン基材の接合体を、イ� ��クジェット式記録ヘッドに適用した場合の� ��施形態について説明する。
 図7は、本発明のシリコン基材の接合方法を 適用して得られたインクジェット式記録ヘッ ド(液滴吐出ヘッド)を示す分解斜視図、図8は 、図7に示すインクジェット式記録ヘッドの� �要部の構成を示す断面図、図9は、図7に示す インクジェット式記録ヘッドを備えるインク ジェットプリンタの実施形態を示す概略図で ある。なお、図7は、通常使用される状態と� �、上下逆に示されている。

 図7に示すインクジェット式記録ヘッド(本� �明の液滴吐出ヘッド)10は、図9に示すような� ��ンクジェットプリンタ(本発明の液滴吐出装 置)9に搭載されている。
 図9に示すインクジェットプリンタ9は、装� �本体92を備えており、上部後方に記録用紙P� �設置するトレイ921と、下部前方に記録用紙P� ��排出する排紙口922と、上部面に操作パネル9 7とが設けられている。

 操作パネル97は、例えば、液晶ディスプレ� �、有機ELディスプレイ、LEDランプ等で構成さ れ、エラーメッセージ等を表示する表示部(� �示せず)と、各種スイッチ等で構成される操� ��部(図示せず)とを備えている。
 また、装置本体92の内部には、主に、往復� �するヘッドユニット93を備える印刷装置(印� �手段)94と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置94に� ��り込む給紙装置(給紙手段)95と、印刷装置94� ��よび給紙装置95を制御する制御部(制御手段) 96とを有している。

 制御部96の制御により、給紙装置95は、記 録用紙Pを一枚ずつ間欠送りする。この記録� �紙Pは、ヘッドユニット93の下部近傍を通過� �る。このとき、ヘッドユニット93が記録用紙 Pの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動� �て、記録用紙Pへの印刷が行なわれる。すな� ��ち、ヘッドユニット93の往復動と記録用紙P� ��間欠送りとが、印刷における主走査および� ��走査となって、インクジェット方式の印刷� ��行なわれる。

 印刷装置94は、ヘッドユニット93と、ヘッド ユニット93の駆動源となるキャリッジモータ9 41と、キャリッジモータ941の回転を受けて、� ��ッドユニット93を往復動させる往復動機構94 2とを備えている。
 ヘッドユニット93は、その下部に、多数の� �ズル孔111を備えるインクジェット式記録ヘ� �ド10(以下、単に「ヘッド10」と言う。)と、� �ッド10にインクを供給するインクカートリッ ジ931と、ヘッド10およびインクカートリッジ9 31を搭載したキャリッジ932とを有している。

 なお、インクカートリッジ931として、イエ� ��ー、シアン、マゼンタ、ブラック(黒)の4色� ��インクを充填したものを用いることにより� ��フルカラー印刷が可能となる。
 往復動機構942は、その両端をフレーム(図示 せず)に支持されたキャリッジガイド軸943と� �キャリッジガイド軸943と平行に延在するタ� �ミングベルト944とを有している。

 キャリッジ932は、キャリッジガイド軸943に� ��復動自在に支持されるとともに、タイミン� ��ベルト944の一部に固定されている。
 キャリッジモータ941の作動により、プーリ� ��介してタイミングベルト944を正逆走行させ� ��と、キャリッジガイド軸943に案内されて、� ��ッドユニット93が往復動する。そして、こ� �往復動の際に、ヘッド10から適宜インクが吐 出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。

 給紙装置95は、その駆動源となる給紙モー� �951と、給紙モータ951の作動により回転する� �紙ローラ952とを有している。
 給紙ローラ952は、記録用紙Pの送り経路(記� �用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ952 aと駆動ローラ952bとで構成され、駆動ローラ9 52bは給紙モータ951に連結されている。これに より、給紙ローラ952は、トレイ921に設置した 多数枚の記録用紙Pを、印刷装置94に向かって 1枚ずつ送り込めるようになっている。なお� �トレイ921に代えて、記録用紙Pを収容する給� ��カセットを着脱自在に装着し得るような構� ��であってもよい。

 制御部96は、例えばパーソナルコンピュー� �やディジタルカメラ等のホストコンピュー� �から入力された印刷データに基づいて、印� �装置94や給紙装置95等を制御することにより� ��刷を行うものである。
 制御部96は、いずれも図示しないが、主に� �各部を制御する制御プログラム等を記憶す� �メモリ、圧電素子(振動源)14を駆動して、イ� ��クの吐出タイミングを制御する圧電素子駆� ��回路、印刷装置94(キャリッジモータ941)を駆 動する駆動回路、給紙装置95(給紙モータ951)� �駆動する駆動回路、および、ホストコンピ� �ータからの印刷データを入手する通信回路� �、これらに電気的に接続され、各部での各� �制御を行うCPUとを備えている。

 また、CPUには、例えば、インクカートリッ� ��931のインク残量、ヘッドユニット93の位置� �を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電� �的に接続されている。
 制御部96は、通信回路を介して、印刷デー� �を入手してメモリに格納する。CPUは、この� �刷データを処理して、この処理データおよ� �各種センサからの入力データに基づいて、� �駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動� �号により圧電素子140、印刷装置94および給紙 装置95は、それぞれ作動する。これにより、� ��録用紙Pに印刷が行われる。

 以下、ヘッド10(本発明の液滴吐出ヘッド)に ついて、図7および図8を参照しつつ詳述する� ��
 ヘッド10は、複数のノズル孔(孔)111が形成さ れたノズル板(第1の基板)110と、各ノズル孔111 に対応して配置され、インク(液体)を一時的� ��貯留するインク室(液体貯留空間)121を備え� �インク室基板(第2の基板)120と、インク室121� �容積変化を生じさせる振動板130と、振動板13 0に接合された圧電素子(振動源)140とを備える ヘッド本体170と、このヘッド本体170を収納す る基体(ケーシング)160とを有している。なお� ��このヘッド10は、オンデマンド形のピエゾ� �ェット式ヘッドを構成する。

 本実施形態では、このノズル板110が、シリ� ��ン基板によって構成されている。
 このノズル板110には、インク滴を吐出する� ��めの多数のノズル孔111が形成されている。� ��れらのノズル孔111間のピッチは、印刷精度� ��応じて適宜設定される。
 ノズル板110には、インク室基板120が固着(固 定)されている。
 このインク室基板120は、ノズル板110、側壁( 隔壁)122および後述する振動板130により、複� �のインク室(キャビティ、圧力室)121と、イン クカートリッジ931から供給されるインクを貯 留するリザーバ室123と、リザーバ室123から各 インク室121に、それぞれインクを供給する供 給口124とが区画形成されている。
 各インク室121は、それぞれ短冊状(直方体状 )に形成され、各ノズル孔111に対応して配設� �れている。各インク室121は、後述する振動� �130の振動により容積可変であり、この容積� �化により、インクを吐出するよう構成され� �いる。

 本実施形態では、このインク室基板120が� ��シリコン基板によって構成されている。そ� ��て、ノズル板110とインク室基板120とが、本� ��明のシリコン基材の接合方法によって接合� ��れている。これにより、ノズル板110とイン� ��室基板120とが高強度かつ高精度に接合され� ��。その結果、各インク室121、各リザーバ室1 23および各供給口124において、それぞれの容� ��のバラツキが抑制され、各ノズル孔111から� ��出されるインクの吐出量の均一化を図るこ� ��ができる。

 一方、インク室基板120のノズル板110と反対� ��には、振動板130が接合され、さらに振動板1 30のインク室基板120と反対側には、複数の圧� ��素子140が設けられている。
 また、振動板130の所定位置には、振動板130� ��厚さ方向に貫通して連通孔131が形成されて� ��る。この連通孔131を介して、前述したイン� ��カートリッジ931からリザーバ室123に、イン� ��が供給可能となっている。

 各圧電素子140は、それぞれ、下部電極142と� ��部電極141との間に圧電体層143を介挿してな� ��、各インク室121のほぼ中央部に対応して配� ��されている。各圧電素子140は、圧電素子駆� ��回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回� ��の信号に基づいて作動(振動、変形)するよ� �構成されている。
 各圧電素子140は、それぞれ、振動源として� ��能し、振動板130は、圧電素子140の振動によ� ��振動し、インク室121の内部圧力を瞬間的に� ��めるよう機能する。

 本実施形態では、振動板130と圧電素子140と� ��より、インク室121内に貯留されたインクを� ��ズル孔111から液滴として吐出させるための� ��滴吐出手段を構成する。
 基体160は、ヘッド本体170を収納し得る凹部1 61を備えている。そして、この凹部161にヘッ� ��本体170を収納した状態で、凹部161の外周部� ��形成された段差162によりノズル板110の縁部� ��支持されている。

 このようなヘッド10は、圧電素子駆動回� �を介して所定の吐出信号が入力されていな� �状態、すなわち、圧電素子140の下部電極142� �上部電極141との間に電圧が印加されていな� �状態では、圧電体層143に変形が生じない。� �のため、振動板130も変形が生じず、インク� �121には容積変化が生じない。したがって、� �ズル孔111からインク滴は吐出されない。

 一方、圧電素子駆動回路を介して所定の� ��出信号が入力された状態、すなわち、圧電� ��子140の下部電極142と上部電極141との間に一� ��電圧が印加された状態では、圧電体層143に� ��形が生じる。これにより、振動板130が大き� ��たわみ、インク室121の容積変化が生じる。� ��のとき、インク室121内の圧力が瞬間的に高� ��り、ノズル孔111からインク滴が吐出される� ��

 1回のインクの吐出が終了すると、圧電素子 駆動回路は、下部電極142と上部電極141との間 への電圧の印加を停止する。これにより、圧 電素子140は、ほぼ元の形状に戻り、インク室 121の容積が増大する。なお、このとき、イン クには、インクカートリッジ931からノズル孔 111へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用して� ��る。このため、空気がノズル孔111からイン� ��室121へ入り込むことが防止され、インクの� ��出量に見合った量のインクがインクカート� ��ッジ931(リザーバ室123)からインク室121へ供� �される。
 このようにして、ヘッド10において、印刷� �せたい位置の圧電素子140に、圧電素子駆動� �路を介して吐出信号を順次入力することに� �り、任意の(所望の)文字や図形等を印刷する ことができる。

 なお、ヘッド10は、圧電素子140の代わりに� �気熱変換素子を有していてもよい。つまり� �ヘッド10は、電気熱変換素子による材料の熱 膨張を利用してインクを吐出する構成(いわ� �る、「バブルジェット方式」(「バブルジェ� ��ト」は登録商標))のものであってもよい。
 かかる構成のヘッド10において、ノズル板11 0には、撥液性を付与することを目的に形成� �れた被膜114が設けられている。これにより� �ノズル孔111からインク滴が吐出される際に� �このノズル孔111の周辺にインク滴が残存す� �のを確実に防止することができる。その結� �、ノズル孔111から吐出されたインク滴を目� �とする領域に確実に着弾させることができ� �。

 <電子デバイス>
 次に、本発明のシリコン基材の接合方法を� ��いて得られたシリコン基材の接合体を、電� ��デバイスに適用した場合の実施形態につい� ��説明する。
 図10は、本発明のシリコン基材の接合方法� �適用して得られた電子デバイスを示す縦断� �図である。なお、以下の説明では、図10中の 上側を「上」、下側を「下」と言う。

 図10に示す電子デバイス(本発明の電子デバ� ��ス)300は、絶縁基板310と、この絶縁基板310上 に積層された2枚のシリコンチップ320、330と� �有している。
 また、絶縁基板310とシリコンチップ320との� ��には、絶縁層340と、パターニングされた導� ��層350とが設けられている。この導電層350は� ��絶縁基板310を貫通する貫通孔311に挿通され� ��ハンダボール360に接合されている。これに� ��り、導電層350とハンダボール360との間の導� ��が図られている。
 ここで、2枚のシリコンチップ320、330には、 それぞれ、回路(図示せず)が形成されている� ��この回路は、一般的な半導体製造プロセス� ��用いて形成されたものである。

 また、各シリコンチップ320、330に形成され� ��回路には、それぞれ、ワイヤ370の一端が接� ��されており、各ワイヤ370の他端は、絶縁基� ��310上に設けられた導電層350に接続されてい� ��。これにより、各シリコンチップ320、330に� ��成された回路と、ハンダボール360との間が� ��電気的に接続されている。
 さらに、絶縁基板310上には、封止部380が設� ��られている。この封止部380は、2枚のシリコ ンチップ320、330、およびワイヤ370を覆うこと により、これらを絶縁・封止している。

 このような電子デバイス300において、2枚の シリコンチップ320、330間が、本発明のシリコ ン基材の接合方法を用いて接合されている。 すなわち、2枚のシリコンチップ320、330のう� �の一方が、前述の第1のシリコン基材に相当� ��、他方が第2のシリコン基材に相当している 。これにより、2枚のシリコンチップ320、330� �強固に接合されるとともに、これらの位置� �度が高くなる。このため、電子デバイス300� �、信頼性の高いものとなる。
 また、2枚のシリコンチップ320、330を積層す ることにより、三次元的な実装を容易に行う ことができる。これにより、電子デバイス300 の平面サイズを縮小することができる。また 、同一の平面サイズであれば、電子デバイス 300の集積度を容易に高めることができる。

 以上、本発明のシリコン基材の接合方法、� ��滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デ� ��イスを、図示の実施形態に基づいて説明し� ��が、本発明はこれらに限定されるものでは� ��い。
 例えば、前記実施形態では、第1のシリコン 基材において、1つの面でへき開を生じさせ� �いるが、2つ以上の面でへき開するようにし� ��もよい。
 また、3つ以上のシリコン基材を接合するよ うにしてもよい。
 また、例えば、本発明のシリコン基材の接� ��方法では、必要に応じて、1以上の任意の目 的の工程を追加してもよい。